【課題】加熱処理を行った場合にも優れた高光電変換効率および低暗電流性を示し、高い生産性で製造することができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜１５と、導電性膜１１と、透明導電性膜１５と導電性膜１１との間に配置された光電変換層１２および電子ブロッキング層１６Ａとを有する光電変換素子１０ａであって、光電変換層１２が、ベンゼン環を少なくとも５個以上含み、総環数が７個以上であり、カルボニル基を含まない縮合多環炭化水素を含有し、電子ブロッキング層が、化合物からＲａ₁〜Ｒａ₉の少なくとも１つの基を取り除いた残基を有し、ガラス転移点（Ｔｇ）が２００℃以上である化合物Ａを含有する。 （もっと読む）

【課題】複数の不良画素が存在する場合であっても、簡易な冗長化プロセスで、不良画素が存在する領域に実際に入射する光に基づく情報が得られるようにし、不良画素による画像情報の欠落を防止して、歩留まりを向上させる。
【解決手段】イメージセンサ１を、同一波長に感度を持ち、かつ、入射光の向きに対して感度が異なる２つのフォトディテクタ７Ａ、７Ｂを有する複数の画素８を備えるセンサアレイ４と、複数の画素の中の少なくとも一の画素に対応する位置に設けられ、入射光を周囲の画素に散乱させる散乱体９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体紫外線受光素子の製造を容易にする。
【解決手段】紫外線受光素子は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上方に形成された第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層と、前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上に形成され、前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層のＭｇ組成ｘよりも低いＭｇ組成ｙを有し、一部が前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上から除去されている第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層と、前記第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層の一部が除去された部分から露出している前記第１のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ≦０．６）層上に形成されたオーミック電極と、前記第２のＭｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ＜０．６）層上に形成されたショットキー電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】受光素子の暗電流をより正確に測定することができる受光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】受光装置の製造方法は、半導体基板１０と、半導体基板上に設けられp側電極２３およびｎ側電極２４を備える第１受光素子２０ａと、半導体基板上に設けられp側電極およびｎ側電極を備える第２受光素子２０ｂと、半導体基板上に設けられた電極接続部と、電極接続部上に設けられ第１受光素子のp側電極と電気的に接続された第１電極と、電極接続部上に設けられ、第１電極と電気的に分離され、第２受光素子のｎ側電極と電気的に接続された第２電極とを備える受光装置を準備する工程と、第１電極と第１受光素子のｎ側電極との間の特性を試験する第１試験工程と、第２電極と第２受光素子のｐ側電極との間の特性を試験する第２試験工程と、第１電極と第２電極とを電気的に接続するパターンを備えたキャリアに受光素子を実装する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体光素子を提供すること。
【解決手段】それぞれ異なる結晶面（ファセット）を有する結晶粒から成る多結晶もしくは微結晶窒化物半導体（以後単に多結晶窒化物半導体）を基体としており、各結晶粒のファセットがランダムになることを利用した、もしくはその構造を制御することを特徴とした半導体電子素子とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された高効率及び高速な光電変換を実現しつつ、製造工程も簡素化すること。
【解決手段】このフォトダイオード１は、半導体又は金属から成る基板２と、基板２上に形成された埋め込み絶縁層３と、埋め込み絶縁層３上の所定領域に沿って並んで形成されたｐ型半導体層６及びｎ型半導体層７を含む半導体層５，６，７と、半導体層５，６，７上に形成されたゲート絶縁層８と、ゲート絶縁層８上に配置され、平面状の金属膜９ａに直線状の貫通溝９ｂが等間隔に形成された回折格子部９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】各受光素子の出力信号のゲインを調整しつつ、コストが嵩むことが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、全ての受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、全ての受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、対応する受光素子と共通配線との間に設けられた転送スイッチと、各受光素子に対して設けられ、受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、転送スイッチの開閉、及び、リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、制御部が、転送スイッチの開閉とリセット部の駆動を調整することで、各受光素子から共通配線に出力される電荷の量を調整する。 （もっと読む）

【課題】レンズが高密度に集積されていて且つ、作製歩留まりのよい水平共振器垂直出射レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層が積層された積層構造を含み活性層で発生した光を反射もしくは共振させる共振器構造部と、半導体基板の一部に設けられ活性層からの光を導波する光導波路層と、該光を反射させ半導体基板の裏面から出射するための光導波路層に設けられた反射鏡と、半導体基板の裏面に設けられ反射鏡で反射された光を集光する集光レンズとを備え、半導体基板の裏面には集光レンズが設けられた溝部と、半導体基板のヘキカイ方向に沿って設けられたテラス状部とを有し、該テラス状部は共振器構造の下方に配置され、ヘキカイ方向を長手方向とするテラス形状を有することを特徴とする水平共振器垂直出射レーザ。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなる非多孔質の酸化物層、前記非多孔質の酸化物層と同じ材料からなる多孔質酸化物層、金属層を積層してなり、前記金属層が前記多孔質酸化物層に対してショットキー接合を形成している紫外線センサーであって、前記非多孔質の酸化物層の膜厚が２０〜７００ｎｍ、前記多孔質酸化物層の膜厚が２〜２０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】安価な材料と簡易な設備で製造しても紫外線検出能力に優れた紫外線センサー素子を提供すること。
【解決手段】酸化チタンまたは酸化亜鉛からなるｎ型半導体層と、酸化ニッケルからなるｐ型半導体層を積層してなり、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層がｐｎ接合を形成している紫外線センサー素子であって、前記ｎ型半導体層の膜厚が０．５〜１５μｍ、前記ｐ型半導体層の膜厚が１〜３０μｍであることに要旨を有する紫外線センサー素子。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光量変化を検出する受光回路であり、次段の入力回路が小型で安価で、しかも、消費電流が少ない受光回路を提供する。
【解決手段】入射光量に応じた電流を流す光電変換素子と、該光電変換素子からの電流がドレインに供給されるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタと、該Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのドレイン電圧が所望の電圧となるように、ロウパスフィルタを介して該ＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧を制御する制御回路と、を有する受光回路であり、前記制御回路は、前記ロウパスフィルタを介して制御されるＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧の制御遅延量が所望の遅延量未満の場合は、ＧＮＤ端子電圧となり、前記ロウパスフィルタを介して制御されるＮＭＯＳトランジスタのゲート電圧の制御遅延量が所望の遅延量以上の場合は、前記ＮＭＯＳトランジスタのドレイン電圧となる制御状態出力信号を出力する構成であり、該制御状態出力信号を出力信号とする構成とした。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の縮小、製造コストの低減を図る。
【解決手段】可視光センサ及び赤外光センサを配置する際の面積を縮小するために、可視光を検知する第１のフォトダイオードと赤外光を検知する第２のフォトダイオードとを重畳して配置し、可視光を第１のフォトダイオードで先に吸収する構成とすることで第２のフォトダイオードに入射される可視光を非常に少なくするものである。また、第２のフォトダイオードと重畳して配置する第１のフォトダイオードを第２のフォトダイオードの光学フィルタとして用いるものである。そのため第１のフォトダイオードを構成する半導体層は可視光を吸収し、且つ赤外光を透過する半導体層とし、第２のフォトダイオードの半導体層は赤外光を吸収する半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】可視光および赤外光の検出が可能であり、かつ小型化および生産性のいずれの観点においても改良された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に設けられ可視光を検出する可視光検出部３と、半導体基板２上に設けられ赤外光を検出する赤外光検出部４と、赤外光検出部４を覆うように設けられ赤外光を透過させる積層光学膜６とを含む。半導体装置１は、さらに、半導体基板２上に設けられ、可視光検出部３の出力と赤外光検出部４の出力とに対して演算を行う機能素子部５を含んでいてもよい。積層光学膜６は、機能素子部５を覆っていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板に支持される光電変換ユニットと、前記基板に隣接した絶縁体とを含むイメージセンサー画素を提供する。
【解決手段】前記画素は、一部が空気界面を有するように、前記絶縁体の開口内にあるとともに前記絶縁体の上に延びている縦列接続式光導波路１３０，１１６を含む。前記空気界面は、前記縦列接続式光導波路の内部反射を改善する。前記縦列接続式光導波路は、隣り合ったカラーフィルター同士の間に空隙を有する自己整合カラーフィルター４３０を含んでもよい。空隙が透明な封止膜によって上方から封止されもよい。前記透明な封止膜は、前記凹面を渡って前記空隙に入る光を前記空隙から離れ隣接するカラーフィルターに発散させるように、前記空隙の真上に凹面を備えもよい。さらに、一対のカラーフィルターの間にある支持壁の一部は、カラーフィルターを保持するために、首の形が形成されるように上方が下方よりも大きい幅を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、良好な時間的および空間的なコヒーレンスを有し、高い実装密度を有する、バイスペクトル検出器を提供する。
【解決手段】第1の導電型の上側半導体層１８および下側半導体層１４のスタックであって、上側層１８および下側層１４の間の電位バリアを形成する中間層１６によって分離される、スタックと、第2の導電型の上側半導体領域６８および下型半導体領域６６であって、半導体領域６６が、少なくとも部分的に、上側層および中間層を通過する開口２２の底部に位置する、半導体領域６６，６８とからなる。上側層と下側層の少なくとも1つの上面が、半導体層６６，６８で全体が覆われる。半導体層６６，６８を形成するために、スタックの上面から、かつ半導体層６６，６８の少なくとも厚みを通って、各単位検出要素の周囲で切り欠き６２が作られ、半導体層６６，６８が、半導体層１８，１４の一方またはもう一方の全体を覆う。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上した撮像素子、撮像モジュール及び撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の撮像素子は、基板と、光検出部と、回路部と、貫通配線と、を備える。基板は、凹部及び貫通孔を有する。凹部は基板の第１主面に設けられる。凹部は、第１主面とは反対の第２主面の方向に後退して設けられる。貫通孔は第１主面と第２主面とに連通し第１主面から第２主面に向かう第１方向に延在する。光検出部は、凹部の上で基板と離間して設けられる。回路部は、光検出部と導通し、第１主面の上に設けられる。
貫通配線は、回路部と導通し貫通孔の内部に設けられる。凹部は、第１主面に対して傾斜する第１傾斜面を有する。貫通孔は、第１傾斜面に平行な第２傾斜面を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハとカバー部材を固定するための固定部材とカバー部材との間の気泡の発生を抑制し、信頼性の高い光センサを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 光センサの製造方法は、複数の画素領域を備えた半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハ上に、固定部材によって前記複数の画素領域の各々を囲む格子状の凸部を形成する工程と、前記固定部材による前記格子状の凸部の線幅より狭い幅の格子状の溝及び格子状に配置された複数の貫通孔の少なくとも一方からなるギャップ部を表面に有する透光性基板を準備する工程と、前記固定部材上に通気口を構成するように、前記格子状の凸部と前記ギャップ部とを対向させて前記半導体ウエハと前記透光性基板を固定する工程と、固定された前記半導体ウエハと前記透光性基板を切断し、前記画素領域毎に個片化する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る、裏面入射型半導体受光素子、それを内蔵する光受信モジュールおよび光トランシーバを提供する。
【解決手段】裏面入射型半導体受光素子１８は、矩形状のＦｅドープＩｎＰ基板１と、基板表面における１辺（上辺）側の中央部に形成された、基板裏面から入射される光を受光するＰＮ接合部を有する受光メサ部２と、受光メサ部２の上面に形成された、ＰＮ接合部の一方側に導通するＰ型電極４と、基板表面における１辺（上辺）側の１隅部に形成されたＮ型電極メサ部９と、Ｎ型電極メサ部９の上面まで引き出された、ＰＮ接合の他方側に導通するＮ型電極５と、基板表面における他の３つの隅部を含む領域に形成されたＰ型電極メサ部８およびダミー電極メサ部１０と、ダミー電極メサ部１０の上面に形成されたダミー電極６と、を含む。 （もっと読む）