垂直磁気記録媒体およびその製造方法
【課題】より低ノイズ化およびＳＮ比等の性能が向上され、高密度磁気記録が実現可能な垂直磁気記録媒の提供。
【解決手段】垂直磁気記録媒体において、非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層され、前記第１非磁性中間層をＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成し、かつ前記第２非磁性中間層をＲｕ基合金から形成する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体において、非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層され、前記第１非磁性中間層をＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成し、かつ前記第２非磁性中間層をＲｕ基合金から形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種磁気記録装置に搭載する垂直磁気記録媒体に関する。より詳細には、コンピュータ、ＡＶ機器等の外部記憶装置として用いられるハードディスクドライブに搭載される、高密度磁気記録が実現可能な垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として用いられる磁気記録媒体は、磁気記録の高密度化をより実現する技術として、垂直磁気記録方式が採用されている。その層構成は、例えば、非磁性基体上に下地層と磁気記録層と保護膜と液体潤滑層とが順次積層されて形成される。垂直磁気記録方式では、垂直磁気記録媒体に記録された記録ビットは、隣接する記録ビットの反磁界の影響により、高記録密度であるほど残留磁化の大きさが安定するという利点がある。その結果、垂直磁気記録媒体は、優れた熱揺らぎ耐性を実現することもできる。
【０００３】
そこで、垂直磁気記録媒体の記録密度を、さらに高密度化する方法が種々検討されてきた。例えば、２層垂直磁気記録媒体と呼ばれている方法では、下地層と基板の間に軟磁性裏打ち層を有する媒体が用いられている。２層垂直磁気記録媒体では、軟磁性裏打ち層が磁気ヘッドから発生される磁界を急峻に引き込むため、磁界勾配が小さくなり、信号の書き広がりの影響が低減される（例えば、非特許文献１等参照）。
【０００４】
このほか、垂直磁気記録媒体のさらなる高記録密度を実現するために、磁性結晶粒の微細化、およびその分離性向上、ならびに磁性層の磁化容易軸であるｃ軸の配向分散Δθ５０の減少などが検討され、以下に示すような種々の層構造を有する垂直磁気記録媒体が提案されている。
【０００５】
例えば、特許文献１は、軟磁性裏打ち層、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕを主成分とするｆｃｃ構造を有する配向制御下地層、およびｈｃｐ構造を有する垂直磁化膜からなる記録層を含む垂直記録媒体を開示する。また、特許文献１には、配向制御下地層にＦｅ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、およびＡｕのうちから少なくとも１種がさらに添加されていること、Ｔａ，Ｗ、Ｍｏのうちから１種を主成分とする非磁性非晶質層を配向制御下地層の下側に用いること、さらには、配向制御下地層と記録層の間に、Ｒｕ合金、またはＴｉのうちの１種からなる配向制御中間層を用いることが開示されている。
【０００６】
また特許文献２では、基板上に、少なくとも裏打ち層、配向制御層、磁気記録層及び保護層を有する磁気記録媒体であって、配向制御層は少なくともシード層及び中間層を有する積層構造を有し、シード層は中間層より基板側に配されており、かつシード層にはＣｕを主成分とするＣｕ−Ｔｉ合金層を有する磁気記録媒体が開示されている。また中間層は、Ｒｕ、Ｒｅまたはこれらの合金の少なくともいずれかを含有する合金材料を主材料とし、ｈｃｐ構造を有することを開示する。さらには、中間層を２層化することで結晶配向と微細化を両立することを開示する。
【０００７】
特許文献３は、非磁性基体上に下地層、磁気記録層、保護層、液体潤滑層を順次有する垂直磁気記録媒体を開示し、下地層が非磁性ＮｉＦｅＣｒを含むことを特徴とする。さらに、下地層と磁気記録層の間に、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＢ、Ｒｕ、Ｐｄの非磁性材料のいずれかを含む中間層を含むことが記載されている。
【０００８】
また特許文献４では、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、中間層、ＣｏＣｒ系合金層の磁性層、保護層、および液体潤滑層を順次有する垂直磁気記録媒体であって、磁性層がグラニュラー構造の第１の磁性層と非グラニュラー構造の第２の磁性層とから構成された垂直磁気記録媒体を開示している。さらに、中間層は、ｈｃｐ構造を有するＴｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのうちの少なくとも一種の金属を含む合金で構成されることが開示されている。
【０００９】
特許文献５は、非磁性基体上に、シード層、下地層、磁気記録層、および被覆層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、磁気記録層が異なる材料からなる磁性層を積層した構造からなる垂直磁気記録媒体を開示する。また、シード層として、ＮｉＦｅ合金あるいはＮｉＦｅに少なくともＢ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれかを添加した合金、またはＣｏ或いはＣｏに少なくともＢ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｎｉのいずれかを添加した合金を、さらに、下地層としては、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｚｎ、Ｔｃ、Ｒｅ等のｈｃｐ構造となる金属、またはＣｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏなどのｆｃｃ構造となる金属を用いることがそれぞれ開示されている。
【００１０】
特許文献６では、非磁性基体上に、軟磁性裏打ち層、中間層、ＣｏＣｒ系合金層の磁性層、保護層、および液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、磁性層がグラニュラー構造の第１の磁性層と非グラニュラー構造の第２の磁性層とから構成された垂直磁気記録媒体を開示している。また、中間層がｈｃｐ結晶構造を有するＴｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのいずれかの金属、又はＴｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのうちの少なくとも一種の金属を含む合金で構成されることを開示する。
【００１１】
特許文献７では、基板上に、軟磁性裏打ち層、ＦｅＣｏＢシード層、ｆｃｃ構造の結晶配向制御層、非磁性下地層、及び磁気記録層を有する磁気記録媒体が開示され、該結晶配向制御層は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ，Ａｌ、Ａｕ、およびＡｇのうち少なくとも1種の元素を含む合金より形成されることが開示されている。
特許文献８には、非磁性基体上に少なくとも下地層と磁気記録層と保護膜及び液体潤滑材層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体の製造方法が開示され、Ｒｕ或いはＲｕＷ、ＲｕＴｉ、ＲｕＡｌ、ＲｕＣｕ、ＲｕＳｉ、ＲｕＣ、ＲｕＢ、ＲｕＣｏＣｒなどの少なくともＲｕを含む合金からなる下地層の下に、ＮｉＦｅ等のＮｉ基合金であるシード層をさらに設けた磁気記録媒体の製造方法も開示されている。さらに、磁気記録層には、グラニュラー層と呼ばれる、ＣｏＣｒＰｔ合金を微粒子として、微粒子界面にＳｉＯ2、及びＴｉＯ2などの酸化物を偏析させた構造からなる磁気記録層を用いることを開示する。
【００１２】
一方、特許文献９では、非晶質Ｔａを含むシード層、ＮｉおよびＷを含む非磁性ｆｃｃ合金下地層、非磁性ｈｃｐ下地層、および磁気層を含む垂直磁気記録媒体が開示されており、ｈｃｐ下地層にはＲｕＣｒ30下地層を用いることが述べられている。また、媒体中からは、Ｒｕ、Ｐｔのような貴金属元素は極力減らすことが望ましいことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−３４０６０号公報
【特許文献２】特開２０１０−４４８４２号公報
【特許文献３】特開２００２−３５８６１７号公報
【特許文献４】特開２００３−１６８２０７号公報
【特許文献５】特開２００５−１９６８９８号公報
【特許文献６】特開２００６−２７７９５０号公報
【特許文献７】特開２００８−８４４１３号公報
【特許文献８】特許第４２２４８０４号公報
【特許文献９】特表２０１０−５１８５３６号公報
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】「垂直磁気記録の最新技術」中村廣久監修 シーエムシー出版（２００７）第１２７−１３１頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
このように垂直磁気記録媒体の記録密度を向上させるための技術として多くの提案がなされている。しかしながら、垂直磁気記録媒体の特性は、積層される各層の成分、組成、及び積層順序などの諸事項に依存し、従来提案されている技術においては、これら諸事項のすべてを好適化しているとはいえず、ゆえに媒体特性は一長一短である。このため、近年においては、垂直磁気記録媒体の特性のさらなる改善が要請されている。
【００１６】
垂直磁気記録媒体の信号出力の増大およびノイズの低減によって高い信号−ノイズ比（ＳＮ比）を実現するためには、磁気記録層の配向分散を可能な限り小さくする必要がある。さらに、磁気記録媒体の低ノイズ化のためには、磁気記録層の結晶粒径を縮小する必要がある。
【００１７】
一方、シード層または中間層は、その上に形成される磁気記録層の結晶性、配向性および結晶粒径等を制御する機能を有しており、磁気記録層の特性に影響を及ぼすことが知られている。したがって、磁気記録層材料の結晶粒径を低減させるためには、シード層または中間層の結晶粒径を縮小することが有効である。
【００１８】
しかしながら、シード層または中間層の膜厚を減少させた場合、磁気記録層材料の結晶配向性の低下、磁気結晶粒間の磁気的分離の阻害が起こり、磁気記録層の磁気特性が低下することも知られている。よって、これらの点を考慮すると、シード層または中間層は、磁気記録層の磁気特性を維持ないし向上させながら、膜厚を制御する必要がある。
【００１９】
したがって、本発明の目的は、磁気記録層の配向分散低減および結晶粒径微細化と同時に、シード層及び中間層の膜厚の低減を可能とし、それによって低ノイズ化、およびＳＮ比等の性能の向上を可能とする垂直磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
このような状況に鑑み、本発明者らは、特定の金属合金からなる複数の非磁性中間層を積層させることで、それぞれの膜厚を、単層を中間層に用いた場合の膜厚よりも薄くすることができ、さらに磁気記録層の特性を低下させることなく磁気記録層の粒径を微細化しやすくすることを明らかにし、以下の手段に至った。
【００２１】
本発明に係る垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層された垂直磁気記録媒体であって、前記第１非磁性中間層がＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成され、かつ第２非磁性中間層がＲｕ基合金から形成されることを特徴とする。
【００２２】
本発明において、該ＣｏＣｒＲｕＷ合金は、Ｃｒ量が１４．５ａｔ．％以上、２５．５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ量が４．５ａｔ．％以上、２０．５ａｔ．％以下であり、Ｗ量が ４．５ａｔ．％以上、８．５ａｔ．％以下であり、残部がＣｏであることが望ましい。また、第１非磁性中間層の膜厚は５〜１４ｎｍ、好ましくは６〜１２ｎｍとする。また、該磁気記録層がグラニュラー構造を含むことが望ましい。
【００２３】
さらに、本発明は、これらの垂直磁気記録媒体の製造方法も含む。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は、より低ノイズ化およびＳＮ比等の性能が向上され、高密度磁気記録が実現可能な垂直磁気記録媒を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の層構成を示す断面模式図である。
【図２】実施例１および比較例１におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図３】実施例１および比較例１におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図４】実施例２および比較例１におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図５】実施例２および比較例１におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図６】実施例３および比較例１におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図７】実施例３および比較例１におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図８】実施例４および比較例１におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図９】実施例４および比較例１におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図１０】実施例５におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図１１】実施例５におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図１２】実施例６におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図１３】実施例６におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の単なる一例であって、当業者であれば、適宜設計変更可能である。
【００２７】
図１は、本発明の垂直磁気記録媒体を示す断面図である。本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板１０１上に、軟磁性裏打ち層１０３、第１非磁性中間層１０８、第２非磁性中間層１０９、および磁気記録層１１０をこの順に備えている。また、本発明の垂直磁気記録媒体は、任意選択的に、図１に示すように軟磁性裏打ち層１０３と第１非磁性中間層１０８との間にプレシード層１０６およびシード層１０７を有してもよい。さらに、本発明の垂直磁気記録媒体は、図１に示すように任意選択的に磁気記録層１１０上に形成された保護層１１４を有してもよく、また前記保護層１１４上に形成された潤滑層１１５を有してもよい。
【００２８】
（非磁性基板）
本発明において用いる非磁性基板１０１は、非磁性体であり、また、後述する各層の形成に用いられる条件（溶媒、温度など）に耐えるものが用いられ、通常の磁気記録媒体に用いられる、表面が平滑である様々な基板を利用することができる。詳細には、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、結晶化ガラス、およびシリコンなどの材料からなる基板を用いることができる。
【００２９】
非磁性基板１０１は、他の構成要素１０２〜１１５を形成する前に洗浄しておくことが好ましい。洗浄は、ブラシやスポンジを用いたスクラブ方式、高圧水噴射方式、アルカリ洗剤への浸漬方式などにより行うことができる。また、これらの方式による洗浄を行った後、さらに紫外線照射を行うことができる。
【００３０】
本発明の非磁性基板１０１は、その上に任意選択的に密着層１０２を設けてもよい。密着層１０２は、その上に形成される軟磁性裏打ち層１０３と非磁性基板１０１との密着性を高めるために用いられる。密着層１０２の材料としては、ＣｒＴｉ合金など、ガラス等の基板材料と密着性が良好な材料を用いることができる。
【００３１】
（軟磁性裏打ち層）
軟磁性裏打ち層１０３は、非磁性基板１０１または密着層１０２上に形成され、情報の記録時に磁気ヘッドから発生する磁束の広がりを防止すべく、垂直方向の磁界を十分に確保する役割を担う構成要素である。軟磁性裏打ち層１０３の材料としては、Ｎｉ合金、Ｆｅ合金、Ｃｏ合金を用いることができる。特に、非晶質のＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＮｉＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＴａＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＴａＺｒ、 ＣｏＦｅＺｒＴａＴｉＮｂ、ＦｅＣｏＴａＢなどを用いることにより、良好な電磁変換特性を得ることができる。
【００３２】
軟磁性裏打ち層１０３は、特定の組成を有する単層膜として構成することもできる。また、磁気記録層１１０に記録された磁化を安定化させるとともに媒体表面から漏洩する磁化強度を増大させ、その結果、記録媒体のノイズを低減するように、本発明の軟磁性裏打ち層１０３は、複数の磁性膜を強磁性的または反強磁性的に結合させた積層膜としてもよい。好ましくは、軟磁性裏打ち層１０３は、下軟磁性裏打ち層１０３ａおよび上軟磁性裏打ち層１０３ｂを含む。
【００３３】
下軟磁性裏打ち層１０３ａと、上軟磁性裏打ち層１０３ｂの合計の膜厚は、情報の記録に使用する磁気ヘッドの構造および／または特性に応じて適宜設計変更することができるが、生産性を考慮した場合には、１０〜１００ｎｍの膜厚で用いることが好ましい。１０ｎｍ以上とすることで、十分な垂直方向の磁界を確保できる一方、１００ｎｍ以下とすることで、生産性を向上できる。
【００３４】
さらに好ましくは、軟磁性裏打ち層１０３は、下軟磁性裏打ち層１０３ａと上軟磁性裏打ち層１０３ｂとの間に、軟磁性裏打ち層のＲＫＫＹ結合を切断するＲｕ層１０４を含む。Ｒｕ層１０４は、上下軟磁性裏打ち層同士の反強磁性結合を導出する目的で使用される。また、Ｒｕ層１０４のかわりに、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ等を主成分とする非磁性合金を用いてもよい。
【００３５】
（プレシード層およびシード層）
本願発明は、任意選択的にプレシード層１０６およびシード層１０７を、またはシード層１０７単独で、軟磁性裏打ち層１０３の上に形成してもよい。プレシード層１０６は、当該層に接して形成されるシード層１０７の配向性および粒径を好適に制御する。また、シード層１０７は、その上に形成される第１非磁性中間層１０８の配向性および粒径を好適に制御し、さらに第２非磁性中間層１０９の配向性および粒径を好適に制御し、その結果として磁気記録層１１０の良好な垂直配向性および粒径を好適に実現するために配設する構成要素である。
【００３６】
プレシード層１０６の材料としては、ＸＲＤ等ではブロードな回折線を示し、特有な結晶構造を有しないアモルファス状のＴａ、Ｔｉ、Ｗ等の合金、または金属間化合物を用いることができる。
【００３７】
シード層１０７の材料としては、ｆｃｃ構造を有するＮｉ基合金を用いることができる。また、シード層１０７に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗなどに代表される高融点金属を添加してもよい。
【００３８】
プレシード層１０６およびシード層１０７の膜厚はその上に形成される層の配向性および粒径を制御できるものであれば特に限定されるものではないが、それぞれ１〜２０ｎｍおよび３〜８．５ｎｍが好ましい。さらに好ましくは、プレシード層１０６の膜厚は １〜９．５ｎｍであり、シード層１０７の膜厚は３．５〜６．５ｎｍである。
【００３９】
（非磁性中間層）
本発明において用いる非磁性中間層は、ＣｏＣｒＲｕＷ合金からなる材料からなる第１非磁性中間層１０８とＲｕ基合金からなる第２非磁性中間層１０９とを含む。非磁性中間層は、その上に形成される磁気記録層１１０の結晶性、配向性および結晶粒径等を制御する機能を有する構成要素である。したがって、磁気記録層材料の結晶粒径を低減させるためには、非磁性中間層の結晶粒径を縮小することが有効である。
【００４０】
一方、非磁性中間層の結晶粒径を縮小させるために中間層の膜厚を減少させた場合、磁気記録層材料の結晶配向性の低下により、磁気記録層の磁気特性が低下することも知られている。これらの点を考慮すると、単に非磁性中間層の膜厚を減少させるだけではなく、磁気記録層１１０の磁気特性を維持ないし向上させることも同時に必要とされる。
【００４１】
本発明は、特定の金属合金からなる複数の非磁性中間層を積層させることで、それぞれの膜厚を、Ｒｕ単層を非磁性中間層に用いた場合の膜厚よりも薄くすることができ、さらに磁気記録層１１０の特性を低下させることなく磁気記録層の粒径を微細化しやすくするという効果を提供することができる。
【００４２】
第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９の膜厚の合計は、１０〜３０ｎｍとすることが好ましい。１０ｎｍ以上とすることにより、第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９においてそれぞれ良好な結晶性が得られ、優れた配向性を実現することができる。そのため、第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９上に配設される磁気記録層１１０においても、優れた配向性および優れた結晶粒の分離性が得られる。
【００４３】
また、第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９を合わせた膜厚を３０ｎｍ以下とすることにより、非磁性中間層の粒径の肥大化がそれぞれ抑制され、前記磁気記録層１１０の粒径の肥大化も抑制され、その結果、磁気記録層１１０のノイズ低減に起因した優れたＳＮ比を得ることができる。磁気記録層１１０と軟磁性裏打ち層１０３のスペースを低減でき、書き込み特性（ｗｒｉｔａｂｉｌｉｔｙ）を高く維持できる。
【００４４】
第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９の膜厚は、それぞれ４〜２０ｎｍであることが好ましい。第１非磁性中間層１０８の膜厚は５〜１４ｎｍが好ましく、６〜１２ｎｍがさらに好ましい。第２非磁性中間層１０９の膜厚は６〜１１ｎｍが好ましく、７〜９ｎｍがさらに好ましい。
【００４５】
本発明の第１非磁性中間層１０８は、ｈｃｐ構造を有するＣｏＣｒＲｕＷ合金からなる。好ましくは、該ＣｏＣｒＲｕＷ合金は、Ｃｒ含有量が１４．５ａｔ．％以上、２５．５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ含有量が４．５ａｔ．％以上、２０．５ａｔ．％以下であり、Ｗ含有量が４．５ａｔ．％以上、８．５ａｔ．％以下であり、かつ残部が主元素であるＣｏである。さらに好ましくは、Ｃｒ含有量が１５ａｔ．％以上、２５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ含有量が５ａｔ．％以上、１５ａｔ．％以下であり、Ｗ含有量が５ａｔ．％以上、１０ａｔ．％以下であり、残部がＣｏである。
【００４６】
薄膜合金材料に対し、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗなどに代表される高融点金属を添加することは、結晶粒子の微細化を促進が期待され、なかでも、最も融点が高い金属であるＷについて、最もその効果が期待される。しかし、Ｃｏに対して、２４ａｔ．％以上より多いＭｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗの金属を添加する場合にはＣｏＷ3などの金属間化合物が形成し、望ましくない結晶構造を生ずるため、それ以下の添加量が望ましい。
【００４７】
本発明の第２非磁性中間層１０９は、Ｒｕ単独で、またはｈｃｐ構造を有するＲｕ基合金により形成することができる。Ｒｕは原子半径が大きいことから、より原子半径の大きなＷやＴａを第２非磁性中間層１０９に添加してもよい。Ｒｕ基合金はＲｕを５ａｔ．％以上含む合金をいい、好ましくは７０ａｔ．％以上、さらに好ましくは９５ａｔ．％以上のＲｕを含む。
【００４８】
（磁気記録層）
磁気記録層１１０は、情報を記録するために配設する構成要素である。磁気記録層１１０は、垂直磁気記録媒体の構成要素として用いる場合、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向している必要がある。具体的には、ｈｃｐ（０００２）面が基板面に平行に配向していることが好ましい。
【００４９】
また、磁気記録層１１０は、Ｃｏ基合金からなる強磁性結晶粒を、酸化物を主成分とする非磁性結晶粒が囲むいわゆるグラニュラー構造を呈することが好ましい。グラニュラー構造とすることにより、前記磁気記録層１１０の電磁変換特性を十分に担保し、磁気記録媒体のノイズ低減に起因した優れたＳＮ比を得ることができる。ここで、「酸化物を主成分とする」とは、他の成分を微量に含有することを妨げないことを意味し、酸化物が非磁性結晶粒の概ね９０モル％以上の比率で存在することを意味する。
【００５０】
前記強磁性結晶粒を構成するＣｏ基合金としては、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＢなどのＣｏＰｔ基合金、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＴａＰｔなどのＣｏＣｒ基合金等が挙げられる。中でも、ＣｏＰｔ基合金は、磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）を高く設定することができる点で好ましい。
【００５１】
前記非磁性結晶粒を構成する酸化物としては、上記のＣｏ基合金の強磁性結晶粒を磁気的に分離する性能が高いＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。中でも、ＳｉＯ2は、上記Ｃｏ基合金からなる強磁性結晶粒を磁気的に分離する性能が優れている点で好ましい。
【００５２】
また、磁気記録層１１０は、単層でも、また複数の層からなる積層体（図示せず）であってもよい。好ましくは、磁気記録層１１０は、複数の層から形成される積層体であり、複数の磁気記録層を含む。
【００５３】
一の実施態様において、本願発明の磁気記録媒体は、磁気記録層と磁気記録層との間に交換結合力制御層１１１を設けてもよい。交換結合力制御層１１１は、第１グラニュラー磁気記録層１１０ａと第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂの間に設けて交換結合エネルギーを弱めることで、熱安定性をほとんど劣化させずに反転磁界を低減させ、書き込み特性を改善させる層である。
【００５４】
前記交換結合力制御層１１１の材料としては、Ｒｕ、ＲｕＣｏ、ＲｕＣｒ、ＮｉＣｒ等が挙げられる。交換結合力制御層１１１の膜厚は、用いる材料により最適膜厚が異なるが、０．０７〜０．８ｎｍの範囲で用いることが好ましい。０．０７ｎｍより薄い場合は、第１グラニュラー磁気記録層１１０ａと第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂが強磁性結合して、書き込み特性が劣化する。また、０．８ｎｍより厚い場合は、第１グラニュラー磁気記録層１１０ａと第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂとの磁気的な結合が切れてしまうため、熱安定性が劣化する。
【００５５】
一の実施態様において、本発明の垂直磁気記録媒体は、さらに非グラニュラー磁気記録層１１０ｃ（図示せず）を設けてもよい。非グラニュラー磁気記録層１１０ｃは、磁気記録媒体の優れた耐久性を担保し、かつ、前記グラニュラー磁気記録層１１０ａおよび１１０ｂ全体の磁気特性を好適に制御するために交換結合力制御層１１１、あるいは第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂ上に配設される構成要素である。非グラニュラー磁気記録層１１０ｃは、垂直磁気記録媒体の構成要素として用いる場合、Ｃｏ基合金からなる強磁性結晶粒と、金属の酸化物および窒化物を含有しない金属の非磁性結晶粒とを含む構造とすることが好ましい。非グラニュラー磁気記録層１１０ｃは、第１グラニュラー磁気記録層１１０ａおよび第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂの非磁性結晶粒界から溶出するＣｏ原子をブロックすることで磁気記録媒体の優れた耐久性を実現することができるとともに、前記第１グラニュラー磁気記録層１１０ａおよび第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂ全体の磁気特性を好ましい状態に制御することができる。
【００５６】
非グラニュラー磁気記録層１１０ｃの非磁性結晶粒界を構成する金属材料としては、Ｔａ、Ｐｔ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎｂ、ＣｕおよびＴｉのうちの少なくとも一種が挙げられる。中でも、Ｂは、上記Ｃｏ基合金からなる強磁性結晶粒を磁気的に分離する性能が特に優れている点で好ましい。
【００５７】
非グラニュラー磁気記録層１１０ｃの膜厚は、本発明の垂直記録媒体の性能を妨げるものでなければ任意の値をとることができるが、好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍであり、より好ましくは３ｎｍ〜４ｎｍである。
【００５８】
さらに、本発明の垂直記録媒体の磁気記録層１１０は、上記グラニュラー磁気記録層１１０ａおよび／または１１０ｂ、交換結合力制御層１１１、ならびに非グラニュラー磁気記録層１１０ｃを、十分な磁気記録性能を得るために任意選択的に組合せて積層し、形成することができる。一の実施態様において、第２グラニュラー層を省いて、交換結合力制御層１１１上に、非グラニュラー磁気記録層１１０ｃを直接成膜しても良い。
【００５９】
（保護層および潤滑層）
保護層１１４は、図１の本発明の磁気記録媒体の断面図において、当該層１１４の下方に位置する各層１０２〜１１０ｃを保護するとともに、特に、下軟磁性裏打ち層１０３、上軟磁性裏打ち層１０５からのＣｏの溶出を防止するために配設する構成要素である。保護層１１４には、垂直磁気記録媒体に通常使用される材料を用いることができる。例えば、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）もしくはアモルファスカーボンなどのカーボンを主体とする保護層（好ましくはダイヤモンド状カーボン）、または磁気記録媒体の保護層として用いることが知られている種々の薄層材料を利用できる。保護層１１４の膜厚は、垂直磁気記録媒体の構成要素として通常用いられる膜厚を適用することができる。
【００６０】
潤滑層１１５は、任意の構成要素であるが、保護層１１４と磁気ヘッド（図示せず）との間に生ずる摩擦力を低減し、磁気記録媒体の優れた耐久性および信頼性を得る目的で配設する液状の構成要素である。潤滑層１１５の材料としては、磁気記録媒体に通常用いられる材料を使用することができる。例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤などが挙げられる。潤滑層１１５の膜厚は、垂直磁気記録媒体の構成要素として通常用いられる膜厚を適用することができる。
【００６１】
（製造方法）
非磁性基板１０１の上に積層される各層は、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することができる。密着層１０２から保護層１１４に至る各層の形成には、例えば、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法などを用いることができる。また、保護層１１４の形成においては、前記の方法に加えてＣＶＤ法などを用いることもできる。一方、潤滑層１１５は、たとえば、ディップコート法、スピンコート法などの当該技術分野において知られている任意の塗布方法を用いて形成することができる。
【実施例】
【００６２】
以下に本発明の実施例を説明するが、以下の実施例は、本発明を説明するための代表例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。
【００６３】
図１に示す構成を用い、各層の材料および膜厚を変更した実施例１〜７、ならびに比較例１および２を作製した。
【００６４】
（実施例１）
非磁性基板１０１として、直径９５ｍｍのＡｌ基板を用いた。Ａｌ基板は、１０μｍ×１０μｍの測定領域におけるＡＦＭでの粗さが１．２Å（オングストローム）以下であった。この基板上に、保護層および潤滑層を除き、スパッタリング法にて各層の成膜を行い、表１に記載の構成を有する磁気記録媒体を作製した。なお、本実施例におけるスパッタリング法は、特に示さない限り直流マグネトロンスパッタリング装置を用いて実施した。
【００６５】
まず、非磁性基板１０１上に厚さ１３ｎｍのＣｒＴｉ密着層１０２を作製した。次いで、厚さ１３ｎｍのＦｅＣｏＴａＢ合金からなる第１軟磁性裏打ち層１０３ａ、厚さ１．２ｎｍのＲｕ層１０４、および厚さ１２ｎｍのＦｅＣｏＴａＢ合金からなる第２軟磁性裏打ち層１０３ｂを順次形成し、軟磁性裏打ち層１０３とした。次に、アモルファス構造を有するＣｒＴｉ合金からなるプレシード層１０６を厚さ９ｎｍで、ＮｉＦｅＣｒＷＴｉ合金からなるシード層１０７を厚さ６ｎｍでそれぞれ形成した。
【００６６】
次いで、該シード層１０７上に、第１非磁性中間層１０８をＣｏ２５Ｃｒ５Ｒｕ５Ｗ（全原子を基準として、２５ａｔ．％のＣ、５ａｔ．％のＲｕ、および残余のＣｏで構成される。以下同様。）合金ターゲットを用いたスパッタリング法により厚さ１２ｎｍで形成し、さらにＲｕ単体層を厚さ８ｎｍで形成して第２非磁性中間層１０９とした。
【００６７】
次に、第２非磁性中間層１０９の上に、結合制御層１１１としてＲｕ単体層をはさんでＣｏ基合金からなる第１磁気記録層１１０ａおよび第２磁気記録層１１０ｂを形成し、さらに第２磁気記録層１１０ｂの上に、ＣｏＰｔ合金からなる第３磁気記録層１１０ｃを形成して、磁気記録層１１０を作製した。詳細には、第１磁気記録層１１０ａおよび第２磁気記録層１１０ｂはグラニュラー磁気記録層であり、第３磁気記録層１１０ｃは非グラニュラー磁気記録層であり、それらの膜厚は表１に示すとおりであった。
【００６８】
その後、ＣＶＤ法により厚さ２．０ｎｍのカーボン保護層１１４を磁気記録層上に形成し、さらに、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層１１５を厚さ９ｎｍで形成し、磁気記録媒体を作製した。
【００６９】
【表１】
【００７０】
（評価試験１）
得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を、ＭＦＳｐｉＳＮＲ、ＳｑｚＳＮＲ、Ｓｑｕａｓｈ、およびＲＯＷにより評価した。半径３１．３７ｍｍの位置で、最大で、線記録密度約２０００ｋｆｃｉ、トラックピッチ４００ｋｔｐｉの測定条件で、電磁変換特性を評価した結果を表２に示す。
【００７１】
ＭＦＳｐｉＳＮＲとは、最高記録周波数の１／２の周波数におけるＳＮ比であり、値が高いほど高密度記録が可能となる。線記録密度約１０００ｋｆｃｉの場合について、スペクトルアナライザーを用いて再生信号出力(Ｓ)とトータルサイズ(Ｎｔ)の比を測定し、次式より求めた。
ＭＦＳｐｉＳＮＲ＝２０×ｌｏｇ（Ｓ／Ｎｔ）
【００７２】
ＳｑｚＳＮＲは、センタートラックに書き込み後、隣接トラックの信号を消去した際に、センタートラックに残存する信号出力Ｓ1とトータルノイズ（Ｎｔ）の比を指し、次式で示される。
ＳｑｚＳＮＲ＝ｌｏｇ（Ｓ1／Ｎｔ）
【００７３】
Ｓｑｕａｓｈは、センタートラックに書き込み後、隣接トラックの信号を消去した際に残存する信号出力の割合を示す。
【００７４】
ＲＯＷは高密度の記録に低密度の記録を上書きしたときの、元の記録信号強度と消し残り信号強度との比であり、８１５ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号上に、１０８ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号を上書きした時の値を測定した。
【００７５】
【表２】
【００７６】
（比較例１）
第１非磁性中間層１０８として、厚さ１０ｎｍのＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕと厚さ３ｎｍのＣｏ２４Ｃｒ４Ｗとの２層膜を用い、磁気記録媒体を作製した。また、比較例１では、第１非磁性中間層１０８の材料のほか、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの材料にＦｅＣｏＺｒＴａＴｉＮｂ合金を用いている点、プレシード層１０６の膜厚を１４ｎｍとしている点、ならびに第１非磁性中間層１０８の膜厚の点で実施例１と相違していたが、第１非磁性中間層１０８の材料以外のこれらの相違点が電磁変換特性に及ぼす影響は、同一のＲＯＷに対するＭＦＳｐｉＳＮＲの値で、総じておよそ０．１ｄＢ以内であった。
【００７７】
比較例１についても、実施例１と同様に、得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を評価した。その結果を表２ならびに図２および図３に示す。比較例１−１および１−２と比べて、第１非磁性中間層１０８に厚さ１２ｎｍのＣｏ２５Ｃｒ５Ｒｕ５Ｗ合金を用いた実施例１−１および１−２では、同じＲＯＷに対して、ＭＦＳｐｉＳＮＲは約０．４ｄＢ高くなった。さらにＳｑｚＳＮＲおよびＳｑｕａｓｈも同等以上となり、実施例１は比較例１よりも良好な結果となった。
【００７８】
（実施例２）
軟磁性裏打ち層１０３をＦｅＣｏＺｒＴｉＮｂ合金から形成した点、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの間のＲｕ単体層１０４の膜厚を０．４ｎｍとした点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表３に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。また、得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様に電磁変換特性を評価した。その結果を表４ならびに図４および図５に示す。
【００７９】
【表３】
【００８０】
【表４】
【００８１】
実施例２の比較には、実施例１と同じ比較例１を用いた。実施例２では、第１非磁性中間層１０８の材料のほか、軟磁性裏打ち層１０３におけるＲｕ単体層１０４の膜厚を０．４ｎｍとしている点、プレシード層１０６の膜厚を１４ｎｍとしている点、および第１非磁性中間層１０８の膜厚の点で比較例１と相違していたが、第１非磁性中間層１０８の材料以外のこれらの相違点が電磁変換特性に及ぼす影響は、同一のＲＯＷに対するＭＦＳｐｉＳＮＲの値で、総じておよそ０．２ｄＢ以内であった。
【００８２】
比較例１−１および１−２と比べて、実施例２−１〜２−９では、いずれも同じＲＯＷに対してＭＦｓｐｉＳＮＲは約０．３ｄＢ以上高くなった。さらに第１非磁性中間層１０８の膜厚を、比較例１−１および１−２と同様の１０ｎｍとした実施例２−４〜２−６では、比較例１−１および１−２と比べて、ＭＦＳｐｉＳＮＲは約０．４ｄＢ以上高くなった。ＳｑｚＳＮＲおよびＳｑｕａｓｈも同等以上となり、実施例２は比較例１よりも良好な結果となった。
【００８３】
よって、第１非磁性中間層１０８にＣｏ２５Ｃｒ５Ｒｕ５Ｗ合金を用いた磁気記録媒体は、厚さ１０ｎｍのＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕ合金と厚さ３ｎｍのＣｏ２４Ｃｒ４Ｗ合金とからなる積層中間層を用いた磁気記録媒体より優れた電磁変換特性を示すことがわかった。
【００８４】
（実施例３）
軟磁性裏打ち層１０３をＦｅＣｏＺｒＴｉＮｂ合金から形成した点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表５に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。また、得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様に電磁変換特性を評価した。その結果を表６ならびに図６および図７に示す。
【００８５】
【表５】
【００８６】
【表６】
【００８７】
実施例３での比較には、実施例１と同じ比較例１を用いた。実施例３では、第１非磁性中間層１０８の材料のほか、プレシード層１０６の膜厚を１４ｎｍとしている点、および第１非磁性中間層１０８の膜厚の点で実施例１と相違していたが、第１非磁性中間層１０８の材料以外のこれらの相違点が電磁変換特性に及ぼす影響は、同一のＲＯＷに対するＭＦｐｉＳＮＲの値で、総じておよそ０．１ｄＢ以内であった。
【００８８】
比較例１−１および１−２と比べて、実施例３−１〜３−３では、同じＲＯＷに対してＭＦｓｐｉＳＮＲは約０．２〜０．３ｄＢ高くなった。また、第１非磁性中間層の材料にＣｏ２０Ｃｒ５Ｗ５Ｒｕ合金を用いた３−４および３−５では、同じＲＯＷに対してＭＦＳｐｉＳＮＲは０．１〜０．２ｄＢ高くなった。ＳｑｚＳＮＲおよびＳｑｕａｓｈも同等以上となり、実施例３は総じて比較例１より良好な結果となった。
【００８９】
よって、第１非磁性中間層１０８にＣｏ２５Ｃｒ５Ｗ５Ｒｕ合金またはＣｏ２０Ｃｒ５Ｗ５Ｒｕ合金を用いた磁気記録媒体は、同様にして、厚さ１０ｎｍのＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕ合金と厚さ３ｎｍのＣｏ２４Ｃｒ４Ｗ合金とからなる積層中間層を用いた磁気記録媒体より優れた電磁変換特性を示すことがわかった。
【００９０】
（実施例４）
非磁性基板１０１として直径６５ｍｍのガラス基板（ＨＯＹＡ製型番Ｎ５）を用いた点、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの間のＲｕ単体層１０４の膜厚を０．２５ｎｍとした点、プレシード層１０６の厚さを３ｎｍとしている点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表７に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００９１】
【表７】
【００９２】
（評価試験２）
実施例４で得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を、半径２２．３ｍｍの位置で、最大で、線記録密度約２０００ｋｆｃｉ、トラックピッチ４００ｋｔｐｉの測定条件で、評価試験１と同様に、ＭＦＳｐｉＳＮＲ、ＳｑｚＳＮＲ、Ｓｑｕａｓｈ、およびＲＯＷにより評価した。結果を表８ならびに図８および９に示す。ＲＯＷは、９９７ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号上に、１３３ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号を上書きした時の値を用いた。
【００９３】
図８および図９に示すとおり、実施例４−１〜４−４は、いずれも良好な電磁変換特性を有することが確認された。
【００９４】
【表８】
【００９５】
（実施例５）
非磁性基板１０１として直径６５ｍｍのガラス基板を用いた点、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの間のＲｕ単体層１０４の膜厚を０．２５ｎｍとした点、プレシード層１０６の厚さを３ｎｍとしている点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表９に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００９６】
【表９】
【００９７】
（評価試験３）
実施例５で得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を、半径２９．０ｍｍの位置で、最大で、線記録密度約２０００ｋｆｃｉ、トラックピッチ４００ｋｔｐｉの測定条件で、評価試験１と同様に、ＭＦＳｐｉＳＮＲ、ＳｑｚＳＮＲ、Ｓｑｕａｓｈ、およびＲＯＷにより評価した。結果を表１０ならびに図１０および図１１に示す。ＲＯＷは、９２６ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号上に、１２３ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号を上書きした時の値を用いた。
【００９８】
図１０および図１１に示すとおり、実施例５−１〜５−１０は、いずれも良好な電磁変換特性を有することが確認された。
【００９９】
【表１０】
【０１００】
（実施例６）
非磁性基板１０１として直径６５ｍｍのガラス基板を用いた点、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの間のＲｕ単体層１０４の膜厚を０．２５ｎｍとした点、プレシード層１０６の厚さを６ｎｍとしている点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表１１に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
【０１０１】
【表１１】
【０１０２】
得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を、実施例５と同様の条件にて評価した。結果を表１２ならびに図１２および図１３に示す。図１２および図１３に示すとおり、実施例６−１〜６−１０は、いずれも良好な電磁変換特性を有することが確認された。また、第１非磁性中間層１０８として、厚さ６ｎｍのＣｏ１０Ｃｒ１５Ｒｕ５Ｗ合金膜より、厚さ６ｎｍのＣｏ１５Ｃｒ１５Ｒｕ５Ｗ合金膜のほうが良好な特性を示した。
【０１０３】
【表１２】
【０１０４】
（実施例７）
プレシード層１０６にＣｏＴｉ層を用いた以外は実施例１と同様に、直径９５ｍｍのＡｌ基板からなる非磁性基板１０１上に、密着層１０２、第１軟磁性裏打ち層１０３ａ、Ｒｕ層１０４、第２軟磁性裏打ち層１０３ｂ、プレシード層１０６、シード層１０７、第１非磁性中間層１０８、Ｒｕ単体層、第２非磁性中間層１０９、および第１磁気記録層１１０ａを順次形成し、その上に保護層１１４を形成してＸＲＤ結晶構造解析用測定試料を作製した。
【０１０５】
（比較例２）
第１非磁性中間層１０８をＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕ５Ｍｎ合金を用いて形成した点以外は実施例７と同様に、ＸＲＤ結晶構造解析用測定試料を作製した。
【０１０６】
（評価試験４）
実施例７および比較例２で作製した測定試料について、Ｘ線回折装置（型番Ｒｉｎｔ−Ｕｌｔｉｍａ ＩＩＩ、（株）リガク製）を用いて、ＸＲＤ結晶構造解析を行った。表１３に層構成及びＸＲＤによる結晶構造解析結果を示す。第１非磁性中間層１０８にＣｏ２５Ｃｒ５Ｒｕ５Ｗ合金膜を用いた実施例７は、第１非磁性中間層１０８にＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕ５Ｍｎ合金を用いた比較例２と比較して、試料のｈｃｐ（００２）面に対応する４２．２ｄｅｇおよび４２．６ｄｅｇにおける半値幅（ＦＷＨＭ）が低下傾向を示し、ｃ軸配向性が良好となった。
【０１０７】
【表１３】
【符号の説明】
【０１０８】
１０１ 非磁性基板
１０３ 軟磁性裏打ち層
１０６ プレシード層
１０７ シード層
１０８ 第１非磁性中間層
１０９ 第２非磁性中間層
１１０ 磁気記録層
１１４ 保護層
１１５ 潤滑層
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種磁気記録装置に搭載する垂直磁気記録媒体に関する。より詳細には、コンピュータ、ＡＶ機器等の外部記憶装置として用いられるハードディスクドライブに搭載される、高密度磁気記録が実現可能な垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として用いられる磁気記録媒体は、磁気記録の高密度化をより実現する技術として、垂直磁気記録方式が採用されている。その層構成は、例えば、非磁性基体上に下地層と磁気記録層と保護膜と液体潤滑層とが順次積層されて形成される。垂直磁気記録方式では、垂直磁気記録媒体に記録された記録ビットは、隣接する記録ビットの反磁界の影響により、高記録密度であるほど残留磁化の大きさが安定するという利点がある。その結果、垂直磁気記録媒体は、優れた熱揺らぎ耐性を実現することもできる。
【０００３】
そこで、垂直磁気記録媒体の記録密度を、さらに高密度化する方法が種々検討されてきた。例えば、２層垂直磁気記録媒体と呼ばれている方法では、下地層と基板の間に軟磁性裏打ち層を有する媒体が用いられている。２層垂直磁気記録媒体では、軟磁性裏打ち層が磁気ヘッドから発生される磁界を急峻に引き込むため、磁界勾配が小さくなり、信号の書き広がりの影響が低減される（例えば、非特許文献１等参照）。
【０００４】
このほか、垂直磁気記録媒体のさらなる高記録密度を実現するために、磁性結晶粒の微細化、およびその分離性向上、ならびに磁性層の磁化容易軸であるｃ軸の配向分散Δθ５０の減少などが検討され、以下に示すような種々の層構造を有する垂直磁気記録媒体が提案されている。
【０００５】
例えば、特許文献１は、軟磁性裏打ち層、ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕを主成分とするｆｃｃ構造を有する配向制御下地層、およびｈｃｐ構造を有する垂直磁化膜からなる記録層を含む垂直記録媒体を開示する。また、特許文献１には、配向制御下地層にＦｅ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、およびＡｕのうちから少なくとも１種がさらに添加されていること、Ｔａ，Ｗ、Ｍｏのうちから１種を主成分とする非磁性非晶質層を配向制御下地層の下側に用いること、さらには、配向制御下地層と記録層の間に、Ｒｕ合金、またはＴｉのうちの１種からなる配向制御中間層を用いることが開示されている。
【０００６】
また特許文献２では、基板上に、少なくとも裏打ち層、配向制御層、磁気記録層及び保護層を有する磁気記録媒体であって、配向制御層は少なくともシード層及び中間層を有する積層構造を有し、シード層は中間層より基板側に配されており、かつシード層にはＣｕを主成分とするＣｕ−Ｔｉ合金層を有する磁気記録媒体が開示されている。また中間層は、Ｒｕ、Ｒｅまたはこれらの合金の少なくともいずれかを含有する合金材料を主材料とし、ｈｃｐ構造を有することを開示する。さらには、中間層を２層化することで結晶配向と微細化を両立することを開示する。
【０００７】
特許文献３は、非磁性基体上に下地層、磁気記録層、保護層、液体潤滑層を順次有する垂直磁気記録媒体を開示し、下地層が非磁性ＮｉＦｅＣｒを含むことを特徴とする。さらに、下地層と磁気記録層の間に、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＢ、Ｒｕ、Ｐｄの非磁性材料のいずれかを含む中間層を含むことが記載されている。
【０００８】
また特許文献４では、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層、中間層、ＣｏＣｒ系合金層の磁性層、保護層、および液体潤滑層を順次有する垂直磁気記録媒体であって、磁性層がグラニュラー構造の第１の磁性層と非グラニュラー構造の第２の磁性層とから構成された垂直磁気記録媒体を開示している。さらに、中間層は、ｈｃｐ構造を有するＴｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのうちの少なくとも一種の金属を含む合金で構成されることが開示されている。
【０００９】
特許文献５は、非磁性基体上に、シード層、下地層、磁気記録層、および被覆層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、磁気記録層が異なる材料からなる磁性層を積層した構造からなる垂直磁気記録媒体を開示する。また、シード層として、ＮｉＦｅ合金あるいはＮｉＦｅに少なくともＢ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれかを添加した合金、またはＣｏ或いはＣｏに少なくともＢ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｎｉのいずれかを添加した合金を、さらに、下地層としては、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｚｎ、Ｔｃ、Ｒｅ等のｈｃｐ構造となる金属、またはＣｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏなどのｆｃｃ構造となる金属を用いることがそれぞれ開示されている。
【００１０】
特許文献６では、非磁性基体上に、軟磁性裏打ち層、中間層、ＣｏＣｒ系合金層の磁性層、保護層、および液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、磁性層がグラニュラー構造の第１の磁性層と非グラニュラー構造の第２の磁性層とから構成された垂直磁気記録媒体を開示している。また、中間層がｈｃｐ結晶構造を有するＴｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのいずれかの金属、又はＴｉ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓのうちの少なくとも一種の金属を含む合金で構成されることを開示する。
【００１１】
特許文献７では、基板上に、軟磁性裏打ち層、ＦｅＣｏＢシード層、ｆｃｃ構造の結晶配向制御層、非磁性下地層、及び磁気記録層を有する磁気記録媒体が開示され、該結晶配向制御層は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ，Ａｌ、Ａｕ、およびＡｇのうち少なくとも1種の元素を含む合金より形成されることが開示されている。
特許文献８には、非磁性基体上に少なくとも下地層と磁気記録層と保護膜及び液体潤滑材層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体の製造方法が開示され、Ｒｕ或いはＲｕＷ、ＲｕＴｉ、ＲｕＡｌ、ＲｕＣｕ、ＲｕＳｉ、ＲｕＣ、ＲｕＢ、ＲｕＣｏＣｒなどの少なくともＲｕを含む合金からなる下地層の下に、ＮｉＦｅ等のＮｉ基合金であるシード層をさらに設けた磁気記録媒体の製造方法も開示されている。さらに、磁気記録層には、グラニュラー層と呼ばれる、ＣｏＣｒＰｔ合金を微粒子として、微粒子界面にＳｉＯ2、及びＴｉＯ2などの酸化物を偏析させた構造からなる磁気記録層を用いることを開示する。
【００１２】
一方、特許文献９では、非晶質Ｔａを含むシード層、ＮｉおよびＷを含む非磁性ｆｃｃ合金下地層、非磁性ｈｃｐ下地層、および磁気層を含む垂直磁気記録媒体が開示されており、ｈｃｐ下地層にはＲｕＣｒ30下地層を用いることが述べられている。また、媒体中からは、Ｒｕ、Ｐｔのような貴金属元素は極力減らすことが望ましいことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−３４０６０号公報
【特許文献２】特開２０１０−４４８４２号公報
【特許文献３】特開２００２−３５８６１７号公報
【特許文献４】特開２００３−１６８２０７号公報
【特許文献５】特開２００５−１９６８９８号公報
【特許文献６】特開２００６−２７７９５０号公報
【特許文献７】特開２００８−８４４１３号公報
【特許文献８】特許第４２２４８０４号公報
【特許文献９】特表２０１０−５１８５３６号公報
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】「垂直磁気記録の最新技術」中村廣久監修 シーエムシー出版（２００７）第１２７−１３１頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
このように垂直磁気記録媒体の記録密度を向上させるための技術として多くの提案がなされている。しかしながら、垂直磁気記録媒体の特性は、積層される各層の成分、組成、及び積層順序などの諸事項に依存し、従来提案されている技術においては、これら諸事項のすべてを好適化しているとはいえず、ゆえに媒体特性は一長一短である。このため、近年においては、垂直磁気記録媒体の特性のさらなる改善が要請されている。
【００１６】
垂直磁気記録媒体の信号出力の増大およびノイズの低減によって高い信号−ノイズ比（ＳＮ比）を実現するためには、磁気記録層の配向分散を可能な限り小さくする必要がある。さらに、磁気記録媒体の低ノイズ化のためには、磁気記録層の結晶粒径を縮小する必要がある。
【００１７】
一方、シード層または中間層は、その上に形成される磁気記録層の結晶性、配向性および結晶粒径等を制御する機能を有しており、磁気記録層の特性に影響を及ぼすことが知られている。したがって、磁気記録層材料の結晶粒径を低減させるためには、シード層または中間層の結晶粒径を縮小することが有効である。
【００１８】
しかしながら、シード層または中間層の膜厚を減少させた場合、磁気記録層材料の結晶配向性の低下、磁気結晶粒間の磁気的分離の阻害が起こり、磁気記録層の磁気特性が低下することも知られている。よって、これらの点を考慮すると、シード層または中間層は、磁気記録層の磁気特性を維持ないし向上させながら、膜厚を制御する必要がある。
【００１９】
したがって、本発明の目的は、磁気記録層の配向分散低減および結晶粒径微細化と同時に、シード層及び中間層の膜厚の低減を可能とし、それによって低ノイズ化、およびＳＮ比等の性能の向上を可能とする垂直磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
このような状況に鑑み、本発明者らは、特定の金属合金からなる複数の非磁性中間層を積層させることで、それぞれの膜厚を、単層を中間層に用いた場合の膜厚よりも薄くすることができ、さらに磁気記録層の特性を低下させることなく磁気記録層の粒径を微細化しやすくすることを明らかにし、以下の手段に至った。
【００２１】
本発明に係る垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層された垂直磁気記録媒体であって、前記第１非磁性中間層がＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成され、かつ第２非磁性中間層がＲｕ基合金から形成されることを特徴とする。
【００２２】
本発明において、該ＣｏＣｒＲｕＷ合金は、Ｃｒ量が１４．５ａｔ．％以上、２５．５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ量が４．５ａｔ．％以上、２０．５ａｔ．％以下であり、Ｗ量が ４．５ａｔ．％以上、８．５ａｔ．％以下であり、残部がＣｏであることが望ましい。また、第１非磁性中間層の膜厚は５〜１４ｎｍ、好ましくは６〜１２ｎｍとする。また、該磁気記録層がグラニュラー構造を含むことが望ましい。
【００２３】
さらに、本発明は、これらの垂直磁気記録媒体の製造方法も含む。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は、より低ノイズ化およびＳＮ比等の性能が向上され、高密度磁気記録が実現可能な垂直磁気記録媒を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の層構成を示す断面模式図である。
【図２】実施例１および比較例１におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図３】実施例１および比較例１におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図４】実施例２および比較例１におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図５】実施例２および比較例１におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図６】実施例３および比較例１におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図７】実施例３および比較例１におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図８】実施例４および比較例１におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図９】実施例４および比較例１におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図１０】実施例５におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図１１】実施例５におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【図１２】実施例６におけるＲＯＷに対するＭＦｓｐｉＳＮＲの値をプロットしたものである。
【図１３】実施例６におけるＲＯＷに対するＳｑｕａｓｈの値をプロットしたものである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の単なる一例であって、当業者であれば、適宜設計変更可能である。
【００２７】
図１は、本発明の垂直磁気記録媒体を示す断面図である。本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板１０１上に、軟磁性裏打ち層１０３、第１非磁性中間層１０８、第２非磁性中間層１０９、および磁気記録層１１０をこの順に備えている。また、本発明の垂直磁気記録媒体は、任意選択的に、図１に示すように軟磁性裏打ち層１０３と第１非磁性中間層１０８との間にプレシード層１０６およびシード層１０７を有してもよい。さらに、本発明の垂直磁気記録媒体は、図１に示すように任意選択的に磁気記録層１１０上に形成された保護層１１４を有してもよく、また前記保護層１１４上に形成された潤滑層１１５を有してもよい。
【００２８】
（非磁性基板）
本発明において用いる非磁性基板１０１は、非磁性体であり、また、後述する各層の形成に用いられる条件（溶媒、温度など）に耐えるものが用いられ、通常の磁気記録媒体に用いられる、表面が平滑である様々な基板を利用することができる。詳細には、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、結晶化ガラス、およびシリコンなどの材料からなる基板を用いることができる。
【００２９】
非磁性基板１０１は、他の構成要素１０２〜１１５を形成する前に洗浄しておくことが好ましい。洗浄は、ブラシやスポンジを用いたスクラブ方式、高圧水噴射方式、アルカリ洗剤への浸漬方式などにより行うことができる。また、これらの方式による洗浄を行った後、さらに紫外線照射を行うことができる。
【００３０】
本発明の非磁性基板１０１は、その上に任意選択的に密着層１０２を設けてもよい。密着層１０２は、その上に形成される軟磁性裏打ち層１０３と非磁性基板１０１との密着性を高めるために用いられる。密着層１０２の材料としては、ＣｒＴｉ合金など、ガラス等の基板材料と密着性が良好な材料を用いることができる。
【００３１】
（軟磁性裏打ち層）
軟磁性裏打ち層１０３は、非磁性基板１０１または密着層１０２上に形成され、情報の記録時に磁気ヘッドから発生する磁束の広がりを防止すべく、垂直方向の磁界を十分に確保する役割を担う構成要素である。軟磁性裏打ち層１０３の材料としては、Ｎｉ合金、Ｆｅ合金、Ｃｏ合金を用いることができる。特に、非晶質のＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＴａＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＮｉＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＴａＺｒＮｂ、ＣｏＦｅＴａＺｒ、 ＣｏＦｅＺｒＴａＴｉＮｂ、ＦｅＣｏＴａＢなどを用いることにより、良好な電磁変換特性を得ることができる。
【００３２】
軟磁性裏打ち層１０３は、特定の組成を有する単層膜として構成することもできる。また、磁気記録層１１０に記録された磁化を安定化させるとともに媒体表面から漏洩する磁化強度を増大させ、その結果、記録媒体のノイズを低減するように、本発明の軟磁性裏打ち層１０３は、複数の磁性膜を強磁性的または反強磁性的に結合させた積層膜としてもよい。好ましくは、軟磁性裏打ち層１０３は、下軟磁性裏打ち層１０３ａおよび上軟磁性裏打ち層１０３ｂを含む。
【００３３】
下軟磁性裏打ち層１０３ａと、上軟磁性裏打ち層１０３ｂの合計の膜厚は、情報の記録に使用する磁気ヘッドの構造および／または特性に応じて適宜設計変更することができるが、生産性を考慮した場合には、１０〜１００ｎｍの膜厚で用いることが好ましい。１０ｎｍ以上とすることで、十分な垂直方向の磁界を確保できる一方、１００ｎｍ以下とすることで、生産性を向上できる。
【００３４】
さらに好ましくは、軟磁性裏打ち層１０３は、下軟磁性裏打ち層１０３ａと上軟磁性裏打ち層１０３ｂとの間に、軟磁性裏打ち層のＲＫＫＹ結合を切断するＲｕ層１０４を含む。Ｒｕ層１０４は、上下軟磁性裏打ち層同士の反強磁性結合を導出する目的で使用される。また、Ｒｕ層１０４のかわりに、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ等を主成分とする非磁性合金を用いてもよい。
【００３５】
（プレシード層およびシード層）
本願発明は、任意選択的にプレシード層１０６およびシード層１０７を、またはシード層１０７単独で、軟磁性裏打ち層１０３の上に形成してもよい。プレシード層１０６は、当該層に接して形成されるシード層１０７の配向性および粒径を好適に制御する。また、シード層１０７は、その上に形成される第１非磁性中間層１０８の配向性および粒径を好適に制御し、さらに第２非磁性中間層１０９の配向性および粒径を好適に制御し、その結果として磁気記録層１１０の良好な垂直配向性および粒径を好適に実現するために配設する構成要素である。
【００３６】
プレシード層１０６の材料としては、ＸＲＤ等ではブロードな回折線を示し、特有な結晶構造を有しないアモルファス状のＴａ、Ｔｉ、Ｗ等の合金、または金属間化合物を用いることができる。
【００３７】
シード層１０７の材料としては、ｆｃｃ構造を有するＮｉ基合金を用いることができる。また、シード層１０７に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗなどに代表される高融点金属を添加してもよい。
【００３８】
プレシード層１０６およびシード層１０７の膜厚はその上に形成される層の配向性および粒径を制御できるものであれば特に限定されるものではないが、それぞれ１〜２０ｎｍおよび３〜８．５ｎｍが好ましい。さらに好ましくは、プレシード層１０６の膜厚は １〜９．５ｎｍであり、シード層１０７の膜厚は３．５〜６．５ｎｍである。
【００３９】
（非磁性中間層）
本発明において用いる非磁性中間層は、ＣｏＣｒＲｕＷ合金からなる材料からなる第１非磁性中間層１０８とＲｕ基合金からなる第２非磁性中間層１０９とを含む。非磁性中間層は、その上に形成される磁気記録層１１０の結晶性、配向性および結晶粒径等を制御する機能を有する構成要素である。したがって、磁気記録層材料の結晶粒径を低減させるためには、非磁性中間層の結晶粒径を縮小することが有効である。
【００４０】
一方、非磁性中間層の結晶粒径を縮小させるために中間層の膜厚を減少させた場合、磁気記録層材料の結晶配向性の低下により、磁気記録層の磁気特性が低下することも知られている。これらの点を考慮すると、単に非磁性中間層の膜厚を減少させるだけではなく、磁気記録層１１０の磁気特性を維持ないし向上させることも同時に必要とされる。
【００４１】
本発明は、特定の金属合金からなる複数の非磁性中間層を積層させることで、それぞれの膜厚を、Ｒｕ単層を非磁性中間層に用いた場合の膜厚よりも薄くすることができ、さらに磁気記録層１１０の特性を低下させることなく磁気記録層の粒径を微細化しやすくするという効果を提供することができる。
【００４２】
第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９の膜厚の合計は、１０〜３０ｎｍとすることが好ましい。１０ｎｍ以上とすることにより、第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９においてそれぞれ良好な結晶性が得られ、優れた配向性を実現することができる。そのため、第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９上に配設される磁気記録層１１０においても、優れた配向性および優れた結晶粒の分離性が得られる。
【００４３】
また、第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９を合わせた膜厚を３０ｎｍ以下とすることにより、非磁性中間層の粒径の肥大化がそれぞれ抑制され、前記磁気記録層１１０の粒径の肥大化も抑制され、その結果、磁気記録層１１０のノイズ低減に起因した優れたＳＮ比を得ることができる。磁気記録層１１０と軟磁性裏打ち層１０３のスペースを低減でき、書き込み特性（ｗｒｉｔａｂｉｌｉｔｙ）を高く維持できる。
【００４４】
第１非磁性中間層１０８および第２非磁性中間層１０９の膜厚は、それぞれ４〜２０ｎｍであることが好ましい。第１非磁性中間層１０８の膜厚は５〜１４ｎｍが好ましく、６〜１２ｎｍがさらに好ましい。第２非磁性中間層１０９の膜厚は６〜１１ｎｍが好ましく、７〜９ｎｍがさらに好ましい。
【００４５】
本発明の第１非磁性中間層１０８は、ｈｃｐ構造を有するＣｏＣｒＲｕＷ合金からなる。好ましくは、該ＣｏＣｒＲｕＷ合金は、Ｃｒ含有量が１４．５ａｔ．％以上、２５．５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ含有量が４．５ａｔ．％以上、２０．５ａｔ．％以下であり、Ｗ含有量が４．５ａｔ．％以上、８．５ａｔ．％以下であり、かつ残部が主元素であるＣｏである。さらに好ましくは、Ｃｒ含有量が１５ａｔ．％以上、２５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ含有量が５ａｔ．％以上、１５ａｔ．％以下であり、Ｗ含有量が５ａｔ．％以上、１０ａｔ．％以下であり、残部がＣｏである。
【００４６】
薄膜合金材料に対し、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗなどに代表される高融点金属を添加することは、結晶粒子の微細化を促進が期待され、なかでも、最も融点が高い金属であるＷについて、最もその効果が期待される。しかし、Ｃｏに対して、２４ａｔ．％以上より多いＭｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗの金属を添加する場合にはＣｏＷ3などの金属間化合物が形成し、望ましくない結晶構造を生ずるため、それ以下の添加量が望ましい。
【００４７】
本発明の第２非磁性中間層１０９は、Ｒｕ単独で、またはｈｃｐ構造を有するＲｕ基合金により形成することができる。Ｒｕは原子半径が大きいことから、より原子半径の大きなＷやＴａを第２非磁性中間層１０９に添加してもよい。Ｒｕ基合金はＲｕを５ａｔ．％以上含む合金をいい、好ましくは７０ａｔ．％以上、さらに好ましくは９５ａｔ．％以上のＲｕを含む。
【００４８】
（磁気記録層）
磁気記録層１１０は、情報を記録するために配設する構成要素である。磁気記録層１１０は、垂直磁気記録媒体の構成要素として用いる場合、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向している必要がある。具体的には、ｈｃｐ（０００２）面が基板面に平行に配向していることが好ましい。
【００４９】
また、磁気記録層１１０は、Ｃｏ基合金からなる強磁性結晶粒を、酸化物を主成分とする非磁性結晶粒が囲むいわゆるグラニュラー構造を呈することが好ましい。グラニュラー構造とすることにより、前記磁気記録層１１０の電磁変換特性を十分に担保し、磁気記録媒体のノイズ低減に起因した優れたＳＮ比を得ることができる。ここで、「酸化物を主成分とする」とは、他の成分を微量に含有することを妨げないことを意味し、酸化物が非磁性結晶粒の概ね９０モル％以上の比率で存在することを意味する。
【００５０】
前記強磁性結晶粒を構成するＣｏ基合金としては、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＢなどのＣｏＰｔ基合金、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＴａＰｔなどのＣｏＣｒ基合金等が挙げられる。中でも、ＣｏＰｔ基合金は、磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）を高く設定することができる点で好ましい。
【００５１】
前記非磁性結晶粒を構成する酸化物としては、上記のＣｏ基合金の強磁性結晶粒を磁気的に分離する性能が高いＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。中でも、ＳｉＯ2は、上記Ｃｏ基合金からなる強磁性結晶粒を磁気的に分離する性能が優れている点で好ましい。
【００５２】
また、磁気記録層１１０は、単層でも、また複数の層からなる積層体（図示せず）であってもよい。好ましくは、磁気記録層１１０は、複数の層から形成される積層体であり、複数の磁気記録層を含む。
【００５３】
一の実施態様において、本願発明の磁気記録媒体は、磁気記録層と磁気記録層との間に交換結合力制御層１１１を設けてもよい。交換結合力制御層１１１は、第１グラニュラー磁気記録層１１０ａと第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂの間に設けて交換結合エネルギーを弱めることで、熱安定性をほとんど劣化させずに反転磁界を低減させ、書き込み特性を改善させる層である。
【００５４】
前記交換結合力制御層１１１の材料としては、Ｒｕ、ＲｕＣｏ、ＲｕＣｒ、ＮｉＣｒ等が挙げられる。交換結合力制御層１１１の膜厚は、用いる材料により最適膜厚が異なるが、０．０７〜０．８ｎｍの範囲で用いることが好ましい。０．０７ｎｍより薄い場合は、第１グラニュラー磁気記録層１１０ａと第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂが強磁性結合して、書き込み特性が劣化する。また、０．８ｎｍより厚い場合は、第１グラニュラー磁気記録層１１０ａと第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂとの磁気的な結合が切れてしまうため、熱安定性が劣化する。
【００５５】
一の実施態様において、本発明の垂直磁気記録媒体は、さらに非グラニュラー磁気記録層１１０ｃ（図示せず）を設けてもよい。非グラニュラー磁気記録層１１０ｃは、磁気記録媒体の優れた耐久性を担保し、かつ、前記グラニュラー磁気記録層１１０ａおよび１１０ｂ全体の磁気特性を好適に制御するために交換結合力制御層１１１、あるいは第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂ上に配設される構成要素である。非グラニュラー磁気記録層１１０ｃは、垂直磁気記録媒体の構成要素として用いる場合、Ｃｏ基合金からなる強磁性結晶粒と、金属の酸化物および窒化物を含有しない金属の非磁性結晶粒とを含む構造とすることが好ましい。非グラニュラー磁気記録層１１０ｃは、第１グラニュラー磁気記録層１１０ａおよび第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂの非磁性結晶粒界から溶出するＣｏ原子をブロックすることで磁気記録媒体の優れた耐久性を実現することができるとともに、前記第１グラニュラー磁気記録層１１０ａおよび第２グラニュラー磁気記録層１１０ｂ全体の磁気特性を好ましい状態に制御することができる。
【００５６】
非グラニュラー磁気記録層１１０ｃの非磁性結晶粒界を構成する金属材料としては、Ｔａ、Ｐｔ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎｂ、ＣｕおよびＴｉのうちの少なくとも一種が挙げられる。中でも、Ｂは、上記Ｃｏ基合金からなる強磁性結晶粒を磁気的に分離する性能が特に優れている点で好ましい。
【００５７】
非グラニュラー磁気記録層１１０ｃの膜厚は、本発明の垂直記録媒体の性能を妨げるものでなければ任意の値をとることができるが、好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍであり、より好ましくは３ｎｍ〜４ｎｍである。
【００５８】
さらに、本発明の垂直記録媒体の磁気記録層１１０は、上記グラニュラー磁気記録層１１０ａおよび／または１１０ｂ、交換結合力制御層１１１、ならびに非グラニュラー磁気記録層１１０ｃを、十分な磁気記録性能を得るために任意選択的に組合せて積層し、形成することができる。一の実施態様において、第２グラニュラー層を省いて、交換結合力制御層１１１上に、非グラニュラー磁気記録層１１０ｃを直接成膜しても良い。
【００５９】
（保護層および潤滑層）
保護層１１４は、図１の本発明の磁気記録媒体の断面図において、当該層１１４の下方に位置する各層１０２〜１１０ｃを保護するとともに、特に、下軟磁性裏打ち層１０３、上軟磁性裏打ち層１０５からのＣｏの溶出を防止するために配設する構成要素である。保護層１１４には、垂直磁気記録媒体に通常使用される材料を用いることができる。例えば、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）もしくはアモルファスカーボンなどのカーボンを主体とする保護層（好ましくはダイヤモンド状カーボン）、または磁気記録媒体の保護層として用いることが知られている種々の薄層材料を利用できる。保護層１１４の膜厚は、垂直磁気記録媒体の構成要素として通常用いられる膜厚を適用することができる。
【００６０】
潤滑層１１５は、任意の構成要素であるが、保護層１１４と磁気ヘッド（図示せず）との間に生ずる摩擦力を低減し、磁気記録媒体の優れた耐久性および信頼性を得る目的で配設する液状の構成要素である。潤滑層１１５の材料としては、磁気記録媒体に通常用いられる材料を使用することができる。例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤などが挙げられる。潤滑層１１５の膜厚は、垂直磁気記録媒体の構成要素として通常用いられる膜厚を適用することができる。
【００６１】
（製造方法）
非磁性基板１０１の上に積層される各層は、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することができる。密着層１０２から保護層１１４に至る各層の形成には、例えば、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法などを用いることができる。また、保護層１１４の形成においては、前記の方法に加えてＣＶＤ法などを用いることもできる。一方、潤滑層１１５は、たとえば、ディップコート法、スピンコート法などの当該技術分野において知られている任意の塗布方法を用いて形成することができる。
【実施例】
【００６２】
以下に本発明の実施例を説明するが、以下の実施例は、本発明を説明するための代表例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。
【００６３】
図１に示す構成を用い、各層の材料および膜厚を変更した実施例１〜７、ならびに比較例１および２を作製した。
【００６４】
（実施例１）
非磁性基板１０１として、直径９５ｍｍのＡｌ基板を用いた。Ａｌ基板は、１０μｍ×１０μｍの測定領域におけるＡＦＭでの粗さが１．２Å（オングストローム）以下であった。この基板上に、保護層および潤滑層を除き、スパッタリング法にて各層の成膜を行い、表１に記載の構成を有する磁気記録媒体を作製した。なお、本実施例におけるスパッタリング法は、特に示さない限り直流マグネトロンスパッタリング装置を用いて実施した。
【００６５】
まず、非磁性基板１０１上に厚さ１３ｎｍのＣｒＴｉ密着層１０２を作製した。次いで、厚さ１３ｎｍのＦｅＣｏＴａＢ合金からなる第１軟磁性裏打ち層１０３ａ、厚さ１．２ｎｍのＲｕ層１０４、および厚さ１２ｎｍのＦｅＣｏＴａＢ合金からなる第２軟磁性裏打ち層１０３ｂを順次形成し、軟磁性裏打ち層１０３とした。次に、アモルファス構造を有するＣｒＴｉ合金からなるプレシード層１０６を厚さ９ｎｍで、ＮｉＦｅＣｒＷＴｉ合金からなるシード層１０７を厚さ６ｎｍでそれぞれ形成した。
【００６６】
次いで、該シード層１０７上に、第１非磁性中間層１０８をＣｏ２５Ｃｒ５Ｒｕ５Ｗ（全原子を基準として、２５ａｔ．％のＣ、５ａｔ．％のＲｕ、および残余のＣｏで構成される。以下同様。）合金ターゲットを用いたスパッタリング法により厚さ１２ｎｍで形成し、さらにＲｕ単体層を厚さ８ｎｍで形成して第２非磁性中間層１０９とした。
【００６７】
次に、第２非磁性中間層１０９の上に、結合制御層１１１としてＲｕ単体層をはさんでＣｏ基合金からなる第１磁気記録層１１０ａおよび第２磁気記録層１１０ｂを形成し、さらに第２磁気記録層１１０ｂの上に、ＣｏＰｔ合金からなる第３磁気記録層１１０ｃを形成して、磁気記録層１１０を作製した。詳細には、第１磁気記録層１１０ａおよび第２磁気記録層１１０ｂはグラニュラー磁気記録層であり、第３磁気記録層１１０ｃは非グラニュラー磁気記録層であり、それらの膜厚は表１に示すとおりであった。
【００６８】
その後、ＣＶＤ法により厚さ２．０ｎｍのカーボン保護層１１４を磁気記録層上に形成し、さらに、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層１１５を厚さ９ｎｍで形成し、磁気記録媒体を作製した。
【００６９】
【表１】
【００７０】
（評価試験１）
得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を、ＭＦＳｐｉＳＮＲ、ＳｑｚＳＮＲ、Ｓｑｕａｓｈ、およびＲＯＷにより評価した。半径３１．３７ｍｍの位置で、最大で、線記録密度約２０００ｋｆｃｉ、トラックピッチ４００ｋｔｐｉの測定条件で、電磁変換特性を評価した結果を表２に示す。
【００７１】
ＭＦＳｐｉＳＮＲとは、最高記録周波数の１／２の周波数におけるＳＮ比であり、値が高いほど高密度記録が可能となる。線記録密度約１０００ｋｆｃｉの場合について、スペクトルアナライザーを用いて再生信号出力(Ｓ)とトータルサイズ(Ｎｔ)の比を測定し、次式より求めた。
ＭＦＳｐｉＳＮＲ＝２０×ｌｏｇ（Ｓ／Ｎｔ）
【００７２】
ＳｑｚＳＮＲは、センタートラックに書き込み後、隣接トラックの信号を消去した際に、センタートラックに残存する信号出力Ｓ1とトータルノイズ（Ｎｔ）の比を指し、次式で示される。
ＳｑｚＳＮＲ＝ｌｏｇ（Ｓ1／Ｎｔ）
【００７３】
Ｓｑｕａｓｈは、センタートラックに書き込み後、隣接トラックの信号を消去した際に残存する信号出力の割合を示す。
【００７４】
ＲＯＷは高密度の記録に低密度の記録を上書きしたときの、元の記録信号強度と消し残り信号強度との比であり、８１５ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号上に、１０８ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号を上書きした時の値を測定した。
【００７５】
【表２】
【００７６】
（比較例１）
第１非磁性中間層１０８として、厚さ１０ｎｍのＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕと厚さ３ｎｍのＣｏ２４Ｃｒ４Ｗとの２層膜を用い、磁気記録媒体を作製した。また、比較例１では、第１非磁性中間層１０８の材料のほか、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの材料にＦｅＣｏＺｒＴａＴｉＮｂ合金を用いている点、プレシード層１０６の膜厚を１４ｎｍとしている点、ならびに第１非磁性中間層１０８の膜厚の点で実施例１と相違していたが、第１非磁性中間層１０８の材料以外のこれらの相違点が電磁変換特性に及ぼす影響は、同一のＲＯＷに対するＭＦＳｐｉＳＮＲの値で、総じておよそ０．１ｄＢ以内であった。
【００７７】
比較例１についても、実施例１と同様に、得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を評価した。その結果を表２ならびに図２および図３に示す。比較例１−１および１−２と比べて、第１非磁性中間層１０８に厚さ１２ｎｍのＣｏ２５Ｃｒ５Ｒｕ５Ｗ合金を用いた実施例１−１および１−２では、同じＲＯＷに対して、ＭＦＳｐｉＳＮＲは約０．４ｄＢ高くなった。さらにＳｑｚＳＮＲおよびＳｑｕａｓｈも同等以上となり、実施例１は比較例１よりも良好な結果となった。
【００７８】
（実施例２）
軟磁性裏打ち層１０３をＦｅＣｏＺｒＴｉＮｂ合金から形成した点、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの間のＲｕ単体層１０４の膜厚を０．４ｎｍとした点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表３に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。また、得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様に電磁変換特性を評価した。その結果を表４ならびに図４および図５に示す。
【００７９】
【表３】
【００８０】
【表４】
【００８１】
実施例２の比較には、実施例１と同じ比較例１を用いた。実施例２では、第１非磁性中間層１０８の材料のほか、軟磁性裏打ち層１０３におけるＲｕ単体層１０４の膜厚を０．４ｎｍとしている点、プレシード層１０６の膜厚を１４ｎｍとしている点、および第１非磁性中間層１０８の膜厚の点で比較例１と相違していたが、第１非磁性中間層１０８の材料以外のこれらの相違点が電磁変換特性に及ぼす影響は、同一のＲＯＷに対するＭＦＳｐｉＳＮＲの値で、総じておよそ０．２ｄＢ以内であった。
【００８２】
比較例１−１および１−２と比べて、実施例２−１〜２−９では、いずれも同じＲＯＷに対してＭＦｓｐｉＳＮＲは約０．３ｄＢ以上高くなった。さらに第１非磁性中間層１０８の膜厚を、比較例１−１および１−２と同様の１０ｎｍとした実施例２−４〜２−６では、比較例１−１および１−２と比べて、ＭＦＳｐｉＳＮＲは約０．４ｄＢ以上高くなった。ＳｑｚＳＮＲおよびＳｑｕａｓｈも同等以上となり、実施例２は比較例１よりも良好な結果となった。
【００８３】
よって、第１非磁性中間層１０８にＣｏ２５Ｃｒ５Ｒｕ５Ｗ合金を用いた磁気記録媒体は、厚さ１０ｎｍのＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕ合金と厚さ３ｎｍのＣｏ２４Ｃｒ４Ｗ合金とからなる積層中間層を用いた磁気記録媒体より優れた電磁変換特性を示すことがわかった。
【００８４】
（実施例３）
軟磁性裏打ち層１０３をＦｅＣｏＺｒＴｉＮｂ合金から形成した点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表５に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。また、得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様に電磁変換特性を評価した。その結果を表６ならびに図６および図７に示す。
【００８５】
【表５】
【００８６】
【表６】
【００８７】
実施例３での比較には、実施例１と同じ比較例１を用いた。実施例３では、第１非磁性中間層１０８の材料のほか、プレシード層１０６の膜厚を１４ｎｍとしている点、および第１非磁性中間層１０８の膜厚の点で実施例１と相違していたが、第１非磁性中間層１０８の材料以外のこれらの相違点が電磁変換特性に及ぼす影響は、同一のＲＯＷに対するＭＦｐｉＳＮＲの値で、総じておよそ０．１ｄＢ以内であった。
【００８８】
比較例１−１および１−２と比べて、実施例３−１〜３−３では、同じＲＯＷに対してＭＦｓｐｉＳＮＲは約０．２〜０．３ｄＢ高くなった。また、第１非磁性中間層の材料にＣｏ２０Ｃｒ５Ｗ５Ｒｕ合金を用いた３−４および３−５では、同じＲＯＷに対してＭＦＳｐｉＳＮＲは０．１〜０．２ｄＢ高くなった。ＳｑｚＳＮＲおよびＳｑｕａｓｈも同等以上となり、実施例３は総じて比較例１より良好な結果となった。
【００８９】
よって、第１非磁性中間層１０８にＣｏ２５Ｃｒ５Ｗ５Ｒｕ合金またはＣｏ２０Ｃｒ５Ｗ５Ｒｕ合金を用いた磁気記録媒体は、同様にして、厚さ１０ｎｍのＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕ合金と厚さ３ｎｍのＣｏ２４Ｃｒ４Ｗ合金とからなる積層中間層を用いた磁気記録媒体より優れた電磁変換特性を示すことがわかった。
【００９０】
（実施例４）
非磁性基板１０１として直径６５ｍｍのガラス基板（ＨＯＹＡ製型番Ｎ５）を用いた点、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの間のＲｕ単体層１０４の膜厚を０．２５ｎｍとした点、プレシード層１０６の厚さを３ｎｍとしている点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表７に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００９１】
【表７】
【００９２】
（評価試験２）
実施例４で得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を、半径２２．３ｍｍの位置で、最大で、線記録密度約２０００ｋｆｃｉ、トラックピッチ４００ｋｔｐｉの測定条件で、評価試験１と同様に、ＭＦＳｐｉＳＮＲ、ＳｑｚＳＮＲ、Ｓｑｕａｓｈ、およびＲＯＷにより評価した。結果を表８ならびに図８および９に示す。ＲＯＷは、９９７ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号上に、１３３ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号を上書きした時の値を用いた。
【００９３】
図８および図９に示すとおり、実施例４−１〜４−４は、いずれも良好な電磁変換特性を有することが確認された。
【００９４】
【表８】
【００９５】
（実施例５）
非磁性基板１０１として直径６５ｍｍのガラス基板を用いた点、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの間のＲｕ単体層１０４の膜厚を０．２５ｎｍとした点、プレシード層１０６の厚さを３ｎｍとしている点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表９に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
【００９６】
【表９】
【００９７】
（評価試験３）
実施例５で得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を、半径２９．０ｍｍの位置で、最大で、線記録密度約２０００ｋｆｃｉ、トラックピッチ４００ｋｔｐｉの測定条件で、評価試験１と同様に、ＭＦＳｐｉＳＮＲ、ＳｑｚＳＮＲ、Ｓｑｕａｓｈ、およびＲＯＷにより評価した。結果を表１０ならびに図１０および図１１に示す。ＲＯＷは、９２６ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号上に、１２３ｋｆｃｉの線記録密度を有する信号を上書きした時の値を用いた。
【００９８】
図１０および図１１に示すとおり、実施例５−１〜５−１０は、いずれも良好な電磁変換特性を有することが確認された。
【００９９】
【表１０】
【０１００】
（実施例６）
非磁性基板１０１として直径６５ｍｍのガラス基板を用いた点、第１軟磁性裏打ち層１０３ａおよび第２軟磁性裏打ち層１０３ｂの間のＲｕ単体層１０４の膜厚を０．２５ｎｍとした点、プレシード層１０６の厚さを６ｎｍとしている点、ならびに第１非磁性中間層１０８の材料および膜厚をそれぞれ表１１に記載したとおりに変更した点以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作製した。
【０１０１】
【表１１】
【０１０２】
得られた磁気記録媒体の電磁変換特性を、実施例５と同様の条件にて評価した。結果を表１２ならびに図１２および図１３に示す。図１２および図１３に示すとおり、実施例６−１〜６−１０は、いずれも良好な電磁変換特性を有することが確認された。また、第１非磁性中間層１０８として、厚さ６ｎｍのＣｏ１０Ｃｒ１５Ｒｕ５Ｗ合金膜より、厚さ６ｎｍのＣｏ１５Ｃｒ１５Ｒｕ５Ｗ合金膜のほうが良好な特性を示した。
【０１０３】
【表１２】
【０１０４】
（実施例７）
プレシード層１０６にＣｏＴｉ層を用いた以外は実施例１と同様に、直径９５ｍｍのＡｌ基板からなる非磁性基板１０１上に、密着層１０２、第１軟磁性裏打ち層１０３ａ、Ｒｕ層１０４、第２軟磁性裏打ち層１０３ｂ、プレシード層１０６、シード層１０７、第１非磁性中間層１０８、Ｒｕ単体層、第２非磁性中間層１０９、および第１磁気記録層１１０ａを順次形成し、その上に保護層１１４を形成してＸＲＤ結晶構造解析用測定試料を作製した。
【０１０５】
（比較例２）
第１非磁性中間層１０８をＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕ５Ｍｎ合金を用いて形成した点以外は実施例７と同様に、ＸＲＤ結晶構造解析用測定試料を作製した。
【０１０６】
（評価試験４）
実施例７および比較例２で作製した測定試料について、Ｘ線回折装置（型番Ｒｉｎｔ−Ｕｌｔｉｍａ ＩＩＩ、（株）リガク製）を用いて、ＸＲＤ結晶構造解析を行った。表１３に層構成及びＸＲＤによる結晶構造解析結果を示す。第１非磁性中間層１０８にＣｏ２５Ｃｒ５Ｒｕ５Ｗ合金膜を用いた実施例７は、第１非磁性中間層１０８にＣｏ２５Ｃｒ５Ｍｏ５Ｒｕ５Ｍｎ合金を用いた比較例２と比較して、試料のｈｃｐ（００２）面に対応する４２．２ｄｅｇおよび４２．６ｄｅｇにおける半値幅（ＦＷＨＭ）が低下傾向を示し、ｃ軸配向性が良好となった。
【０１０７】
【表１３】
【符号の説明】
【０１０８】
１０１ 非磁性基板
１０３ 軟磁性裏打ち層
１０６ プレシード層
１０７ シード層
１０８ 第１非磁性中間層
１０９ 第２非磁性中間層
１１０ 磁気記録層
１１４ 保護層
１１５ 潤滑層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層された垂直磁気記録媒体であって、
前記第１非磁性中間層がＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成され、かつ前記第２非磁性中間層がＲｕ基合金から形成されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記ＣｏＣｒＲｕＷ合金は、Ｃｒ量が１４．５ａｔ．％以上、２５．５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ量が４．５ａｔ．％以上、２０．５ａｔ．％以下であり、Ｗ量が ４．５ａｔ．％以上、８．５ａｔ．％以下であり、かつ残部がＣｏであることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁気記録層がグラニュラー構造を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第１非磁性中間層が膜厚５〜１４ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
非磁性基板上に少なくとも第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層を順次積層させる工程を含み、
前記第１非磁性中間層がＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成され、かつ前記第２非磁性中間層がＲｕ基合金から形成されることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記ＣｏＣｒＲｕＷ合金は、Ｃｒ量が１４．５ａｔ．％以上、２５．５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ量が４．５ａｔ．％以上、２０．５ａｔ．％以下であり、Ｗ量が ４．５ａｔ．％以上、８．５ａｔ．％以下であり、かつ残部がＣｏであることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記磁気記録層がグラニュラー構造を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の製造方法。
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層された垂直磁気記録媒体であって、
前記第１非磁性中間層がＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成され、かつ前記第２非磁性中間層がＲｕ基合金から形成されることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記ＣｏＣｒＲｕＷ合金は、Ｃｒ量が１４．５ａｔ．％以上、２５．５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ量が４．５ａｔ．％以上、２０．５ａｔ．％以下であり、Ｗ量が ４．５ａｔ．％以上、８．５ａｔ．％以下であり、かつ残部がＣｏであることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁気記録層がグラニュラー構造を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第１非磁性中間層が膜厚５〜１４ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
非磁性基板上に少なくとも第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層を順次積層させる工程を含み、
前記第１非磁性中間層がＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成され、かつ前記第２非磁性中間層がＲｕ基合金から形成されることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記ＣｏＣｒＲｕＷ合金は、Ｃｒ量が１４．５ａｔ．％以上、２５．５ａｔ．％以下であり、Ｒｕ量が４．５ａｔ．％以上、２０．５ａｔ．％以下であり、Ｗ量が ４．５ａｔ．％以上、８．５ａｔ．％以下であり、かつ残部がＣｏであることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記磁気記録層がグラニュラー構造を含むことを特徴とする請求項５または６に記載の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−２５２７４６（Ｐ２０１２−２５２７４６Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２５０６６（Ｐ２０１１−１２５０６６）
【出願日】平成２３年６月３日（２０１１．６．３）
【出願人】（０００００５２３４）富士電機株式会社 (3,146)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月３日（２０１１．６．３）
【出願人】（０００００５２３４）富士電機株式会社 (3,146)
【Ｆターム（参考）】
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