説明

有機エレクトロルミネッセンス素子

【課題】 発光効率がより向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】 少なくとも陽極11、ホスト材料14a中に燐光発光材料14bが含まれる有機発光層14、正孔ブロッキング層15および陰極17を有しており、正孔ブロッキング層15を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位が、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位以上である有機エレクトロルミネッセンス素子10により上記課題を解決する。陽極11と有機発光層14との間には、正孔注入層12および正孔輸送層13を有するとともに、陰極17と正孔ブロッキング層15との間には、電子輸送層16を有することが好ましい。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、表示パネル等に設けられる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【0002】
ディスプレイ等の表示装置に用いられる表示パネルに設けられる素子として、有機エレクトロルミネッセンス素子が開発されている。この有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極とに挟まれた有機発光層を有するものである。有機発光層においては、陽極から注入される正孔(ホール)と陰極から注入される電子とが再結合し、有機分子を励起して発光するようになっている。
【0003】
こうした有機エレクトロルミネッセンス素子として、例えば、特許文献1に示すように、陽極、有機化合物からなる発光層、有機化合物からなる電子輸送層及び陰極が積層されおり、発光層は燐光材料を含み、発光層と電子輸送層との間に有機化合物からなる正孔ブロッキング層を積層した構成が知られている。この有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光の高効率化および当該素子の高寿命化を図るものである。
【特許文献1】特開2001−284056
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
このような有機発光層に燐光材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光効率のさらなる向上が望まれている。
【0005】
そこで、本願は、発光効率がより向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを課題の一例とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記の課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、少なくとも陽極、ホスト材料中に燐光発光材料が含まれる有機発光層、正孔ブロッキング層および陰極を有しており、前記正孔ブロッキング層を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位が、前記燐光発光材料の最低励起三重項エネルギー準位以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
本件発明者らは、有機発光層に含まれる燐光発光材料、および、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔ブロッキング層を構成する材料について、それぞれの最低励起三重項エネルギー準位に着目し、本願に至った。
【0008】
以下に、図面を参照して、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子について具体的に説明する。
【0009】
なお、図1は、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の積層構造を示す断面図であり、図2は、燐光発光材料および正孔ブロッキング層の材料のエネルギー準位を説明する図である。
【0010】
図1に示すように、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子10は、少なくとも陽極11、燐光発光材料14bが含まれる有機発光層14、正孔ブロッキング層15および陰極17を有しており、正孔ブロッキング層15を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位が、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位以上であることを特徴とする。
【0011】
まず、本願の特徴点であるエネルギー準位について、図2を参照して説明する。
【0012】
図2において、左側には有機発光層14に含まれる燐光発光材料14bのエネルギー準位を、右側には正孔ブロッキング層15を構成する材料のエネルギー準位を示す。
【0013】
具体的に、各材料の基底状態のレベルをSで示し、燐光発光材料14bの励起状態(一重項エネルギー準位)のレベルをSで示す。また、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位のレベルをTで示し、正孔ブロッキング層15の最低励起三重項エネルギー準位のレベルをTaおよびTbで示す。なお、以下において、最低励起三重項エネルギー準位を、単にTレベルともいう。
【0014】
燐光発光材料14bは、基底状態Sから励起状態Sの最もエネルギーレベルの高い位置に遷移する。さらに、燐光発光材料14bは、上述のSの最もエネルギーレベルの高い位置からSのエネルギーレベルの低い位置に遷移し、さらに、エネルギーレベルの低い最低三重項エネルギー準位Tに遷移する。
【0015】
本願において、正孔ブロッキング層15の材料の最低励起三重項エネルギー準位は、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位T以上であるTbで示される。すなわち、正孔ブロッキング層15材料の最低励起三重項エネルギー準位Tbが、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位Tと同等であるか、または、それ以上であることにより、燐光発光材料14bは、TからTbへエネルギー移動する確率が低くなると考えられる(図2×印参照)。そのため、燐光発光材料14bは、Tレベルから基底状態Sレベルに遷移し、燐光を放出する確率が高くなる。
【0016】
ここで、正孔ブロッキング層15を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位Tbは、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位Tよりも高くなる程、燐光を放出する確率が高くなる。
【0017】
正孔ブロッキング層15を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位Tbは、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位Tよりも高ければ、その差は特に限定されないが、0.1eV以上高いことが好ましい。また、正孔ブロッキング層15を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位Tbと、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位Tとの差の上限値は、特に限定されないが、例えば、3.0eV程度である。
【0018】
一方、正孔ブロッキング層15の材料の最低励起三重項エネルギー準位Taが、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位Tよりも低い場合(図2:比較)には、燐光発光材料14bは、TレベルからTaレベルへエネルギー移動する確率が高いと考えられる。そのため、燐光発光材料14bは、TレベルからTaレベルに遷移した後、熱エネルギーを放出することにより基底状態Sに遷移する確率が高く、燐光を発光せずに失活する。したがって、このような正孔ブロッキング層15の材料を用いた場合には、燐光発光材料14bが発光に寄与せず、発光効率が低下する。
【0019】
このように、本願の有機エレクトロルミネッセンス素子10によれば、燐光発光材料14bがエネルギー遷移するときのエネルギーの無駄がなく、燐光発光材料14bが燐光放出しやすくなるため、発光効率を高めることができる。
【0020】
次いで、本願の有機エレクトロルミネッセンス素子10の各層について説明する。
【0021】
本願の有機エレクトロルミネッセンス素子10は、上述の陽極11、有機発光層14、正孔ブロッキング層15および陰極17を必須の構成とするが、図1に示すように、他の層が設けられていてもよい。具体的に、有機エレクトロルミネッセンス素子10の陽極11と有機発光層14との間には、正孔注入層12および正孔輸送層13を有するとともに、陰極17と正孔ブロッキング層15との間には、電子輸送層16を有することが好ましい。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子10は、正孔注入層12、正孔輸送層13または電子輸送層16のいずれかを有していてもよい。
【0022】
陽極11の材料は、特に限定されないが、大きな仕事関数を持つものが好適に用いられ、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、銀、イリジウム、白金、金等の金属及びそれらの合金、酸化スズ、酸化インジウム、ITO(Indium Tin Oxide)、ATO(Antimony Tin Oxide)、AZO(Aluminium Zinc Oxide)等の金属酸化物、セレン、テルル、ヨウ化銅、カーボンブラック、さらにポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレン等の導電性高分子等の電極が用いられる。陽極11は、必要があれば二層以上の層構成により形成することができる。陽極11は、陽極11側を有機エレクトロルミネッセンス素子10の表示面とする場合には、有機発光層14の光を外に取り出せるように、透明の材料が用いられることが好ましい。
【0023】
正孔注入層12の材料としては、陽極11から効率よく正孔が注入され、正孔を輸送する能力を持ち、正孔輸送層13に対して優れた正孔注入効果を有し、かつ薄膜形成可能な化合物が好ましい。
【0024】
正孔注入層12の材料は、特に限定されないが、CuPc等が挙げられる。
【0025】
正孔輸送層13の材料としては、正孔注入層12から効率よく正孔が注入され、正孔を輸送する能力を持ち、有機発光層14または有機発光層14中の有機材料に対して優れた正孔注入効果を有し、かつ薄膜形成可能な化合物が好ましい。
【0026】
正孔輸送層13の材料は、特に限定されないが、例えば、α−NPB、PVK(poly(N-vinyl carbazole))、トリフェニルアミン誘導体TPAC(1,1-Bis[4-[N,N-di(p-tolyl)amino]phenyl]cyclohexane)、STB、PDA、ジアミン誘導体TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-(3-methylphenyl))、CuPc(Phthalocyanine Copper)、MTDATA等が具体的に挙げられ、アミン系材料、ヒドラゾン系材料、スチルベン系材料、スターバースト系材料等が挙げられる。
【0027】
有機発光層14の材料としては、薄膜形成能に優れ、薄膜状態において陽極11、陰極17、正孔輸送層13または電子輸送層16から注入された正孔と電子を有機発光層14中で効率よく再結合させて、その時に発生するエネルギーによって励起することができ、励起状態から基底状態に戻る際のエネルギー放出である発光強度の高い材料が用いられる。
【0028】
有機発光層14の材料は、ホスト材料14aとゲスト材料である燐光発光材料14bとからなり、このうち燐光発光材料14bは、上述の最低励起三重項エネルギー準位の条件を満たすものが用いられる。例えば、ホスト材料14aとしては、CBP、PVK(poly(N-vinyl carbazole))、TCPB等が用いられる。また、燐光発光材料14bとしては、Ir(ppy)、Ir(btp)(acac)、Flrpic、PtOEP、Pt(thpy)、Eu(DBM)phen、Eu(TTA)phen等が挙げられる。
【0029】
正孔ブロッキング層15の材料としては、陽極11から注入された正孔が有機発光層14よりも陰極側に移動することを防止でき、上述の最低励起三重項エネルギー準位Tの条件を満たすものが用いられる。
【0030】
また、正孔ブロッキング層15の材料は、ガラス転移温度Tgが100℃以上であることが好ましい。正孔ブロッキング層15の材料のTgが100℃以上であることにより、正孔ブロッキング層15の熱的安定性が向上する。その結果、有機エレクトロルミネッセンス素子10自体の熱的安定性も向上し、通常の温度条件下では、不都合なく使用できるものとなる。
【0031】
また、正孔ブロッキング層15の材料は、放出する蛍光の波長が500nm未満であることが好ましい。
【0032】
電子輸送層16の材料としては、電子を輸送する能力を持ち、上述の有機発光層14に対して優れた電子注入効果を有し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が用いられる。
【0033】
電子輸送層16の材料は、特に限定されないが、例えば、オキサジアゾール誘導体PBD(2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)、1,2,4-トリアゾール誘導体TAZ、OXD、Alq、TPOB、BND(2,5-Bis(1-naphthyl)-1,3,4-oxadiazole)、Bath、亜鉛ベンゾチアゾール錯体Zn(BTZ)、シロール誘導体、オキサジアゾール系の電子輸送材料、スターバースト構造を持つ電子輸送材料、等が挙げられる。
【0034】
正孔注入層12、正孔輸送層13、有機発光層14、正孔ブロッキング層15、電子輸送層16の各層では、正孔または電子が効率よく陽極11または陰極17から注入され、層中で輸送されるよう、正孔注入材料、正孔輸送材料、有機発光材料、正孔ブロッキング材料または電子輸送材料を同一層中に二種類以上混合して使用することもできる。また、正孔輸送層13に電子受容物質を、電子輸送層16に電子供与性物質を添加して増感させることもできる。さらに、正孔注入層12、正孔輸送層13、有機発光層14、正孔ブロッキング層15、電子輸送層16の各層は、それぞれ二層以上の層構成により形成することもできる。
【0035】
また、正孔注入層12、正孔輸送層13、有機発光層14、正孔ブロッキング層15、電子輸送層16の各層は、いずれも有機材料からなる。これらの有機材料からなる各層のうち、上述のように有機発光層14および正孔ブロッキング層15を必須の層として、他の層を適宜選択して設けることができる。有機材料からなる層は、その他に、電子注入層、LiF層等の層が設けられていてもよい。
【0036】
陰極17の材料は、特に限定されないが、効率よく電子注入を行うため、小さな仕事関数を持つものが好適に用いられる。陰極17の材料は、通常、有機ELの陰極として用いられる公知の材料、例えば、Li、Mg、Al、Ca、LiF、Li−Al、Mg−In、Mg−Ag、ITO、等が使用される。
【0037】
なお、有機エレクトロルミネッセンス素子10を構成する各層の層厚は、特に限定されず、必要に応じて適宜設定される。
【0038】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子10を構成する各層の形成方法は、特に限定されず、印刷、塗布、CVD、スパッタリング、電子ビーム、イオンプレーティング、蒸着、等の従来公知の方法から適宜選択される。
【0039】
以上説明した本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子10は、陽極11または陰極17が、図示しない基材上に設けられて、ディスプレイ等の表示装置に備えられるパネルとすることができる。
【0040】
この基材は、通常、長方形形状で平坦なガラスまたは透明樹脂が用いられる。このガラスまたは透明樹脂は、通常、有機エレクトロルミネッセンスパネルの基材として用いられているものが用いられ、材料は限定されない。ガラスとしては、例えば、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英、等が挙げられる。透明樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、メタクリル酸メチル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート、ポリサルフォン、ポリエ−テルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェノキシエーテル、ポリアリレート、フッ素樹脂、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、TAC(三酢酸セルロース)、等が挙げられる。
【0041】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子10には、有機材料からなる各層12〜16を封止するために、保護層を設けたり、封止缶を設けることができる。
【0042】
以上説明したように、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子10は、少なくとも陽極11、ホスト材料14a中に燐光発光材料14bが含まれる有機発光層14、正孔ブロッキング層15および陰極17を有しており、正孔ブロッキング層15を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位Tが、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位T以上であることを特徴とする。
【0043】
よって、燐光発光材料14bは、その最低励起三重項エネルギー準位Tから正孔ブロッキング層15の材料の最低励起三重項エネルギー準位Tbへエネルギー移動する確率が低くなると考えられ、燐光発光材料14bは、その最低励起三重項エネルギー準位Tから基底状態Sレベルに直接遷移し、燐光を放出する確率が高くなる。その結果、有機エレクトロルミネッセンス素子10の発光効率を高めることができる。
【0044】
上記本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子10においては、正孔ブロッキング層15を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位Tが、燐光発光材料14bの最低励起三重項エネルギー準位Tよりも0.1eV以上高いことが好ましい。
【0045】
上記本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子10においては、陽極11と有機発光層14との間に設けられる正孔注入層12もしくは正孔輸送層13、または、陰極17と正孔ブロッキング層15との間に設けられる電子輸送層16、から選択される少なくともいずれか一層を有することを特徴とする。また、上記本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子10においては、陽極11と有機発光層14との間には、正孔注入層12および正孔輸送層13を有するとともに、陰極17と正孔ブロッキング層15との間には、電子輸送層16を有することを特徴とする。よって、正孔および電子を良好に有機発光層14内に輸送することができ、発光効率を向上させることができる。
【0046】
上記本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子10において、正孔ブロッキング層15の材料は、ガラス転移温度が100℃以上であることを特徴とする。よって、正孔ブロッキング層15および有機エレクトロルミネッセンス素子10の熱的安定性が向上し、通常の温度条件下では不都合なく使用できるものとなる。
【0047】
また、上記本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子10において、正孔ブロッキング層15の材料は、放出する蛍光の波長が500nm未満であることを特徴とする。
【実施例】
【0048】
(実施例1)
基材である(ガラス)上に、陽極11として透明電極ITOをスパッタ法により110nmの厚さで形成した。その上に、正孔注入層12としてCuPcを真空蒸着により20nmの厚さで形成した。さらに、正孔輸送層13としてα−NPBを真空蒸着により、20nmの厚さで形成した。さらに、有機発光層14として燐光発光材料14bであるIr(ppy)を含んだホスト材料14aであるCBPを真空蒸着により30nmの厚さで形成した。さらに、正孔ブロッキング層15としてサンプルAを真空蒸着の方法により10nmの厚さで形成した。その上に、電子輸送層16としてAlqを真空蒸着により40nmの厚さで形成した。その上に、電子注入層としてLiFを、陰極17としてAlを真空蒸着により形成した。このように各層を順次積層し、実施例1の有機エレクトロルミネッセンス素子10を作製した。
【0049】
サンプルAのTレベルは、ゲスト材料14aであるIr(ppy)のTレベルよりも高かった。
【0050】
(実施例2、3)
正孔ブロッキング層15の材料としてサンプルBを用いた他は、実施例1と同様にして実施例2の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。また、正孔ブロッキング層15の材料としてサンプルCを用いた他は、実施例1と同様にして実施例3の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【0051】
サンプルBおよびサンプルCのTレベルは、ゲスト材料14aであるIr(ppy)のTレベルよりも高かった。
【0052】
(比較例)
正孔ブロッキング層15としてBAlqを用いた他は、実施例1と同様にして比較例の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。BAlqのTレベルは、ゲスト材料14aであるIr(ppy)のTレベルよりも低かった。
【0053】
(評価結果)
実施例1〜3および比較例の有機エレクトロルミネッセンス素子の評価結果を表1に示す。各有機エレクトロルミネッセンス素子について、輝度、電圧を測定し、外部量子効率、発光効率1(単位:cd/A)、発光効率2(単位:lm/W)を算出した。各測定は、25mA/cmのDC定電流駆動時に行われた。
【0054】
輝度は、SR−1(トプコン社製)の装置を用いて測定した。
【0055】
電圧は、ソースメジャーユニット(ケースレー社製)の装置を用いて測定した。
【0056】
なお、燐光発光材料および正孔ブロッキング層の材料について、Tレベルの測定は、蛍光寿命測定装置(浜松ホトニクス社製)を用いて、材料を30K程度まで冷却して測定した。
【0057】
【表1】

表1に示されるように、正孔ブロッキング層15の材料のTレベルが、燐光発光材料14aのTレベルよりも高い実施例においては、外部量子効率および発光効率が比較例におけるそれよりも高いものであった。
【図面の簡単な説明】
【0058】
【図1】本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス素子の積層構造を示す断面図である。
【図2】燐光発光材料および正孔ブロッキング層の材料のエネルギー準位を説明する図である。
【符号の説明】
【0059】
10…有機エレクトロルミネッセンス素子
11…陽極
12…正孔注入層
13…正孔輸送層
14…有機発光層
14a…有機発光層のホスト材料
14b…有機発光層のゲスト材料(燐光発光材料)
15…正孔ブロッキング層
16…電子輸送層
17…陰極

【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも陽極、ホスト材料中に燐光発光材料が含まれる有機発光層、正孔ブロッキング層および陰極を有しており、
前記正孔ブロッキング層を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位が、前記燐光発光材料の最低励起三重項エネルギー準位以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項2】
前記正孔ブロッキング層を構成する材料の最低励起三重項エネルギー準位が、前記燐光発光材料の最低励起三重項エネルギー準位よりも0.1eV以上高いことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項3】
前記陽極と前記有機発光層との間に設けられる正孔注入層もしくは正孔輸送層、または、前記陰極と前記正孔ブロッキング層との間に設けられる電子輸送層、から選択される少なくともいずれか一層を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項4】
前記陽極と前記有機発光層との間には、正孔注入層および正孔輸送層を有するとともに、前記陰極と前記正孔ブロッキング層との間には、電子輸送層を有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項5】
前記正孔ブロッキング層の材料は、ガラス転移温度が100℃以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項6】
前記正孔ブロッキング層の材料は、放出する蛍光の波長が500nm未満であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

【図1】
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【図2】
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【公開番号】特開2007−266021(P2007−266021A)
【公開日】平成19年10月11日(2007.10.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−169484(P2004−169484)
【出願日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【出願人】(000005016)パイオニア株式会社 (3,620)
【Fターム(参考)】