受光装置およびその製造方法
【課題】受光素子の暗電流をより正確に測定することができる受光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】受光装置の製造方法は、半導体基板１０と、半導体基板上に設けられp側電極２３およびｎ側電極２４を備える第１受光素子２０ａと、半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第２受光素子２０ｂと、半導体基板上に設けられた電極接続部と、電極接続部上に設けられ第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、電極接続部上に設けられ、第１電極と電気的に分離され、第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置を準備する工程と、第１電極と第１受光素子のｎ側電極との間の特性を試験する第１試験工程と、第２電極と第２受光素子のｐ側電極との間の特性を試験する第２試験工程と、第１電極と第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアに受光素子を実装する工程と、を有する。
【解決手段】受光装置の製造方法は、半導体基板１０と、半導体基板上に設けられp側電極２３およびｎ側電極２４を備える第１受光素子２０ａと、半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第２受光素子２０ｂと、半導体基板上に設けられた電極接続部と、電極接続部上に設けられ第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、電極接続部上に設けられ、第１電極と電気的に分離され、第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置を準備する工程と、第１電極と第１受光素子のｎ側電極との間の特性を試験する第１試験工程と、第２電極と第２受光素子のｐ側電極との間の特性を試験する第２試験工程と、第１電極と第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアに受光素子を実装する工程と、を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップ型のメサ状半導体受光素子を半導体基板上に備える半導体受光装置が開発されている。例えば、半導体基板上にメサ構造の受光部が設けられ、受光部上に形成された電極と電気的に接続する電極パッドが、受光部のメサとは別のダミーメサ部上に形成される構造の半導体受光素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−２９０４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような構造に対して、２つの半導体受光素子を縦続接続させたバランスタイプの半導体受光装置を検討した。この半導体受光装置においては、一方の半導体受光素子のｎ側電極と他方の半導体受光素子のｐ側電極とを、配線により接続させることができる。このような半導体受光装置を製造するにあたって、受光素子の暗電流をより正確に測定できることが望まれている。しかしながら、バランスタイプの半導体受光装置では、各受光素子の暗電流を正確に測定することが困難である。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる受光装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る受光装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第１受光素子と、前記半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第２受光素子と、前記半導体基板上に設けられた電極接続部と、前記電極接続部上に設けられ前記第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、前記電極接続部上に設けられ、前記第１電極と電気的に分離され、前記第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置を準備する工程と、前記第１電極と前記第１受光素子のｎ側電極との間の特性を試験する第１試験工程と、前記第２電極と前記第２受光素子のｐ側電極との間の特性を試験する第２試験工程と、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアに前記受光素子を実装する工程と、を有することを特徴とするものである。本発明に係る受光装置の製造方法によれば、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる。
【０００７】
前記第１受光素子、前記第２受光素子および前記電極接続部のそれぞれは、前記半導体基板上にそれぞれ離間して設けられたメサ状の半導体領域に設けられていてもよい。前記第１受光素子および前記第２受光素子は、ｎ型半導体、p型半導体およびそれらの間に設けられたｉ型半導体を有していてもよい。前記半導体基板は、半絶縁性ＩｎＰからなるものであってもよい。前記第１試験工程は、前記第１受光素子の暗電流を評価する試験であり、前記第２試験工程は、前記第２受光素子の暗電流を評価する試験であってもよい。
【０００８】
本発明に係る受光装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられp側電極とｎ側電極を備える第１受光素子と、前記半導体基板上に設けられp側電極とｎ側電極を備える第２受光素子と、前記半導体基板上に設けられた電極接続部と、前記電極接続部上に設けられ前記第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、前記電極接続部上に設けられ、前記第１電極と電気的に分離され、前記第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置と、前記受光素子を搭載し、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアと、を有することを特徴とするものである。本発明に係る受光装置によれば、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる。
【０００９】
前記第１受光素子、前記第２受光素子および前記電極接続部のそれぞれは、前記半導体基板上にそれぞれ離間して設けられたメサ状の半導体領域に設けられていてもよい。前記第１受光素子および前記第２受光素子は、ｎ型半導体、p型半導体およびそれらの間に設けられたｉ型半導体を有していてもよい。前記半導体基板は、半絶縁性ＩｎＰからなるものであってもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる、半導体受光装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】比較例に係る半導体受光装置の平面図である。
【図２】（ａ）はキャリアの配線を表した図であり、（ｂ）は半導体受光装置の回路図である。
【図３】（ａ）は半導体受光装置の断面図であり、（ｂ）は受光素子の拡大断面図であり、（ｃ）はダミーメサの拡大断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は暗電流を説明するための図である。
【図５】実施例に係る半導体受光装置の平面図である。
【図６】（ａ）はキャリアの配線を表した図であり、（ｂ）は半導体受光装置の回路図である。
【図７】（ａ）は半導体受光装置の断面図であり、（ｂ）は半導体受光装置において測定される暗電流を説明するための回路図である。
【図８】キャリアの配置を示す図である。
【図９】暗電流の測定結果を示す図である。
【図１０】半導体受光装置の製造フローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施例の説明の前に、図１〜図４を参照しつつ、比較例について説明する。
【比較例】
【００１３】
図１は、比較例に係る半導体受光デバイス２００の平面図である。図２（ａ）は、キャリア５０と半導体受光デバイス２００とが接続する半導体受光装置２００ｂを表した図である。図２（ｂ）は、半導体受光装置２００ｂの回路図である。図３（ａ）は、半導体受光デバイス２００の断面図であり、図１のＡ−Ａ´線に沿った断面図である。図３（ｂ）は、後述する受光素子２０ａの拡大断面図である。図３（ｃ）は、後述するダミーメサ３０ｂの拡大断面図である。
【００１４】
図１に示すように、半導体受光デバイス２００は、半導体基板１０上に、受光素子２０ａ，２０ｂおよびダミーメサ３０ａ〜３０ｃが設けられた構成を有する。受光素子２０ａ，２０ｂおよびおよびダミーメサ３０ａ〜３０ｃは、メサ状に形成されている。なお、半導体受光デバイス２００には、チップ領域とその周辺部にスクライブ領域が形成されており、チップ領域の角には、アライメントマーク８０が形成されている。
【００１５】
受光素子２０ａ，２０ｂは、下部メサ２１上に上部メサ２２および上部電極２３がこの順に配置された構造を有する。例えば、下部メサ２１は、略円柱形状を有している。上部メサ２２は、下部メサ２１よりも小さい径を有する略円柱形状を有し、下部メサ２１の略中央に配置されている。上部メサ２２は、受光領域として機能する。上部電極２３は、上部メサ２２よりも小さい径を有する略円柱形状を有し、上部メサ２２の略中央に配置されている。すなわち、受光素子２０ａ，２０ｂは、下部ほど径が大きく上部ほど径が小さいメサ形状を有する。さらに、受光素子２０ａ，２０ｂは、下部メサ２１の上部メサ２２以外の領域に下部電極２４を備える。比較例においては、上部電極２３がｐ側電極として機能し、下部電極２４がｎ側電極として機能する。
【００１６】
ダミーメサ３０ａ〜３０ｃは、下部メサ３１上に、上部メサ３２および上部電極３３がこの順に配置された構造を有する。例えば、下部メサ３１は、略円柱形状を有している。上部メサ３２は、下部メサ３１よりも小さい径を有する略円柱形状を有し、下部メサ３１の略中央に配置されている。上部電極３３は、上部メサ３２よりも小さい径を有する略円柱形状を有し、上部メサ３２の略中央に配置されている。すなわち、ダミーメサ３０ａ〜３０ｃは、下部ほど径が大きく上部ほど径が小さいメサ形状を有する。
【００１７】
ダミーメサ３０ａの上部電極３３と受光素子２０ａの下部電極２４とは、ダミーメサ３０ａの表面、半導体基板１０上、および受光素子２０ａの表面を通る配線４０ａによって接続されている。受光素子２０ａの上部電極２３とダミーメサ３０ｂの上部電極３３とは、受光素子２０ａの表面、半導体基板１０上、およびダミーメサ３０ｂの表面を通る配線４０ｂによって接続されている。
【００１８】
ダミーメサ３０ｂの上部電極３３と受光素子２０ｂの下部電極２４とは、ダミーメサ３０ｂの表面、半導体基板１０上、および受光素子２０ｂの表面を通る配線４０ｃによって接続されている。受光素子２０ｂの上部電極２３とダミーメサ３０ｃの上部電極３３とは、受光素子２０ｂの表面、半導体基板１０上、およびダミーメサ３０ｃの表面を通る配線４０ｄによって接続されている。
【００１９】
次に、図２（ａ）に示すように、ダミーメサ３０ａの上部電極３３に、キャリア配線５０ａが接続されている。また、ダミーメサ３０ｂの上部電極３３に、キャリア配線５０ｂが接続されている。さらに、ダミーメサ３０ｃの上部電極３３に、キャリア配線５０ｃが接続されている。
【００２０】
以上のことから、図２（ｂ）に示すように、半導体受光装置２００ｂにおいては、半導体受光デバイス２００は、受光素子２０ａと受光素子２０ｂとが同じ方向に縦続接続されているバランスタイプの受光素子である。比較例においては、受光素子２０ａのｐ側電極と受光素子２０ｂのｎ側電極とが接続されている。また、キャリア配線５０ａは、受光素子２０ａのｎ側電極に接続されたｎ端子として機能する。キャリア配線５０ｂは、受光素子２０ａと受光素子２０ｂとの間に接続された共通端子として機能する。キャリア配線５０ｃは、受光素子２０ｂのｐ側電極に接続されたｐ端子として機能する。共通端子からは出力信号が取り出される。図２（ｂ）の例では、ｐ端子およびｎ端子には、それぞれ逆バイアスが印加される。これにより、バランスタイプの半導体受光装置２００ｂは、信号振幅を拡大して出力することができる。
【００２１】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、受光素子２０ａは、半導体基板１０上において、ｎ型ＩｎＰ層２５、ｉ型ＩｎＧａＡｓ層２６、ｐ型ＩｎＰ層２７、およびコンタクト層２８がこの順に積層された構造を有する。ｐ型ＩｎＰ層２７の側面には、ｎ型ＩｎＰ層２９が配置されている。半導体基板１０は、半絶縁性半導体からなり、例えば、２．２〜６．６×１０７Ωｃｍの抵抗率を有する。コンタクト層２８は、例えば、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなる。図１の下部メサ２１は、ｎ型ＩｎＰ層２５を含む。図１の上部メサ２２は、ｎ型ＩｎＰ層２５の一部、ｉ型ＩｎＧａＡｓ層２６、ｐ型ＩｎＰ層２７、コンタクト層２８、およびｎ型ＩｎＰ層２９を含む。受光素子２０ｂは、受光素子２０ａと同様の構造を有する。また、半導体基板１０の裏面において半導体受光素子２０ａ，２０ｂに対応する位置に、レンズ１１が設けられている。それにより、半導体基板１０の裏面から入射した光を受光素子２０ａ，２０ｂに対して集光することができる。なお、レンズ１１を含む半導体基板１０の裏面には、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる低反射膜が形成されている。
【００２２】
図３（ａ）および図３（ｃ）に示すように、ダミーメサ３０ｂは、半導体基板１０上において、ｎ型ＩｎＰ層３４、ｉ型ＩｎＰ層３５、およびｎ型ＩｎＰ層３６がこの順に積層された構造を有する。図１の下部メサ３１は、ｎ型ＩｎＰ層３４を含む。図１の上部メサ３２は、ｎ型ＩｎＰ層３４の一部、ｉ型ＩｎＰ層３５、およびｐ型ＩｎＰ層３６を含む。ダミーメサ３０ａ，３０ｃは、ダミーメサ３０ａと同様の構造を有する。
【００２３】
受光素子２０ａ，２０ｂの表面、ダミーメサ３０ａ〜３０ｃの表面、および半導体基板１０の表面は、窒化シリコン（ＳｉＮ）などからなる絶縁膜６０によって覆われている。配線４０ａ〜４０ｄは、絶縁膜６０上に配置されている。それにより、各配線と受光素子２０ａ，２０ｂ、ダミーメサ３０ａ〜３０ｃおよび半導体基板１０との間が絶縁されている。ただし、絶縁膜６０は、コンタクト層２８上において開口を有し、下部メサ２１の上部メサ２２が設けられていない領域において開口を有する。それにより、受光素子２０ａのｎ型ＩｎＰ層２５は、配線４０ａと接触する。受光素子２０ａのコンタクト層２８は、配線４０ｂと接触する。受光素子２０ｂのｎ型ＩｎＰ層２５は、配線４０ｃと接触する。受光素子２０ｂのコンタクト層２８は、配線４０ｄと接触する。また、絶縁膜６０は、ダミーメサ３０ａ〜３０ｃの表面を覆うとともに、受光素子とダミーメサとの間の半導体基板１０上を覆っている。
【００２４】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、受光素子２０ａの下部メサ２１上の配線４０ａが、受光素子２０ａの下部電極２４として機能する。受光素子２０ａのコンタクト層２８上の配線４０ｂが、受光素子２０ａの上部電極２３として機能する。受光素子２０ｂの下部メサ２１上の配線４０ｃが、受光素子２０ｂの下部電極２４として機能する。受光素子２０ｂのコンタクト層２８上の配線ｄが、受光素子２０ｂの上部電極２３として機能する。配線４０ａ〜４０ｄは、Ａｕなどからなる。
【００２５】
以上の構成において、受光素子２０ａに逆バイアス電圧を印加することによって受光素子２０ａの暗電流を測定する場合について考察する。受光素子２０ａの暗電流は、受光素子２０ａのｎ型ＩｎＰ層２５からｐ型ＩｎＰ層２７に向けて流れる電流である。したがって、ダミーメサ３０ｂの上部電極３３に対して、ダミーメサ３０ａの上部電極３３にプラスの電圧を印加する。
【００２６】
しかしながら、比較例の構成では、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ダミーメサ３０ｂの上部電極３３は、受光素子２０ａの上部電極２３に接続されるとともに、受光素子２０ｂの下部電極２４に接続される。半導体基板１０は半絶縁性半導体から構成されかつｐｎ接合部は一例として数テラΩの抵抗を有することから、受光素子２０ａよりも半導体基板１０において電流が流れやすくなる。したがって、受光素子２０ａの下部電極２４と受光素子２０ｂの下部電極２４との間で基板リークが発生する。したがって、受光素子２０ａの暗電流を正確に測定することが困難である。そこで、以下の実施例においては、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる半導体受光装置について説明する。
【実施例】
【００２７】
図５〜図８に示すように、実施例に係る半導体受光デバイス１００について説明する。図５は、半導体受光デバイス１００の平面図である。図６（ａ）は、キャリア５０と半導体受光デバイス１００とが接続する半導体受光装置１００ｂを表した図である。図６（ｂ）は、半導体受光装置１００ｂの回路図である。図７（ａ）は、半導体受光デバイス１００の断面図であり、図４のＢ−Ｂ´線に沿った断面図である。図７（ｂ）は、半導体受光デバイス１００において測定される暗電流を説明するための回路図である。
【００２８】
図５に示すように、半導体受光デバイス１００が図１の半導体受光デバイス２００と異なる点は、ダミーメサ３０ｂの代わりに、ダミーメサ３０ｄが設けられている点である。ダミーメサ３０ｄは、上面に上部電極３３ａと上部電極３３ｂとが設けられる電極接続部である。上部電極３３ａは、配線４０ｂに接続されている。上部電極３３ｂは、配線４０ｃに接続されている。図７（ａ）に示すように、上部電極３３ａおよび上部電極３３ｂは、絶縁膜６０上に配置され、互いに離間している。したがって、上部電極３３ａと上部電極３３ｂとは、電気的に絶縁されている。
【００２９】
また、ダミーメサ３０ｄの表面には、絶縁膜６０が形成されており、上面に設けられた上部電極３３ａおよび上部電極３３ｂとダミーメサとの間は電気的に絶縁されている。なお、半導体基板１０の裏面に設けられているレンズ１１は、レンズおよびその周辺のみ半導体基板１０の基板面よりも深く削られている。それにより、組立工程において、レンズに傷が付くことを抑制することができる。また、半導体受光デバイス１００の周辺の両側に位置合わせ用の窪み９０が形成されている。この位置合わせ用の窪み９０は、レンズの形成と同じ工程で形成することができる。なお、レンズ１１を含む半導体基板１０の裏面には、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる低反射膜が形成されている。
【００３０】
図６（ａ）に示すように、キャリア５０が配置されると、ダミーメサ３０ａの上部電極３３に、キャリア配線５０ａが接続される。また、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａと上部電極３３ｂとにまたがってキャリア配線５０ｂが接続される。さらに、ダミーメサ３０ｃの上部電極３３に、キャリア配線５０ｃが接続される。したがって、キャリア５０が配置されることによって、図６（ｂ）に示すように、半導体受光デバイス１００は、受光素子２０ａと受光素子２０ｂとが同じ方向に縦続接続されるバランスタイプの受光素子である。
【００３１】
以上のことから、半導体受光装置１００ｂは、キャリア５０が接続されていない状態でバランスタイプの半導体受光デバイス１００の受光素子２０ａと受光素子２０ｂとが電気的に絶縁され、キャリア５０が接続された状態で受光素子２０ａと受光素子２０ｂとが同じ方向に縦続接続されるバランスタイプの受光装置である。
【００３２】
本実施例における受光素子の特性試験について説明する。この特性試験は、受光素子のｐ側電極とｎ側電極の間の特性を試験するものである。受光素子２０ａに逆バイアス電圧を印加することによって受光素子２０ａの暗電流を測定する場合について考察する。本実施例においては、キャリア５０が配置されていない状態で、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａに対して、ダミーメサ３０ａの上部電極３３にプラスの電圧を印加する。ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａと上部電極３３ｂとが電気的に絶縁されていることから、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａと受光素子２０ｂの下部電極２４とが絶縁される。したがって、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、受光素子２０ａの下部電極２４と受光素子２０ｂの下部電極２４との間の基板リークが抑制される。したがって、受光素子２０ａの暗電流をより正確に測定することができる。なお、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ｂと受光素子２０ｂの下部電極２４との間は絶縁されていることから、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ｂとダミーメサ３０ｃの上部電極３３との間に逆バイアスを印加することによって、受光素子２０ｂの暗電流を正確に測定することができる。
【００３３】
以上のことから、本実施例における受光素子の特性試験では、受光素子２０ａおよび受光素子２０ｂを個別に測定することができ、受光素子２０ａおよび受光素子２０ｂの特性を正確に測定することができる。また、本実施例のようなバランスタイプの半導体受光デバイス１００では、受光素子２０ａおよび受光素子２０ｂの特性が同程度であることが求められるため、本実施例の特性試験を行うことは、バランスタイプの半導体受光装置の製造方法には特に有用である。
【００３４】
図８は、受光素子２０ａ，２０ｂの試験後にキャリア５０を配置した構造を示す断面図である。図８に示すように、ダミーメサ３０ａの上部電極３３に、キャリア配線５０ａが接続されている。ダミーメサ３０ｃの上部電極３３に、キャリア配線５０ｃが接続されている。本実施例においては、キャリア配線５０ｂは、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａおよび上部電極３３ｂの両方に接続されている。キャリア５０が半導体受光デバイス１００に接続された状態で、キャリア配線５０ａはｎ端子として機能し、キャリア配線５０ｂは共通端子として機能し、キャリア配線５０ｃはｐ端子として機能する。共通端子からは出力信号が取り出される。図８の例では、ｐ端子およびｎ端子には、それぞれ逆バイアスが印加される。これにより、バランスタイプの受光素子は、信号振幅を拡大して出力することができる。
【００３５】
図９は、暗電流の測定結果を示す図である。図９において、横軸は逆方向電圧を示し、縦軸は逆方向電流を示す。図９は、実施例における受光素子２０ａの測定結果と、比較例における受光素子２０ａの測定結果とを示す。図９に示すように、比較例においては基板リークに起因して暗電流を正確に測定することができなかった。一方、実施例においては基板リークを抑制して、暗電流を正確に測定することができた。
【００３６】
図１０は、半導体受光装置１００ｂの製造フローを示す図である。図１０に示すように、半導体受光デバイス１００を準備する工程を以下の工程にしたがい準備する。まず、半導体基板１０上に、受光素子２０ａ（第１受光素子）、受光素子２０ｂ（第２受光素子）、ダミーメサ３０ａ，３０ｃおよびダミーメサ３０ｄ（電極接続部）を形成する。半導体基板１０上に形成された受光素子２０ａ，２０ｂおよびダミーメサ３０ａ，３０ｃ，３０ｄ上に絶縁膜６０を形成する。配線４０ａ〜４０ｄおよびダミーメサ３０ａの上部電極３３、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａと上部電極３３ｂ、ダミーメサ３０ｃの上部電極３３を形成する。以上の工程により、半導体受光デバイス１００が完成する。次に、ダミーメサ３０ａの上部電極３３とダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａ（第１電極）とに通電することによって、受光素子２０ａの試験（第１特性試験）を行う。また、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ｂ（第２電極）とダミーメサ３０ｃの上部電極３３とに通電することによって、受光素子２０ｂの特性試験（第２特性試験）を行う。その後、キャリア５０と各上部電極３３とを接続する。以上の工程により、半導体受光装置１００ｂが完成する。図１０の製造方法によれば、各受光素子の暗電流を正確に測定した後にキャリアを接続することができる。
【００３７】
なお、上記実施例において受光素子２０ａ，２０ｂの各半導体層および半導体基板１０はＩｎＰによって構成されていたが、他の半導体材料によって構成されていてもよい。
【００３８】
上記実施例において、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａは第１電極として機能し、上部電極３３ｂが第２電極として機能し、配線４０ｂが第１配線として機能し、配線４０ｃが第２配線として機能する。
【００３９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１０ 半導体基板
２０ａ，２０ｂ 受光素子
２１ 下部メサ
２２ 上部メサ
２３ 上部電極
２４ 下部電極
２５ ｎ型ＩｎＰ層
２６ ｉ型ＩｎＧａＡｓ層
２７ ｐ型ＩｎＰ層
２８ コンタクト層
３０ａ〜３０ｄ ダミーメサ
３１ 下部メサ
３２ 上部メサ
３３ 上部電極
３４ ｎ型ＩｎＰ層
３５ ｉ型ＩｎＰ層
３６ ｎ型ＩｎＰ層
４０ａ〜４０ｄ 配線
５０ キャリア
５０ａ〜５０ｃ キャリア配線
１００ 半導体受光デバイス
１００ｂ 半導体受光装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップ型のメサ状半導体受光素子を半導体基板上に備える半導体受光装置が開発されている。例えば、半導体基板上にメサ構造の受光部が設けられ、受光部上に形成された電極と電気的に接続する電極パッドが、受光部のメサとは別のダミーメサ部上に形成される構造の半導体受光素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−２９０４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような構造に対して、２つの半導体受光素子を縦続接続させたバランスタイプの半導体受光装置を検討した。この半導体受光装置においては、一方の半導体受光素子のｎ側電極と他方の半導体受光素子のｐ側電極とを、配線により接続させることができる。このような半導体受光装置を製造するにあたって、受光素子の暗電流をより正確に測定できることが望まれている。しかしながら、バランスタイプの半導体受光装置では、各受光素子の暗電流を正確に測定することが困難である。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる受光装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る受光装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第１受光素子と、前記半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第２受光素子と、前記半導体基板上に設けられた電極接続部と、前記電極接続部上に設けられ前記第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、前記電極接続部上に設けられ、前記第１電極と電気的に分離され、前記第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置を準備する工程と、前記第１電極と前記第１受光素子のｎ側電極との間の特性を試験する第１試験工程と、前記第２電極と前記第２受光素子のｐ側電極との間の特性を試験する第２試験工程と、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアに前記受光素子を実装する工程と、を有することを特徴とするものである。本発明に係る受光装置の製造方法によれば、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる。
【０００７】
前記第１受光素子、前記第２受光素子および前記電極接続部のそれぞれは、前記半導体基板上にそれぞれ離間して設けられたメサ状の半導体領域に設けられていてもよい。前記第１受光素子および前記第２受光素子は、ｎ型半導体、p型半導体およびそれらの間に設けられたｉ型半導体を有していてもよい。前記半導体基板は、半絶縁性ＩｎＰからなるものであってもよい。前記第１試験工程は、前記第１受光素子の暗電流を評価する試験であり、前記第２試験工程は、前記第２受光素子の暗電流を評価する試験であってもよい。
【０００８】
本発明に係る受光装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられp側電極とｎ側電極を備える第１受光素子と、前記半導体基板上に設けられp側電極とｎ側電極を備える第２受光素子と、前記半導体基板上に設けられた電極接続部と、前記電極接続部上に設けられ前記第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、前記電極接続部上に設けられ、前記第１電極と電気的に分離され、前記第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置と、前記受光素子を搭載し、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアと、を有することを特徴とするものである。本発明に係る受光装置によれば、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる。
【０００９】
前記第１受光素子、前記第２受光素子および前記電極接続部のそれぞれは、前記半導体基板上にそれぞれ離間して設けられたメサ状の半導体領域に設けられていてもよい。前記第１受光素子および前記第２受光素子は、ｎ型半導体、p型半導体およびそれらの間に設けられたｉ型半導体を有していてもよい。前記半導体基板は、半絶縁性ＩｎＰからなるものであってもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる、半導体受光装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】比較例に係る半導体受光装置の平面図である。
【図２】（ａ）はキャリアの配線を表した図であり、（ｂ）は半導体受光装置の回路図である。
【図３】（ａ）は半導体受光装置の断面図であり、（ｂ）は受光素子の拡大断面図であり、（ｃ）はダミーメサの拡大断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は暗電流を説明するための図である。
【図５】実施例に係る半導体受光装置の平面図である。
【図６】（ａ）はキャリアの配線を表した図であり、（ｂ）は半導体受光装置の回路図である。
【図７】（ａ）は半導体受光装置の断面図であり、（ｂ）は半導体受光装置において測定される暗電流を説明するための回路図である。
【図８】キャリアの配置を示す図である。
【図９】暗電流の測定結果を示す図である。
【図１０】半導体受光装置の製造フローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施例の説明の前に、図１〜図４を参照しつつ、比較例について説明する。
【比較例】
【００１３】
図１は、比較例に係る半導体受光デバイス２００の平面図である。図２（ａ）は、キャリア５０と半導体受光デバイス２００とが接続する半導体受光装置２００ｂを表した図である。図２（ｂ）は、半導体受光装置２００ｂの回路図である。図３（ａ）は、半導体受光デバイス２００の断面図であり、図１のＡ−Ａ´線に沿った断面図である。図３（ｂ）は、後述する受光素子２０ａの拡大断面図である。図３（ｃ）は、後述するダミーメサ３０ｂの拡大断面図である。
【００１４】
図１に示すように、半導体受光デバイス２００は、半導体基板１０上に、受光素子２０ａ，２０ｂおよびダミーメサ３０ａ〜３０ｃが設けられた構成を有する。受光素子２０ａ，２０ｂおよびおよびダミーメサ３０ａ〜３０ｃは、メサ状に形成されている。なお、半導体受光デバイス２００には、チップ領域とその周辺部にスクライブ領域が形成されており、チップ領域の角には、アライメントマーク８０が形成されている。
【００１５】
受光素子２０ａ，２０ｂは、下部メサ２１上に上部メサ２２および上部電極２３がこの順に配置された構造を有する。例えば、下部メサ２１は、略円柱形状を有している。上部メサ２２は、下部メサ２１よりも小さい径を有する略円柱形状を有し、下部メサ２１の略中央に配置されている。上部メサ２２は、受光領域として機能する。上部電極２３は、上部メサ２２よりも小さい径を有する略円柱形状を有し、上部メサ２２の略中央に配置されている。すなわち、受光素子２０ａ，２０ｂは、下部ほど径が大きく上部ほど径が小さいメサ形状を有する。さらに、受光素子２０ａ，２０ｂは、下部メサ２１の上部メサ２２以外の領域に下部電極２４を備える。比較例においては、上部電極２３がｐ側電極として機能し、下部電極２４がｎ側電極として機能する。
【００１６】
ダミーメサ３０ａ〜３０ｃは、下部メサ３１上に、上部メサ３２および上部電極３３がこの順に配置された構造を有する。例えば、下部メサ３１は、略円柱形状を有している。上部メサ３２は、下部メサ３１よりも小さい径を有する略円柱形状を有し、下部メサ３１の略中央に配置されている。上部電極３３は、上部メサ３２よりも小さい径を有する略円柱形状を有し、上部メサ３２の略中央に配置されている。すなわち、ダミーメサ３０ａ〜３０ｃは、下部ほど径が大きく上部ほど径が小さいメサ形状を有する。
【００１７】
ダミーメサ３０ａの上部電極３３と受光素子２０ａの下部電極２４とは、ダミーメサ３０ａの表面、半導体基板１０上、および受光素子２０ａの表面を通る配線４０ａによって接続されている。受光素子２０ａの上部電極２３とダミーメサ３０ｂの上部電極３３とは、受光素子２０ａの表面、半導体基板１０上、およびダミーメサ３０ｂの表面を通る配線４０ｂによって接続されている。
【００１８】
ダミーメサ３０ｂの上部電極３３と受光素子２０ｂの下部電極２４とは、ダミーメサ３０ｂの表面、半導体基板１０上、および受光素子２０ｂの表面を通る配線４０ｃによって接続されている。受光素子２０ｂの上部電極２３とダミーメサ３０ｃの上部電極３３とは、受光素子２０ｂの表面、半導体基板１０上、およびダミーメサ３０ｃの表面を通る配線４０ｄによって接続されている。
【００１９】
次に、図２（ａ）に示すように、ダミーメサ３０ａの上部電極３３に、キャリア配線５０ａが接続されている。また、ダミーメサ３０ｂの上部電極３３に、キャリア配線５０ｂが接続されている。さらに、ダミーメサ３０ｃの上部電極３３に、キャリア配線５０ｃが接続されている。
【００２０】
以上のことから、図２（ｂ）に示すように、半導体受光装置２００ｂにおいては、半導体受光デバイス２００は、受光素子２０ａと受光素子２０ｂとが同じ方向に縦続接続されているバランスタイプの受光素子である。比較例においては、受光素子２０ａのｐ側電極と受光素子２０ｂのｎ側電極とが接続されている。また、キャリア配線５０ａは、受光素子２０ａのｎ側電極に接続されたｎ端子として機能する。キャリア配線５０ｂは、受光素子２０ａと受光素子２０ｂとの間に接続された共通端子として機能する。キャリア配線５０ｃは、受光素子２０ｂのｐ側電極に接続されたｐ端子として機能する。共通端子からは出力信号が取り出される。図２（ｂ）の例では、ｐ端子およびｎ端子には、それぞれ逆バイアスが印加される。これにより、バランスタイプの半導体受光装置２００ｂは、信号振幅を拡大して出力することができる。
【００２１】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、受光素子２０ａは、半導体基板１０上において、ｎ型ＩｎＰ層２５、ｉ型ＩｎＧａＡｓ層２６、ｐ型ＩｎＰ層２７、およびコンタクト層２８がこの順に積層された構造を有する。ｐ型ＩｎＰ層２７の側面には、ｎ型ＩｎＰ層２９が配置されている。半導体基板１０は、半絶縁性半導体からなり、例えば、２．２〜６．６×１０７Ωｃｍの抵抗率を有する。コンタクト層２８は、例えば、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなる。図１の下部メサ２１は、ｎ型ＩｎＰ層２５を含む。図１の上部メサ２２は、ｎ型ＩｎＰ層２５の一部、ｉ型ＩｎＧａＡｓ層２６、ｐ型ＩｎＰ層２７、コンタクト層２８、およびｎ型ＩｎＰ層２９を含む。受光素子２０ｂは、受光素子２０ａと同様の構造を有する。また、半導体基板１０の裏面において半導体受光素子２０ａ，２０ｂに対応する位置に、レンズ１１が設けられている。それにより、半導体基板１０の裏面から入射した光を受光素子２０ａ，２０ｂに対して集光することができる。なお、レンズ１１を含む半導体基板１０の裏面には、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる低反射膜が形成されている。
【００２２】
図３（ａ）および図３（ｃ）に示すように、ダミーメサ３０ｂは、半導体基板１０上において、ｎ型ＩｎＰ層３４、ｉ型ＩｎＰ層３５、およびｎ型ＩｎＰ層３６がこの順に積層された構造を有する。図１の下部メサ３１は、ｎ型ＩｎＰ層３４を含む。図１の上部メサ３２は、ｎ型ＩｎＰ層３４の一部、ｉ型ＩｎＰ層３５、およびｐ型ＩｎＰ層３６を含む。ダミーメサ３０ａ，３０ｃは、ダミーメサ３０ａと同様の構造を有する。
【００２３】
受光素子２０ａ，２０ｂの表面、ダミーメサ３０ａ〜３０ｃの表面、および半導体基板１０の表面は、窒化シリコン（ＳｉＮ）などからなる絶縁膜６０によって覆われている。配線４０ａ〜４０ｄは、絶縁膜６０上に配置されている。それにより、各配線と受光素子２０ａ，２０ｂ、ダミーメサ３０ａ〜３０ｃおよび半導体基板１０との間が絶縁されている。ただし、絶縁膜６０は、コンタクト層２８上において開口を有し、下部メサ２１の上部メサ２２が設けられていない領域において開口を有する。それにより、受光素子２０ａのｎ型ＩｎＰ層２５は、配線４０ａと接触する。受光素子２０ａのコンタクト層２８は、配線４０ｂと接触する。受光素子２０ｂのｎ型ＩｎＰ層２５は、配線４０ｃと接触する。受光素子２０ｂのコンタクト層２８は、配線４０ｄと接触する。また、絶縁膜６０は、ダミーメサ３０ａ〜３０ｃの表面を覆うとともに、受光素子とダミーメサとの間の半導体基板１０上を覆っている。
【００２４】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、受光素子２０ａの下部メサ２１上の配線４０ａが、受光素子２０ａの下部電極２４として機能する。受光素子２０ａのコンタクト層２８上の配線４０ｂが、受光素子２０ａの上部電極２３として機能する。受光素子２０ｂの下部メサ２１上の配線４０ｃが、受光素子２０ｂの下部電極２４として機能する。受光素子２０ｂのコンタクト層２８上の配線ｄが、受光素子２０ｂの上部電極２３として機能する。配線４０ａ〜４０ｄは、Ａｕなどからなる。
【００２５】
以上の構成において、受光素子２０ａに逆バイアス電圧を印加することによって受光素子２０ａの暗電流を測定する場合について考察する。受光素子２０ａの暗電流は、受光素子２０ａのｎ型ＩｎＰ層２５からｐ型ＩｎＰ層２７に向けて流れる電流である。したがって、ダミーメサ３０ｂの上部電極３３に対して、ダミーメサ３０ａの上部電極３３にプラスの電圧を印加する。
【００２６】
しかしながら、比較例の構成では、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ダミーメサ３０ｂの上部電極３３は、受光素子２０ａの上部電極２３に接続されるとともに、受光素子２０ｂの下部電極２４に接続される。半導体基板１０は半絶縁性半導体から構成されかつｐｎ接合部は一例として数テラΩの抵抗を有することから、受光素子２０ａよりも半導体基板１０において電流が流れやすくなる。したがって、受光素子２０ａの下部電極２４と受光素子２０ｂの下部電極２４との間で基板リークが発生する。したがって、受光素子２０ａの暗電流を正確に測定することが困難である。そこで、以下の実施例においては、受光素子の暗電流をより正確に測定することができる半導体受光装置について説明する。
【実施例】
【００２７】
図５〜図８に示すように、実施例に係る半導体受光デバイス１００について説明する。図５は、半導体受光デバイス１００の平面図である。図６（ａ）は、キャリア５０と半導体受光デバイス１００とが接続する半導体受光装置１００ｂを表した図である。図６（ｂ）は、半導体受光装置１００ｂの回路図である。図７（ａ）は、半導体受光デバイス１００の断面図であり、図４のＢ−Ｂ´線に沿った断面図である。図７（ｂ）は、半導体受光デバイス１００において測定される暗電流を説明するための回路図である。
【００２８】
図５に示すように、半導体受光デバイス１００が図１の半導体受光デバイス２００と異なる点は、ダミーメサ３０ｂの代わりに、ダミーメサ３０ｄが設けられている点である。ダミーメサ３０ｄは、上面に上部電極３３ａと上部電極３３ｂとが設けられる電極接続部である。上部電極３３ａは、配線４０ｂに接続されている。上部電極３３ｂは、配線４０ｃに接続されている。図７（ａ）に示すように、上部電極３３ａおよび上部電極３３ｂは、絶縁膜６０上に配置され、互いに離間している。したがって、上部電極３３ａと上部電極３３ｂとは、電気的に絶縁されている。
【００２９】
また、ダミーメサ３０ｄの表面には、絶縁膜６０が形成されており、上面に設けられた上部電極３３ａおよび上部電極３３ｂとダミーメサとの間は電気的に絶縁されている。なお、半導体基板１０の裏面に設けられているレンズ１１は、レンズおよびその周辺のみ半導体基板１０の基板面よりも深く削られている。それにより、組立工程において、レンズに傷が付くことを抑制することができる。また、半導体受光デバイス１００の周辺の両側に位置合わせ用の窪み９０が形成されている。この位置合わせ用の窪み９０は、レンズの形成と同じ工程で形成することができる。なお、レンズ１１を含む半導体基板１０の裏面には、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる低反射膜が形成されている。
【００３０】
図６（ａ）に示すように、キャリア５０が配置されると、ダミーメサ３０ａの上部電極３３に、キャリア配線５０ａが接続される。また、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａと上部電極３３ｂとにまたがってキャリア配線５０ｂが接続される。さらに、ダミーメサ３０ｃの上部電極３３に、キャリア配線５０ｃが接続される。したがって、キャリア５０が配置されることによって、図６（ｂ）に示すように、半導体受光デバイス１００は、受光素子２０ａと受光素子２０ｂとが同じ方向に縦続接続されるバランスタイプの受光素子である。
【００３１】
以上のことから、半導体受光装置１００ｂは、キャリア５０が接続されていない状態でバランスタイプの半導体受光デバイス１００の受光素子２０ａと受光素子２０ｂとが電気的に絶縁され、キャリア５０が接続された状態で受光素子２０ａと受光素子２０ｂとが同じ方向に縦続接続されるバランスタイプの受光装置である。
【００３２】
本実施例における受光素子の特性試験について説明する。この特性試験は、受光素子のｐ側電極とｎ側電極の間の特性を試験するものである。受光素子２０ａに逆バイアス電圧を印加することによって受光素子２０ａの暗電流を測定する場合について考察する。本実施例においては、キャリア５０が配置されていない状態で、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａに対して、ダミーメサ３０ａの上部電極３３にプラスの電圧を印加する。ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａと上部電極３３ｂとが電気的に絶縁されていることから、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａと受光素子２０ｂの下部電極２４とが絶縁される。したがって、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、受光素子２０ａの下部電極２４と受光素子２０ｂの下部電極２４との間の基板リークが抑制される。したがって、受光素子２０ａの暗電流をより正確に測定することができる。なお、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ｂと受光素子２０ｂの下部電極２４との間は絶縁されていることから、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ｂとダミーメサ３０ｃの上部電極３３との間に逆バイアスを印加することによって、受光素子２０ｂの暗電流を正確に測定することができる。
【００３３】
以上のことから、本実施例における受光素子の特性試験では、受光素子２０ａおよび受光素子２０ｂを個別に測定することができ、受光素子２０ａおよび受光素子２０ｂの特性を正確に測定することができる。また、本実施例のようなバランスタイプの半導体受光デバイス１００では、受光素子２０ａおよび受光素子２０ｂの特性が同程度であることが求められるため、本実施例の特性試験を行うことは、バランスタイプの半導体受光装置の製造方法には特に有用である。
【００３４】
図８は、受光素子２０ａ，２０ｂの試験後にキャリア５０を配置した構造を示す断面図である。図８に示すように、ダミーメサ３０ａの上部電極３３に、キャリア配線５０ａが接続されている。ダミーメサ３０ｃの上部電極３３に、キャリア配線５０ｃが接続されている。本実施例においては、キャリア配線５０ｂは、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａおよび上部電極３３ｂの両方に接続されている。キャリア５０が半導体受光デバイス１００に接続された状態で、キャリア配線５０ａはｎ端子として機能し、キャリア配線５０ｂは共通端子として機能し、キャリア配線５０ｃはｐ端子として機能する。共通端子からは出力信号が取り出される。図８の例では、ｐ端子およびｎ端子には、それぞれ逆バイアスが印加される。これにより、バランスタイプの受光素子は、信号振幅を拡大して出力することができる。
【００３５】
図９は、暗電流の測定結果を示す図である。図９において、横軸は逆方向電圧を示し、縦軸は逆方向電流を示す。図９は、実施例における受光素子２０ａの測定結果と、比較例における受光素子２０ａの測定結果とを示す。図９に示すように、比較例においては基板リークに起因して暗電流を正確に測定することができなかった。一方、実施例においては基板リークを抑制して、暗電流を正確に測定することができた。
【００３６】
図１０は、半導体受光装置１００ｂの製造フローを示す図である。図１０に示すように、半導体受光デバイス１００を準備する工程を以下の工程にしたがい準備する。まず、半導体基板１０上に、受光素子２０ａ（第１受光素子）、受光素子２０ｂ（第２受光素子）、ダミーメサ３０ａ，３０ｃおよびダミーメサ３０ｄ（電極接続部）を形成する。半導体基板１０上に形成された受光素子２０ａ，２０ｂおよびダミーメサ３０ａ，３０ｃ，３０ｄ上に絶縁膜６０を形成する。配線４０ａ〜４０ｄおよびダミーメサ３０ａの上部電極３３、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａと上部電極３３ｂ、ダミーメサ３０ｃの上部電極３３を形成する。以上の工程により、半導体受光デバイス１００が完成する。次に、ダミーメサ３０ａの上部電極３３とダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａ（第１電極）とに通電することによって、受光素子２０ａの試験（第１特性試験）を行う。また、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ｂ（第２電極）とダミーメサ３０ｃの上部電極３３とに通電することによって、受光素子２０ｂの特性試験（第２特性試験）を行う。その後、キャリア５０と各上部電極３３とを接続する。以上の工程により、半導体受光装置１００ｂが完成する。図１０の製造方法によれば、各受光素子の暗電流を正確に測定した後にキャリアを接続することができる。
【００３７】
なお、上記実施例において受光素子２０ａ，２０ｂの各半導体層および半導体基板１０はＩｎＰによって構成されていたが、他の半導体材料によって構成されていてもよい。
【００３８】
上記実施例において、ダミーメサ３０ｄの上部電極３３ａは第１電極として機能し、上部電極３３ｂが第２電極として機能し、配線４０ｂが第１配線として機能し、配線４０ｃが第２配線として機能する。
【００３９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１０ 半導体基板
２０ａ，２０ｂ 受光素子
２１ 下部メサ
２２ 上部メサ
２３ 上部電極
２４ 下部電極
２５ ｎ型ＩｎＰ層
２６ ｉ型ＩｎＧａＡｓ層
２７ ｐ型ＩｎＰ層
２８ コンタクト層
３０ａ〜３０ｄ ダミーメサ
３１ 下部メサ
３２ 上部メサ
３３ 上部電極
３４ ｎ型ＩｎＰ層
３５ ｉ型ＩｎＰ層
３６ ｎ型ＩｎＰ層
４０ａ〜４０ｄ 配線
５０ キャリア
５０ａ〜５０ｃ キャリア配線
１００ 半導体受光デバイス
１００ｂ 半導体受光装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第１受光素子と、前記半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第２受光素子と、前記半導体基板上に設けられた電極接続部と、前記電極接続部上に設けられ前記第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、前記電極接続部上に設けられ、前記第１電極と電気的に分離され、前記第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置を準備する工程と、
前記第１電極と前記第１受光素子のｎ側電極との間の特性を試験する第１試験工程と、
前記第２電極と前記第２受光素子のｐ側電極との間の特性を試験する第２試験工程と、
前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアに前記受光素子を実装する工程と、を有することを特徴とする受光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１受光素子、前記第２受光素子および前記電極接続部のそれぞれは、前記半導体基板上にそれぞれ離間して設けられたメサ状の半導体領域に設けられてなることを特徴とする請求項１記載の受光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１受光素子および前記第２受光素子は、ｎ型半導体、p型半導体およびそれらの間に設けられたｉ型半導体を有することを特徴とする請求項２記載の受光装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板は、半絶縁性ＩｎＰからなることを特徴とする請求項２または３記載の受光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１試験工程は、前記第１受光素子の暗電流を評価する試験であり、
前記第２試験工程は、前記第２受光素子の暗電流を評価する試験であることを特徴とする請求項１記載の受光装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられp側電極とｎ側電極を備える第１受光素子と、前記半導体基板上に設けられp側電極とｎ側電極を備える第２受光素子と、前記半導体基板上に設けられた電極接続部と、前記電極接続部上に設けられ前記第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、前記電極接続部上に設けられ、前記第１電極と電気的に分離され、前記第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置と、
前記受光素子を搭載し、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアと、を有することを特徴とする受光装置。
【請求項７】
前記第１受光素子、前記第２受光素子および前記電極接続部のそれぞれは、前記半導体基板上にそれぞれ離間して設けられたメサ状の半導体領域に設けられてなることを特徴とする請求項６記載の受光装置。
【請求項８】
前記第１受光素子および前記第２受光素子は、ｎ型半導体、p型半導体およびそれらの間に設けられたｉ型半導体を有することを特徴とする請求項７記載の受光装置。
【請求項９】
前記半導体基板は、半絶縁性ＩｎＰからなることを特徴とする請求項７または８記載の受光装置。
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第１受光素子と、前記半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第２受光素子と、前記半導体基板上に設けられた電極接続部と、前記電極接続部上に設けられ前記第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、前記電極接続部上に設けられ、前記第１電極と電気的に分離され、前記第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置を準備する工程と、
前記第１電極と前記第１受光素子のｎ側電極との間の特性を試験する第１試験工程と、
前記第２電極と前記第２受光素子のｐ側電極との間の特性を試験する第２試験工程と、
前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアに前記受光素子を実装する工程と、を有することを特徴とする受光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１受光素子、前記第２受光素子および前記電極接続部のそれぞれは、前記半導体基板上にそれぞれ離間して設けられたメサ状の半導体領域に設けられてなることを特徴とする請求項１記載の受光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１受光素子および前記第２受光素子は、ｎ型半導体、p型半導体およびそれらの間に設けられたｉ型半導体を有することを特徴とする請求項２記載の受光装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板は、半絶縁性ＩｎＰからなることを特徴とする請求項２または３記載の受光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１試験工程は、前記第１受光素子の暗電流を評価する試験であり、
前記第２試験工程は、前記第２受光素子の暗電流を評価する試験であることを特徴とする請求項１記載の受光装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられp側電極とｎ側電極を備える第１受光素子と、前記半導体基板上に設けられp側電極とｎ側電極を備える第２受光素子と、前記半導体基板上に設けられた電極接続部と、前記電極接続部上に設けられ前記第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、前記電極接続部上に設けられ、前記第１電極と電気的に分離され、前記第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置と、
前記受光素子を搭載し、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアと、を有することを特徴とする受光装置。
【請求項７】
前記第１受光素子、前記第２受光素子および前記電極接続部のそれぞれは、前記半導体基板上にそれぞれ離間して設けられたメサ状の半導体領域に設けられてなることを特徴とする請求項６記載の受光装置。
【請求項８】
前記第１受光素子および前記第２受光素子は、ｎ型半導体、p型半導体およびそれらの間に設けられたｉ型半導体を有することを特徴とする請求項７記載の受光装置。
【請求項９】
前記半導体基板は、半絶縁性ＩｎＰからなることを特徴とする請求項７または８記載の受光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−２３４９５７（Ｐ２０１２−２３４９５７Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０２２５９（Ｐ２０１１−１０２２５９）
【出願日】平成２３年４月２８日（２０１１．４．２８）
【出願人】（０００１５４３２５）住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (291)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月２８日（２０１１．４．２８）
【出願人】（０００１５４３２５）住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (291)
【Ｆターム（参考）】
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