塗膜及び粒子低減の方法
本開示は、例えば磁気ハードディスクドライブなどの高純度装置、より具体的には、そのような装置の表面の粒子低減のための塗膜に関する。提供された塗膜は、架橋機能性、及び基板表面にしっかり固着して基板表面からの粒子の飛散を抑制する能力を有する反応懸垂基を含む、薄いポリマー塗膜を含む。フッ素化アクリレートランダムコポリマーを含む基板の少なくとも一部に塗膜を含む基板を提供する。また粒子汚染を低減する方法も提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は２００７年１２月２１日に申請された米国仮特許出願６１／０１６，０５０号に対する優先権を主張する。
【０００２】
（発明の分野）
本開示は、例えば磁気ハードディスクドライブなどの高純度装置、より具体的には、そのような装置における粒子低減のための塗膜に関する。
【背景技術】
【０００３】
磁気ディスクドライブ及び他の高純度の用途では、粒子汚染はホストの故障メカニズムを引き起こす可能性がある。これらの用途では、製造時及び適用中に存在する粒子を最小限とすることが極めて望ましい。磁気ディスクドライブには典型的に、例えばスペーサ、ディスククランプ、ｅ−ブロック（e-block）、カバープレート、ベースプレート、アクチュエータ、ボイスコイル、ボイスコイルプレートなどの、精密な寸法にされた多数の作動部品が含まれている。これらの構成要素は全て粒子の潜在的発生源となり得る。ドライブの動作中、ヘッドは典型的に、約１００Åの間隔で媒体の上方を飛ぶ。この間隔は面密度の上昇と共に減少し、粒子の発生を低減及び防止することがより一層重要となる。ヘッドディスクの境界面における粒子は、サーマルアスペリティ、ハイフライライト、及びヘッドクラッシュを発生させる可能性があり、これらはいずれもディスクドライブの性能に弊害をもたらす。
【０００４】
米国特許公報第２００３／０２２３１５４号（Ｙａｏ）は、「金、プラチナ、エポキシ樹脂などの柔軟かつ頑強な物質でできた」塗膜での封入による粒子発生の防止を開示し、米国特許公報２００２／００９３７６６号（Ｗａｃｈｔｌｅｒ）は、粒子発生に対する保護のための背面粘着式収縮性共形フィルムの使用を開示している。米国特許第６，６７１，１３２号（Ｃｒａｎｅら）は、金属塗膜又はポリマー塗膜の使用を開示している。米国特許第７，０３５，０５５号（Ｋｉｋｋａｗａら）は、樹脂塗膜の使用を開示している。米国特許第６，９０３，８６１号（Ｈｕｈａら）は、マイクロアクチュエータの構成要素用カプセル材料としての特定のポリマー塗膜の使用を開示している。ＰＣＴ公報第ＷＯ２００６／０７４０７９号（Ｋｅｈｒｅｎら）は、粒子抑制塗膜用の、反応懸垂基を含むフルオロポリマーの使用を開示している。
【０００５】
ハードドライブアセンブリ内の粒子は摩擦及び局部的ホットスポットの原因となり得、今度はこれらがハードドライブの故障、及びそれに磁気コード化されているデータの損失をもたらす原因となり得る。この問題に対するこれまでの１つの対処は、ハードドライブのカバーの粒子抑制塗膜として電気めっきニッケルを使用することである。しかし、２００１年頃〜２００６年頃にニッケルの価格は３倍になっている。また、ハードドライブのカバーを電気めっきする必要条件は、ハードドライブアセンブリ上への低表面エネルギー塗膜の塗布及び硬化よりも、組み立ての際に更なる工程をもたらし、電気めっきプロセスは、潜在的有害物質の使用を伴い、これらの塗膜部分から飛散する粒子、すなわちニッケル粒子は、極めて硬性であるため、媒体及び読み取り／書き込みヘッドに重大な損傷を容易に発生させる可能性がある。
【０００６】
Ｅ−コート又は泳動電着性塗膜も粒子抑制塗膜として使用されるが、均一な塗膜を得ることは困難である場合がある（何らかの塗膜後機械加工を必要とする）。加えて、未硬化モノマーに関連する脱ガス、又は後にドライブ内に放出される炭化水素の被膜への吸収に遭遇する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
より安価で、より好都合に適用される、高性能の粒子低減塗膜に対する必要性が存在する。例えば、アルミニウム、銅、ステンレス鋼などの金属、プラスチック、ガラス、セラミックス、シリコンなどの酸化物表面を持つ基板から粒子を抑制する、改善された塗膜が提供される。提供される塗膜は単純な技術（例えば、浸漬塗膜と熱硬化）によって塗布が可能であり、熱的安定性を示し、複雑な基板トポグラフィー上に実質的に均一に薄い（例えば、約０．１〜約５．０マイクロメートル）層に形成し得る。塗膜は清浄（すなわち、低アウトガス、低抽出可能イオン）であり、典型的な清浄プロセス（例えば、超音波処理を伴う又は伴わない、水性及び溶剤系清浄液）に対して耐性があり、環境的に害がなく（すなわち、分離ヒドロフルオロエーテルなどの溶媒によって供給される）、良好な安全性を有し、現行の産業界の方法であるニッケル塗膜と比較して相対的に優れた費用対効果性能を提供する。提供される塗膜は、腐食保護も提供することができる。
【０００８】
提供される塗膜は、架橋機能性、及び基板表面にしっかり固着して基板表面からの粒子の飛散を抑制する優れた能力を有する反応懸垂基を持つ、薄いポリマー塗膜を含んでいる。これらの粒子は、処理及び／又は不完全な清浄によって残留する（単数又は複数の）基板材料からであり得る。この塗膜は、さもなければ基板から飛散し得る粒子を抑制するネットを基板表面上に実質的に形成する。
【０００９】
１つの態様では、基板上の少なくとも一部に塗膜を含む基板を提供し、この塗膜は、次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡｗＢｘＣｙＤｚＴ
式中、Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、Ｔは末端官能基又は上記で定義したＸを表わし、ｗは１〜約２００の整数であり、ｘは１〜約３００の整数であり、ｙは１〜約１００の整数であり、ｚは０〜約３０の整数であり、
式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される。
【００１０】
別の態様では、粒子汚染を低減する方法であって、ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つを提供する工程と、ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つのアセンブリの少なくとも一部に塗膜を塗布する工程と、を含み、塗膜は次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡａＢｂＣｃＤｄＴｅ
式中、Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、Ｔは末端官能基又は上記で定義したＸを表わし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１であって、０．２０≦ａ≦０．９０、０．０５≦ｂ≦０．２５、０．０５≦ｃ≦０．６５、０．０００５≦ｄ≦０．０３及び０．００２５≦ｅ≦０．２０であり、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはそれぞれＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＴの重量％であり、式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される方法を提供する。
【００１１】
簡潔に要約すれば、提供される基板、塗膜及び方法は特定のフルオロケミカルモノマー及び炭化水素モノマーの反応生成物を含み、塗膜は少なくとも部分的に基板上でその場で硬化される。少なくとも部分的に適所で硬化する際、そのような塗膜は、基板上の粒子低減塗膜として驚くほどに良好な性能を提供し得る。コポリマーの骨格鎖中に炭化水素セグメントを取り入れることで、主題の塗膜の粒子抑制性能が改善され、結果として生じる塗膜の清浄プロセス、特に超音波清浄プロセスなどエレクトロニクス構成要素に使用されるプロセスに対する耐性が増大することが意外にもわかった。提供される塗膜が提供する多くの利点としては、薄い均一な塗膜を複雑な表面上に得る容易性、良好な安全特性及び環境特性、並びに結果として生じる塗膜が示す低表面エネルギーが挙げられるが、これらに限定されない。提供される被膜は、相対的に低コストであって、清浄に対する改善された耐性、及び改善された粒子抑制性能をもたらす、粒子抑制塗膜を提供する。取り扱い及び耐摩耗性の改善も観察されている。
【００１２】
本明細書で使用されるとき、「アクリレート」は「メタクリレート」も意味すると理解されることができ、「懸垂」は末端基及び側基をいう。
【００１３】
用語
本明細書で使用するとき、以下の省略形は示される意味を有する。
【００１４】
・Ａ１７４は３−トリメトキシシランプロピルメタクリレートであり、
・ＡＡはアクリル酸であり、
・ＢＡはブチルアクリレートであり、
・ＢｕＭＡはブチルメタクリレートであり、
・ＥＨＡは２−エチルヘキシルアクリレートであり、
・ＦＢＳＥＡはＰＣＴ出願第ＷＯ０１／３０８７３Ａ号（Ｓａｖｕら）の実施例２Ａ及び２Ｂの手順によって調製可能なＣ４Ｆ９ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ２であり、
・ＦＢＳＥＭＡはＰＣＴ出願第ＷＯ０１／３０８７３Ａ号の実施例２Ａ及び２Ｂの手順によって調製可能なＣ４Ｆ９ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２であり、
・ＨＦＥはハイドロフルオロエーテルであり、
・ＨＦＰＯＭＡは米国特許第６，９９５，２２２号（Ｂｕｃｋａｎｉｎら）の調製例３の手順によって調製可能なヘキサフルオロプロピレンオキシドメタクリレートであり、
・ＩＯＡはイソオクチルアクリレートであり、
・ＭＭＡはメチルメタクリレートであり、
・ＭＰＴＳは３−メルカプトプロピルトリメトキシシランであり、
・ＰＦＰＨＭＡはＰＣＴ出願第ＷＯ０２／１６５１７号（Ｓａｖｕら）の１５頁、８〜２９行目に説明されている手順によって調製可能なヘプタフルオロブチルメタクリレート（すなわちＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）である。
【００１５】
上述の「課題を解決するための手段」は、本発明の全ての実施の開示された各実施形態を説明することを意図しない。以下の図面の簡潔な説明及び「発明を実施するための形態」で、例示の実施形態をより具体的に説明する。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下の説明において、本発明の範囲又は趣旨から逸脱することなく、その他の実施形態を想到し実施し得ることが、理解されるべきである。したがって、以下の「発明を実施するための形態」は、限定する意味で理解されるべきではない。
【００１７】
他に指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用される特徴の大きさ、量、及び物理特性を表わす数字は全て、どの場合においても用語「約」によって修飾されるものとして理解されるべきである。したがって、そうでないことが示されない限り、前述の明細及び添付の特許請求の範囲で示される数値パラメータは、本明細書で開示される教示内容を用いる当業者が得ようとしている所望する特性に応じて変化し得る近似値である。端点による数値範囲の使用には、その範囲内の全ての数（例えば１〜５には、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、及び５が含まれる）並びにその範囲内の任意の範囲が包含される。
【００１８】
１つの実施形態において、本発明の塗膜は次の一般式のフッ素化アクリレートコポリマー化合物を含み、
ＸＡｗＢｘＣｙＤｚＴ
式中、Ｘは反応開始剤の残渣又は水素を表わし、Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマー（好ましくはＢＡ）から誘導したユニットを表わし、Ｄは１つ以上の硬化剤、例えば酸性アクリレート（好ましくはアクリル酸）から誘導したユニットを表わし、Ｔは末端官能基又は上記で定義したＸを表す。硬化剤Ｄはコポリマー中に存在してもよく、又は外部触媒として提供されてもよい。コポリマーはランダム、すなわちＡ、Ｂ、Ｃ及びＤセグメントの順序がランダムであり得るが、ある局所的部分はよりブロックコポリマー構造を示すことがあることが理解されるであろう。コポリマーの数平均分子量は約５００〜約５０，０００、好ましくは約１０００〜約１０，０００である。
【００１９】
ｗ、ｘ、ｙ及びｚの価は次のようである：ｗは１〜約２００の整数であり、ｘは１〜約３００の整数であり、ｙは１〜約１００の整数であり、ｚは０〜約３０の整数であり、ｚ：（ｘ＋１）の比率は０〜約０．３未満である。（ｗ＋ｙ）の合計：ｘの比率は約１を超えて約２０未満、好ましくは約２を超えて約８未満である。ｙ：ｗの比率は典型的に０〜７未満、好ましくは約０．２を超えて約１．５未満である。この比率は、結果として生じるコポリマーの溶解度によっても制限される。比率が高すぎると、結果として生じるコポリマーはもはやＨＦＥ中に十分可溶性ではなく、そのような実施形態の使用がより困難になる。共溶媒はこの比率を拡大する一助となり得る。相対的に高い比率では、結果として生じる塗膜は、例えばアウトガス、有機汚染物質を吸収して後に放出する傾向が増大しやすいことがある。
【００２０】
Ａはフッ素化アクリルモノマー、好ましくはＦＢＳＥＡ、ＰＦＰＨＭＡ及びＨＦＰＯＭＡから誘導が可能である。所望であれば本明細書に挙げた好ましい物質に代えて、あるいはそれに加えて、他の好適なフッ素化モノマーを使用してもよい。いくつかの実施形態では、Ａは次式を有するモノマーから誘導したユニットであって、
ＲｆＱＯＣ（＝Ｏ）Ｃ（Ｒ）＝ＣＨ２
式中、Ｒｆは１〜３０個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル又はペルフルオロポリエーテル基であり、Ｑは−（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＳＯ２Ｎ（Ｒ’）−、及び−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｒ”）Ｃ（＝Ｏ）−からなる基から選択される２価結合基であり、Ｒ’は−ＣｎＨ（２ｎ＋１）であり、ｎは１〜６の整数であり、Ｒ”は水素又はＣＨ３である。
【００２１】
Ｂは官能化した２価のアクリレートモノマー、例えばシラン含有プロピルアクリレート若しくはエチルアクリレート、エポキシアクリレート、又は２価のウレタンアクリレートから誘導され得る。好ましい実施例はＡ１７４である。Ｂはポリマー間の架橋、並びに基板への結合の提供に役立ち得る。
【００２２】
炭化水素セグメント、すなわち前述の式中のＣは、結果として生じるコポリマーに改善された柔軟性を付与して、結果として生じる粒子抑制塗膜の熱応力及び機械的応力に対する耐性をより高いものとする。Ｃセグメントは、ホモポリマーが好ましくは低いＴｇ、すなわち約２０℃以下を有するものであるモノマーから誘導し得る。本発明での使用に好適なＣセグメントとしての使用に好適なモノマーの具体例としては、メチルアクリレート（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ３、Ｔｇ＝９〜１５℃）、ブチルアクリレート（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣ４Ｈ９、４ｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｌ．Ｅ．Ｎｉｅｌｓｅｎ、Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ、Ｒｅｉｎｈｏｌｄ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ（１９６２）に報告されるようにＴｇ＝−５４℃）、イソオクチルアクリレート（４ｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ａ．Ｒ．Ｍｏｎａｈａｎ、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ａ−１，４，２３８１（１９６６）に報告されるようにＴｇ＝−４５℃）、及びエチルヘキシルアクリレート（４ｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ａ．Ｒ．Ｍｏｎａｈａｎ、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ａ−１，４，２３８１（１９６６）に報告されるようにＴｇ＝−５０℃）、並びにブチルメタクリレート（Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．３、ｐ．２５１、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓに報告されるようにＴｇ＝２０℃）が挙げられる。Ｃセグメントは、好ましくは反応基を含まない。Ｃセグメントは更に、好ましくは架橋前のランダムアクリルコポリマーの調製プロセスで使用されるフッ化炭素溶媒中で効果的な溶解度を示す。典型的に、ＨＦＥは、その使用が加工及び環境上の多くの利点を提供し、並びに複雑な表面上においても薄い均一な塗膜を可能にすることにより、この目的に好ましい。所望であれば、使用できるＣモノマーセグメントの範囲を拡大するために、フッ化炭素溶媒と有機溶媒（すなわちエチルアセテート、ＩＰＡなど）とのブレンドを使用してもよい。
【００２３】
硬化性能を改善するために、ポリマー前駆体組成物は、１つ以上の硬化剤、すなわち式中のＤを任意に含んでもよい。具体例としては、酸性アクリレート、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシプロピルアクリレート、カルボン酸、及びスルホン酸、例えば２−アクリルアミド２−メチルプロパンスルホン酸が挙げられる。所望により、硬化剤はフッ素化されていても、フッ素化されていなくてもよい。一般的に硬化剤の使用は好ましい。硬化剤は反応生成物に組み込まれるので、脱ガスは典型的に存在しない。
【００２４】
Ｄが０であるとき、反応基、基板のパラメータ、所望の加工条件などの選択に応じて好適な触媒を有効な量で添加することによって、塗膜材料の硬化速度を所望により強化し得る。例えば、ペルフルオロポリエーテルシランを用いて調製された塗膜は、ＤｕＰｏｎｔからのＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬペルフルオロポリアルキルエーテルカルボン酸などの化学物質を使って触媒作用を起こすことができる。
【００２５】
Ｔは官能化末端基、例えばシランであってよい。Ｔは連鎖移動剤から誘導され得る。好ましい化学物質はＭＰＴＳである。
【００２６】
フリーラジカル反応開始剤は、一般的に重合又はオリゴマー化反応を開始するために使用される。一般に知られるフリーラジカル反応開始剤を使用することができ、それらの例としては、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾ−２−シアノ吉草酸などのようなアゾ化合物、クメン、ｔ−ブチル及びｔ−アミルヒドロペルオキシドのようなヒドロペルオキシド、ジ−ｔ−ブチル及びジクミルペルオキシドのようなジアルキルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオクトエート、ｔ−ブチルペルベンゾエート及びジ−ｔ−ブチルペルオキシフタレートのようなペルオキシエステル、ベンゾイルペルオキシド及びラウロイルペルオキシドのようなジアシルペルオキシドが挙げられる。加えて、化学線に露出してフリーラジカル又は酸性及びラジカル種を発生させる化合物も重合反応を開始するために使用できると想到される。そのような種の例としては、Ｃｉｂａから入手可能なＩＲＧＡＣＵＲＥ ６５１及びＤＡＲＯＣＵＲ １１７３が挙げられる。
【００２７】
好ましくは、基板及び塗膜は、塗膜が共有結合を介して基板表面に固着可能であるように選択される。分子上の反応懸垂基、すなわちシラン基は、この望ましい結合性能に貢献し得る。加えて、この理論に拘束されることを望むものではないが、シラン基が、さもなければ腐食反応を受けやすい基板上の結合箇所と反応するため、塗膜は優れた防食を提供し得ると考えられる。
【００２８】
塗膜厚さは、基板上に留まる粒子の大きさと類似又はそれよりも大幅に小さくてよく、約０．１〜５マイクロメートルを超える平均粒子寸法と比較して、塗膜厚さは、例えば約０．０１〜約１．０マイクロメートルの範囲である。水の存在下では、アルコキシ基はＢ及び／又はＴユニットの官能基と反応して、ポリマー上にシラノール基を形成することができる。シラノール基は他のシラノール基と反応が可能であり、それによってポリマーを架橋して、酸化物表面（例えば、アルミニウム、銅、シリコン、セラミック材料など）の場合はポリマーを表面に共有結合させる。
【００２９】
本発明に従って基板を塗膜する例示的方法は以下の通りである：
ａ）前述の前駆体物質、すなわち反応開始剤、アクリレート、硬化剤（使用する場合）などを好適な溶媒、例えばハイドロフルオロエーテルに混合して前駆体物質を反応させてランダムコポリマーを含有する塗膜組成物を産出し、
ｂ）塗膜組成物を基板の所望する部分に塗布し（好適な塗布技術のいずれかを使用できる）、
ｃ）溶媒を蒸発させて基板上にランダムコポリマーを残し（ＨＦＥ溶媒の利点は即座に蒸発することである）、
ｄ）温度を例えば約１００℃〜約１５０℃に上げて、塗膜を架橋させて基板に接着させる。
【００３０】
いくつかの用途では、２段階の硬化プロセスを使用することが好ましい。この場合、工程ｄ）は２工程に分割される。第１工程では、塗膜した基板が硬化されて、塗膜は、粘着性はないが残りの反応懸垂基を有する。次いで塗膜した基板を追加の加工に付す。これは、テープ、ラベル、エポキシ、又は「現場形成（form-in-place）ガスケット」の追加を含み得る。第２工程では、塗膜した基板は完全に硬化される。この２段階硬化は、テープ、ラベル、エポキシ及び「現場形成ガスケット」の接着性を改善させることができる。それぞれの工程における硬化は、好ましくは高温で実施する。塗膜が、相対的に低い温度で長い時間加熱することにより硬化されると、より高い温度でより短い時間加熱して硬化させる場合よりも、例えば約１５０℃よりも約１２０℃で、優れた結果を通常得られることも観察されている。本発明の塗膜でのその後の物品への接着は、結合直前にフルオロケミカル溶媒で拭くことによって改善することができる。
【００３１】
別の実施形態では、粒子汚染を低減する方法であって、ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つを提供する工程と、ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つのアセンブリの少なくとも一部に塗膜を塗布する工程と、を含み、塗膜は次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡａＢｂＣｃＤｄＴｅ
式中、Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、Ｔは末端官能基又は上記で定義したＸを表わし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１であって、０．２０≦ａ≦０．９０、０．０５≦ｂ≦０．２５、０．０５≦ｃ≦０．６５、０．０００５≦ｄ≦０．０３及び０．００２５≦ｅ≦０．２０であり、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはそれぞれＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＴの重量％であり、式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される方法を提供する。いくつかの好ましい実施形態では、０．４０≦ａ≦０．８０及び０．０５≦ｃ≦０．２５である。
【００３２】
提供された塗膜は、スペーサ、ディスククランプ、ｅ−ブロック、カバープレート、ベースプレート、マイクロアクチュエータ、スライダ、ボイスコイル、ボイスコイルプレートなどの構成要素を含むハードディスクドライブアセンブリなど種々の高純度用途に使用され得る。これらの構成要素は全て、完成したディスクドライブシステムにおける潜在的な粒子源である。本発明の塗膜は、ＭＥＭＳ（マイクロエレクトリカルメカニカルシステム）、高純度処理（潜在的汚染を低減させるための塗膜プロセス機器）、及び、例えばプリント回路カードアセンブリ上の表面実装構成要素など半導体処理用途における粒子飛散を低減するためにも使用し得る。加えて、本発明の塗膜は、塗布する基板に防汚かつ簡単な清浄性能を付与することが観察されている。
【００３３】
本発明の目的及び利点は、以下の実施例によって更に例示されるが、これらの実施例において列挙される特定の材料及びその量は、他の諸条件及び詳細と同様に本発明を過度に制限するものと解釈すべきではない。
【実施例】
【００３４】
試験基板：アルミニウム（Ａｌ５０５２ Ｈ３２）及びステンレス鋼（ＳＳ３０４）シートをＭ．Ｖｉｎｃｅｎｔ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ（Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ）より購入し、アルミニウムについてはおよそ５１ｍｍ×２５ｍｍ×１．６ｍｍの大きさ及びステンレス鋼については５１ｍｍ×２５ｍｍ×０．４ｍｍの大きさの試験片に切断した。
【００３５】
清浄方法１：塗膜の塗布に先立ち、基板は、イソプロピルアルコール（ＥＭＤ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（Ｇｉｂｂｓｔｏｗｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より、部品番号ＰＸ１８３５Ｐ−４）及びＶＷＲ ＳＰＥＣ−ＷＩＰＥ ７ Ｗｉｐｅｒｓ（ＶＷＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，ＬＬＣ（Ｗｅｓｔ Ｃｈｅｓｔｅｒ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）を用いる拭き取り清浄によって清浄した。
【００３６】
清浄方法２：塗膜に先立ち、基板は、蒸気脱脂によって２段階で清浄した。第１段階では、２台のサンプ蒸気脱脂器（型番号１０１２、Ｕｌｔｒａ−Ｋｏｏｌ，Ｉｎｃ．（Ｇｉｌｂｅｒｔｓｖｉｌｌｅ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より入手）を３Ｍ Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ−７２ＤＡ（３Ｍ Ｃｏ．（Ｓｔ．Ｐａｕｌ、ＭＮ）より入手）と共に使用して、以下のパラメータ：
初期蒸気すすぎ３０秒間、
すすぎサンプにて４０ｋＨｚ超音波で３００秒間、
最終蒸気すすぎ３０秒間、
を用いて清浄した。
【００３７】
第２段階では、２台のサンプ蒸気脱脂器（型番号ＬＡＢ−ＫＬＥＥＮ ６１２ Ｄｅｇｒｅａｓｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ（Ｕｎｉｑｕｅ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｍｏｎｔｒｏｓｅ、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）より）を、８９重量％の３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７３００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｅｄ Ｆｌｕｉｄ（３Ｍ Ｃｏ．（Ｓｔ．Ｐａｕｌ、ＭＮ）より入手）及び１１％のＤＯＷＡＮＯＬ ＰＭプロピレングリコールメチルエーテル（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｍｉｄｌａｎｄ、Ｍｉｃｈｉｇａｎ）より入手）の共沸混合物と共に使用して、以下のパラメータ：
初期蒸気すすぎ３０秒間、
すすぎサンプにて４０ｋＨｚ超音波で３００秒間、
最終蒸気すすぎ３０秒間、
を用いて清浄した。
【００３８】
塗膜方法：塗膜は、浸漬塗膜によって基板に塗布した。
【００３９】
硬化率の測定：溶媒抽出試験方法を用いて、塗膜が架橋して基板に接着しているかどうかを測定した。塗膜に先立ち、基板の質量を記録した（ＭＢＣ）。塗膜及び硬化後の基板の質量も記録した（ＭＡＣ）。次いで基板を、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７１００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ（メトキシ−ノナフルオロブタン（Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３）（３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓａｉｎｔ Ｐａｕｌ、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ）より）に２分間浸した。この間基板は、溶液中でゆっくり渦流した。次いで溶媒抽出後の基板の質量を記録した（ＭＳＥ）。次いで硬化の程度を以下の計算によって判定した。
【００４０】
硬化率＝［（ＭＳＥ−ＭＢＣ）／（ＭＡＣ−ＭＢＣ）］＊１００
この試験は、繰り返し性のために典型的に基板３片について実施した。
【００４１】
粒子抽出法：液体粒子カウンタ（ＬＰＣ）抽出を用いて、基板が粒子を飛散させる傾向を測定した。使用された試験方法は、ＩＤＥＭＡ微細汚染基準Ｍ９−９８に基づいている。
【００４２】
全ての試験は、クラス１００環境で清浄なフード内で実施した。試験を通して使用した水は１８．２ＭΩ（ＮＡＮＯｐｕｒｅ ＤＩＡＭＯＮＤ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｕｌｔｒａｐｕｒｅ Ｗａｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ（Ｂａｒｎｓｔｅａｄ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ（Ｉｏｗａ、Ｄｕｂｕｑｕｅ）より、部品番号Ｄ１１９０１）を用いて供給）であり、ＥＭＦＬＯＮ ＩＩ、０．２マイクロメートルアブソリュートフィルタ（Ｐａｌｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｅａｓｔ Ｈｉｌｌｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）より、部品番号ＤＦＡ４００１Ｖ００２ＰＶ）で濾過した。
【００４３】
試験装置は、超音波溶液槽（Ｃｒｅｓｔ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔｒｅｎｔｏｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より、部品番号６ＨＴ−１０１４−６Ｔ）内に固定された６００ｍＬビーカー（ＶＷＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，ＬＬＣ（Ｗｅｓｔ Ｃｈｅｓｔｅｒ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）からなっていた。溶液槽への超音波は、発電機（Ｃｒｅｓｔ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔｒｅｎｔｏｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より、部品番号６ＨＴ−１０１４−６Ｗ）によって供給した。試験を実施する基板は、２８ゲージのはんだ用ポリウレタン固定子ワイヤー（ＭＷＳ Ｗｉｒｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｗｅｓｔｌａｋｅ Ｖｉｌｌａｇｅ、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）より、部品番号２８ ＳＰＮ−１５５ ＲＥＤ）を用いてビーカー内に吊り下げて、ワイヤーと基板のいずれもビーカーに接触しないようにした。水中の粒子濃度は、８１０３シリンジサンプリングシステム（Ｈａｃｈ Ｕｌｔｒａ Ａｎａｌｙｔｉｃｓ（Ｇｒａｎｔｓ Ｐａｓｓ、Ｏｒｅｇｏｎ）より）を用いて測定した。
【００４４】
試験のため、ビーカーを５００ｍＬの水で満たした。流体中の固定子ワイヤーと共に、ビーカーは、３．８Ｌ（１ガロン）当たり４０ワットで６８ｋＨｚ超音波処置に３０秒間さらした。流体中の粒子濃度は、１０ｍＬ試料を２回取って測定した。これらの結果の平均は、ブランクに使用した。次いで試験を実施する基板は、ビーカーの水の中に完全に浸し、前述と同一の超音波条件にさらした。次いで流体中の粒子濃度を、前述と同一の方法を用いて再び測定した。基材の表面積当たりの生成された粒子数は、以下のように計算した。
【００４５】
粒子数＝［（試験試料の粒子数−ブランク粒子数）＊５００ｍＬ］／［基板の表面積］
基板の各試験片について、前述の手順を３回繰り返した。以下に示す結果は、３回目の抽出についてである。
【００４６】
実施例１
コポリマーは、２５ｇのＨＦＰＯＭＡ、１０ｇのＢＡ（Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ、Ｗｉｓｃｏｎｓｉｎ）より）、１０ｇのＡ１７４（Ｕｎｉｔｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（Ｂｒｉｓｔｏｌ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より）、５ｇのＭＰＴＳ（Ｕｎｉｔｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．より）及び２５０ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ（エトキシ−ノナフルオロブタン（Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５）（３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓｔ．Ｐａｕｌ、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ）より）を、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、１ｇのＬＵＰＥＲＯＸ ２６Ｍ５０反応開始剤（ｔｅｒｔ−ブチルぺルオキシ−２−エチルヘキサノエート、５０％固形物、Ａｒｋｅｍａ，Ｉｎｃ．（Ｐｈｉｌａｄｅｌｐｈｉａ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％ポリマーに希釈した。このポリマー溶液に、ＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬ（ペルフルオロポリアルキルエーテルカルボン酸、Ｅ．Ｉ．ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ＆ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｄｅｅｐｗａｔｅｒ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より）を２％のポリマー濃度で、すなわち溶液全体の約０．２％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００４７】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム試験片上の塗膜の硬化９５％を示した。これらの塗膜のＬＰＣ抽出結果を表１に示す。
【００４８】
実施例２
コポリマーは、３０ｇのＨＦＰＯＭＡ、５ｇのＢＡ、１０ｇのＡ１７４、５ｇのＭＰＴＳ及び２５０ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄを、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、１ｇのＬＵＰＥＲＯＸ ２６Ｍ５０反応開始剤をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％ポリマーに希釈した。ポリマー溶液にＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬを２％のポリマー濃度、溶液全体の約０．２％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００４９】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、塗膜の硬化８６％を示した。これらの塗膜のＬＰＣ抽出結果を表１に示す。
【００５０】
比較例１
コポリマーは、３５ｇのＨＦＰＯＭＡ、１０ｇのＡ１７４、５ｇのＭＰＴＳ及び２５０ｇの３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄを、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、１ｇのＬＵＰＥＲＯＸ ２６Ｍ５０反応開始剤をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１８時間加熱した。この溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％ポリマーに希釈した。ポリマー溶液にＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬを２％のポリマー濃度で、すなわち溶液全体の約０．２％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００５１】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、塗膜の硬化１００％を示した。これらの塗膜のＬＰＣ抽出結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】
表１のデータ分析は、実施例１及び実施例２が、粒子抑制において、比較例１より統計的に大幅に改善していることを示した。
【００５４】
実施例３
コポリマーは、１５ｇのＦＢＳＥＡ、２６ｇのＢＡ、４．５ｇのＡ１７４、１．５ｇのＭＰＴＳ、３．０ｇのＣＮ９７３Ｊ７５（Ｓａｒｔｏｍｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．（Ｅｘｔｏｎ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）、１００ｇの３Ｍ（商標）のＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ）及び１００ｇのエチルアセテート（ＥＭＤ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．（Ｇｉｂｂｓｔｏｗｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より、製品番ＥＸ０２４１）を、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、０．５ｇのＶＡＺＯ ６７（ＤｕＰｏｎｔより）をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１６時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ及びエチルアセテートの５０／５０質量ブレンドで、１０％ポリマーに希釈した。ポリマー溶液に、ＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬを３％のポリマー濃度で、すなわち溶液全体の約０．３％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００５５】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法２で清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化７９％及びステンレス鋼上で硬化８８％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表２に示す。
【００５６】
実施例４
コポリマーは、１２ｇのＦＢＳＥＡ、２６ｇのＢＡ、４．５ｇのＡ１７４、１．５ｇのＭＰＴＳ、６．０ｇのＣＮ９７３Ｊ７５、１００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ及び１００ｇのエチルアセテートを、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、０．５ｇのＶＡＺＯ ６７をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１６時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ及びエチルアセテートの５０／５０質量ブレンドで、１０％ポリマーに希釈した。ポリマー溶液に、ＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬを３％のポリマー濃度で、すなわち溶液全体の約０．３％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００５７】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法２で清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化７８％及びステンレス鋼上で硬化９２％であることを示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表２に示す。
【００５８】
【表２】
【００５９】
実施例５
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ（Ｈｅｙｓｈａｍ、Ｌａｎｃａｓｈｉｒｅ ＬＡ３ ２ＸＹ、英国）より）、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６、１００％有効成分）（Ａｔｏｆｉｎａ（Ｐｈｉｌａｄｅｌｐｈｉａ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６０】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１で清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９７％及びステンレス鋼上で硬化１００％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６１】
実施例６
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、２０ｇのＡ１７４、４ｇのＭＰＴＳ、２ｇのメルカプトプロプリオン酸（Ａｌｄｒｉｃｈ（Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ、Ｗｉｓｃｏｎｓｉｎ）より）、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（１００％）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６２】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９３％及びステンレス鋼上で硬化９５％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６３】
実施例７
コポリマーは、５４ｇのＦＢＳＥＡ、２０ｇのＢＡ、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６４】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９５％及びステンレス鋼上で硬化１００％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６５】
実施例８
コポリマーは、５４ｇのＦＢＳＥＭＡ、２０ｇのＢＡ、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）、４５０ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ及び５０ｇのエチルアセテートをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６６】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化１００％及びステンレス鋼上で硬化１００％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６７】
実施例９
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６８】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９０％及びステンレス鋼上で硬化９２％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６９】
実施例１０
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＥＨＡ（Ａｌｄｒｉｃｈより）、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７０】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化１００％及びステンレス鋼上で硬化９７％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００７１】
実施例１１
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＩＯＡ（Ａｌｄｒｉｃｈより）、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７２】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片を清浄方法１で清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９８％及びステンレス鋼上で硬化１００％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００７３】
【表３】
【００７４】
比較例２
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＭＭＡ（Ｒｏｈｍ ａｎｄ Ｈａｓｓ（Ｐｈｉｌａｄｅｌｐｈｉａ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７５】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒の抽出試験は硬化９８％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００７６】
比較例３
コポリマーは、５４ｇのＦＢＳＥＡ、２０ｇのＭＭＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００（商標）Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７７】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒の抽出試験は、硬化９４％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００７８】
実施例１２
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７９】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。
【００８０】
溶媒の抽出試験は、硬化８６％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００８１】
実施例１３
コポリマーは、５４ｇのＦＢＳＥＡ、２０ｇのＢｕＭＡ（Ｌｕｃｉｔｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ（Ｓｏｕｔｈａｍｐｔｏｎ ＳＯ１４ ３ＢＰ、英国）より）、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００８２】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。
【００８３】
溶媒の抽出試験は、硬化８９％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００８４】
実施例１４
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢｕＭＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００８５】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒の抽出試験は、硬化８９％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００８６】
【表４】
【００８７】
比較例４
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢｕＭＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００８８】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。塗膜した試験片は、１２０℃で１時間加熱した。溶媒の抽出試験は、硬化０％を示した。
【００８９】
実施例１５
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９．５ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、０．５ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００９０】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。３種類の硬化を実施した。溶媒の抽出データを表５に示す。
【００９１】
実施例１６
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、０．３ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液を窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００９２】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。３種類の硬化を実施した。溶媒の抽出データを表５に示す。
【００９３】
【表５】
【００９４】
実施例１７
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９．５ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、０．５ｇのＡＡ及び０．２２ｇの重合可能染料ＡＤ−４（米国特許第６，８９４，１０５号（Ｐａｒｅｎｔら）９及び２２段４４行目）、２ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、０．１マイクロメートルナイロンフィルタを通して濾過し、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００９５】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１５０℃で１時間実施した。
【００９６】
溶媒の抽出試験は、硬化９２％を示した。塗膜のＬＰＣ抽出試験を表６に示す。
【００９７】
【表６】
【００９８】
本発明の範囲及び趣旨から逸脱せずに、本発明の様々な変更や改変が当業者に明らかとなるであろう。本発明は、本明細書で述べる例示的な実施形態及び実施例によって不当に限定されるものではないこと、また、そうした実施例及び実施形態は、本明細書で以下に述べる特許請求の範囲によってのみ限定されることを意図する、本発明の範囲の例示のためにのみ提示されることを理解すべきである。
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は２００７年１２月２１日に申請された米国仮特許出願６１／０１６，０５０号に対する優先権を主張する。
【０００２】
（発明の分野）
本開示は、例えば磁気ハードディスクドライブなどの高純度装置、より具体的には、そのような装置における粒子低減のための塗膜に関する。
【背景技術】
【０００３】
磁気ディスクドライブ及び他の高純度の用途では、粒子汚染はホストの故障メカニズムを引き起こす可能性がある。これらの用途では、製造時及び適用中に存在する粒子を最小限とすることが極めて望ましい。磁気ディスクドライブには典型的に、例えばスペーサ、ディスククランプ、ｅ−ブロック（e-block）、カバープレート、ベースプレート、アクチュエータ、ボイスコイル、ボイスコイルプレートなどの、精密な寸法にされた多数の作動部品が含まれている。これらの構成要素は全て粒子の潜在的発生源となり得る。ドライブの動作中、ヘッドは典型的に、約１００Åの間隔で媒体の上方を飛ぶ。この間隔は面密度の上昇と共に減少し、粒子の発生を低減及び防止することがより一層重要となる。ヘッドディスクの境界面における粒子は、サーマルアスペリティ、ハイフライライト、及びヘッドクラッシュを発生させる可能性があり、これらはいずれもディスクドライブの性能に弊害をもたらす。
【０００４】
米国特許公報第２００３／０２２３１５４号（Ｙａｏ）は、「金、プラチナ、エポキシ樹脂などの柔軟かつ頑強な物質でできた」塗膜での封入による粒子発生の防止を開示し、米国特許公報２００２／００９３７６６号（Ｗａｃｈｔｌｅｒ）は、粒子発生に対する保護のための背面粘着式収縮性共形フィルムの使用を開示している。米国特許第６，６７１，１３２号（Ｃｒａｎｅら）は、金属塗膜又はポリマー塗膜の使用を開示している。米国特許第７，０３５，０５５号（Ｋｉｋｋａｗａら）は、樹脂塗膜の使用を開示している。米国特許第６，９０３，８６１号（Ｈｕｈａら）は、マイクロアクチュエータの構成要素用カプセル材料としての特定のポリマー塗膜の使用を開示している。ＰＣＴ公報第ＷＯ２００６／０７４０７９号（Ｋｅｈｒｅｎら）は、粒子抑制塗膜用の、反応懸垂基を含むフルオロポリマーの使用を開示している。
【０００５】
ハードドライブアセンブリ内の粒子は摩擦及び局部的ホットスポットの原因となり得、今度はこれらがハードドライブの故障、及びそれに磁気コード化されているデータの損失をもたらす原因となり得る。この問題に対するこれまでの１つの対処は、ハードドライブのカバーの粒子抑制塗膜として電気めっきニッケルを使用することである。しかし、２００１年頃〜２００６年頃にニッケルの価格は３倍になっている。また、ハードドライブのカバーを電気めっきする必要条件は、ハードドライブアセンブリ上への低表面エネルギー塗膜の塗布及び硬化よりも、組み立ての際に更なる工程をもたらし、電気めっきプロセスは、潜在的有害物質の使用を伴い、これらの塗膜部分から飛散する粒子、すなわちニッケル粒子は、極めて硬性であるため、媒体及び読み取り／書き込みヘッドに重大な損傷を容易に発生させる可能性がある。
【０００６】
Ｅ−コート又は泳動電着性塗膜も粒子抑制塗膜として使用されるが、均一な塗膜を得ることは困難である場合がある（何らかの塗膜後機械加工を必要とする）。加えて、未硬化モノマーに関連する脱ガス、又は後にドライブ内に放出される炭化水素の被膜への吸収に遭遇する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
より安価で、より好都合に適用される、高性能の粒子低減塗膜に対する必要性が存在する。例えば、アルミニウム、銅、ステンレス鋼などの金属、プラスチック、ガラス、セラミックス、シリコンなどの酸化物表面を持つ基板から粒子を抑制する、改善された塗膜が提供される。提供される塗膜は単純な技術（例えば、浸漬塗膜と熱硬化）によって塗布が可能であり、熱的安定性を示し、複雑な基板トポグラフィー上に実質的に均一に薄い（例えば、約０．１〜約５．０マイクロメートル）層に形成し得る。塗膜は清浄（すなわち、低アウトガス、低抽出可能イオン）であり、典型的な清浄プロセス（例えば、超音波処理を伴う又は伴わない、水性及び溶剤系清浄液）に対して耐性があり、環境的に害がなく（すなわち、分離ヒドロフルオロエーテルなどの溶媒によって供給される）、良好な安全性を有し、現行の産業界の方法であるニッケル塗膜と比較して相対的に優れた費用対効果性能を提供する。提供される塗膜は、腐食保護も提供することができる。
【０００８】
提供される塗膜は、架橋機能性、及び基板表面にしっかり固着して基板表面からの粒子の飛散を抑制する優れた能力を有する反応懸垂基を持つ、薄いポリマー塗膜を含んでいる。これらの粒子は、処理及び／又は不完全な清浄によって残留する（単数又は複数の）基板材料からであり得る。この塗膜は、さもなければ基板から飛散し得る粒子を抑制するネットを基板表面上に実質的に形成する。
【０００９】
１つの態様では、基板上の少なくとも一部に塗膜を含む基板を提供し、この塗膜は、次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡｗＢｘＣｙＤｚＴ
式中、Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、Ｔは末端官能基又は上記で定義したＸを表わし、ｗは１〜約２００の整数であり、ｘは１〜約３００の整数であり、ｙは１〜約１００の整数であり、ｚは０〜約３０の整数であり、
式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される。
【００１０】
別の態様では、粒子汚染を低減する方法であって、ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つを提供する工程と、ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つのアセンブリの少なくとも一部に塗膜を塗布する工程と、を含み、塗膜は次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡａＢｂＣｃＤｄＴｅ
式中、Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、Ｔは末端官能基又は上記で定義したＸを表わし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１であって、０．２０≦ａ≦０．９０、０．０５≦ｂ≦０．２５、０．０５≦ｃ≦０．６５、０．０００５≦ｄ≦０．０３及び０．００２５≦ｅ≦０．２０であり、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはそれぞれＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＴの重量％であり、式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される方法を提供する。
【００１１】
簡潔に要約すれば、提供される基板、塗膜及び方法は特定のフルオロケミカルモノマー及び炭化水素モノマーの反応生成物を含み、塗膜は少なくとも部分的に基板上でその場で硬化される。少なくとも部分的に適所で硬化する際、そのような塗膜は、基板上の粒子低減塗膜として驚くほどに良好な性能を提供し得る。コポリマーの骨格鎖中に炭化水素セグメントを取り入れることで、主題の塗膜の粒子抑制性能が改善され、結果として生じる塗膜の清浄プロセス、特に超音波清浄プロセスなどエレクトロニクス構成要素に使用されるプロセスに対する耐性が増大することが意外にもわかった。提供される塗膜が提供する多くの利点としては、薄い均一な塗膜を複雑な表面上に得る容易性、良好な安全特性及び環境特性、並びに結果として生じる塗膜が示す低表面エネルギーが挙げられるが、これらに限定されない。提供される被膜は、相対的に低コストであって、清浄に対する改善された耐性、及び改善された粒子抑制性能をもたらす、粒子抑制塗膜を提供する。取り扱い及び耐摩耗性の改善も観察されている。
【００１２】
本明細書で使用されるとき、「アクリレート」は「メタクリレート」も意味すると理解されることができ、「懸垂」は末端基及び側基をいう。
【００１３】
用語
本明細書で使用するとき、以下の省略形は示される意味を有する。
【００１４】
・Ａ１７４は３−トリメトキシシランプロピルメタクリレートであり、
・ＡＡはアクリル酸であり、
・ＢＡはブチルアクリレートであり、
・ＢｕＭＡはブチルメタクリレートであり、
・ＥＨＡは２−エチルヘキシルアクリレートであり、
・ＦＢＳＥＡはＰＣＴ出願第ＷＯ０１／３０８７３Ａ号（Ｓａｖｕら）の実施例２Ａ及び２Ｂの手順によって調製可能なＣ４Ｆ９ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ２であり、
・ＦＢＳＥＭＡはＰＣＴ出願第ＷＯ０１／３０８７３Ａ号の実施例２Ａ及び２Ｂの手順によって調製可能なＣ４Ｆ９ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２であり、
・ＨＦＥはハイドロフルオロエーテルであり、
・ＨＦＰＯＭＡは米国特許第６，９９５，２２２号（Ｂｕｃｋａｎｉｎら）の調製例３の手順によって調製可能なヘキサフルオロプロピレンオキシドメタクリレートであり、
・ＩＯＡはイソオクチルアクリレートであり、
・ＭＭＡはメチルメタクリレートであり、
・ＭＰＴＳは３−メルカプトプロピルトリメトキシシランであり、
・ＰＦＰＨＭＡはＰＣＴ出願第ＷＯ０２／１６５１７号（Ｓａｖｕら）の１５頁、８〜２９行目に説明されている手順によって調製可能なヘプタフルオロブチルメタクリレート（すなわちＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣ（Ｏ）Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）である。
【００１５】
上述の「課題を解決するための手段」は、本発明の全ての実施の開示された各実施形態を説明することを意図しない。以下の図面の簡潔な説明及び「発明を実施するための形態」で、例示の実施形態をより具体的に説明する。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下の説明において、本発明の範囲又は趣旨から逸脱することなく、その他の実施形態を想到し実施し得ることが、理解されるべきである。したがって、以下の「発明を実施するための形態」は、限定する意味で理解されるべきではない。
【００１７】
他に指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用される特徴の大きさ、量、及び物理特性を表わす数字は全て、どの場合においても用語「約」によって修飾されるものとして理解されるべきである。したがって、そうでないことが示されない限り、前述の明細及び添付の特許請求の範囲で示される数値パラメータは、本明細書で開示される教示内容を用いる当業者が得ようとしている所望する特性に応じて変化し得る近似値である。端点による数値範囲の使用には、その範囲内の全ての数（例えば１〜５には、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、及び５が含まれる）並びにその範囲内の任意の範囲が包含される。
【００１８】
１つの実施形態において、本発明の塗膜は次の一般式のフッ素化アクリレートコポリマー化合物を含み、
ＸＡｗＢｘＣｙＤｚＴ
式中、Ｘは反応開始剤の残渣又は水素を表わし、Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマー（好ましくはＢＡ）から誘導したユニットを表わし、Ｄは１つ以上の硬化剤、例えば酸性アクリレート（好ましくはアクリル酸）から誘導したユニットを表わし、Ｔは末端官能基又は上記で定義したＸを表す。硬化剤Ｄはコポリマー中に存在してもよく、又は外部触媒として提供されてもよい。コポリマーはランダム、すなわちＡ、Ｂ、Ｃ及びＤセグメントの順序がランダムであり得るが、ある局所的部分はよりブロックコポリマー構造を示すことがあることが理解されるであろう。コポリマーの数平均分子量は約５００〜約５０，０００、好ましくは約１０００〜約１０，０００である。
【００１９】
ｗ、ｘ、ｙ及びｚの価は次のようである：ｗは１〜約２００の整数であり、ｘは１〜約３００の整数であり、ｙは１〜約１００の整数であり、ｚは０〜約３０の整数であり、ｚ：（ｘ＋１）の比率は０〜約０．３未満である。（ｗ＋ｙ）の合計：ｘの比率は約１を超えて約２０未満、好ましくは約２を超えて約８未満である。ｙ：ｗの比率は典型的に０〜７未満、好ましくは約０．２を超えて約１．５未満である。この比率は、結果として生じるコポリマーの溶解度によっても制限される。比率が高すぎると、結果として生じるコポリマーはもはやＨＦＥ中に十分可溶性ではなく、そのような実施形態の使用がより困難になる。共溶媒はこの比率を拡大する一助となり得る。相対的に高い比率では、結果として生じる塗膜は、例えばアウトガス、有機汚染物質を吸収して後に放出する傾向が増大しやすいことがある。
【００２０】
Ａはフッ素化アクリルモノマー、好ましくはＦＢＳＥＡ、ＰＦＰＨＭＡ及びＨＦＰＯＭＡから誘導が可能である。所望であれば本明細書に挙げた好ましい物質に代えて、あるいはそれに加えて、他の好適なフッ素化モノマーを使用してもよい。いくつかの実施形態では、Ａは次式を有するモノマーから誘導したユニットであって、
ＲｆＱＯＣ（＝Ｏ）Ｃ（Ｒ）＝ＣＨ２
式中、Ｒｆは１〜３０個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル又はペルフルオロポリエーテル基であり、Ｑは−（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＳＯ２Ｎ（Ｒ’）−、及び−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｒ”）Ｃ（＝Ｏ）−からなる基から選択される２価結合基であり、Ｒ’は−ＣｎＨ（２ｎ＋１）であり、ｎは１〜６の整数であり、Ｒ”は水素又はＣＨ３である。
【００２１】
Ｂは官能化した２価のアクリレートモノマー、例えばシラン含有プロピルアクリレート若しくはエチルアクリレート、エポキシアクリレート、又は２価のウレタンアクリレートから誘導され得る。好ましい実施例はＡ１７４である。Ｂはポリマー間の架橋、並びに基板への結合の提供に役立ち得る。
【００２２】
炭化水素セグメント、すなわち前述の式中のＣは、結果として生じるコポリマーに改善された柔軟性を付与して、結果として生じる粒子抑制塗膜の熱応力及び機械的応力に対する耐性をより高いものとする。Ｃセグメントは、ホモポリマーが好ましくは低いＴｇ、すなわち約２０℃以下を有するものであるモノマーから誘導し得る。本発明での使用に好適なＣセグメントとしての使用に好適なモノマーの具体例としては、メチルアクリレート（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ３、Ｔｇ＝９〜１５℃）、ブチルアクリレート（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣ４Ｈ９、４ｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｌ．Ｅ．Ｎｉｅｌｓｅｎ、Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ、Ｒｅｉｎｈｏｌｄ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ（１９６２）に報告されるようにＴｇ＝−５４℃）、イソオクチルアクリレート（４ｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ａ．Ｒ．Ｍｏｎａｈａｎ、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ａ−１，４，２３８１（１９６６）に報告されるようにＴｇ＝−４５℃）、及びエチルヘキシルアクリレート（４ｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ａ．Ｒ．Ｍｏｎａｈａｎ、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ａ−１，４，２３８１（１９６６）に報告されるようにＴｇ＝−５０℃）、並びにブチルメタクリレート（Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．３、ｐ．２５１、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓに報告されるようにＴｇ＝２０℃）が挙げられる。Ｃセグメントは、好ましくは反応基を含まない。Ｃセグメントは更に、好ましくは架橋前のランダムアクリルコポリマーの調製プロセスで使用されるフッ化炭素溶媒中で効果的な溶解度を示す。典型的に、ＨＦＥは、その使用が加工及び環境上の多くの利点を提供し、並びに複雑な表面上においても薄い均一な塗膜を可能にすることにより、この目的に好ましい。所望であれば、使用できるＣモノマーセグメントの範囲を拡大するために、フッ化炭素溶媒と有機溶媒（すなわちエチルアセテート、ＩＰＡなど）とのブレンドを使用してもよい。
【００２３】
硬化性能を改善するために、ポリマー前駆体組成物は、１つ以上の硬化剤、すなわち式中のＤを任意に含んでもよい。具体例としては、酸性アクリレート、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシプロピルアクリレート、カルボン酸、及びスルホン酸、例えば２−アクリルアミド２−メチルプロパンスルホン酸が挙げられる。所望により、硬化剤はフッ素化されていても、フッ素化されていなくてもよい。一般的に硬化剤の使用は好ましい。硬化剤は反応生成物に組み込まれるので、脱ガスは典型的に存在しない。
【００２４】
Ｄが０であるとき、反応基、基板のパラメータ、所望の加工条件などの選択に応じて好適な触媒を有効な量で添加することによって、塗膜材料の硬化速度を所望により強化し得る。例えば、ペルフルオロポリエーテルシランを用いて調製された塗膜は、ＤｕＰｏｎｔからのＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬペルフルオロポリアルキルエーテルカルボン酸などの化学物質を使って触媒作用を起こすことができる。
【００２５】
Ｔは官能化末端基、例えばシランであってよい。Ｔは連鎖移動剤から誘導され得る。好ましい化学物質はＭＰＴＳである。
【００２６】
フリーラジカル反応開始剤は、一般的に重合又はオリゴマー化反応を開始するために使用される。一般に知られるフリーラジカル反応開始剤を使用することができ、それらの例としては、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾ−２−シアノ吉草酸などのようなアゾ化合物、クメン、ｔ−ブチル及びｔ−アミルヒドロペルオキシドのようなヒドロペルオキシド、ジ−ｔ−ブチル及びジクミルペルオキシドのようなジアルキルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオクトエート、ｔ−ブチルペルベンゾエート及びジ−ｔ−ブチルペルオキシフタレートのようなペルオキシエステル、ベンゾイルペルオキシド及びラウロイルペルオキシドのようなジアシルペルオキシドが挙げられる。加えて、化学線に露出してフリーラジカル又は酸性及びラジカル種を発生させる化合物も重合反応を開始するために使用できると想到される。そのような種の例としては、Ｃｉｂａから入手可能なＩＲＧＡＣＵＲＥ ６５１及びＤＡＲＯＣＵＲ １１７３が挙げられる。
【００２７】
好ましくは、基板及び塗膜は、塗膜が共有結合を介して基板表面に固着可能であるように選択される。分子上の反応懸垂基、すなわちシラン基は、この望ましい結合性能に貢献し得る。加えて、この理論に拘束されることを望むものではないが、シラン基が、さもなければ腐食反応を受けやすい基板上の結合箇所と反応するため、塗膜は優れた防食を提供し得ると考えられる。
【００２８】
塗膜厚さは、基板上に留まる粒子の大きさと類似又はそれよりも大幅に小さくてよく、約０．１〜５マイクロメートルを超える平均粒子寸法と比較して、塗膜厚さは、例えば約０．０１〜約１．０マイクロメートルの範囲である。水の存在下では、アルコキシ基はＢ及び／又はＴユニットの官能基と反応して、ポリマー上にシラノール基を形成することができる。シラノール基は他のシラノール基と反応が可能であり、それによってポリマーを架橋して、酸化物表面（例えば、アルミニウム、銅、シリコン、セラミック材料など）の場合はポリマーを表面に共有結合させる。
【００２９】
本発明に従って基板を塗膜する例示的方法は以下の通りである：
ａ）前述の前駆体物質、すなわち反応開始剤、アクリレート、硬化剤（使用する場合）などを好適な溶媒、例えばハイドロフルオロエーテルに混合して前駆体物質を反応させてランダムコポリマーを含有する塗膜組成物を産出し、
ｂ）塗膜組成物を基板の所望する部分に塗布し（好適な塗布技術のいずれかを使用できる）、
ｃ）溶媒を蒸発させて基板上にランダムコポリマーを残し（ＨＦＥ溶媒の利点は即座に蒸発することである）、
ｄ）温度を例えば約１００℃〜約１５０℃に上げて、塗膜を架橋させて基板に接着させる。
【００３０】
いくつかの用途では、２段階の硬化プロセスを使用することが好ましい。この場合、工程ｄ）は２工程に分割される。第１工程では、塗膜した基板が硬化されて、塗膜は、粘着性はないが残りの反応懸垂基を有する。次いで塗膜した基板を追加の加工に付す。これは、テープ、ラベル、エポキシ、又は「現場形成（form-in-place）ガスケット」の追加を含み得る。第２工程では、塗膜した基板は完全に硬化される。この２段階硬化は、テープ、ラベル、エポキシ及び「現場形成ガスケット」の接着性を改善させることができる。それぞれの工程における硬化は、好ましくは高温で実施する。塗膜が、相対的に低い温度で長い時間加熱することにより硬化されると、より高い温度でより短い時間加熱して硬化させる場合よりも、例えば約１５０℃よりも約１２０℃で、優れた結果を通常得られることも観察されている。本発明の塗膜でのその後の物品への接着は、結合直前にフルオロケミカル溶媒で拭くことによって改善することができる。
【００３１】
別の実施形態では、粒子汚染を低減する方法であって、ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つを提供する工程と、ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つのアセンブリの少なくとも一部に塗膜を塗布する工程と、を含み、塗膜は次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡａＢｂＣｃＤｄＴｅ
式中、Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、Ｔは末端官能基又は上記で定義したＸを表わし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１であって、０．２０≦ａ≦０．９０、０．０５≦ｂ≦０．２５、０．０５≦ｃ≦０．６５、０．０００５≦ｄ≦０．０３及び０．００２５≦ｅ≦０．２０であり、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはそれぞれＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＴの重量％であり、式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される方法を提供する。いくつかの好ましい実施形態では、０．４０≦ａ≦０．８０及び０．０５≦ｃ≦０．２５である。
【００３２】
提供された塗膜は、スペーサ、ディスククランプ、ｅ−ブロック、カバープレート、ベースプレート、マイクロアクチュエータ、スライダ、ボイスコイル、ボイスコイルプレートなどの構成要素を含むハードディスクドライブアセンブリなど種々の高純度用途に使用され得る。これらの構成要素は全て、完成したディスクドライブシステムにおける潜在的な粒子源である。本発明の塗膜は、ＭＥＭＳ（マイクロエレクトリカルメカニカルシステム）、高純度処理（潜在的汚染を低減させるための塗膜プロセス機器）、及び、例えばプリント回路カードアセンブリ上の表面実装構成要素など半導体処理用途における粒子飛散を低減するためにも使用し得る。加えて、本発明の塗膜は、塗布する基板に防汚かつ簡単な清浄性能を付与することが観察されている。
【００３３】
本発明の目的及び利点は、以下の実施例によって更に例示されるが、これらの実施例において列挙される特定の材料及びその量は、他の諸条件及び詳細と同様に本発明を過度に制限するものと解釈すべきではない。
【実施例】
【００３４】
試験基板：アルミニウム（Ａｌ５０５２ Ｈ３２）及びステンレス鋼（ＳＳ３０４）シートをＭ．Ｖｉｎｃｅｎｔ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ（Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ）より購入し、アルミニウムについてはおよそ５１ｍｍ×２５ｍｍ×１．６ｍｍの大きさ及びステンレス鋼については５１ｍｍ×２５ｍｍ×０．４ｍｍの大きさの試験片に切断した。
【００３５】
清浄方法１：塗膜の塗布に先立ち、基板は、イソプロピルアルコール（ＥＭＤ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（Ｇｉｂｂｓｔｏｗｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より、部品番号ＰＸ１８３５Ｐ−４）及びＶＷＲ ＳＰＥＣ−ＷＩＰＥ ７ Ｗｉｐｅｒｓ（ＶＷＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，ＬＬＣ（Ｗｅｓｔ Ｃｈｅｓｔｅｒ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）を用いる拭き取り清浄によって清浄した。
【００３６】
清浄方法２：塗膜に先立ち、基板は、蒸気脱脂によって２段階で清浄した。第１段階では、２台のサンプ蒸気脱脂器（型番号１０１２、Ｕｌｔｒａ−Ｋｏｏｌ，Ｉｎｃ．（Ｇｉｌｂｅｒｔｓｖｉｌｌｅ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より入手）を３Ｍ Ｎｏｖｅｃ ＨＦＥ−７２ＤＡ（３Ｍ Ｃｏ．（Ｓｔ．Ｐａｕｌ、ＭＮ）より入手）と共に使用して、以下のパラメータ：
初期蒸気すすぎ３０秒間、
すすぎサンプにて４０ｋＨｚ超音波で３００秒間、
最終蒸気すすぎ３０秒間、
を用いて清浄した。
【００３７】
第２段階では、２台のサンプ蒸気脱脂器（型番号ＬＡＢ−ＫＬＥＥＮ ６１２ Ｄｅｇｒｅａｓｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ（Ｕｎｉｑｕｅ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｍｏｎｔｒｏｓｅ、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）より）を、８９重量％の３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７３００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｅｄ Ｆｌｕｉｄ（３Ｍ Ｃｏ．（Ｓｔ．Ｐａｕｌ、ＭＮ）より入手）及び１１％のＤＯＷＡＮＯＬ ＰＭプロピレングリコールメチルエーテル（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｍｉｄｌａｎｄ、Ｍｉｃｈｉｇａｎ）より入手）の共沸混合物と共に使用して、以下のパラメータ：
初期蒸気すすぎ３０秒間、
すすぎサンプにて４０ｋＨｚ超音波で３００秒間、
最終蒸気すすぎ３０秒間、
を用いて清浄した。
【００３８】
塗膜方法：塗膜は、浸漬塗膜によって基板に塗布した。
【００３９】
硬化率の測定：溶媒抽出試験方法を用いて、塗膜が架橋して基板に接着しているかどうかを測定した。塗膜に先立ち、基板の質量を記録した（ＭＢＣ）。塗膜及び硬化後の基板の質量も記録した（ＭＡＣ）。次いで基板を、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７１００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ（メトキシ−ノナフルオロブタン（Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３）（３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓａｉｎｔ Ｐａｕｌ、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ）より）に２分間浸した。この間基板は、溶液中でゆっくり渦流した。次いで溶媒抽出後の基板の質量を記録した（ＭＳＥ）。次いで硬化の程度を以下の計算によって判定した。
【００４０】
硬化率＝［（ＭＳＥ−ＭＢＣ）／（ＭＡＣ−ＭＢＣ）］＊１００
この試験は、繰り返し性のために典型的に基板３片について実施した。
【００４１】
粒子抽出法：液体粒子カウンタ（ＬＰＣ）抽出を用いて、基板が粒子を飛散させる傾向を測定した。使用された試験方法は、ＩＤＥＭＡ微細汚染基準Ｍ９−９８に基づいている。
【００４２】
全ての試験は、クラス１００環境で清浄なフード内で実施した。試験を通して使用した水は１８．２ＭΩ（ＮＡＮＯｐｕｒｅ ＤＩＡＭＯＮＤ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｕｌｔｒａｐｕｒｅ Ｗａｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ（Ｂａｒｎｓｔｅａｄ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ（Ｉｏｗａ、Ｄｕｂｕｑｕｅ）より、部品番号Ｄ１１９０１）を用いて供給）であり、ＥＭＦＬＯＮ ＩＩ、０．２マイクロメートルアブソリュートフィルタ（Ｐａｌｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｅａｓｔ Ｈｉｌｌｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）より、部品番号ＤＦＡ４００１Ｖ００２ＰＶ）で濾過した。
【００４３】
試験装置は、超音波溶液槽（Ｃｒｅｓｔ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔｒｅｎｔｏｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より、部品番号６ＨＴ−１０１４−６Ｔ）内に固定された６００ｍＬビーカー（ＶＷＲ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，ＬＬＣ（Ｗｅｓｔ Ｃｈｅｓｔｅｒ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）からなっていた。溶液槽への超音波は、発電機（Ｃｒｅｓｔ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔｒｅｎｔｏｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より、部品番号６ＨＴ−１０１４−６Ｗ）によって供給した。試験を実施する基板は、２８ゲージのはんだ用ポリウレタン固定子ワイヤー（ＭＷＳ Ｗｉｒｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｗｅｓｔｌａｋｅ Ｖｉｌｌａｇｅ、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）より、部品番号２８ ＳＰＮ−１５５ ＲＥＤ）を用いてビーカー内に吊り下げて、ワイヤーと基板のいずれもビーカーに接触しないようにした。水中の粒子濃度は、８１０３シリンジサンプリングシステム（Ｈａｃｈ Ｕｌｔｒａ Ａｎａｌｙｔｉｃｓ（Ｇｒａｎｔｓ Ｐａｓｓ、Ｏｒｅｇｏｎ）より）を用いて測定した。
【００４４】
試験のため、ビーカーを５００ｍＬの水で満たした。流体中の固定子ワイヤーと共に、ビーカーは、３．８Ｌ（１ガロン）当たり４０ワットで６８ｋＨｚ超音波処置に３０秒間さらした。流体中の粒子濃度は、１０ｍＬ試料を２回取って測定した。これらの結果の平均は、ブランクに使用した。次いで試験を実施する基板は、ビーカーの水の中に完全に浸し、前述と同一の超音波条件にさらした。次いで流体中の粒子濃度を、前述と同一の方法を用いて再び測定した。基材の表面積当たりの生成された粒子数は、以下のように計算した。
【００４５】
粒子数＝［（試験試料の粒子数−ブランク粒子数）＊５００ｍＬ］／［基板の表面積］
基板の各試験片について、前述の手順を３回繰り返した。以下に示す結果は、３回目の抽出についてである。
【００４６】
実施例１
コポリマーは、２５ｇのＨＦＰＯＭＡ、１０ｇのＢＡ（Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ、Ｗｉｓｃｏｎｓｉｎ）より）、１０ｇのＡ１７４（Ｕｎｉｔｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（Ｂｒｉｓｔｏｌ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より）、５ｇのＭＰＴＳ（Ｕｎｉｔｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．より）及び２５０ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ（エトキシ−ノナフルオロブタン（Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５）（３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓｔ．Ｐａｕｌ、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ）より）を、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、１ｇのＬＵＰＥＲＯＸ ２６Ｍ５０反応開始剤（ｔｅｒｔ−ブチルぺルオキシ−２−エチルヘキサノエート、５０％固形物、Ａｒｋｅｍａ，Ｉｎｃ．（Ｐｈｉｌａｄｅｌｐｈｉａ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％ポリマーに希釈した。このポリマー溶液に、ＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬ（ペルフルオロポリアルキルエーテルカルボン酸、Ｅ．Ｉ．ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ＆ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｄｅｅｐｗａｔｅｒ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より）を２％のポリマー濃度で、すなわち溶液全体の約０．２％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００４７】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム試験片上の塗膜の硬化９５％を示した。これらの塗膜のＬＰＣ抽出結果を表１に示す。
【００４８】
実施例２
コポリマーは、３０ｇのＨＦＰＯＭＡ、５ｇのＢＡ、１０ｇのＡ１７４、５ｇのＭＰＴＳ及び２５０ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄを、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、１ｇのＬＵＰＥＲＯＸ ２６Ｍ５０反応開始剤をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％ポリマーに希釈した。ポリマー溶液にＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬを２％のポリマー濃度、溶液全体の約０．２％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００４９】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、塗膜の硬化８６％を示した。これらの塗膜のＬＰＣ抽出結果を表１に示す。
【００５０】
比較例１
コポリマーは、３５ｇのＨＦＰＯＭＡ、１０ｇのＡ１７４、５ｇのＭＰＴＳ及び２５０ｇの３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄを、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、１ｇのＬＵＰＥＲＯＸ ２６Ｍ５０反応開始剤をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１８時間加熱した。この溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％ポリマーに希釈した。ポリマー溶液にＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬを２％のポリマー濃度で、すなわち溶液全体の約０．２％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００５１】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、塗膜の硬化１００％を示した。これらの塗膜のＬＰＣ抽出結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】
表１のデータ分析は、実施例１及び実施例２が、粒子抑制において、比較例１より統計的に大幅に改善していることを示した。
【００５４】
実施例３
コポリマーは、１５ｇのＦＢＳＥＡ、２６ｇのＢＡ、４．５ｇのＡ１７４、１．５ｇのＭＰＴＳ、３．０ｇのＣＮ９７３Ｊ７５（Ｓａｒｔｏｍｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．（Ｅｘｔｏｎ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）、１００ｇの３Ｍ（商標）のＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ）及び１００ｇのエチルアセテート（ＥＭＤ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．（Ｇｉｂｂｓｔｏｗｎ、Ｎｅｗ Ｊｅｒｓｅｙ）より、製品番ＥＸ０２４１）を、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、０．５ｇのＶＡＺＯ ６７（ＤｕＰｏｎｔより）をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１６時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ及びエチルアセテートの５０／５０質量ブレンドで、１０％ポリマーに希釈した。ポリマー溶液に、ＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬを３％のポリマー濃度で、すなわち溶液全体の約０．３％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００５５】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法２で清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化７９％及びステンレス鋼上で硬化８８％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表２に示す。
【００５６】
実施例４
コポリマーは、１２ｇのＦＢＳＥＡ、２６ｇのＢＡ、４．５ｇのＡ１７４、１．５ｇのＭＰＴＳ、６．０ｇのＣＮ９７３Ｊ７５、１００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ及び１００ｇのエチルアセテートを、混合器を備えたフラスコに入れて調製した。溶液は、窒素で５分間パージした。これに続いて、０．５ｇのＶＡＺＯ ６７をフラスコに入れた。溶液は、窒素下で攪拌し、６５℃に１６時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ及びエチルアセテートの５０／５０質量ブレンドで、１０％ポリマーに希釈した。ポリマー溶液に、ＫＲＹＴＯＸ １５７ ＦＳＬを３％のポリマー濃度で、すなわち溶液全体の約０．３％で添加して、触媒作用を起こさせた。
【００５７】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法２で清浄した。次いでこれらの試験片を、２．５４ｍｍ／秒（６ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。２段階硬化を用いて、第１硬化は８５℃で１時間実施し、第２硬化は１５０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化７８％及びステンレス鋼上で硬化９２％であることを示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表２に示す。
【００５８】
【表２】
【００５９】
実施例５
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ（Ｈｅｙｓｈａｍ、Ｌａｎｃａｓｈｉｒｅ ＬＡ３ ２ＸＹ、英国）より）、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６、１００％有効成分）（Ａｔｏｆｉｎａ（Ｐｈｉｌａｄｅｌｐｈｉａ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６０】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１で清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９７％及びステンレス鋼上で硬化１００％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６１】
実施例６
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、２０ｇのＡ１７４、４ｇのＭＰＴＳ、２ｇのメルカプトプロプリオン酸（Ａｌｄｒｉｃｈ（Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ、Ｗｉｓｃｏｎｓｉｎ）より）、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（１００％）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６２】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９３％及びステンレス鋼上で硬化９５％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６３】
実施例７
コポリマーは、５４ｇのＦＢＳＥＡ、２０ｇのＢＡ、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６４】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９５％及びステンレス鋼上で硬化１００％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６５】
実施例８
コポリマーは、５４ｇのＦＢＳＥＭＡ、２０ｇのＢＡ、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）、４５０ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄ及び５０ｇのエチルアセテートをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６６】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化１００％及びステンレス鋼上で硬化１００％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６７】
実施例９
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００６８】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９０％及びステンレス鋼上で硬化９２％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００６９】
実施例１０
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＥＨＡ（Ａｌｄｒｉｃｈより）、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７０】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化１００％及びステンレス鋼上で硬化９７％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００７１】
実施例１１
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＩＯＡ（Ａｌｄｒｉｃｈより）、１８ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、２ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７２】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２及びＳＳ３０４の試験片を清浄方法１で清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒抽出試験は、アルミニウム上で硬化９８％及びステンレス鋼上で硬化１００％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表３に示す。
【００７３】
【表３】
【００７４】
比較例２
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＭＭＡ（Ｒｏｈｍ ａｎｄ Ｈａｓｓ（Ｐｈｉｌａｄｅｌｐｈｉａ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）より）、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７５】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒の抽出試験は硬化９８％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００７６】
比較例３
コポリマーは、５４ｇのＦＢＳＥＡ、２０ｇのＭＭＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００（商標）Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７７】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒の抽出試験は、硬化９４％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００７８】
実施例１２
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０％質量ポリマーに希釈した。
【００７９】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。
【００８０】
溶媒の抽出試験は、硬化８６％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００８１】
実施例１３
コポリマーは、５４ｇのＦＢＳＥＡ、２０ｇのＢｕＭＡ（Ｌｕｃｉｔｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ（Ｓｏｕｔｈａｍｐｔｏｎ ＳＯ１４ ３ＢＰ、英国）より）、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００８２】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。
【００８３】
溶媒の抽出試験は、硬化８９％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００８４】
実施例１４
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢｕＭＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００８５】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１２０℃で１時間実施した。溶媒の抽出試験は、硬化８９％を示した。この塗膜のＬＰＣ抽出試験を表４に示す。
【００８６】
【表４】
【００８７】
比較例４
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢｕＭＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００８８】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。塗膜した試験片は、１２０℃で１時間加熱した。溶媒の抽出試験は、硬化０％を示した。
【００８９】
実施例１５
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９．５ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、０．５ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００９０】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。３種類の硬化を実施した。溶媒の抽出データを表５に示す。
【００９１】
実施例１６
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、０．３ｇのＡＡ、１ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液を窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００９２】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。３種類の硬化を実施した。溶媒の抽出データを表５に示す。
【００９３】
【表５】
【００９４】
実施例１７
コポリマーは、５４ｇのＰＦＰＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１９．５ｇのＡ１７４、６ｇのＭＰＴＳ、０．５ｇのＡＡ及び０．２２ｇの重合可能染料ＡＤ−４（米国特許第６，８９４，１０５号（Ｐａｒｅｎｔら）９及び２２段４４行目）、２ｇのｔ−ブチルペルオクトエート（ＬＵＰＥＲＯＸ ２６）及び５００ｇの３Ｍ ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄをフラスコに入れて正の窒素圧下で調製した。溶液は、窒素下で攪拌し、７０℃に１８時間加熱した。溶液は、０．１マイクロメートルナイロンフィルタを通して濾過し、３Ｍ（商標）ＮＯＶＥＣ ７２００ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｆｌｕｉｄで１０質量％ポリマーに希釈した。
【００９５】
Ａｌ５０５２ Ｈ３２の試験片は、清浄方法１によって清浄した。次いでこれらの試験片を、４．６６ｍｍ／秒（１１ｉｎ／分）の引張り速度を用いて前述の方法を使ってポリマー溶液で塗膜した。硬化は、１５０℃で１時間実施した。
【００９６】
溶媒の抽出試験は、硬化９２％を示した。塗膜のＬＰＣ抽出試験を表６に示す。
【００９７】
【表６】
【００９８】
本発明の範囲及び趣旨から逸脱せずに、本発明の様々な変更や改変が当業者に明らかとなるであろう。本発明は、本明細書で述べる例示的な実施形態及び実施例によって不当に限定されるものではないこと、また、そうした実施例及び実施形態は、本明細書で以下に述べる特許請求の範囲によってのみ限定されることを意図する、本発明の範囲の例示のためにのみ提示されることを理解すべきである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の少なくとも一部に塗膜を含む基板であって、前記塗膜は、次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡｗＢｘＣｙＤｚＴ
式中、
Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、
Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、
Ｔは官能末端基又は上記で定義したＸを表わし、
ｗは１〜約２００の整数であり、
ｘは１〜約３００の整数であり、
ｙは１〜約１００の整数であり、
ｚは０〜約３０の整数であり、
式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される、基板。
【請求項２】
Ａが、次式からなる群から選択されるモノマーから誘導したユニットであって、
ＲｆＱＯＣ（＝Ｏ）Ｃ（Ｒ）＝ＣＨ２
式中、Ｒｆは１〜３０個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル又はペルフルオロポリエーテル基であり、Ｑは−（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＳＯ２Ｎ（Ｒ’）−、及び−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｒ”）Ｃ（＝Ｏ）−からなる基から選択される２価結合基であり、Ｒ’は−ＣｎＨ（２ｎ＋１）であり、ｎは１〜６の整数であり、Ｒ”は水素又はＣＨ３である、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
Ｂが、シラン含有アクリルモノマーから誘導したユニットである、請求項１に記載の基板。
【請求項４】
Ｂが、３−トリメトキシランプロピルメタクリレートから誘導したユニットである、請求項３に記載の基板。
【請求項５】
Ｃが、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソオクチルアクリレート、２−（エチル）−ヘキシルアクリレート及びウレタンアクリレートからなる群から選択されるモノマーから誘導したユニットである、請求項１に記載の基板。
【請求項６】
Ｄが、酸性硬化剤から誘導したユニットである、請求項１に記載の基板。
【請求項７】
前記酸性硬化剤が酸性酸を含む、請求項６に記載の基板。
【請求項８】
Ｔが、シラン含有メルカプタンを含むモノマーから誘導したユニットである、請求項１に記載の基板。
【請求項９】
Ｔが、３−メルカプトプロピルトリメトキシランから誘導したユニットである、請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
前記コポリマーの数平均分子量（Ｍｗ）が約５００〜約５０，０００である、請求項１に記載の基板。
【請求項１１】
ｚ：（ｘ＋１）の比率が０〜約０．３未満である、請求項１に記載の基板。
【請求項１２】
ｙ：ｗの比率が０を超えて７未満である、請求項１に記載の基板。
【請求項１３】
（ｗ＋ｙ）：ｘの比率が１を超えて２０未満である、請求項１に記載の基板。
【請求項１４】
前記基板が、ディスク上にコンピュータデータを磁気的に保存するために、ディスク表面に関連する少なくとも１つのヘッドを含むハードディスクドライブアセンブリである、請求項１に記載の基板。
【請求項１５】
前記コポリマーが、１つ以上の（メタ）アクリレート官能性染料から誘導したユニットを更に含む、請求項１に記載の基板。
【請求項１６】
粒子汚染を低減する方法であって、
ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つを提供する工程と、
ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つのアセンブリの少なくとも一部に塗膜を塗布する工程と、
を含み、
前記塗膜が次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡａＢｂＣｃＤｄＴｅ
式中、
Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、
Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、
Ｔは官能末端基又は上記で定義したＸを表わし、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１であって、０．２０≦ａ≦０．９０、０．０５≦ｂ≦０．２５、０．０５≦ｃ≦０．６５、０．０００５≦ｄ≦０．０３及び０．００２５≦ｅ≦０．２０であり、
式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはそれぞれＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＴの重量％であり、
式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される、方法。
【請求項１７】
０．４０≦ａ≦０．８０及び０．０５≦ｃ≦０．２５である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ハードディスクアセンブリが、スペーサ、ディスククランプ、ｅ−ブロック、カバープレート、ベースプレート、マイクロアクチュエータ、スライダ、ボイスコイル又はボイスコイルプレートから選択される、少なくとも１つの構成要素を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記コポリマーが、１つ以上の（メタ）アクリレート官能性染料から誘導したユニットを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１】
基板上の少なくとも一部に塗膜を含む基板であって、前記塗膜は、次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡｗＢｘＣｙＤｚＴ
式中、
Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、
Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、
Ｔは官能末端基又は上記で定義したＸを表わし、
ｗは１〜約２００の整数であり、
ｘは１〜約３００の整数であり、
ｙは１〜約１００の整数であり、
ｚは０〜約３０の整数であり、
式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される、基板。
【請求項２】
Ａが、次式からなる群から選択されるモノマーから誘導したユニットであって、
ＲｆＱＯＣ（＝Ｏ）Ｃ（Ｒ）＝ＣＨ２
式中、Ｒｆは１〜３０個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル又はペルフルオロポリエーテル基であり、Ｑは−（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎ−ＳＯ２Ｎ（Ｒ’）−、及び−（ＣＨ２）ｎＮ（Ｒ”）Ｃ（＝Ｏ）−からなる基から選択される２価結合基であり、Ｒ’は−ＣｎＨ（２ｎ＋１）であり、ｎは１〜６の整数であり、Ｒ”は水素又はＣＨ３である、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
Ｂが、シラン含有アクリルモノマーから誘導したユニットである、請求項１に記載の基板。
【請求項４】
Ｂが、３−トリメトキシランプロピルメタクリレートから誘導したユニットである、請求項３に記載の基板。
【請求項５】
Ｃが、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソオクチルアクリレート、２−（エチル）−ヘキシルアクリレート及びウレタンアクリレートからなる群から選択されるモノマーから誘導したユニットである、請求項１に記載の基板。
【請求項６】
Ｄが、酸性硬化剤から誘導したユニットである、請求項１に記載の基板。
【請求項７】
前記酸性硬化剤が酸性酸を含む、請求項６に記載の基板。
【請求項８】
Ｔが、シラン含有メルカプタンを含むモノマーから誘導したユニットである、請求項１に記載の基板。
【請求項９】
Ｔが、３−メルカプトプロピルトリメトキシランから誘導したユニットである、請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
前記コポリマーの数平均分子量（Ｍｗ）が約５００〜約５０，０００である、請求項１に記載の基板。
【請求項１１】
ｚ：（ｘ＋１）の比率が０〜約０．３未満である、請求項１に記載の基板。
【請求項１２】
ｙ：ｗの比率が０を超えて７未満である、請求項１に記載の基板。
【請求項１３】
（ｗ＋ｙ）：ｘの比率が１を超えて２０未満である、請求項１に記載の基板。
【請求項１４】
前記基板が、ディスク上にコンピュータデータを磁気的に保存するために、ディスク表面に関連する少なくとも１つのヘッドを含むハードディスクドライブアセンブリである、請求項１に記載の基板。
【請求項１５】
前記コポリマーが、１つ以上の（メタ）アクリレート官能性染料から誘導したユニットを更に含む、請求項１に記載の基板。
【請求項１６】
粒子汚染を低減する方法であって、
ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つを提供する工程と、
ハードディスクドライブアセンブリ、ＭＥＭＳデバイス、エレクトロニクス用プロセス機器、又はプリント回路カードアセンブリのうちの少なくとも１つのアセンブリの少なくとも一部に塗膜を塗布する工程と、
を含み、
前記塗膜が次の一般式を有するフッ素化アクリレートランダムコポリマーを含み、
ＸＡａＢｂＣｃＤｄＴｅ
式中、
Ｘは反応開始剤の残渣又は水素であり、
Ａは１つ以上の２価のフルオロケミカルアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｂは官能基を持つ１つ以上の２価のアクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｃは炭化水素基を持つ１つ以上の２価の非フッ素化アクリレートモノマーから誘導したユニットを表わし、
Ｄは１つ以上の硬化剤から誘導したユニットを表わし、
Ｔは官能末端基又は上記で定義したＸを表わし、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１であって、０．２０≦ａ≦０．９０、０．０５≦ｂ≦０．２５、０．０５≦ｃ≦０．６５、０．０００５≦ｄ≦０．０３及び０．００２５≦ｅ≦０．２０であり、
式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはそれぞれＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＴの重量％であり、
式中、Ｃはホモポリマーが２０℃以下のガラス転移温度を有するモノマーからなる群から選択される、方法。
【請求項１７】
０．４０≦ａ≦０．８０及び０．０５≦ｃ≦０．２５である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ハードディスクアセンブリが、スペーサ、ディスククランプ、ｅ−ブロック、カバープレート、ベースプレート、マイクロアクチュエータ、スライダ、ボイスコイル又はボイスコイルプレートから選択される、少なくとも１つの構成要素を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記コポリマーが、１つ以上の（メタ）アクリレート官能性染料から誘導したユニットを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【公表番号】特表２０１１−５１０８０２（Ｐ２０１１−５１０８０２Ａ）
【公表日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５３９５９０（Ｐ２０１０−５３９５９０）
【出願日】平成２０年１２月３日（２００８．１２．３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００８／０８５２９０
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０８２５９９
【国際公開日】平成２１年７月２日（２００９．７．２）
【出願人】（５０５００５０４９）スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー (2,080)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１２月３日（２００８．１２．３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００８／０８５２９０
【国際公開番号】ＷＯ２００９／０８２５９９
【国際公開日】平成２１年７月２日（２００９．７．２）
【出願人】（５０５００５０４９）スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー (2,080)
【Ｆターム（参考）】
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