液晶表示装置及びその製造方法
【課題】画像表示の立ち上がり速度の向上だけでなく、立ち下がり速度の向上を図ることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜２２及び第２配向膜３２、並びに、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０を有する液晶表示素子を備え、少なくとも第１配向膜２２は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、液晶分子４１Ａは、第１配向膜２２によってプレチルトが付与されており、第２配向膜３２の厚さは第１配向膜２２の厚さよりも薄い。
【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜２２及び第２配向膜３２、並びに、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０を有する液晶表示素子を備え、少なくとも第１配向膜２２は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、液晶分子４１Ａは、第１配向膜２２によってプレチルトが付与されており、第２配向膜３２の厚さは第１配向膜２２の厚さよりも薄い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、対向面に配向膜を有する一対の基板の間に液晶層が封止された液晶表示素子を備えた液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶テレビジョン受像機やノート型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置等の表示モニタとして、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が多く用いられている。この液晶ディスプレイは、基板間に挟持された液晶層中に含まれる液晶分子の分子配列（配向）によって様々な表示モード（方式）に分類される。表示モードとして、例えば、電圧をかけない状態で液晶分子がねじれて配向しているＴＮ（Twisted Nematic；ねじれネマティック）モードがよく知られている。ＴＮモードでは、液晶分子は、正の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて大きい性質を有している。このため、液晶分子は、基板面に対して平行な面内において、液晶分子の配向方位を順次回転させつつ、基板面に垂直な方向に整列させた構造となっている。
【０００３】
この一方で、電圧をかけない状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向しているＶＡ（Vertical Alignment）モードに対する注目が高まっている。ＶＡモードでは、液晶分子は、負の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて小さい性質を有しており、ＴＮモードに比べて広視野角を実現できる。
【０００４】
このようなＶＡモードの液晶ディスプレイでは、電圧が印加されると、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子が、負の誘電率異方性により、基板に対して平行方向に倒れるように応答することによって、光を透過させる構成となっている。ところが、基板に対して垂直方向に配向した液晶分子の倒れる方向は任意であるため、電圧印加により液晶分子の配向が乱れ、よって、電圧に対する応答特性を悪化させる要因となっていた。
【０００５】
そこで、電圧印加に応答して液晶分子の倒れる方向を規制する手段として、基板の対向面に所定の構造を有するポリマー層を形成し、液晶分子を基板に対して垂直な方向から特定の方向に傾けて配向させる（所謂プレチルトを付与する）技術が開発されている（例えば、特開２００２−３５７８３０参照）。このような技術により、電圧印加時の液晶分子の倒れる方向を予め定めておくことができ、電圧印加に対する応答特性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３５７８３０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このようなプレチルトを付与する技術により、液晶表示装置における画像表示の立ち上がり速度の向上を図ることはできるが、電圧の印加を中断したときの応答速度の向上を図ることができない。即ち、液晶表示装置における画像表示の立ち下がり速度の向上を図ることはできない。一方、液晶表示装置における表示フレーム数の増加に対処するためには、画像表示の立ち上がり速度の向上だけでなく、立ち下がり速度の向上を図ることが必要とされる。
【０００８】
従って、本開示の目的は、画像表示の立ち上がり速度の向上だけでなく、立ち下がり速度の向上を図ることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る液晶表示装置は、
一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜及び第２配向膜、並びに、
第１配向膜と第２配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、
を有する液晶表示素子を備えており、
少なくとも第１配向膜は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物（便宜上、『配向処理後・化合物』と呼ぶ）を含み、
液晶分子は、第１配向膜によって（即ち、配向処理後・化合物によって）プレチルトが付与されており、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。ここで、『架橋性官能基』とは、架橋構造（橋かけ構造）を形成することが可能な基を意味し、より具体的には、二量化を意味する。また、『重合性官能基』とは、２つ以上の官能基が逐次重合を行うような官能基を意味する。
【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る液晶表示装置は、
一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜及び第２配向膜、並びに、
第１配向膜と第２配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、
を有する液晶表示素子を備えており、
少なくとも第１配向膜は、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物（便宜上、『配向処理後・化合物』と呼ぶ）を含み、
液晶分子は、第１配向膜によって（即ち、配向処理後・化合物によって）プレチルトが付与されており、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。ここで、『感光性官能基』とは、エネルギー線を吸収することが可能な基を意味する。また、エネルギー線として、紫外線、Ｘ線、電子線を挙げることができる。以下においても同様である。
【００１１】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）は、
一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物（便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ）から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋又は重合させて、液晶分子にプレチルトを付与する（即ち、配向処理後・化合物によって液晶分子にプレチルトを付与する）、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。
【００１２】
本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して、あるいは又、加熱することで、高分子化合物（配向処理前・化合物）の側鎖を架橋又は重合させる形態とすることができる。
【００１３】
そして、この場合、液晶分子を一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場を印加しながらエネルギー線を照射することが好ましく、更には、一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されており、画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することがより好ましい。一般に、対向電極を有する基板側にはカラーフィルタが形成されており、このカラーフィルタによってエネルギー線が吸収され、配向膜材料の架橋性官能基又は重合性官能基の反応が生じ難くなる可能性があるが故に、上述したとおり、カラーフィルタが形成されていない画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが一層好ましい。画素電極を有する基板側にカラーフィルタが形成されている場合、対向電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが好ましい。尚、基本的に、プレチルトが付与されるときの液晶分子の方位角（偏角）は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、極角（天頂角）は、電場の強さ、及び、配向膜材料の分子構造によって規定される。後述する本開示の第２の態様〜第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法においても、同様である。
【００１４】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）は、
一対の基板の一方に、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物（便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ）から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する（即ち、配向処理後・化合物によって液晶分子にプレチルトを付与する）、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。
【００１５】
本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して高分子化合物（配向処理前・化合物）の側鎖を変形させる形態とすることができる。
【００１６】
上記の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）は、
一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物（便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ）から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する（即ち、配向処理後・化合物によって液晶分子にプレチルトを付与する）、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。
【００１７】
本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、高分子化合物にエネルギー線として紫外線を照射する形態とすることができる。
【００１８】
本開示の第１の態様に係る液晶表示装置、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法、あるいは、上記の好ましい形態を含む本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法において、第１配向膜の厚さをｔ1、第２配向膜の厚さをｔ2としたとき、
ｔ1−ｔ2≧１０ｎｍ
好ましくは、
ｔ1−ｔ2≧３０ｎｍ
を満足することが望ましい。また、
４０ｎｍ≦ｔ2≦９０ｎｍ
好ましくは、
５０ｎｍ≦ｔ2≦７０ｎｍ
を満足することが望ましい。配向膜の厚さ（膜厚）は、電極上での厚さ（膜厚）である。
【００１９】
また、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る液晶表示装置、本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法、あるいは、本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法において、第１配向膜が形成された基板（第１基板）の法線と液晶分子の成す角度（第１プレチルト角：単位は度）をθ1、第２配向膜が形成された基板（第２基板）の法線と液晶分子の成す角度（第２プレチルト角：単位は度）をθ2としたとき、
θ1＞θ2
好ましくは、
θ1−θ2≧０．５
より好ましくは、
θ1−θ2≧１．０
を満足することが望ましいし、
０≦θ2≦０．５
であることが望ましい。あるいは又、第１配向膜の厚さｔ1、第２配向膜の厚さｔ2のそれぞれの値を、
θ1−θ2≧０．５
より好ましくは、
θ1−θ2≧１．０
を満足し、且つ、
０≦θ2≦０．５
を満足するような値に、各種の試験を行い決定、設定することが望ましい。
【００２０】
また、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る液晶表示装置、本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法、あるいは、本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法においては、第１配向膜を構成する材料と、第２配向膜を構成する材料は同じである構成とすることが好ましい。このように、第１配向膜を構成する材料と第２配向膜を構成する材料とを同じにすることで、第１配向膜の経時変化と第２配向膜の経時変化（例えば、配向膜の物性変化に依存したリーク電流の変化）を等しくすることができ、液晶表示装置の長期信頼性の向上を図ることができる。また、液晶表示装置の製造プロセスの簡素化を図ることができる。
【００２１】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る液晶表示装置あるいは本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示の第１の態様』と呼ぶ場合があるし、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第２の態様に係る液晶表示装置あるいは本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示の第２の態様』と呼ぶ場合があるし、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示の第３の態様』と呼ぶ場合がある。また、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る液晶表示装置を、以下、総称して、単に、『本開示の液晶表示装置』と呼ぶ場合があるし、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様〜第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示の液晶表示装置の製造方法』と呼ぶ場合があるし、本開示の液晶表示装置及び本開示の液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示』と呼ぶ場合がある。
【００２２】
本開示の第１の態様、第２の態様あるいは第３の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）あるいは第１配向膜を構成する化合物（配向処理後・化合物）は、更に、式（１）で表される基を側鎖として有する化合物から成る構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第１Ａの構成、本開示の第２Ａの構成、本開示の第３Ａの構成』と呼ぶ。
【００２３】
−Ｒ１−Ｒ２−Ｒ３ （１）
ここで、Ｒ１は、炭素数１以上の直鎖状又は分岐状の２価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、あるいは又、Ｒ１は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも１種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、Ｒ２は、複数の環構造を含む２価の有機基であり、環構造を構成する原子のうちの１つはＲ１に結合しており、Ｒ３は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体である。
【００２４】
あるいは又、本開示の第１の態様、第２の態様あるいは第３の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）あるいは第１配向膜を構成する化合物（配向処理後・化合物）は、式（２）で表される基を側鎖として有する化合物から成る構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第１Ｂの構成、本開示の第２Ｂの構成、本開示の第３Ｂの構成』と呼ぶ。尚、高分子化合物（配向処理前・化合物）あるいは第１配向膜を構成する化合物（配向処理後・化合物）は、式（２）で表される基だけでなく、上述した式（１）で表される基及び式（２）で表される基を側鎖として有する化合物から成る構成とすることもできる。
【００２５】
−Ｒ１１−Ｒ１２−Ｒ１３−Ｒ１４ （２）
ここで、Ｒ１１は、炭素数１以上、２０以下、好ましくは、炭素数３以上、１２以下の直鎖状又は分岐状の２価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、あるいは又、Ｒ１１は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも１種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、Ｒ１２は、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、キトサン、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ及びオキセタンのうちのいずれか１種の構造を含む２価の基、又は、エチニレン基であり、Ｒ１３は、複数の環構造を含む２価の有機基であり、Ｒ１４は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体である。場合によっては、式（２）を、以下の式（２’）のとおり、変形することができる。即ち、式（２）は式（２’）を包含する。
−Ｒ１１−Ｒ１２−Ｒ１４ （２’）
【００２６】
あるいは又、本開示の第１の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。あるいは又、本開示の第２の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。あるいは又、本開示の第３の態様において、高分子化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋・変形部、及び、架橋・変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第１Ｃの構成、本開示の第２Ｃの構成、本開示の第３Ｃの構成』と呼ぶ。本開示の第１Ｃの構成、本開示の第２Ｃの構成、本開示の第３Ｃの構成にあっては、末端構造部はメソゲン基を有する形態とすることができる。尚、上述した式（１）にあっては、「Ｒ２＋Ｒ３」が末端構造部に該当し、上述した式（２）にあっては、「Ｒ１３＋Ｒ１４」が末端構造部に該当する。
【００２７】
あるいは又、本開示の第１の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第１Ｄの構成』と呼ぶ。更には、本開示の第１Ｄの構成にあっては、主鎖と架橋部とは共有結合によって結合しており、架橋部と末端構造部とは共有結合によって結合している形態とすることができる。あるいは又、本開示の第２の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第２Ｄの構成』と呼ぶ。あるいは又、本開示の第３の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋・変形部、及び、架橋・変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第３Ｄの構成』と呼ぶ。
【００２８】
本開示の第１Ａの構成〜本開示の第１Ｄの構成を含む本開示の第１の態様にあっては、側鎖（より具体的には、架橋部）は光二量化感光基を有する形態とすることができる。
【００２９】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、第１配向膜の表面粗さＲａは１ｎｍ以下である構成とすることができる。ここで、表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に規定されている。
【００３０】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、及び、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
を備えており、
第１配向膜は、第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆い、
第１配向規制部は、第１電極に形成された第１スリット部から成り、
第１スリット部の幅は、２μｍ以上１０μｍ未満であり、
第１スリット部のピッチは、１０μｍ乃至１８０μｍ、好ましくは３０μｍ乃至１８０μｍ、より好ましくは６０μｍ乃至１８０μｍである構成とすることができる。
【００３１】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、及び、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
を備えており、
第２配向膜は、第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆い、
第２配向規制部は、第２電極に形成された第２スリット部から成り、
第２スリット部の幅は、２μｍ以上１０μｍ未満であり、
第２スリット部のピッチは、１０μｍ乃至１８０μｍ、好ましくは３０μｍ乃至１８０μｍ、より好ましくは６０μｍ乃至１８０μｍである構成とすることができる。
【００３２】
あるいは又、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、及び、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
を備えており、
第１配向膜は、第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆い、
第１配向規制部は、基板に設けられた突起から成る構成とすることができる。
【００３３】
あるいは又、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、及び、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
を備えており、
第２配向膜は、第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆い、
第２配向規制部は、基板に設けられた突起から成る構成とすることができる。
【００３４】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、上述したとおり、第２配向膜は、第１配向膜を構成する高分子化合物（配向処理前・化合物）から成り、あるいは又、第１配向膜と同じ組成を有する形態とすることができる。但し、本開示の第１の態様〜第３の態様において規定される高分子化合物（配向処理前・化合物）から構成される限り、第２配向膜は、第１配向膜を構成する高分子化合物（配向処理前・化合物）とは異なる高分子化合物（配向処理前・化合物）から成る構成としてもよい。
【００３５】
以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、主鎖は繰り返し単位中にイミド結合を含む構成とすることができる。また、高分子化合物（配向処理後・化合物）は、液晶分子を一対の基板に対して、即ち、第１基板のみならず、第２基板に対しても、所定の方向に配列させる構造を含む形態とすることができる。更には、一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されている形態、即ち、第１基板を画素電極を有する基板とし、第２基板を対向電極を有する基板とする形態、あるいは又、第２基板を画素電極を有する基板とし、第１基板を対向電極を有する基板とする形態とすることができる。
【発明の効果】
【００３６】
本開示の第１の態様に係る液晶表示装置にあっては、第１配向膜が、即ち、一対の配向膜のうちの少なくとも一方が、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、架橋又は重合した化合物により液晶分子にプレチルトが付与される。このため、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、良好な表示特性が確保される。その上、架橋又は重合した化合物によって液晶分子にプレチルトが付与されているため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して電極間の電界に応じた応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が早くなり、架橋又は重合した化合物を用いずにプレチルトを付与した場合と比較して、良好な表示特性が維持され易くなる。
【００３７】
本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物を含む第１配向膜を形成した後、第１配向膜及び第２配向膜の間に、液晶層を封止する。ここで、液晶層中の液晶分子は、第１配向膜及び第２配向膜により、全体として第１配向膜及び第２配向膜表面に対して所定の方向（例えば、水平方向、垂直方向あるいは斜め方向）に配列した状態となる。次いで、電場を印加しながら、架橋性官能基又は重合性官能基を反応させることにより高分子化合物を架橋又は重合させる。これにより、架橋又は重合した化合物近傍の液晶分子に対してプレチルトを付与することが可能となる。このため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が向上する。しかも、液晶分子が配列した状態で高分子化合物を架橋又は重合させることにより、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。
【００３８】
本開示の第２の態様に係る液晶表示装置にあっては、第１配向膜が、即ち、一対の配向膜のうちの少なくとも一方が、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物を含み、変形した化合物により液晶分子にプレチルトが付与される。このため、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、良好な表示特性が確保され、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して電極間の電界に応じた応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が早くなり、変形した化合物を用いずにプレチルトを付与した場合と比較して、良好な表示特性が維持され易くなる。
【００３９】
本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物を含む第１配向膜を形成した後、第１配向膜及び第２配向膜の間に、液晶層を封止する。ここで、液晶層中の液晶分子は、第１配向膜及び第２配向膜により、全体として第１配向膜及び第２配向膜表面に対して所定の方向（例えば、水平方向、垂直方向あるいは斜め方向）に配列した状態となる。次いで、電場を印加しながら、高分子化合物を変形させる。これにより、変形した化合物近傍の液晶分子に対してプレチルトを付与することが可能となる。このため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が向上する。しかも、液晶分子が配列した状態で高分子化合物を変形させることにより、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。
【００４０】
本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する。即ち、液晶分子が配列した状態で高分子化合物の側鎖を架橋、重合あるいは変形させることにより、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が向上する。しかも、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。
【００４１】
しかも、本開示にあっては、液晶分子は第２配向膜によっても配向されるが、第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。従って、第２配向膜が、その近傍に位置する液晶分子を取り込みあるいは吸着する量は、第１配向膜が、その近傍に位置する液晶分子を取り込みあるいは吸着する量よりも少ない。それ故、第２配向膜によって付与されるプレチルト角が結果として小さくなり、第２配向膜の近傍に位置する液晶分子は、電圧の印加を中断したとき、基板に対して、より一層、早く垂直方向に配向することが可能となる。従って、画像表示の立ち下がり速度の向上を図ることができる。また、液晶分子は、第２配向膜によって、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向されるので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを向上させることができる。更に、第１配向膜の膜厚及び第２配向膜の膜厚を非対称化することにより、イオン性不純物等により引き起こされるフリッカ、保持率、残留ＤＣの最適化も可能となる。即ち、配向膜表面に吸着されると考えられるイオン性の不純物量を第１配向膜及び第２配向膜に対して膜厚を非対称とすることができ、結果として信頼性の改善も図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、本開示の液晶表示装置の模式的な一部断面図である。
【図２】図２は、本開示の液晶表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部の模式図である。
【図４】図４は、液晶分子のプレチルトを説明するための模式図である。
【図５】図５は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】図６は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための配向膜中における高分子化合物（配向処理前・化合物）の状態を表す模式図である。
【図７】図７は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図８】図８は、図７に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図９】図９は、図８に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０は、配向膜中における高分子化合物（配向処理後・化合物）の状態を表す模式図である。
【図１１】図１１は、図１に示した液晶表示装置の回路構成図である。
【図１２】図１２は、オーダーパラメータを説明するための断面模式図である。
【図１３】図１３は、架橋した高分子化合物と液晶分子との関係を説明する概念図である。
【図１４】図１４は、変形した高分子化合物と液晶分子との関係を説明する概念図である。
【図１５】図１５は、図１に示した本開示の液晶表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図１６】図１６は、図２に示した本開示の液晶表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図１７】図１７の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の模式図であり、図１７の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の模式図である。
【図１８】図１８の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の変形例の模式図であり、図１８の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の変形例の模式図である。
【図１９】図１９の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の別の変形例の模式図であり、図１９の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の別の変形例の模式図である。
【図２０】図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）の状態を模式的に示す図である。
【図２１】図２１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１及び比較例１の液晶表示装置において、応答時間（画像表示の立ち上がり時間Ｔon及び立ち下がり時間Ｔoff）を測定した結果を示すグラフである。
【図２２】図２２は、配向膜の膜厚とプレチルト角θの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、図面を参照して、発明の実施の形態、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は発明の実施の形態、実施例に限定されるものではなく、発明の実施の形態、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の液晶表示装置における共通の構成、構造に関する説明
２．発明の実施の形態に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明
３．実施例に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明、その他
【００４４】
［本開示の液晶表示装置（液晶表示素子）における共通の構成、構造に関する説明］
本開示の液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の模式的な一部断面図を、図１に示す。この液晶表示装置は、複数の画素１０（１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・）を有している。そして、この液晶表示装置（液晶表示素子）においては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板２０とＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）基板３０との間に、配向膜２２，３２を介して液晶分子４１を含む液晶層４０が設けられている。この液晶表示装置（液晶表示素子）は、所謂透過型であり、表示モードは垂直配向（ＶＡ）モードである。図１では、駆動電圧が印加されていない非駆動状態を表している。尚、画素１０は、実際には、例えば、赤色の画像を表示する副画素、緑色の画像を表示する副画素、青色の画像を表示する副画素等の副画素から構成されている。
【００４５】
ここで、ＴＦＴ基板２０が第１基板に相当し、ＣＦ基板３０が第２基板に相当する。また、第１基板（ＴＦＴ基板）２０に設けられた画素電極２０Ｂ及び配向膜２２が、第１電極及び第１配向膜に相当し、第２基板（ＣＦ基板）３０に設けられた対向電極３０Ｂ及び配向膜３２が、第２電極及び第２配向膜に相当する。
【００４６】
即ち、この液晶表示装置は、
一対の基板２０，３０の対向面側に設けられた第１配向膜２２及び第２配向膜３２、並びに、
第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０、
を有する液晶表示素子を備えている。
【００４７】
そして、少なくとも第１配向膜（具体的には、第１配向膜２２及び第２配向膜３２）は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、
液晶分子は、第１配向膜２２によってプレチルトが付与されており、更には、第２配向膜３２によってもプレチルトが付与されており、
第２配向膜３２の厚さｔ2は、第１配向膜２２の厚さｔ1よりも薄い。尚、（ｔ1，ｔ2）の関係は、上述したとおりである。
【００４８】
具体的には、第１配向膜２２は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物（配向処理後・化合物）を含む。また、第２配向膜３２も、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物（配向処理後・化合物）を含む。ここで、第１配向膜２２を構成するための高分子化合物と第２配向膜３２を構成するための高分子化合物とは、好ましくは、同じ高分子化合物であるし、第１配向膜２２を構成する配向処理後・化合物と第２配向膜３２を構成する配向処理後・化合物とは、同じ配向処理後・化合物である。そして、液晶分子には、上述したとおり、第１配向膜２２によって（配向処理後・化合物によって）プレチルトが付与され（第１プレチルト角θ1）、且つ、液晶分子は、第２配向膜３２によって（配向処理後・化合物によって）プレチルトが付与される（第２プレチルト角θ2）。尚、以下の説明において、「第２プレチルト角θ2」との表現には０度が含まれる。
【００４９】
より具体的には、この液晶表示装置は、
第１基板（ＴＦＴ基板）２０及び第２基板（ＣＦ基板）３０、
第２基板３０と対向する第１基板２０の対向面に形成された第１電極（画素電極）２０Ｂ、
第１電極（画素電極）２０Ｂに設けられた第１配向規制部２１、
第１電極（画素電極）２０Ｂ、第１配向規制部２１及び第１基板（ＴＦＴ基板）２０の対向面を覆う第１配向膜２２、
第１基板（ＴＦＴ基板）２０と対向する第２基板（ＣＦ基板）３０の対向面に形成された第２電極（対向電極）３０Ｂ、
第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２基板（ＣＦ基板）３０の対向面を覆う第２配向膜３２、並びに、
第１配向膜２２及び第２配向膜３２の間に設けられ、液晶分子４１を含む液晶層４０、
を有する画素１０が、複数、配列されて成る。
【００５０】
ガラス基板から成るＴＦＴ基板２０には、ガラス基板から成るＣＦ基板３０と対向する側の表面に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極２０Ｂが配置されている。更に、複数の画素電極２０Ｂをそれぞれ駆動するゲート・ソース・ドレイン等を備えたＴＦＴスイッチング素子や、これらＴＦＴスイッチング素子に接続されるゲート線及びソース線等（図示せず）が設けられている。画素電極２０Ｂは、画素分離部によって電気的に分離された画素毎に設けられ、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する材料により構成されている。画素電極２０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第１スリット部２１（電極の形成されない部分）が設けられている。尚、１つの画素（副画素）を上方から眺めたときの第１電極（画素電極）２０Ｂ及び第１スリット部２１の配置図を、図３の（Ａ）あるいは図３の（Ｂ）に示す。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第１スリット部２１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第１配向規制部であり、ここでは、この第１スリット部２１によって駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。
【００５１】
ＣＦ基板３０には、ＴＦＴ基板２０との対向面に、有効表示領域のほぼ全面に亙って、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のストライプ状フィルタにより構成されたカラーフィルタ（図示せず）と、対向電極３０Ｂとが配置されている。対向電極３０Ｂは、画素電極２０Ｂと同様に、例えばＩＴＯ等の透明性を有する材料により構成されている。対向電極３０Ｂは、パターニングされていない、所謂ベタ電極である。
【００５２】
第１配向膜２２は、ＴＦＴ基板２０の液晶層４０側の表面に画素電極２０Ｂ及び第１スリット部２１を覆うように設けられている。第２配向膜３２は、ＣＦ基板３０の液晶層４０側の表面に対向電極３０Ｂを覆うように設けられている。第１配向膜２２及び第２配向膜３２は、液晶分子４１の配向を規制するものであり、ここでは、基板から離れて位置する液晶分子４１を基板面に対して垂直方向に配向させると共に、基板近傍の液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）に対してプレチルトを付与する機能を有している。尚、具体的には、第１スリット部２１の幅は５μｍであり、第１スリット部２１のピッチは１１３μｍである。
【００５３】
図１１は、図１に示した液晶表示装置の回路構成を表している。
【００５４】
図１１に示すように、液晶表示装置は、表示領域６０内に設けられた複数の画素１０を有する液晶表示素子を含んで構成されている。この液晶表示装置では、表示領域６０の周囲には、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２を制御するタイミングコントローラ６３と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２に電力を供給する電源回路６４とが設けられている。
【００５５】
表示領域６０は、画像が表示される領域であり、複数の画素１０がマトリックス状に配列されることにより画像を表示可能に構成された領域である。尚、図１１では、複数の画素１０を含む表示領域６０を示しているほか、４つの画素１０に対応する領域を別途拡大して示している。
【００５６】
表示領域６０では、行方向に複数のソース線７１が配列されていると共に、列方向に複数のゲート線７２が配列されており、ソース線７１及びゲート線７２が互いに交差する位置に画素１０がそれぞれ配置されている。各画素１０は、画素電極２０Ｂ及び液晶層４０と共に、トランジスタ１２１及びキャパシタ１２２を含んで構成されている。各トランジスタ１２１では、ソース電極がソース線７１に接続され、ゲート電極がゲート線７２に接続され、ドレイン電極がキャパシタ１２２及び画素電極２０Ｂに接続されている。各ソース線７１は、ソースドライバ６１に接続されており、ソースドライバ６１から画像信号が供給される。各ゲート線７２は、ゲートドライバ６２に接続されており、ゲートドライバ６２から走査信号が順次供給される。
【００５７】
ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２は、複数の画素１０の中から特定の画素１０を選択する。
【００５８】
タイミングコントローラ６３は、例えば、画像信号（例えば、赤、緑、青に対応するＲＧＢの各映像信号）と、ソースドライバ６１の動作を制御するためのソースドライバ制御信号とを、ソースドライバ６１に出力する。また、タイミングコントローラ６３は、例えば、ゲートドライバ６２の動作を制御するためのゲートドライバ制御信号をゲートドライバ６２に出力する。ソースドライバ制御信号として、例えば、水平同期信号、スタートパルス信号あるいはソースドライバ用のクロック信号等が挙げられる。ゲートドライバ制御信号として、例えば、垂直同期信号や、ゲートドライバ用のクロック信号等が挙げられる。
【００５９】
この液晶表示装置では、以下の要領で第１電極（画素電極）２０Ｂと第２電極（対向電極）３０Ｂとの間に駆動電圧を印加することにより、画像が表示される。具体的には、ソースドライバ６１が、タイミングコントローラ６３からのソースドライバ制御信号の入力により、同じくタイミングコントローラ６３から入力された画像信号に基づいて所定のソース線７１に個別の画像信号を供給する。これと共に、ゲートドライバ６２が、タイミングコントローラ６３からのゲートドライバ制御信号の入力により所定のタイミングでゲート線７２に走査信号を順次供給する。これにより、画像信号が供給されたソース線７１と走査信号が供給されたゲート線７２との交差部に位置する画素１０が選択され、画素１０に駆動電圧が印加される。
【００６０】
以下、発明の実施の形態（『実施の形態』と略称する）及び実施例に基づき、本開示を説明する。
【００６１】
［実施の形態１］
実施の形態１は、本開示の第１の態様に係るＶＡモードの液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）、並びに、本開示の第１の態様、第３の態様に係る液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の製造方法に関する。実施の形態１において、第１配向膜及び第２配向膜（配向膜２２，３２）は、側鎖に架橋構造を有する高分子化合物（配向処理後・化合物）の１種あるいは２種以上を含んで構成されている。そして、液晶分子は、架橋又は重合した化合物によってプレチルトが付与される。ここで、配向処理後・化合物は、主鎖及び側鎖を有する高分子化合物（配向処理前・化合物）の１種あるいは２種以上を含む状態で配向膜２２，３２を形成した後、液晶層４０を設け、次いで、高分子化合物を架橋又は重合させることで、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、より具体的には、電場又は磁場を印加しながら側鎖に含まれる架橋性官能基又は重合性官能基を反応させることにより生成される。そして、配向処理後・化合物は、液晶分子を一対の基板（具体的には、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０）に対して所定の方向（具体的には、斜め方向及び例えば垂直方向）に配列させる構造を含んでいる。このように、高分子化合物を架橋又は重合させて、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、配向処理後・化合物が配向膜２２，３２中に含まれることにより、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１に対してプレチルト及び例えば垂直配向を付与できるため、応答速度（画像表示の立ち上がり速度及び画像表示の立ち下がり速度）が早くなり、表示特性が向上する。
【００６２】
ここで、第２配向膜３２の厚さｔ2は、第１配向膜２２の厚さｔ1よりも薄い。従って、第２配向膜３２が、その近傍に位置する液晶分子を取り込みあるいは吸着する量は、第１配向膜２２が、その近傍に位置する液晶分子を取り込みあるいは吸着する量よりも少ない。それ故、第２配向膜３２の近傍に位置する液晶分子は、電圧の印加を中断したとき、基板に対して、より一層、早く垂直方向に配向することが可能となる。従って、画像表示の立ち下がり速度の向上を図ることができる。また、液晶分子は、第２配向膜３２によって、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向されるので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを一層向上させることができる。
【００６３】
配向処理前・化合物は、主鎖として耐熱性が高い構造を含むことが好ましい。これにより、液晶表示装置（液晶表示素子）では、高温環境下に曝されても、配向膜２２，３２中の配向処理後・化合物が液晶分子４１に対する配向規制能を維持するため、応答特性と共にコントラスト等の表示特性が良好に維持され、信頼性が確保される。ここで、主鎖は、繰り返し単位中にイミド結合を含むことが好ましい。主鎖中にイミド結合を含む配向処理前・化合物として、例えば、式（３）で表されるポリイミド構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（３）に示すポリイミド構造を含む高分子化合物は、式（３）に示すポリイミド構造のうちの１種から構成されていてもよいし、複数種がランダムに連結して含まれていてもよいし、式（３）に示す構造の他に、他の構造を含んでいてもよい。
【００６４】
ここで、Ｒ１は４価の有機基であり、Ｒ２は２価の有機基であり、ｎ１は１以上の整数である。
【００６５】
式（３）におけるＲ１及びＲ２は、炭素を含んで構成された４価あるいは２価の基であれば任意であるが、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか一方に、側鎖としての架橋性官能基又は重合性官能基を含んでいることが好ましい。配向処理後・化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。
【００６６】
また、配向処理前・化合物では、側鎖は主鎖に複数結合しており、複数の側鎖のうちの少なくとも１つが架橋性官能基又は重合性官能基を含んでいればよい。即ち、配向処理前・化合物は、架橋性を有する側鎖の他に、架橋性を示さない側鎖を含んでいてもよい。架橋性官能基又は重合性官能基を含む側鎖は、１種であってもよいし、複数種であってもよい。架橋性官能基又は重合性官能基は、液晶層４０を形成した後に架橋反応可能な官能基であれば任意であり、光反応によって架橋構造を形成する基であってもよいし、熱反応によって架橋構造を形成する基であってもよいが、中でも、光反応によって架橋構造を形成する、光反応性の架橋性官能基又は重合性官能基（感光性を有する感光基）が好ましい。液晶分子４１の配向を所定の方向に規制し易く、応答特性が向上すると共に良好な表示特性を有する液晶表示装置（液晶表示素子）の製造を容易にするからである。
【００６７】
光反応性の架橋性官能基（感光性を有する感光基であり、例えば、光二量化感光基）として、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、及び、キトサンのうちのいずれか１種の構造を含む基が挙げられる。これらのうち、カルコン、シンナメートあるいはシンナモイルの構造を含む基として、例えば、式（４１）で表される基が挙げられる。式（４１）に示す基を含む側鎖を有する配向処理前・化合物が架橋すると、例えば、式（４２）に示す構造が形成される。即ち、式（４１）に示す基を含む高分子化合物から生成された配向処理後・化合物は、シクロブタン骨格を有する式（４２）に示す構造を含む。尚、例えば、マレイミドといった光反応性の架橋性官能基は、場合によっては、光二量化反応だけでなく、重合反応も示す。従って、架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物といった表現としている。
【００６８】
ここで、Ｒ３は芳香族環を含む２価の基であり、Ｒ４は１又は２以上の環構造を含む１価の基であり、Ｒ５は水素原子、又は、アルキル基あるいはその誘導体である。
【００６９】
式（４１）におけるＲ３は、ベンゼン環等の芳香族環を含む２価の基であれば任意であり、芳香族環の他に、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合あるいは炭化水素基を含んでいてもよい。また、式（４１）におけるＲ４は、１又は２以上の環構造を含む１価の基であれば任意であり、環構造の他に、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、炭化水素基あるいはハロゲン原子等を含んでいてもよい。Ｒ４が有する環構造として、骨格を構成する元素として炭素を含む環であれば任意であり、その環構造として、例えば、芳香族環、複素環あるいは脂肪族環、又は、それらの連結あるいは縮合した環構造等が挙げられる。式（４１）におけるＲ５は、水素原子、又は、アルキル基あるいはその誘導体であれば任意である。ここで、「誘導体」とは、アルキル基が有する水素原子の一部あるいは全部がハロゲン原子等の置換基により置換された基のことを云う。また、Ｒ５として導入されるアルキル基の炭素数は任意である。Ｒ５として、水素原子あるいはメチル基が好ましい。良好な架橋反応性が得られるからである。
【００７０】
式（４２）におけるＲ３同士は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。このことは、式（４１）におけるＲ４同士及びＲ５同士についても同様である。式（４２）におけるＲ３、Ｒ４及びＲ５として、例えば、上記した式（４１）におけるＲ３、Ｒ４及びＲ５と同様のものが挙げられる。
【００７１】
式（４１）に示した基として、例えば、式（４１−１）〜式（４１−３３）で表される基が挙げられる。但し、式（４１）に示した構造を有する基であれば、式（４１−１）〜式（４１−３３）に示す基に限定されない。
【００７２】
【００７３】
【００７４】
【００７５】
【００７６】
配向処理前・化合物は、液晶分子４１を基板面に対して垂直方向に配向させるための構造（以下、『垂直配向誘起構造部』と呼ぶ）を含んでいることが好ましい。配向膜２２，３２が配向処理後・化合物とは別に垂直配向誘起構造部を有する化合物（所謂、通常の垂直配向剤）を含まなくても、液晶分子４１全体の配向規制が可能になるからである。その上、垂直配向誘起構造部を有する化合物を別に含む場合よりも、液晶層４０に対する配向規制機能をより均一に発揮可能な配向膜２２，３２が形成され易いからである。垂直配向誘起構造部は、配向処理前・化合物においては、主鎖に含まれていてもよいし、側鎖に含まれていてもよいし、双方に含まれていてもよい。また、配向処理前・化合物が上記した式（３）に示したポリイミド構造を含む場合、Ｒ２として垂直配向誘起構造部を含む構造（繰り返し単位）と、Ｒ２として架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造（繰り返し単位）との２種の構造を含んでいることが好ましい。容易に入手可能であるからである。尚、垂直配向誘起構造部は、配向処理前・化合物に含まれていれば、配向処理後・化合物においても含まれる。
【００７７】
垂直配向誘起構造部として、例えば、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のハロゲン化アルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基、炭素数１０以上のハロゲン化アルコキシ基あるいは環構造を含む有機基等が挙げられる。具体的には、垂直配向誘起構造部を含む構造として、例えば、式（５−１）〜式（５−６）で表される構造等が挙げられる。
【００７８】
ここで、Ｙ１は炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む１価の有機基である。また、Ｙ２〜Ｙ１５は水素原子、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む１価の有機基であり、Ｙ２及びＹ３のうちの少なくとも一方、Ｙ４〜Ｙ６のうちの少なくとも１つ、Ｙ７及びＹ８のうちの少なくとも一方、Ｙ９〜Ｙ１２のうちの少なくとも１つ、及び、Ｙ１３〜Ｙ１５のうちの少なくとも１つは、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む１価の有機基である。但し、Ｙ１１及びＹ１２は結合して環構造を形成してもよい。
【００７９】
また、垂直配向誘起構造部としての環構造を含む１価の有機基として、例えば、式（６−１）〜式（６−２３）で表される基等が挙げられる。垂直配向誘起構造部としての環構造を含む２価の有機基として、例えば、式（７−１）〜式（７−７）で表される基等が挙げられる。
【００８０】
ここで、ａ１〜ａ３は０以上、２１以下の整数である。
【００８１】
【００８２】
ここで、ａ１は０以上、２１以下の整数である。
【００８３】
【００８４】
尚、垂直配向誘起構造部は、液晶分子４１を基板面に対して垂直方向に配列させるように機能する構造を含んでいれば、上記した基に限定されない。
【００８５】
また、本開示の第１Ａの構成、第２Ａの構成（後述する実施の形態２を参照）あるいは第３Ａの構成に則って表現すれば、架橋前の高分子化合物（配向処理前・化合物）は、架橋性官能基又は重合性官能基の他に、式（１）で表される基を側鎖として有する化合物から成る。式（１）に示した基は液晶分子４１に対して沿うように動くことができるため、配向処理前・化合物が架橋する際に、式（１）に示した基が液晶分子４１の配向方向に沿った状態で架橋性官能基又は重合性官能基と一緒に固定される。そして、この固定された式（１）に示した基により、液晶分子４１の配向を所定の方向により規制し易くなるため、良好な表示特性を有する液晶表示素子の製造をより容易にすることができる。
【００８６】
−Ｒ１−Ｒ２−Ｒ３ （１）
ここで、Ｒ１は、炭素数１以上の直鎖状又は分岐状の２価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、あるいは又、Ｒ１は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも１種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合している。Ｒ２は、複数の環構造を含む２価の有機基であり、環構造を構成する原子のうちの１つはＲ１に結合している。Ｒ３は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体である。
【００８７】
式（１）中のＲ１は、Ｒ２及びＲ３を主鎖に固定すると共に、長いＲ１を選択すれば液晶分子に対して大きなプレチルトを付与するための、また、短いＲ１を選択すればプレチルト角を容易に一定にするための、スペーサ部分として機能するための部位であり、Ｒ１として、例えば、アルキレン基等が挙げられる。このアルキレン基は、途中の炭素原子間にエーテル結合を有していてもよく、そのエーテル結合を有する箇所は、１箇所でもよいし、２箇所以上でもよい。また、Ｒ１は、カルボニル基又はカーボネート基を有していてもよい。Ｒ１の炭素数は、６以上であることがより好ましい。式（１）に示した基が液晶分子４１と相互作用するため、液晶分子４１に対して沿い易くなるからである。この炭素数は、Ｒ１の長さが液晶分子４１の末端鎖の長さとほぼ同等となるように決定されることが好ましい。
【００８８】
式（１）中のＲ２は、一般的なネマティック液晶分子に含まれる環構造（コア部位）に沿う部分である。Ｒ２として、例えば、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、１，６−ナフタレン基、ステロイド骨格を有する２価の基又はそれらの誘導体等のように、液晶分子に含まれる環構造と同様の基あるいは骨格が挙げられる。ここで、「誘導体」とは、上記した一連の基に１又は２以上の置換基が導入された基である。
【００８９】
式（１）中のＲ３は、液晶分子の末端鎖に沿う部分であり、Ｒ３として、例えば、アルキル基又はハロゲン化アルキル基等が挙げられる。但し、ハロゲン化アルキル基では、アルキル基のうちの少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されていればよく、そのハロゲン原子の種類は任意である。アルキル基又はハロゲン化アルキル基は、途中の炭素原子間にエーテル結合を有していてもよく、そのエーテル結合を有する箇所は、１箇所でもよいし、２箇所以上でもよい。また、Ｒ３は、カルボニル基又はカーボネート基を有していてもよい。Ｒ３の炭素数は、Ｒ１と同様の理由により、６以上であることがより好ましい。
【００９０】
具体的には、式（１）に示した基として、例えば、式（１−１）〜式（１−１２）で表される１価の基等が挙げられる。
【００９１】
【００９２】
【００９３】
尚、式（１）に示した基は、液晶分子４１に対して沿うように動くことができれば、上記した基に限定されない。
【００９４】
あるいは又、本開示の第１Ｂの構成、第２Ｂの構成（後述する実施の形態２を参照）あるいは第３Ｂの構成に則って表現すれば、架橋前の高分子化合物（配向処理前・化合物）は、式（２）で表される基を側鎖として有する化合物から成る。架橋する部位の他に、液晶分子４１に沿う部位とチルト角を規定する部位とを有するため、液晶分子４１に対して沿う側鎖の部位が液晶分子４１により沿った状態で固定可能である。そして、これにより、液晶分子４１の配向を所定の方向により規制し易くなるため、良好な表示特性を有する液晶表示素子の製造をより容易にすることができる。
【００９５】
−Ｒ１１−Ｒ１２−Ｒ１３−Ｒ１４ （２）
ここで、Ｒ１１は、炭素数１以上、２０以下、好ましくは、炭素数３以上、１２以下の直鎖状又は分岐状の２価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、あるいは又、Ｒ１１は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも１種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合している。Ｒ１２は、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、キトサン、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ及びオキセタンのうちのいずれか１種の構造を含む２価の基、又は、エチニレン基である。Ｒ１３は、複数の環構造を含む２価の有機基である。Ｒ１４は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体である。
【００９６】
式（２）中のＲ１１は、配向処理前・化合物においてはチルト角を規定する部位であり、配向処理前・化合物においては可撓性を有することが好ましい。Ｒ１１として、例えば、式（１）中のＲ１について説明した基が挙げられる。式（２）に示した基では、Ｒ１１を軸としてＲ１２〜Ｒ１４が動き易いため、Ｒ１３及びＲ１４が液晶分子４１に対して沿い易くなっている。Ｒ１１の炭素数は、６以上、１０以下であることがより好ましい。
【００９７】
式（２）中のＲ１２は、架橋性官能基又は重合性官能基を有する部位である。この架橋性官能基又は重合性官能基は、上記したように、光反応によって架橋構造を形成する基であってもよいし、熱反応によって架橋構造を形成する基であってもよい。具体的には、Ｒ１２として、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、キトサン、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ及びオキセタンのうちのいずれか１種の構造を含む２価の基、又は、エチニレン基を挙げることができる。
【００９８】
式（２）中のＲ１３は、液晶分子４１のコア部位に対して沿うことができる部位であり、Ｒ１３として、例えば、式（１）中のＲ２について説明した基等が挙げられる。
【００９９】
式（２）中のＲ１４は、液晶分子４１の末端鎖に沿う部位であり、Ｒ１４として、例えば、式（１）中のＲ３について説明した基等が挙げられる。
【０１００】
具体的には、式（２）に示した基として、例えば、式（２−１）〜式（２−１１）で表される１価の基等が挙げられる。
【０１０１】
ここで、ｎは３以上、２０以下の整数である。
【０１０２】
【０１０３】
尚、式（２）に示した基は、上記した４つの部位（Ｒ１１〜Ｒ１４）を有していれば、上記した基に限定されない。
【０１０４】
あるいは又、本開示の第１Ｃの構成に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される。また、本開示の第２Ｃの構成（後述する実施の形態２を参照）に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される。また、本開示の第３Ｃの構成に則って表現すれば、高分子化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋・変形部、及び、架橋・変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される。
【０１０５】
ここで、本開示の第１Ｃの構成において、側鎖の一部が架橋した架橋部は、式（２）におけるＲ１２（但し、架橋後）が相当する。また、末端構造部は、式（２）におけるＲ１３及びＲ１４が相当する。ここで、配向処理後・化合物にあっては、例えば、主鎖から延びた２つの側鎖における架橋部が相互に架橋し、一方の架橋部から延びた末端構造部と、他方の架橋部から延びた末端構造部との間に、恰も、液晶分子の一部が挟まれた状態となり、しかも、末端構造部は、基板に対して所定の角度を成した状態で固定されるが故に、液晶分子はプレチルトが付与される。尚、このような状態を、図１３の概念図に示す。
【０１０６】
あるいは又、本開示の第１Ｄの構成に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている。ここで、側鎖は光二量化感光基を有する形態とすることができる。また、主鎖と架橋部とは共有結合によって結合しており、架橋部と末端構造部とは共有結合によって結合している形態とすることができる。また、本開示の第２Ｄの構成（後述する実施の形態２を参照）に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている。また、本開示の第３Ｄの構成に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋・変形部、及び、架橋・変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている。
【０１０７】
ここで、本開示の第１Ｄの構成にあっては、架橋性官能基又は重合性官能基（感光性官能基）である光二量化感光基として、前述したとおり、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、及び、キトサンのうちのいずれか１種の構造を含む基を挙げることができる。重合性官能基として、例えば、アクリロイル、メタクリロイル 、ビニル、エポキシ、オキセタンのうちのいずれか１種の構造を含む基を挙げることができる。また、末端構造部を構成する剛直なメソゲン基は、側鎖として液晶性を発現するものでも、液晶性を発現しないものでもよく、具体的な構造として、ステロイド誘導体、コレステロール誘導体、ビフェニル、トリフェニル、ナフタレン等を挙げることができる。更には、末端構造部として、式（２）におけるＲ１３及びＲ１４を挙げることができる。
【０１０８】
また、配向膜２２，３２は、上記した配向処理後・化合物の他に、他の垂直配向剤を含んでいてもよい。他の垂直配向剤として、垂直配向誘起構造部を有するポリイミドや、垂直配向誘起構造部を有するポリシロキサン等が挙げられる。
【０１０９】
液晶層４０は、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含んでいる。液晶分子４１は、例えば、互いに直交する長軸及び短軸をそれぞれ中心軸として回転対称な形状をなし、負の誘電率異方性を有している。
【０１１０】
液晶分子４１は、第１配向膜２２との界面近傍において、第１配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａと、第２配向膜３２との界面近傍において第２配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂと、それら以外の液晶分子４１Ｃとに分類することができる。液晶分子４１Ｃは、液晶層４０の厚み方向における中間領域に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子４１Ｃの長軸方向（ダイレクタ）が第１基板２０及び第２基板３０に対してほぼ垂直になるように配列されている。また、液晶分子４１Ｂは、第２配向膜３２の近傍に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子４１Ｂの長軸方向（ダイレクタ）が第２基板３０に対して第２プレチルト角θ2にて配向されている。更には、液晶分子４１Ａは、第１配向膜２２の近傍に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子４１Ａの長軸方向（ダイレクタ）が第１基板２０に対して第１プレチルト角θ1（＞θ2）を成して傾いて配列されている。
【０１１１】
ここで、駆動電圧がオンになると、液晶分子４１Ａのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０に対して平行になるように傾いて配向する。このような挙動は、液晶分子４１Ａにおいて、長軸方向の誘電率が短軸方向よりも小さいという性質を有することに起因している。液晶分子４１Ｂ，４１Ｃも同様の性質を有することから、駆動電圧のオン・オフの状態変化に応じて、基本的には、液晶分子４１Ａと同様の挙動を示す。但し、駆動電圧がオフの状態において、液晶分子４１Ａは第１配向膜２２によって第１プレチルト角θ1が付与され、そのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０の法線方向から傾斜した姿勢となる。一方、液晶分子４１Ｂは第２配向膜３２によって第２プレチルト角θ2が付与されるが、そのダイレクタは、例えば、第２基板３０の法線方向と平行であり、あるいは又、第１基板２０及び第２基板３０の法線方向から傾斜した姿勢となる。尚、ここで、「保持される」とは、配向膜２２，３２と液晶分子４１Ａ，４１Ｂとが固着せずに、液晶分子４１の配向を規制していることを表している。また、「プレチルト角θ（θ1，θ2）」とは、図４に示すように、第１基板２０及び第２基板３０の表面に垂直な方向（法線方向）をＺとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Ｚ方向に対する液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）のダイレクタＤの傾斜角度を指す。
【０１１２】
次に、上記の液晶表示装置（液晶表示素子）の製造方法について、図５に示すフローチャートと共に、図６に示す配向膜２２，３２中の状態を説明するための模式図、並びに、図７、図８及び図９に示す液晶表示装置等の模式的な一部断面図を参照して説明するが、この製造方法は、
一対の基板２０，３０の一方（具体的には、基板２０）に、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜２２を形成し、一対の基板２０，３０の他方（具体的には、基板３０）に、第２配向膜３２を形成した後、
一対の基板２０，３０を、第１配向膜２２と第２配向膜３２とが対向するように配置し、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０を封止し、次いで、
高分子化合物を架橋又は重合させて、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含む。あるいは又、
一対の基板２０，３０の一方（具体的には、基板２０）に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜２２を形成し、一対の基板２０，３０の他方（具体的には、基板３０）に、第２配向膜３２を形成した後、
一対の基板２０，３０を、第１配向膜２２と第２配向膜３２とが対向するように配置し、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０を封止し、次いで、
高分子化合物にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含む。尚、図７、図８及び図９では、簡略化のため、一画素分についてのみ示す。
【０１１３】
最初に、第１基板（ＴＦＴ基板）２０の表面に第１配向膜２２を形成すると共に、第２基板（ＣＦ基板）３０の表面に第２配向膜３２を形成する（ステップＳ１０１）。
【０１１４】
具体的には、先ず、第１基板２０の表面に、所定の第１スリット部２１を有する画素電極２０Ｂを例えばマトリクス状に設けることによりＴＦＴ基板２０を作製する。また、カラーフィルタが形成された第２基板３０のカラーフィルタ上に対向電極３０Ｂを設けることによりＣＦ基板３０を作製する。
【０１１５】
一方、例えば、配向処理前・化合物あるいは配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体と、溶剤と、必要に応じて垂直配向剤とを混合することにより液状の第１配向膜用及び第２配向膜用の配向膜材料を調製する。
【０１１６】
配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体として、例えば、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が式（３）に示したポリイミド構造を含む場合、架橋性官能基又は重合性官能基を有するポリアミック酸が挙げられる。高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸は、例えば、ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物とを反応させて合成される。ここで用いるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一方が、架橋性官能基又は重合性官能基を有している。ジアミン化合物として、例えば、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２１）で表される架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物が挙げられ、テトラカルボン酸二無水物として、式（ａ−１）〜式（ａ−１０）で表される架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物が挙げられる。尚、式（Ａ−９）〜式（Ａ−２１）で表される化合物は、本開示の第１Ｃの構成における架橋した高分子化合物の架橋部及び末端構造部を構成する化合物である。あるいは又、本開示の第１Ｃの構成における架橋した高分子化合物の架橋部及び末端構造部を構成する化合物として、式（Ｆ−１）〜式（Ｆ−２２）で表される化合物を挙げることもできる。尚、式（Ｆ−１）〜式（Ｆ−１８）で表される化合物にあっては、式（Ｆ−１）〜式（Ｆ−３）、式（Ｆ−７）〜式（Ｆ−９）及び式（Ｆ−１３）〜式（Ｆ−１５）で表される化合物の末端構造部に沿って液晶分子にはプレチルトが付与されると考えられ、一方、式（Ｆ−４）〜式（Ｆ−６）、式（Ｆ−１０）〜式（Ｆ−１２）及び式（Ｆ−１６）〜式（Ｆ−１８）で表される化合物の末端構造部に挟まれて液晶分子にはプレチルトが付与されると考えられる。また、式（Ｆ−１９）〜式（Ｆ−２２）で表される化合物の末端構造部に沿って液晶分子にはプレチルトが付与され、あるいは又、式（Ｆ−１９）〜式（Ｆ−２２）で表される化合物の末端構造部に挟まれて液晶分子にはプレチルトが付与されると推定される。
【０１１７】
【０１１８】
ここで、Ｘ１〜Ｘ４は単結合あるいは２価の有機基である。
【０１１９】
ここで、Ｘ５〜Ｘ７は単結合あるいは２価の有機基である。
【０１２０】
【０１２１】
【０１２２】
【０１２３】
【０１２４】
【０１２５】
【０１２６】
【０１２７】
【０１２８】
また、配向処理前・化合物が垂直配向誘起構造部を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−３６）で表される垂直配向誘起構造部を有する化合物や、テトラカルボン酸二無水物として式（ｂ−１）〜式（ｂ−３）で表される垂直配向誘起構造部を有する化合物を用いてもよい。
【０１２９】
【０１３０】
【０１３１】
ここで、ａ４〜ａ６は０以上、２１以下の整数である。
【０１３２】
ここで、ａ４は０以上、２１以下の整数である。
【０１３３】
ここで、ａ４は０以上、２１以下の整数である。
【０１３４】
【０１３５】
【０１３６】
また、配向処理前・化合物が架橋性官能基又は重合性官能基と一緒に式（１）に示した基を有するように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として、式（Ｃ−１）〜式（Ｃ−２４）で表される液晶分子４１に対して沿うことができる基を有する化合物を用いてもよい。
【０１３７】
【０１３８】
【０１３９】
【０１４０】
【０１４１】
また、配向処理前・化合物が式（２）に示した基を有するように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として、式（Ｄ−１）〜式（Ｄ−１１）で表される液晶分子４１に対して沿うことができる基を有する化合物を用いてもよい。
【０１４２】
ここで、ｎは３以上、２０以下の整数である。
【０１４３】
【０１４４】
更に、配向処理前・化合物が式（３）におけるＲ２として垂直配向誘起構造部を含む構造と、架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造との２種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２１）に示した架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−３６）、式（ｂ−１）〜式（ｂ−３）に示した垂直配向誘起構造部を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｅ−１）〜式（Ｅ−２８）で表されるテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも１種とを用いる。尚、式（Ｅ−２３）におけるＲ１及びＲ２は、同一又は異なるアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、ハロゲン原子の種類は任意である。
【０１４５】
【０１４６】
【０１４７】
ここで、Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。
【０１４８】
また、配向処理前・化合物が式（３）におけるＲ２として式（１）に示した基を含む構造と架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造との２種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２１）に示した架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｃ−１）〜式（Ｃ−２４）に示した化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｅ−１）〜式（Ｅ−２８）に示したテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも１種とを用いる。
【０１４９】
また、配向処理前・化合物が式（３）におけるＲ２として式（２）に示した基を含む構造と架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造との２種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２１）に示した架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｄ−１）〜式（Ｄ−１１）に示した化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｅ−１）〜式（Ｅ−２８）で表されるテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも１種とを用いる。
【０１５０】
配向膜材料中における配向処理前・化合物あるいは配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体の含有量を、１重量％以上、３０重量％以下とすることが好ましく、３重量％以上、１０重量％以下とすることがより好ましい。また、配向膜材料には、必要に応じて、光重合開始剤等を混合してもよい。
【０１５１】
そして、調製した配向膜材料を、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、画素電極２０Ｂ及び第１スリット部２１、並びに、対向電極３０Ｂを覆うように塗布あるいは印刷した後、加熱処理をする。加熱処理の温度は８０゜Ｃ以上が好ましく、１５０゜Ｃ以上、２００゜Ｃ以下とすることがより好ましい。また、加熱処理は、加熱温度を段階的に変化させてもよい。これにより、塗布あるいは印刷された配向膜材料に含まれる溶剤が蒸発し、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物（配向処理前・化合物）を含む配向膜２２，３２が形成される。その後、必要に応じて、ラビング等の処理を施してもよい。
【０１５２】
ここで、配向膜２２，３２中における配向処理前・化合物は、図６に示す状態となっていると考えられる。即ち、配向処理前・化合物は、主鎖Ｍｃ（Ｍｃ１〜Ｍｃ３）と、主鎖Ｍｃに側鎖として導入された架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａとを含んで構成され、主鎖Ｍｃ１〜Ｍｃ３が連結していない状態で存在している。この状態における架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａは、熱運動によりランダムな方向を向いている。
【０１５３】
次に、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを第１配向膜２２と第２配向膜３２とが対向するように配置し、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に、液晶分子４１を含む液晶層４０を封止する（ステップＳ１０２）。具体的には、ＴＦＴ基板２０あるいはＣＦ基板３０のどちらか一方の、配向膜２２，３２の形成されている面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えば、プラスチックビーズ等を散布すると共に、例えば、スクリーン印刷法によりエポキシ接着剤等を用いてシール部を印刷する。その後、図７に示すように、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを、配向膜２２，３２が対向するように、スペーサ突起物及びシール部を介して貼り合わせ、液晶分子４１を含む液晶材料を注入する。次いで、加熱するなどしてシール部の硬化を行うことにより、液晶材料をＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に封止する。図７は、第１配向膜２２及び第２配向膜３２の間に封止された液晶層４０の断面構成を表している。
【０１５４】
次に、図８に示すように、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、電圧印加手段を用いて、電圧Ｖ１を印加する（ステップＳ１０３）。電圧Ｖ１は、例えば、３ボルト〜３０ボルトである。これにより、第１基板２０及び第２基板３０の表面に対して所定の角度をなす方向の電場（電界）が生じ、液晶分子４１Ａが、第１基板２０の垂直方向から所定方向に傾いて配向される。また、液晶分子４１Ｂが、第２基板３０の垂直方向と例えば平行な方向に配向され、あるいは又、第２基板３０の垂直方向から所定方向に傾いて配向される。即ち、このときの液晶分子４１の方位角（偏角）は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、極角（天頂角）は、電場の強さ、及び、配向膜材料の分子構造によって規定される。そして、液晶分子４１の傾斜角と、後述する工程で、第１配向膜２２との界面近傍において第１配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａ及び第２配向膜３２との界面近傍において第２配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂに付与される第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2は、第１配向膜２２と第２配向膜３２の膜厚の違いに起因して、
θ1＞θ2
となる。そして、電圧Ｖ１の値を適宜調節することにより、液晶分子４１Ａ，４１Ｂの第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2の値を制御することが可能である。
【０１５５】
更に、図９に示すように、電圧Ｖ１を印加した状態のまま、エネルギー線（具体的には紫外線ＵＶ）を、例えば、ＴＦＴ基板２０の外側から配向膜２２，３２に対して照射する。即ち、液晶分子４１Ａを基板２０の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場又は磁場を印加しながら紫外線を照射する。これによって、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物が有する架橋性官能基又は重合性官能基を反応させ、配向処理前・化合物を架橋させる（ステップＳ１０４）。こうして、配向処理後・化合物により液晶分子４１の応答すべき方向が記憶され、配向膜２２近傍の液晶分子４１Ａにプレチルトが付与され、第２配向膜３２近傍の液晶分子４１Ｂは、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向される。そして、その結果、配向膜２２，３２中において配向処理後・化合物が形成され、非駆動状態において、液晶層４０における第１配向膜２２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ａに第１プレチルト角θ1が付与され、第２配向膜３２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ｂに第２プレチルト角θ2が付与される。紫外線ＵＶとして、波長２９５ｎｍから波長３６５ｎｍ程度程度の光成分を多く含む紫外線が好ましい。これよりも短波長域の光成分を多く含む紫外線を用いると、液晶分子４１が光分解し、劣化する虞があるからである。尚、ここでは、紫外線ＵＶをＴＦＴ基板２０の外側から照射したが、ＣＦ基板３０の外側から照射してもよく、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の双方の基板の外側から照射してもよい。この場合、透過率が高い方の基板側から紫外線ＵＶを照射することが好ましい。また、ＣＦ基板３０の外側から紫外線ＵＶを照射した場合、紫外線ＵＶの波長域に依っては、カラーフィルタに吸収されて架橋反応し難くなる虞がある。このため、ＴＦＴ基板２０の外側（画素電極を有する基板側）から照射することが好ましい。
【０１５６】
ここで、配向膜２２，３２中の配向処理後・化合物は、図１０に示す状態となっている。即ち、配向処理前・化合物の主鎖Ｍｃに導入された架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａの向きが、液晶分子４１の配向方向に従って変化し、物理的な距離が近い架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａ同士が反応して、連結部Ｃｒが形成される。このように生成された配向処理後・化合物によって配向膜２２，３２が液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対して第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を付与するものと考えられる。尚、連結部Ｃｒは、配向処理前・化合物間で形成されてもよいし、配向処理前・化合物内で形成されてもよい。即ち、図１０に示すように、連結部Ｃｒは、例えば、主鎖Ｍｃ１を有する配向処理前・化合物の架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａと、主鎖Ｍｃ２を有する配向処理前・化合物の架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａとの間で反応して形成されてもよい。また、連結部Ｃｒは、例えば、主鎖Ｍｃ３を有する高分子化合物のように、同じ主鎖Ｍｃ３に導入された架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａ同士が反応して形成されてもよい。尚、重合性官能基の場合、重合性官能基Ａが複数個結合する。
【０１５７】
以上の工程により、図１に示した液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた。
【０１５８】
液晶表示装置（液晶表示素子）の動作にあっては、選択された画素１０では、駆動電圧が印加されると、液晶層４０に含まれる液晶分子４１の配向状態が、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間の電位差に応じて変化する。具体的には、液晶層４０では、図１に示した駆動電圧の印加前の状態から、駆動電圧が印加されることにより、配向膜２２，３２の近傍に位置する液晶分子４１Ａ，４１Ｂが自らの傾き方向に倒れ、且つ、その動作がその他の液晶分子４１Ｃに伝播する。その結果、液晶分子４１は、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０に対してほぼ水平（平行）となる姿勢をとるように応答する。これにより、液晶層４０の光学的特性が変化し、液晶表示素子への入射光が変調された出射光となり、この出射光に基づいて階調表現されることで、画像が表示される。
【０１５９】
ここで、プレチルト処理が全く施されていない液晶表示素子及びそれを備えた液晶表示装置では、液晶分子の配向を規制するためのスリット部等の配向規制部が基板に設けられていても、駆動電圧が印加されると、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子は、そのダイレクタが基板の面内方向において任意の方位を向くように倒れる。このように駆動電圧に応答した液晶分子では、各液晶分子のダイレクタの方位がぶれた状態となり、全体としての配向に乱れが生じる。これにより、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が遅くなり、応答特性が劣化し、その結果、表示特性を悪化させるという問題がある。また、初期の駆動電圧を表示状態の駆動電圧よりも高く設定して駆動（オーバードライブ駆動）させると、初期駆動電圧印加時において、応答した液晶分子と、殆ど応答していない液晶分子とが存在し、それらの間でダイレクタの傾きに大きな差が生じる。その後に表示状態の駆動電圧が印加されると、初期駆動電圧印加時に応答した液晶分子は、その動作が他の液晶分子に対して殆ど伝播しないうちに、表示状態の駆動電圧に応じたダイレクタの傾きとなり、この傾きが他の液晶分子に伝播する。その結果、画素全体として、初期駆動電圧印加時に表示状態の輝度に達するが、その後、輝度が低下し、再度、表示状態の輝度に達する。即ち、オーバードライブ駆動すれば、オーバードライブ駆動しない場合よりも見かけの応答速度は早くなるが、十分な表示品位が得られ難いという問題がある。尚、これらの問題は、ＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶表示素子では生じ難く、ＶＡモードの液晶表示素子において特有の問題と考えられる。
【０１６０】
これに対して、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法では、上記した第１配向膜２２、第２配向膜３２が液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対して所定の第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を付与する。これにより、プレチルト処理が全く施されていない場合の問題が生じ難くなり、駆動電圧に対する応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が大幅に向上し、オーバードライブ駆動時における表示品位も向上する。その上、ＴＦＴ基板２０には、液晶分子４１の配向を規制するための配向規制部として第１スリット部２１が設けられているので、視野角特性等の表示特性が確保されるため、良好な表示特性を維持した状態で応答特性が向上する。しかも、第２配向膜３２は第１配向膜２２よりも薄い。従って、画像表示の立ち上がり速度だけでなく、立ち下がり速度の向上も図ることができる。また、液晶分子は第２配向膜３２によって第２プレチルト角θ2とされているので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを一層向上させることができる。
【０１６１】
また、従来の液晶表示装置の製造方法（光配向技術）では、配向膜は、基板面上に設けられた所定の高分子材料を含む前駆体膜に対して直線偏光の光や基板面に対する斜め方向の光（以下、『斜め光』と呼ぶ）を照射して形成され、これによりプレチルト処理が施される。このため、配向膜を形成する際に、直線偏光の平行光を斜めから照射する装置といった大がかりな光照射装置が必要とされるという問題がある。また、より広い視野角を実現するためのマルチドメインを有する画素の形成には、マスクが必要とされる上、製造工程が複雑になるという問題もある。特に、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、基板上にスペーサ等の構造物あるいは凹凸があると、構造物等の陰になり、斜め光が届かない領域が生じ、この領域において液晶分子に対する所望の配向規制が難しくなる。この場合、例えば、画素内にマルチドメインを設けるためにフォトマスクを用いて斜め光を照射するには、光の回り込みを考慮した画素設計が必要となる。即ち、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、高精細な画素形成が難しいという問題もある。
【０１６２】
更に、従来の光配向技術の中でも、高分子材料として架橋性高分子化合物を用いる場合、前駆体膜中において架橋性高分子化合物に含まれる架橋性官能基又は重合性官能基は、熱運動によりランダムな方位（方向）を向いているため、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づく確率が低くなる。その上、ランダム光（非偏光）を照射した場合、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づくことにより反応するが、直線偏光の光を照射して反応する架橋性官能基又は重合性官能基は、偏光方向と反応部位の方向とが所定の方向に揃う必要がある。また、斜め光は、垂直光と比較して、照射面積が広がる分だけ、単位面積当たりの照射量が低下する。即ち、直線偏光の光あるいは斜め光に反応する架橋性官能基又は重合性官能基の割合は、ランダム光（非偏光）を基板面に対して垂直方向から照射した場合と比較して低くなる。よって、形成された配向膜中における架橋密度（架橋度合い）が低くなり易い。
【０１６３】
これに対して、実施の形態１では、配向処理前・化合物を含む配向膜２２，３２を形成した後、第１配向膜２２と第２配向膜３２の間に液晶層４０を封止する。次いで、液晶層４０に電圧を印加することにより、液晶分子４１が所定の配向をとると共に、液晶分子４１によって基板あるいは電極に対する側鎖の末端構造部の方向が規定されながら、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を架橋又は重合させる。これにより、液晶分子４１Ａ，４１Ｂに第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を付与する第１配向膜２２、第２配向膜３２を形成することができる。即ち、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法によれば、大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることができる。その上、配向処理前・化合物を架橋又は重合させる際に、紫外線の照射方向に依存することなく液晶分子４１に対して第１プレチルト角θ1を付与することができるため、高精細な画素を形成することができる。更に、配向処理前・化合物において側鎖の末端構造部の向きが整った状態で配向処理後・化合物が生成されるため、配向処理後・化合物の架橋度合いは、上記の従来の製造方法による配向膜よりも高くなっていると考えられる。よって、長時間駆動しても、駆動中に架橋構造が新たに形成され難いため、液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルト角θ1，θ2が製造時の状態に維持され、信頼性を向上させることもできる。
【０１６４】
この場合において、実施の形態１では、配向膜２２，３２の間に液晶層４０を封止した後、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を架橋又は重合させているため、液晶表示素子の駆動時の透過率を連続的に増加するように変化させることができる。
【０１６５】
液晶層４０を封止した後に配向処理前・化合物の架橋反応によりプレチルト処理が施される実施の形態１では、第１配向膜２２近傍における液晶分子４１の配向を規制するための第１スリット部２１によって、駆動時の液晶分子４１の配向方向に応じて、プレチルトが付与される。よって、図１２に示すように、液晶分子４１のプレチルトの方向が揃い易いため、オーダーパラメータが大きくなる（１に近づく）。これにより、液晶表示素子の駆動時において、液晶分子４１が均一な挙動を示すため、透過率が連続的に増加する。
【０１６６】
この場合、特に、配向処理前・化合物が架橋性官能基又は重合性官能基と一緒に式（１）に示した基を有しており、又は、配向処理前・化合物が架橋性官能基又は重合性官能基として式（２）に示した基を有していれば、第１配向膜２２、第２配向膜３２にプレチルト角θ1，θ2をより付与し易くなる。このため、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）をより向上させることができる。
【０１６７】
実施の形態１では、主にポリイミド構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物を含有する配向膜２２，３２を用いた場合について説明したが、配向処理前・化合物が有する主鎖は、ポリイミド構造を含むものに限定されない。例えば、主鎖が、ポリシロキサン構造、ポリアクリレート構造、ポリメタクリレート構造、マレインイミド重合体構造、スチレン重合体構造、スチレン／マレインイミド重合体構造、ポリサッカライド構造又はポリビニルアルコール構造等を含んでいてもよく、中でも、ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物が好ましい。上記したポリイミド構造を含む高分子化合物と同様の効果が得られるからである。ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物として、例えば、式（９）で表されるポリシラン構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（９）におけるＲ１０及びＲ１１は、炭素を含んで構成された１価の基であれば任意であるが、Ｒ１０及びＲ１１のうちのいずれか一方に、側鎖としての架橋性官能基又は重合性官能基、及び、式（１）から成る側鎖を含んでいることが好ましい。配向処理後・化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。この場合における架橋性官能基又は重合性官能基として、上記した式（４１）に示した基等が挙げられる。
【０１６８】
ここで、Ｒ１０及びＲ１１は１価の有機基であり、ｍ１は１以上の整数である。
【０１６９】
更に、実施の形態１では、第１スリット部２１を設けることにより、配向分割させて視野角特性を向上させるようにしたが、それに限定されるものではない。例えば、第１スリット部２１の代わりに、画素電極２０Ｂ上に配向規制部としての突起を設けてもよい。このように突起を設けることによっても、第１スリット部２１を設けた場合と同様の効果を得ることができる。
【０１７０】
尚、図１に示す例にあっては、第１基板２０であるＴＦＴ基板を覆う第１配向膜２２が、配向処理後・化合物を含み、液晶層４０のうちの第１基板（ＴＦＴ基板）２０の側に位置する液晶分子４１Ａに第１プレチルト角θ1を付与する構成としたが、これに限定されない。即ち、図２に示すように、第１基板２０をＣＦ基板とし、第２基板３０をＴＦＴ基板とすることもでき、この場合においても、図１に示した液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。但し、ＴＦＴ基板では、駆動時には種々の横電場が生じていることから、第２基板３０をＴＦＴ基板とする図２の液晶表示装置の変形例を採用することが望ましい。これにより、横電場による液晶分子４１の配向乱れを、効果的に低減することができる。
【０１７１】
次に、他の実施の形態について説明するが、実施の形態１と共通の構成要素については、同一の符号を付して説明は省略する。また、実施の形態１と同様の作用及び効果についても、適宜省略する。更には、実施の形態１において説明した以上の各種の技術的事項は、適宜、以下の実施の形態にも適用される。
【０１７２】
［実施の形態２］
実施の形態２は、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置、並びに、本開示の第２の態様及び第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法に関する。
【０１７３】
実施の形態１にあっては、配向処理後・化合物は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する配向処理前・化合物における架橋性官能基又は重合性官能基が架橋又は重合することで得られる。一方、実施の形態２にあっては、配向処理後・化合物は、エネルギー線の照射による変形を伴う感光性官能基を側鎖として有する配向処理前・化合物に基づき得られる。
【０１７４】
ここで、実施の形態２においても、配向膜２２，３２は、側鎖に架橋構造を有する高分子化合物（配向処理後・化合物）の１種あるいは２種以上、若しくは、架橋性官能基あるいは重合性官能基と共に、式（１）に示す液晶に沿う末端基を有する側鎖をそれぞれ１種あるいは２種以上を含んで構成されている。そして、液晶分子は、変形した化合物によってプレチルトが付与される。ここで、配向処理後・化合物は、主鎖及び側鎖を有する高分子化合物（配向処理前・化合物）の１種あるいは２種以上を含む状態で配向膜２２，３２を形成した後、液晶層４０を設け、次いで、高分子化合物を変形させることで、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、より具体的には、電場又は磁場を印加しながら側鎖に含まれる感光性官能基を変形させることにより生成される。尚、このような状態を、図１４の概念図に示す。尚、図１４において、「ＵＶ」が付された矢印の方向、「電圧」が付された矢印の方向は、紫外線が照射される方向、加えられる電界の方向を示すものではない。そして、配向処理後・化合物は、液晶分子を一対の基板の一方（ＴＦＴ基板２０あるいはＣＦ基板３０）に対して所定の方向（具体的には、斜め方向）に配列させる構造を含んでいる。このように、高分子化合物を変形させて、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、配向処理後・化合物が配向膜２２，３２中に含まれることにより、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１に対してプレチルトを付与できるため、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が早くなり、表示特性が向上する。
【０１７５】
感光性官能基として、アゾ基を有するアゾベンゼン系化合物、イミンとアルジミンとを骨格に有する化合物（便宜上、『アルジミンベンゼン』と呼ぶ）、スチレン骨格を有する化合物（便宜上、『スチルベン』と呼ぶ）を例示することができる。これらの化合物は、エネルギー線（例えば、紫外線）に応答して変形する結果、即ち、トランス状態からシス状態へ遷移する結果、液晶分子にプレチルトを付与することができる。
【０１７６】
【０１７７】
式（ＡＺ−０）で表されるアゾベンゼン系化合物における「Ｘ」として、具体的には、例えば、以下の式（ＡＺ−１）〜式（ＡＺ−９）を例示することができる。
【０１７８】
【０１７９】
ここで、Ｒ，Ｒ”のいずれか一方は、ジアミンを含むベンゼン環と、直接、若しくは、エーテル、エステル等を介して結合し、他方は末端基となり、Ｒ，Ｒ’，Ｒ”は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体であり、末端基は、その間に、式（１）のＲ２、式（２）のＲ１３を含んでもよい。このようにすることで、チルトの付与をより容易にすることができる。Ｒ”はジアミンを含むベンゼン環と、直接、若しくは、エーテル、エステル等を介して直接結合する。
【０１８０】
実施の形態２の液晶表示装置及びその製造方法は、エネルギー線（具体的には、紫外線）の照射による変形を伴う感光性官能基を有する配向処理前・化合物を用いることを除き、基本的、実質的には、実施の形態１において説明した液晶表示装置及びその製造方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１】
【０１８１】
実施例１は、本開示の第１の態様に係る液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法、並びに、本開示の第３の態様に係る液晶表示装置（液晶表示素子）の製造方法に関する。実施例１にあっては、以下の手順により、後述する図１５に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を作製した。
【０１８２】
先ず、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を準備した。ＴＦＴ基板２０として、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０Ａの一面側に、スリットパターン（第１スリット部２１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第１スリット部２１が形成された第１電極２０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第１電極２０Ｂと第１電極２０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る画素電極２０Ｂが形成された基板を用いた。また、ＣＦ基板３０として、カラーフィルタが形成された厚さ０．７ｍｍのガラス基板３０Ａのカラーフィルタ上に、スリットパターン（第２スリット部３１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第２スリット部３１が形成された第３電極３０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第２電極３０Ｂと第２電極３０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る対向電極３０Ｂが形成された基板を用いた。この画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂに形成されたスリットパターンによって、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に斜め電界が加わる。続いて、ＴＦＴ基板２０の上に３．５μｍのスペーサ突起物を形成した。尚、第１スリット部２１及び第２スリット部３１のスリットパターンとして、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）に示すスリットパターンを用いた。
【０１８３】
一方、第１配向膜及び第２配向膜のための配向膜材料を調製した。この場合、例えば、先ず、ジアミン化合物である、式（Ａ−６）に示した架橋性官能基を有する化合物と、式（Ｂ−４）に示した垂直配向誘起構造部を有する化合物と、式（Ｅ−２）に示したテトラカルボン酸二無水物と、式（Ｇ−１）で表される化合物とを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させた。次いで、この溶液を６０゜Ｃで６時間反応させた後、反応後の溶液に対して、大過剰の純水を注いで反応生成物を沈殿させた。その後、沈殿した固形物を分離した後、純水で洗浄し、減圧下、４０゜Ｃで１５時間乾燥させ、これにより、配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体であるポリアミック酸が合成された。最後に、得られたポリアミック酸３．０グラムをＮＭＰに溶解させることにより、固形分濃度３重量％の溶液とした後、０．２μｍのフィルタで濾過した。こうして、配向膜２２，３２を形成するための配向膜材料を得た。
【０１８４】
【０１８５】
次いで、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、調製した配向膜材料（表１参照）をスピンコーターを用いて塗布した後、塗布膜を８０゜Ｃのホットプレートで８０秒間乾燥させた。その後、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を、窒素ガス雰囲気下、２００゜Ｃのオーブンで１時間加熱した。これにより、画素電極２０Ｂ上における厚さがｔ1）（ｎｍ）の第１配向膜２２を形成した。また、対向電極３０Ｂ上における第２配向膜３２の厚さがｔ2（ｎｍ）のＣＦ基板３０を作製した。
【０１８６】
［表１］
【０１８７】
次に、ＣＦ基板３０上の画素部周縁に、粒径３．５μｍのシリカ粒子を含む紫外線硬化型樹脂を塗布することによりシール部を形成し、これに囲まれた部分に、ネガ型液晶であるＭＬＣ−７０２９（メルク社製）から成る液晶材料を滴下注入した。その後、画素電極２０Ｂのライン部分の中央と、対向電極３０Ｂの第２スリット部３１とが対向するようにＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを貼り合わせ、シール部を硬化させた。次いで、１２０゜Ｃのオーブンで１時間加熱し、シール部を完全に硬化させた。これにより、液晶層４０が封止された液晶セルを備えた各種の液晶表示装置を完成させることができた。尚、以下に、実施例及び比較例の液晶表示装置における第１配向膜２２及び第２配向膜３２の膜厚を、以下の表２に示す。
【０１８８】
［表２］
第１配向膜（ｔ1） 第２配向膜（ｔ2）
実施例１Ａ ９０ ５５
実施例１Ｂ ９０ ７５
比較例１Ａ ９０ ９０
比較例１Ｂ ７５ ７５
比較例１Ｃ ５５ ５５
【０１８９】
その後、このように作製された液晶セルに対して、実効値電圧１０ボルト及び２０ボルトの矩形波の交流電界（６０Ｈｚ）を印加した状態で、５００ｍＪ（波長３６５ｎｍでの測定）の均一な紫外線を照射し、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を反応させた。これにより、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０に、配向処理後・化合物を含む配向膜２２，３２を形成した。以上により、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０側の液晶分子４１Ａ，４１Ｂが種々のプレチルト角をなす液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた（図１５参照）。最後に、液晶表示装置の外側に、吸収軸が直交するように一対の偏光板を貼り付けた。
【０１９０】
これらの配向膜材料を用いた液晶表示装置（液晶表示素子）について、応答時間（画像表示の立ち上がり時間Ｔon、及び、立ち下がり時間Ｔoff）、並びに、プレチルト角θ1，θ2を測定した。その結果を表３及び図２１の（Ａ）、（Ｂ）に示す。更には、配向膜の膜厚とプレチルト角θの関係を図２２に示す。尚、比較例１Ｃの立ち上がり時間Ｔonの値が大き過ぎたため、図２１の（Ａ）には示していない。また、図２１の（Ａ）において、実施例１Ａと実施例１Ｂの値は重なっている。更には、図２１の（Ｂ）において、実施例１Ａと比較例１Ｃの値は重なっているし、実施例１Ｂと比較例１Ｂの値は重なっている。
【０１９１】
応答時間を測定する際には、測定装置としてＬＣＤ５２００（大塚電子株式会社製）を用いて、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、駆動電圧（７．５ボルト）を印加し、輝度１０％からその駆動電圧に応じた階調の９０％の輝度となるまでの時間（画像表示の立ち上がり時間Ｔon）、及び、輝度９０％からその駆動電圧に応じた階調の１０％の輝度となるまでの時間（画像表示の立ち下がり時間Ｔoff）を測定した。また、液晶分子４１のプレチルト角θを調べる際には、公知の方法（T.J.Scheffer等，J.Appl.Phys.，vol.19，２０１３頁，１９８０年に記載されている方法）に準拠し、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を用いた結晶回転法により測定した。尚、プレチルト角θは、上述し、図４に示したように、ガラス基板２０Ａ，３０Ａの表面に垂直な方向（法線方向）をＺとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Ｚ方向に対する液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）のダイレクタＤの傾斜角度である。また、配向膜の膜厚は、作製されたＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０において、触針式膜厚計（ケーエルエー・テンコール株式会社製）を用いて測定したが、段差計の他にもエリプソメータ等の膜厚測定装置によって測定することもできる。
【０１９２】
［表３］
【０１９３】
図２２から、配向膜の膜厚とプレチルト角θとの間には一定の関係があることが判る。即ち、配向膜の膜厚が５５ｎｍのとき、プレチルト角θは０度であり、垂直配向となる。また、配向膜の膜厚が９０ｎｍのとき、プレチルト角θは１．５度前後となる。
【０１９４】
また、実施例１Ａと比較例１Ｃとを比較すると、実施例１Ａの方が格段に立ち上がり時間Ｔonの向上が認められるが、これは、実施例１Ａには、０度ではない第１プレチルト角θ1が付与されているためである。一方、実施例１Ａ、比較例１Ｃ共に、第２プレチルト角θ2＝０度であり、立ち下がり時間Ｔoffに差は認められない。
【０１９５】
同様に、実施例１Ｂと比較例１Ｂとを比較すると、実施例１Ｂの方が格段に立ち上がり時間Ｔonの向上が認められるが、これは、実施例１Ｂには、大きな値の第１プレチルト角θ1が付与されているためである。一方、実施例１Ｂ、比較例１Ｂ共に、第２プレチルト角θ2は同じ値であり、立ち下がり時間Ｔoffに差は認められない。
【０１９６】
次に、実施例１Ａと比較例１Ａとを比較すると、実施例１Ａの方が立ち下がり時間Ｔoffの向上が認められるが、これは、実施例１Ａには、０度の第２プレチルト角θ2が付与されているためである。同様に、実施例１Ｂと比較例１Ｂをと比較すると、同じ値の第２プレチルト角θ2が付与されているので、立ち下がり時間Ｔoffに差は認められない。
【０１９７】
また、実施例１Ａと実施例１Ｂとを比較すると、実施例１Ａの方が小さな値の第２プレチルト角θ2が付与されているので、立ち下がり時間Ｔoffは、実施例１Ａの方が一層短い。一方、実施例１Ａ、実施例１Ｂ共に同じ値の第１プレチルト角θ1が付与されているので、立ち上がり時間Ｔonに差は認められない。
【０１９８】
以上に説明したように、実施例１あるいは後述する実施例２にあっては、液晶層４０を設けた状態で、第１配向膜２２がその近傍の液晶分子４１Ａに対して第１プレチルト角θ1を付与するように、また、第２配向膜３２がその近傍の液晶分子４１Ｂに対して第２プレチルト角θ2を付与するように、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を架橋又は重合させる。これにより、応答速度（画像表示の立ち上がり速度及び立ち下がり速度）を大幅に向上させることができる。
【０１９９】
しかも、後述するように、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置していた。云い換えれば、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内にあった。即ち、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはなかった。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができた。
【実施例２】
【０２００】
実施例２は、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法、並びに、本開示の第３の態様に係る液晶表示装置（液晶表示素子）の製造方法に関する。実施例２にあっては、液晶層を封止した後、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する。具体的には、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、紫外線を照射して高分子化合物（配向処理前・化合物）の側鎖を変形させる。実施例２にあっては、感光性官能基を有する配向処理前・化合物／配向処理後・化合物を用いた。具体的には、以下の式（Ｈ−１）及び（Ｈ−２）に示すアゾベンゼン系化合物及びスチレン骨格を有する化合物を、感光性官能基を有する配向処理前・化合物として用いて、実施例１において説明した、図１５に示したと同様の構成、構造を有する液晶表示装置を作製し、応答特性を調べた。
【０２０１】
【０２０２】
実施例２にあっては、実質的に実施例１と同様にして、表４に示す配向膜材料２Ａ〜配向膜材料２Ｄを得た。そして、実施例１と同様にして、画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂ上における厚さが９０ｎｍ及び５５ｎｍの配向膜２２，３２を形成した。その後、実施例１と同様に、ＣＦ基板３０上の画素部周縁に、粒径３．５μｍのシリカ粒子を含む紫外線硬化型樹脂を塗布することによりシール部を形成し、これに囲まれた部分に、ネガ型液晶であるＭＬＣ−７０２９（メルク社製）から成る液晶材料を滴下注入した。次いで、画素電極２０Ｂのライン部分の中央と、対向電極３０Ｂの第２スリット部３１とが対向するようにＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを貼り合わせ、シール部を硬化させた。次いで、１２０゜Ｃのオーブンで１時間加熱し、シール部を完全に硬化させた。これにより、液晶層４０が封止され、液晶セルを完成させることができた。
【０２０３】
［表４］
【０２０４】
その後、このように作製された液晶セルに対して、実効値電圧２０ボルトの矩形波の交流電界（６０Ｈｚ）を印加した状態で、５００ｍＪ（波長３６５ｎｍでの測定）の均一な紫外線を照射し、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を変形させた。これにより、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０に、配向処理後・化合物（変形した高分子化合物）を含む配向膜２２，３２を形成した。以上により図１５に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた。最後に、液晶表示装置の外側に、吸収軸が直交するように一対の偏光板を貼り付けた。
【０２０５】
これらの配向膜材料２Ａ〜配向膜材料２Ｄを用いた液晶表示装置（液晶表示素子）について、応答時間を測定したところ、実施例１と同様の結果を得ることができた。
【０２０６】
以上、好ましい実施の形態及び実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、実施の形態及び実施例ではＶＡモードの液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示は必ずしもこれに限定されず、ＥＣＢモード（水平配向でポジ液晶のモード；ツイスト無し）、ＩＰＳ（In Plane Switching ）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードあるいはＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モード等の、他の表示モードにも適用可能である。この場合においても同様の効果が得られる。但し、本開示では、プレチルト処理が施されていないものと比較すると、ＶＡモードにおいて、ＩＰＳモードやＦＦＳモードよりも、特に高い応答特性の改善効果を発揮することができる。
【０２０７】
また、実施の形態及び実施例では、専ら透過型の液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示では必ずしも透過型に限られず、例えば、反射型としてもよい。反射型とした場合には、画素電極がアルミニウム等の光反射性を有する電極材料により構成される。
【０２０８】
以上に説明した液晶表示装置にあっては、第１基板側にのみ配向規制部を設けたが、第１基板に第１配向規制部（第１スリット部）を設け、第２基板に第２配向規制部（第２スリット部）を設けてもよい。このような液晶表示装置の一例として、以下に説明する液晶表示装置を挙げることができる。即ち、
第１基板及び第２基板、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成る液晶表示装置であって、
各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置しており、
液晶分子は、第１配向膜によってプレチルトが付与される構成とすることができる。ここで、第２基板の法線方向から重複領域の中心領域を眺めたとき、第２基板の法線方向に沿って重複領域の中心領域を占める液晶分子群（より具体的には、第１基板から第２基板までの微小な柱状領域を占める液晶分子群）の長軸は、略、同一仮想垂直面内に位置している。
【０２０９】
尚、第２配向規制部は、第２電極に形成された第２スリット部から成り、
第２スリット部の幅は、２μｍ以上１０μｍ未満であり、
第２スリット部のピッチは、１０μｍ乃至１８０μｍ、好ましくは３０μｍ乃至１８０μｍ、より好ましくは６０μｍ乃至１８０μｍである構成とすることができる。
【０２１０】
ここで、『重複領域の中心領域』とは、重複領域の中心と一致する中心を有し、重複領域と相似の形状であって、重複領域の面積の２５％の面積を有する領域を意味する。また、『液晶層における液晶分子群の長軸は、略、一仮想平面内に位置する』とは、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度が±５度以内であることを意味する。云い換えれば、液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内であることを意味する。更には、画素が複数の副画素から構成される場合、画素を副画素と読み替えればよい。また、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度、あるいは又、液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキの測定方法として、全反射減衰振動法（全反射減衰法とも呼ばれる）あるいは位相差測定法を挙げることができる。ここで、全反射減衰振動法とは、試料表面の吸収スペクトルを測定する方法であり、高屈折率媒質（プリズム）に試料を密着させ、プリズムから僅かに浸み出し、反射する全反射光を測定する。そして、このサンプルの方位を回転させることで、１００ｎｍ付近（液晶／配向膜）の分子の吸収の情報（配向方向）を求める方法である。また、位相差測定法は、ＲＥＴＳ１００（大塚電子株式会社製）を用いて、液晶セルを所望の角度だけ傾けた状態での位相差を測定し、プレチルトが付与された状態での理想の配向状態での位相差を予め算出しておき、フィッティングをかけることでプレチルトを算出する方法である。また、このサンプルをサンプル面内で回転させることで、プレチルトの付与された方位角を求めることができる。
【０２１１】
このような構造を有する液晶表示装置の模式的な一部断面図を、図１５及び図１６に示す。尚、図１５及び図１６に示す液晶表示装置は、図１及び図２に示した液晶表示装置の変形例である。
【０２１２】
ガラス基板から成るＴＦＴ基板２０には、ガラス基板から成るＣＦ基板３０と対向する側の表面に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極２０Ｂが配置されている。更に、複数の画素電極２０Ｂをそれぞれ駆動するゲート・ソース・ドレイン等を備えたＴＦＴスイッチング素子や、これらＴＦＴスイッチング素子に接続されるゲート線及びソース線等（図示せず）が設けられている。画素電極２０Ｂは、画素分離部５２によって電気的に分離された画素毎に設けられ、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する材料により構成されている。画素電極２０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第１スリット部２１（電極の形成されない部分）が設けられている。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第１スリット部２１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第１配向規制部であり、ここでは、この第１スリット部２１によって駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。
【０２１３】
ＣＦ基板３０には、ＴＦＴ基板２０との対向面に、有効表示領域のほぼ全面に亙って、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のストライプ状フィルタにより構成されたカラーフィルタ（図示せず）と、対向電極３０Ｂとが配置されている。対向電極３０Ｂは、画素電極２０Ｂと同様に、例えばＩＴＯ等の透明性を有する材料により構成されている。対向電極３０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第２スリット部３１（電極の形成されない部分）が設けられている。これによっても、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第２スリット部３１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第２配向規制部であり、ここでは、この第２スリット部３１によっても駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。
【０２１４】
第２スリット部３１は、第１スリット部２１と基板間で対向しないように配置されている。より具体的には、複数の第１スリット部２１は互いに平行に設けられており、複数の第２スリット部３１も互いに平行に設けられている。また、１つの画素において、互いに直交する２つの方向に複数の第１スリット部２１は延びており、同様に、互いに直交する２つの方向に複数の第２スリット部３１は延びている。そして、第１スリット部２１は、これらの第１スリット部２１に対向する第２スリット部３１と平行に設けられており、第１スリット部２１の射影像は、２つの第２スリット部３１の対称線の射影像上に位置し、第２スリット部３１の射影像は、２つの第１スリット部２１の対称線の射影像上に位置する。１つの画素（副画素）を上方から眺めたときの第１電極（画素電極）２０Ｂ及び第１スリット部２１、並びに、第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２スリット部３１の配置図を、図１７の（Ａ）に示し、第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２スリット部３１の配置図を、図１７の（Ｂ）に示す。また、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の外形形状の変形例を図１８の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図１９の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。尚、図１７の（Ａ）、図１８の（Ａ）、図１９の（Ａ）においては、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）を実線で示し、これらの上方に位置する第２配向規制部（第２スリット部３１）を点線で示した。また、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部と第２配向規制部（第２スリット部３１）とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域５０に斜線を付し、更には、中心領域５１を一点鎖線で囲み、且つ、斜線を付した。重複領域５０及び中心領域５１は、便宜上、１箇所のみを図示した。また、図１７の（Ｂ）、図１８の（Ｂ）、図１９の（Ｂ）においては、画素における第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部を点線で示し、第２配向規制部（第２スリット部３１）を実線で示した。尚、第１配向規制部（第１スリット部２１）の形状を第２配向規制部（第２スリット部３１）の形状と置き換え、第２配向規制部（第２スリット部３１）の形状を第１配向規制部（第１スリット部２１）の形状と置き換えてもよい。
【０２１５】
そして、各画素（副画素）において、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部と第２配向規制部（第２スリット部３１）とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置している。即ち、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内である。
【０２１６】
このような液晶表示装置にあっては、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０には、液晶分子４１の配向を規制するための配向規制部として第１スリット部２１及び第２スリット部３１が設けられているので、視野角特性等の表示特性が確保されるため、良好な表示特性を維持した状態で応答特性が向上する。しかも、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができる。尚、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）の状態を図２０の（Ａ）及び（Ｂ）に模式的に示す。ここで、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）の最上段に示す液晶分子４１Ｂは、第２基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）の最下段に示す液晶分子４１Ａは、第１基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）の中段に示す液晶分子４１Ｃは、第１基板と第２基板の中間に位置する液晶分子を示す。また、液晶分子を横切る点線は液晶分子の長軸を示す。図２０の（Ａ）に示す状態にあっては、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。一方、図２０の（Ｂ）に示す状態にあっては、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にある。
【０２１７】
このように、各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置している。云い換えれば、液晶層における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内である。このように、重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群は、それらの液晶分子群の長軸が一方の電極側から他方の電極側に向かって捩れた状態（ツイストした状態）にはない。それ故、一対の電極に電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、同一面内での応答ができるため、応答特性の一層の改善が図ることができる。
【符号の説明】
【０２１８】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・画素、２０・・・第１基板（ＴＦＴ基板）、２０Ａ，３０Ａ・・・ガラス基板、２０Ｂ・・・第１電極（画素電極）、２１・・・第１配向規制部（第１スリット部）、２２・・・第１配向膜、３０・・・第２基板（ＣＦ基板）、３０Ｂ・・・第２電極（対向電極）、３１・・・第２配向規制部（第２スリット部）、３２・・・第２配向膜、４０・・・液晶層、４１，４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ・・・液晶分子、５０・・・重複領域、５１・・・中心領域、５２・・・画素分離部、６０・・・表示領域、６１・・・ソースドライバ、６２・・・ゲートドライバ、６３・・・タイミングコントローラ、６４・・・電源回路、７１・・・ソース線、７２・・・ゲート線、１２１・・・トランジスタ、１２２・・・キャパシタ、Ａ・・・架橋性官能基又は重合性官能基、Ｃｒ・・・連結部、Ｍｃ（Ｍｃ１，Ｍｃ２，Ｍｃ３）・・・主鎖
【技術分野】
【０００１】
本開示は、対向面に配向膜を有する一対の基板の間に液晶層が封止された液晶表示素子を備えた液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶テレビジョン受像機やノート型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置等の表示モニタとして、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が多く用いられている。この液晶ディスプレイは、基板間に挟持された液晶層中に含まれる液晶分子の分子配列（配向）によって様々な表示モード（方式）に分類される。表示モードとして、例えば、電圧をかけない状態で液晶分子がねじれて配向しているＴＮ（Twisted Nematic；ねじれネマティック）モードがよく知られている。ＴＮモードでは、液晶分子は、正の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて大きい性質を有している。このため、液晶分子は、基板面に対して平行な面内において、液晶分子の配向方位を順次回転させつつ、基板面に垂直な方向に整列させた構造となっている。
【０００３】
この一方で、電圧をかけない状態で液晶分子が基板面に対して垂直に配向しているＶＡ（Vertical Alignment）モードに対する注目が高まっている。ＶＡモードでは、液晶分子は、負の誘電率異方性、即ち、液晶分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて小さい性質を有しており、ＴＮモードに比べて広視野角を実現できる。
【０００４】
このようなＶＡモードの液晶ディスプレイでは、電圧が印加されると、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子が、負の誘電率異方性により、基板に対して平行方向に倒れるように応答することによって、光を透過させる構成となっている。ところが、基板に対して垂直方向に配向した液晶分子の倒れる方向は任意であるため、電圧印加により液晶分子の配向が乱れ、よって、電圧に対する応答特性を悪化させる要因となっていた。
【０００５】
そこで、電圧印加に応答して液晶分子の倒れる方向を規制する手段として、基板の対向面に所定の構造を有するポリマー層を形成し、液晶分子を基板に対して垂直な方向から特定の方向に傾けて配向させる（所謂プレチルトを付与する）技術が開発されている（例えば、特開２００２−３５７８３０参照）。このような技術により、電圧印加時の液晶分子の倒れる方向を予め定めておくことができ、電圧印加に対する応答特性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３５７８３０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このようなプレチルトを付与する技術により、液晶表示装置における画像表示の立ち上がり速度の向上を図ることはできるが、電圧の印加を中断したときの応答速度の向上を図ることができない。即ち、液晶表示装置における画像表示の立ち下がり速度の向上を図ることはできない。一方、液晶表示装置における表示フレーム数の増加に対処するためには、画像表示の立ち上がり速度の向上だけでなく、立ち下がり速度の向上を図ることが必要とされる。
【０００８】
従って、本開示の目的は、画像表示の立ち上がり速度の向上だけでなく、立ち下がり速度の向上を図ることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る液晶表示装置は、
一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜及び第２配向膜、並びに、
第１配向膜と第２配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、
を有する液晶表示素子を備えており、
少なくとも第１配向膜は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物（便宜上、『配向処理後・化合物』と呼ぶ）を含み、
液晶分子は、第１配向膜によって（即ち、配向処理後・化合物によって）プレチルトが付与されており、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。ここで、『架橋性官能基』とは、架橋構造（橋かけ構造）を形成することが可能な基を意味し、より具体的には、二量化を意味する。また、『重合性官能基』とは、２つ以上の官能基が逐次重合を行うような官能基を意味する。
【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る液晶表示装置は、
一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜及び第２配向膜、並びに、
第１配向膜と第２配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、
を有する液晶表示素子を備えており、
少なくとも第１配向膜は、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物（便宜上、『配向処理後・化合物』と呼ぶ）を含み、
液晶分子は、第１配向膜によって（即ち、配向処理後・化合物によって）プレチルトが付与されており、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。ここで、『感光性官能基』とは、エネルギー線を吸収することが可能な基を意味する。また、エネルギー線として、紫外線、Ｘ線、電子線を挙げることができる。以下においても同様である。
【００１１】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）は、
一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物（便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ）から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋又は重合させて、液晶分子にプレチルトを付与する（即ち、配向処理後・化合物によって液晶分子にプレチルトを付与する）、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。
【００１２】
本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して、あるいは又、加熱することで、高分子化合物（配向処理前・化合物）の側鎖を架橋又は重合させる形態とすることができる。
【００１３】
そして、この場合、液晶分子を一対の基板の少なくとも一方の基板の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場を印加しながらエネルギー線を照射することが好ましく、更には、一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されており、画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することがより好ましい。一般に、対向電極を有する基板側にはカラーフィルタが形成されており、このカラーフィルタによってエネルギー線が吸収され、配向膜材料の架橋性官能基又は重合性官能基の反応が生じ難くなる可能性があるが故に、上述したとおり、カラーフィルタが形成されていない画素電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが一層好ましい。画素電極を有する基板側にカラーフィルタが形成されている場合、対向電極を有する基板側からエネルギー線を照射することが好ましい。尚、基本的に、プレチルトが付与されるときの液晶分子の方位角（偏角）は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、極角（天頂角）は、電場の強さ、及び、配向膜材料の分子構造によって規定される。後述する本開示の第２の態様〜第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法においても、同様である。
【００１４】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）は、
一対の基板の一方に、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物（便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ）から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する（即ち、配向処理後・化合物によって液晶分子にプレチルトを付与する）、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。
【００１５】
本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して高分子化合物（配向処理前・化合物）の側鎖を変形させる形態とすることができる。
【００１６】
上記の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法（あるいは液晶表示素子の製造方法）は、
一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物（便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ）から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する（即ち、配向処理後・化合物によって液晶分子にプレチルトを付与する）、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。
【００１７】
本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、高分子化合物にエネルギー線として紫外線を照射する形態とすることができる。
【００１８】
本開示の第１の態様に係る液晶表示装置、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置、上記の好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法、あるいは、上記の好ましい形態を含む本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法において、第１配向膜の厚さをｔ1、第２配向膜の厚さをｔ2としたとき、
ｔ1−ｔ2≧１０ｎｍ
好ましくは、
ｔ1−ｔ2≧３０ｎｍ
を満足することが望ましい。また、
４０ｎｍ≦ｔ2≦９０ｎｍ
好ましくは、
５０ｎｍ≦ｔ2≦７０ｎｍ
を満足することが望ましい。配向膜の厚さ（膜厚）は、電極上での厚さ（膜厚）である。
【００１９】
また、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る液晶表示装置、本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法、あるいは、本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法において、第１配向膜が形成された基板（第１基板）の法線と液晶分子の成す角度（第１プレチルト角：単位は度）をθ1、第２配向膜が形成された基板（第２基板）の法線と液晶分子の成す角度（第２プレチルト角：単位は度）をθ2としたとき、
θ1＞θ2
好ましくは、
θ1−θ2≧０．５
より好ましくは、
θ1−θ2≧１．０
を満足することが望ましいし、
０≦θ2≦０．５
であることが望ましい。あるいは又、第１配向膜の厚さｔ1、第２配向膜の厚さｔ2のそれぞれの値を、
θ1−θ2≧０．５
より好ましくは、
θ1−θ2≧１．０
を満足し、且つ、
０≦θ2≦０．５
を満足するような値に、各種の試験を行い決定、設定することが望ましい。
【００２０】
また、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る液晶表示装置、本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法、あるいは、本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法においては、第１配向膜を構成する材料と、第２配向膜を構成する材料は同じである構成とすることが好ましい。このように、第１配向膜を構成する材料と第２配向膜を構成する材料とを同じにすることで、第１配向膜の経時変化と第２配向膜の経時変化（例えば、配向膜の物性変化に依存したリーク電流の変化）を等しくすることができ、液晶表示装置の長期信頼性の向上を図ることができる。また、液晶表示装置の製造プロセスの簡素化を図ることができる。
【００２１】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る液晶表示装置あるいは本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示の第１の態様』と呼ぶ場合があるし、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第２の態様に係る液晶表示装置あるいは本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示の第２の態様』と呼ぶ場合があるし、以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示の第３の態様』と呼ぶ場合がある。また、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る液晶表示装置を、以下、総称して、単に、『本開示の液晶表示装置』と呼ぶ場合があるし、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様〜第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示の液晶表示装置の製造方法』と呼ぶ場合があるし、本開示の液晶表示装置及び本開示の液晶表示装置の製造方法を、以下、総称して、単に、『本開示』と呼ぶ場合がある。
【００２２】
本開示の第１の態様、第２の態様あるいは第３の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）あるいは第１配向膜を構成する化合物（配向処理後・化合物）は、更に、式（１）で表される基を側鎖として有する化合物から成る構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第１Ａの構成、本開示の第２Ａの構成、本開示の第３Ａの構成』と呼ぶ。
【００２３】
−Ｒ１−Ｒ２−Ｒ３ （１）
ここで、Ｒ１は、炭素数１以上の直鎖状又は分岐状の２価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、あるいは又、Ｒ１は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも１種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、Ｒ２は、複数の環構造を含む２価の有機基であり、環構造を構成する原子のうちの１つはＲ１に結合しており、Ｒ３は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体である。
【００２４】
あるいは又、本開示の第１の態様、第２の態様あるいは第３の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）あるいは第１配向膜を構成する化合物（配向処理後・化合物）は、式（２）で表される基を側鎖として有する化合物から成る構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第１Ｂの構成、本開示の第２Ｂの構成、本開示の第３Ｂの構成』と呼ぶ。尚、高分子化合物（配向処理前・化合物）あるいは第１配向膜を構成する化合物（配向処理後・化合物）は、式（２）で表される基だけでなく、上述した式（１）で表される基及び式（２）で表される基を側鎖として有する化合物から成る構成とすることもできる。
【００２５】
−Ｒ１１−Ｒ１２−Ｒ１３−Ｒ１４ （２）
ここで、Ｒ１１は、炭素数１以上、２０以下、好ましくは、炭素数３以上、１２以下の直鎖状又は分岐状の２価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、あるいは又、Ｒ１１は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも１種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、Ｒ１２は、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、キトサン、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ及びオキセタンのうちのいずれか１種の構造を含む２価の基、又は、エチニレン基であり、Ｒ１３は、複数の環構造を含む２価の有機基であり、Ｒ１４は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体である。場合によっては、式（２）を、以下の式（２’）のとおり、変形することができる。即ち、式（２）は式（２’）を包含する。
−Ｒ１１−Ｒ１２−Ｒ１４ （２’）
【００２６】
あるいは又、本開示の第１の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。あるいは又、本開示の第２の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。あるいは又、本開示の第３の態様において、高分子化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋・変形部、及び、架橋・変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第１Ｃの構成、本開示の第２Ｃの構成、本開示の第３Ｃの構成』と呼ぶ。本開示の第１Ｃの構成、本開示の第２Ｃの構成、本開示の第３Ｃの構成にあっては、末端構造部はメソゲン基を有する形態とすることができる。尚、上述した式（１）にあっては、「Ｒ２＋Ｒ３」が末端構造部に該当し、上述した式（２）にあっては、「Ｒ１３＋Ｒ１４」が末端構造部に該当する。
【００２７】
あるいは又、本開示の第１の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第１Ｄの構成』と呼ぶ。更には、本開示の第１Ｄの構成にあっては、主鎖と架橋部とは共有結合によって結合しており、架橋部と末端構造部とは共有結合によって結合している形態とすることができる。あるいは又、本開示の第２の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第２Ｄの構成』と呼ぶ。あるいは又、本開示の第３の態様において、高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、第１基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋・変形部、及び、架橋・変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本開示の第３Ｄの構成』と呼ぶ。
【００２８】
本開示の第１Ａの構成〜本開示の第１Ｄの構成を含む本開示の第１の態様にあっては、側鎖（より具体的には、架橋部）は光二量化感光基を有する形態とすることができる。
【００２９】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、第１配向膜の表面粗さＲａは１ｎｍ以下である構成とすることができる。ここで、表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に規定されている。
【００３０】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、及び、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
を備えており、
第１配向膜は、第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆い、
第１配向規制部は、第１電極に形成された第１スリット部から成り、
第１スリット部の幅は、２μｍ以上１０μｍ未満であり、
第１スリット部のピッチは、１０μｍ乃至１８０μｍ、好ましくは３０μｍ乃至１８０μｍ、より好ましくは６０μｍ乃至１８０μｍである構成とすることができる。
【００３１】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、及び、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
を備えており、
第２配向膜は、第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆い、
第２配向規制部は、第２電極に形成された第２スリット部から成り、
第２スリット部の幅は、２μｍ以上１０μｍ未満であり、
第２スリット部のピッチは、１０μｍ乃至１８０μｍ、好ましくは３０μｍ乃至１８０μｍ、より好ましくは６０μｍ乃至１８０μｍである構成とすることができる。
【００３２】
あるいは又、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、及び、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
を備えており、
第１配向膜は、第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆い、
第１配向規制部は、基板に設けられた突起から成る構成とすることができる。
【００３３】
あるいは又、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、液晶表示装置は、更に、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、及び、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
を備えており、
第２配向膜は、第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆い、
第２配向規制部は、基板に設けられた突起から成る構成とすることができる。
【００３４】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、上述したとおり、第２配向膜は、第１配向膜を構成する高分子化合物（配向処理前・化合物）から成り、あるいは又、第１配向膜と同じ組成を有する形態とすることができる。但し、本開示の第１の態様〜第３の態様において規定される高分子化合物（配向処理前・化合物）から構成される限り、第２配向膜は、第１配向膜を構成する高分子化合物（配向処理前・化合物）とは異なる高分子化合物（配向処理前・化合物）から成る構成としてもよい。
【００３５】
以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示において、主鎖は繰り返し単位中にイミド結合を含む構成とすることができる。また、高分子化合物（配向処理後・化合物）は、液晶分子を一対の基板に対して、即ち、第１基板のみならず、第２基板に対しても、所定の方向に配列させる構造を含む形態とすることができる。更には、一対の基板は、画素電極を有する基板、及び、対向電極を有する基板から構成されている形態、即ち、第１基板を画素電極を有する基板とし、第２基板を対向電極を有する基板とする形態、あるいは又、第２基板を画素電極を有する基板とし、第１基板を対向電極を有する基板とする形態とすることができる。
【発明の効果】
【００３６】
本開示の第１の態様に係る液晶表示装置にあっては、第１配向膜が、即ち、一対の配向膜のうちの少なくとも一方が、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、架橋又は重合した化合物により液晶分子にプレチルトが付与される。このため、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、良好な表示特性が確保される。その上、架橋又は重合した化合物によって液晶分子にプレチルトが付与されているため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して電極間の電界に応じた応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が早くなり、架橋又は重合した化合物を用いずにプレチルトを付与した場合と比較して、良好な表示特性が維持され易くなる。
【００３７】
本開示の第１の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物を含む第１配向膜を形成した後、第１配向膜及び第２配向膜の間に、液晶層を封止する。ここで、液晶層中の液晶分子は、第１配向膜及び第２配向膜により、全体として第１配向膜及び第２配向膜表面に対して所定の方向（例えば、水平方向、垂直方向あるいは斜め方向）に配列した状態となる。次いで、電場を印加しながら、架橋性官能基又は重合性官能基を反応させることにより高分子化合物を架橋又は重合させる。これにより、架橋又は重合した化合物近傍の液晶分子に対してプレチルトを付与することが可能となる。このため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が向上する。しかも、液晶分子が配列した状態で高分子化合物を架橋又は重合させることにより、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。
【００３８】
本開示の第２の態様に係る液晶表示装置にあっては、第１配向膜が、即ち、一対の配向膜のうちの少なくとも一方が、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物を含み、変形した化合物により液晶分子にプレチルトが付与される。このため、画素電極と対向電極との間に電界が印加されると、液晶分子は、その長軸方向が基板面に対して所定の方向に応答し、良好な表示特性が確保され、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して電極間の電界に応じた応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が早くなり、変形した化合物を用いずにプレチルトを付与した場合と比較して、良好な表示特性が維持され易くなる。
【００３９】
本開示の第２の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物を含む第１配向膜を形成した後、第１配向膜及び第２配向膜の間に、液晶層を封止する。ここで、液晶層中の液晶分子は、第１配向膜及び第２配向膜により、全体として第１配向膜及び第２配向膜表面に対して所定の方向（例えば、水平方向、垂直方向あるいは斜め方向）に配列した状態となる。次いで、電場を印加しながら、高分子化合物を変形させる。これにより、変形した化合物近傍の液晶分子に対してプレチルトを付与することが可能となる。このため、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が向上する。しかも、液晶分子が配列した状態で高分子化合物を変形させることにより、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。
【００４０】
本開示の第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法にあっては、高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する。即ち、液晶分子が配列した状態で高分子化合物の側鎖を架橋、重合あるいは変形させることにより、液晶分子にプレチルトが付与されていない場合と比較して、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が向上する。しかも、液晶層を封止する前に配向膜に対して直線偏光の光や斜め方向の光を照射しなくても、また、大がかりな装置を用いなくても、液晶分子に対してプレチルトを付与することができる。
【００４１】
しかも、本開示にあっては、液晶分子は第２配向膜によっても配向されるが、第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い。従って、第２配向膜が、その近傍に位置する液晶分子を取り込みあるいは吸着する量は、第１配向膜が、その近傍に位置する液晶分子を取り込みあるいは吸着する量よりも少ない。それ故、第２配向膜によって付与されるプレチルト角が結果として小さくなり、第２配向膜の近傍に位置する液晶分子は、電圧の印加を中断したとき、基板に対して、より一層、早く垂直方向に配向することが可能となる。従って、画像表示の立ち下がり速度の向上を図ることができる。また、液晶分子は、第２配向膜によって、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向されるので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを向上させることができる。更に、第１配向膜の膜厚及び第２配向膜の膜厚を非対称化することにより、イオン性不純物等により引き起こされるフリッカ、保持率、残留ＤＣの最適化も可能となる。即ち、配向膜表面に吸着されると考えられるイオン性の不純物量を第１配向膜及び第２配向膜に対して膜厚を非対称とすることができ、結果として信頼性の改善も図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、本開示の液晶表示装置の模式的な一部断面図である。
【図２】図２は、本開示の液晶表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部の模式図である。
【図４】図４は、液晶分子のプレチルトを説明するための模式図である。
【図５】図５は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】図６は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための配向膜中における高分子化合物（配向処理前・化合物）の状態を表す模式図である。
【図７】図７は、図１に示した液晶表示装置の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図８】図８は、図７に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図９】図９は、図８に続く工程を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０は、配向膜中における高分子化合物（配向処理後・化合物）の状態を表す模式図である。
【図１１】図１１は、図１に示した液晶表示装置の回路構成図である。
【図１２】図１２は、オーダーパラメータを説明するための断面模式図である。
【図１３】図１３は、架橋した高分子化合物と液晶分子との関係を説明する概念図である。
【図１４】図１４は、変形した高分子化合物と液晶分子との関係を説明する概念図である。
【図１５】図１５は、図１に示した本開示の液晶表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図１６】図１６は、図２に示した本開示の液晶表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。
【図１７】図１７の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の模式図であり、図１７の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の模式図である。
【図１８】図１８の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の変形例の模式図であり、図１８の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の変形例の模式図である。
【図１９】図１９の（Ａ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第１電極及び第１スリット部、並びに、第２電極及び第２スリット部の別の変形例の模式図であり、図１９の（Ｂ）は、１つの画素を上方から眺めたときの第２電極及び第２スリット部の別の変形例の模式図である。
【図２０】図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）の状態を模式的に示す図である。
【図２１】図２１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１及び比較例１の液晶表示装置において、応答時間（画像表示の立ち上がり時間Ｔon及び立ち下がり時間Ｔoff）を測定した結果を示すグラフである。
【図２２】図２２は、配向膜の膜厚とプレチルト角θの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、図面を参照して、発明の実施の形態、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は発明の実施の形態、実施例に限定されるものではなく、発明の実施の形態、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の液晶表示装置における共通の構成、構造に関する説明
２．発明の実施の形態に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明
３．実施例に基づく、本開示の液晶表示装置及びその製造方法の説明、その他
【００４４】
［本開示の液晶表示装置（液晶表示素子）における共通の構成、構造に関する説明］
本開示の液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の模式的な一部断面図を、図１に示す。この液晶表示装置は、複数の画素１０（１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・）を有している。そして、この液晶表示装置（液晶表示素子）においては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板２０とＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）基板３０との間に、配向膜２２，３２を介して液晶分子４１を含む液晶層４０が設けられている。この液晶表示装置（液晶表示素子）は、所謂透過型であり、表示モードは垂直配向（ＶＡ）モードである。図１では、駆動電圧が印加されていない非駆動状態を表している。尚、画素１０は、実際には、例えば、赤色の画像を表示する副画素、緑色の画像を表示する副画素、青色の画像を表示する副画素等の副画素から構成されている。
【００４５】
ここで、ＴＦＴ基板２０が第１基板に相当し、ＣＦ基板３０が第２基板に相当する。また、第１基板（ＴＦＴ基板）２０に設けられた画素電極２０Ｂ及び配向膜２２が、第１電極及び第１配向膜に相当し、第２基板（ＣＦ基板）３０に設けられた対向電極３０Ｂ及び配向膜３２が、第２電極及び第２配向膜に相当する。
【００４６】
即ち、この液晶表示装置は、
一対の基板２０，３０の対向面側に設けられた第１配向膜２２及び第２配向膜３２、並びに、
第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０、
を有する液晶表示素子を備えている。
【００４７】
そして、少なくとも第１配向膜（具体的には、第１配向膜２２及び第２配向膜３２）は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、
液晶分子は、第１配向膜２２によってプレチルトが付与されており、更には、第２配向膜３２によってもプレチルトが付与されており、
第２配向膜３２の厚さｔ2は、第１配向膜２２の厚さｔ1よりも薄い。尚、（ｔ1，ｔ2）の関係は、上述したとおりである。
【００４８】
具体的には、第１配向膜２２は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物（配向処理後・化合物）を含む。また、第２配向膜３２も、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物（配向処理後・化合物）を含む。ここで、第１配向膜２２を構成するための高分子化合物と第２配向膜３２を構成するための高分子化合物とは、好ましくは、同じ高分子化合物であるし、第１配向膜２２を構成する配向処理後・化合物と第２配向膜３２を構成する配向処理後・化合物とは、同じ配向処理後・化合物である。そして、液晶分子には、上述したとおり、第１配向膜２２によって（配向処理後・化合物によって）プレチルトが付与され（第１プレチルト角θ1）、且つ、液晶分子は、第２配向膜３２によって（配向処理後・化合物によって）プレチルトが付与される（第２プレチルト角θ2）。尚、以下の説明において、「第２プレチルト角θ2」との表現には０度が含まれる。
【００４９】
より具体的には、この液晶表示装置は、
第１基板（ＴＦＴ基板）２０及び第２基板（ＣＦ基板）３０、
第２基板３０と対向する第１基板２０の対向面に形成された第１電極（画素電極）２０Ｂ、
第１電極（画素電極）２０Ｂに設けられた第１配向規制部２１、
第１電極（画素電極）２０Ｂ、第１配向規制部２１及び第１基板（ＴＦＴ基板）２０の対向面を覆う第１配向膜２２、
第１基板（ＴＦＴ基板）２０と対向する第２基板（ＣＦ基板）３０の対向面に形成された第２電極（対向電極）３０Ｂ、
第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２基板（ＣＦ基板）３０の対向面を覆う第２配向膜３２、並びに、
第１配向膜２２及び第２配向膜３２の間に設けられ、液晶分子４１を含む液晶層４０、
を有する画素１０が、複数、配列されて成る。
【００５０】
ガラス基板から成るＴＦＴ基板２０には、ガラス基板から成るＣＦ基板３０と対向する側の表面に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極２０Ｂが配置されている。更に、複数の画素電極２０Ｂをそれぞれ駆動するゲート・ソース・ドレイン等を備えたＴＦＴスイッチング素子や、これらＴＦＴスイッチング素子に接続されるゲート線及びソース線等（図示せず）が設けられている。画素電極２０Ｂは、画素分離部によって電気的に分離された画素毎に設けられ、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する材料により構成されている。画素電極２０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第１スリット部２１（電極の形成されない部分）が設けられている。尚、１つの画素（副画素）を上方から眺めたときの第１電極（画素電極）２０Ｂ及び第１スリット部２１の配置図を、図３の（Ａ）あるいは図３の（Ｂ）に示す。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第１スリット部２１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第１配向規制部であり、ここでは、この第１スリット部２１によって駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。
【００５１】
ＣＦ基板３０には、ＴＦＴ基板２０との対向面に、有効表示領域のほぼ全面に亙って、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のストライプ状フィルタにより構成されたカラーフィルタ（図示せず）と、対向電極３０Ｂとが配置されている。対向電極３０Ｂは、画素電極２０Ｂと同様に、例えばＩＴＯ等の透明性を有する材料により構成されている。対向電極３０Ｂは、パターニングされていない、所謂ベタ電極である。
【００５２】
第１配向膜２２は、ＴＦＴ基板２０の液晶層４０側の表面に画素電極２０Ｂ及び第１スリット部２１を覆うように設けられている。第２配向膜３２は、ＣＦ基板３０の液晶層４０側の表面に対向電極３０Ｂを覆うように設けられている。第１配向膜２２及び第２配向膜３２は、液晶分子４１の配向を規制するものであり、ここでは、基板から離れて位置する液晶分子４１を基板面に対して垂直方向に配向させると共に、基板近傍の液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）に対してプレチルトを付与する機能を有している。尚、具体的には、第１スリット部２１の幅は５μｍであり、第１スリット部２１のピッチは１１３μｍである。
【００５３】
図１１は、図１に示した液晶表示装置の回路構成を表している。
【００５４】
図１１に示すように、液晶表示装置は、表示領域６０内に設けられた複数の画素１０を有する液晶表示素子を含んで構成されている。この液晶表示装置では、表示領域６０の周囲には、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２を制御するタイミングコントローラ６３と、ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２に電力を供給する電源回路６４とが設けられている。
【００５５】
表示領域６０は、画像が表示される領域であり、複数の画素１０がマトリックス状に配列されることにより画像を表示可能に構成された領域である。尚、図１１では、複数の画素１０を含む表示領域６０を示しているほか、４つの画素１０に対応する領域を別途拡大して示している。
【００５６】
表示領域６０では、行方向に複数のソース線７１が配列されていると共に、列方向に複数のゲート線７２が配列されており、ソース線７１及びゲート線７２が互いに交差する位置に画素１０がそれぞれ配置されている。各画素１０は、画素電極２０Ｂ及び液晶層４０と共に、トランジスタ１２１及びキャパシタ１２２を含んで構成されている。各トランジスタ１２１では、ソース電極がソース線７１に接続され、ゲート電極がゲート線７２に接続され、ドレイン電極がキャパシタ１２２及び画素電極２０Ｂに接続されている。各ソース線７１は、ソースドライバ６１に接続されており、ソースドライバ６１から画像信号が供給される。各ゲート線７２は、ゲートドライバ６２に接続されており、ゲートドライバ６２から走査信号が順次供給される。
【００５７】
ソースドライバ６１及びゲートドライバ６２は、複数の画素１０の中から特定の画素１０を選択する。
【００５８】
タイミングコントローラ６３は、例えば、画像信号（例えば、赤、緑、青に対応するＲＧＢの各映像信号）と、ソースドライバ６１の動作を制御するためのソースドライバ制御信号とを、ソースドライバ６１に出力する。また、タイミングコントローラ６３は、例えば、ゲートドライバ６２の動作を制御するためのゲートドライバ制御信号をゲートドライバ６２に出力する。ソースドライバ制御信号として、例えば、水平同期信号、スタートパルス信号あるいはソースドライバ用のクロック信号等が挙げられる。ゲートドライバ制御信号として、例えば、垂直同期信号や、ゲートドライバ用のクロック信号等が挙げられる。
【００５９】
この液晶表示装置では、以下の要領で第１電極（画素電極）２０Ｂと第２電極（対向電極）３０Ｂとの間に駆動電圧を印加することにより、画像が表示される。具体的には、ソースドライバ６１が、タイミングコントローラ６３からのソースドライバ制御信号の入力により、同じくタイミングコントローラ６３から入力された画像信号に基づいて所定のソース線７１に個別の画像信号を供給する。これと共に、ゲートドライバ６２が、タイミングコントローラ６３からのゲートドライバ制御信号の入力により所定のタイミングでゲート線７２に走査信号を順次供給する。これにより、画像信号が供給されたソース線７１と走査信号が供給されたゲート線７２との交差部に位置する画素１０が選択され、画素１０に駆動電圧が印加される。
【００６０】
以下、発明の実施の形態（『実施の形態』と略称する）及び実施例に基づき、本開示を説明する。
【００６１】
［実施の形態１］
実施の形態１は、本開示の第１の態様に係るＶＡモードの液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）、並びに、本開示の第１の態様、第３の態様に係る液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の製造方法に関する。実施の形態１において、第１配向膜及び第２配向膜（配向膜２２，３２）は、側鎖に架橋構造を有する高分子化合物（配向処理後・化合物）の１種あるいは２種以上を含んで構成されている。そして、液晶分子は、架橋又は重合した化合物によってプレチルトが付与される。ここで、配向処理後・化合物は、主鎖及び側鎖を有する高分子化合物（配向処理前・化合物）の１種あるいは２種以上を含む状態で配向膜２２，３２を形成した後、液晶層４０を設け、次いで、高分子化合物を架橋又は重合させることで、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、より具体的には、電場又は磁場を印加しながら側鎖に含まれる架橋性官能基又は重合性官能基を反応させることにより生成される。そして、配向処理後・化合物は、液晶分子を一対の基板（具体的には、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０）に対して所定の方向（具体的には、斜め方向及び例えば垂直方向）に配列させる構造を含んでいる。このように、高分子化合物を架橋又は重合させて、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、配向処理後・化合物が配向膜２２，３２中に含まれることにより、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１に対してプレチルト及び例えば垂直配向を付与できるため、応答速度（画像表示の立ち上がり速度及び画像表示の立ち下がり速度）が早くなり、表示特性が向上する。
【００６２】
ここで、第２配向膜３２の厚さｔ2は、第１配向膜２２の厚さｔ1よりも薄い。従って、第２配向膜３２が、その近傍に位置する液晶分子を取り込みあるいは吸着する量は、第１配向膜２２が、その近傍に位置する液晶分子を取り込みあるいは吸着する量よりも少ない。それ故、第２配向膜３２の近傍に位置する液晶分子は、電圧の印加を中断したとき、基板に対して、より一層、早く垂直方向に配向することが可能となる。従って、画像表示の立ち下がり速度の向上を図ることができる。また、液晶分子は、第２配向膜３２によって、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向されるので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを一層向上させることができる。
【００６３】
配向処理前・化合物は、主鎖として耐熱性が高い構造を含むことが好ましい。これにより、液晶表示装置（液晶表示素子）では、高温環境下に曝されても、配向膜２２，３２中の配向処理後・化合物が液晶分子４１に対する配向規制能を維持するため、応答特性と共にコントラスト等の表示特性が良好に維持され、信頼性が確保される。ここで、主鎖は、繰り返し単位中にイミド結合を含むことが好ましい。主鎖中にイミド結合を含む配向処理前・化合物として、例えば、式（３）で表されるポリイミド構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（３）に示すポリイミド構造を含む高分子化合物は、式（３）に示すポリイミド構造のうちの１種から構成されていてもよいし、複数種がランダムに連結して含まれていてもよいし、式（３）に示す構造の他に、他の構造を含んでいてもよい。
【００６４】
ここで、Ｒ１は４価の有機基であり、Ｒ２は２価の有機基であり、ｎ１は１以上の整数である。
【００６５】
式（３）におけるＲ１及びＲ２は、炭素を含んで構成された４価あるいは２価の基であれば任意であるが、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか一方に、側鎖としての架橋性官能基又は重合性官能基を含んでいることが好ましい。配向処理後・化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。
【００６６】
また、配向処理前・化合物では、側鎖は主鎖に複数結合しており、複数の側鎖のうちの少なくとも１つが架橋性官能基又は重合性官能基を含んでいればよい。即ち、配向処理前・化合物は、架橋性を有する側鎖の他に、架橋性を示さない側鎖を含んでいてもよい。架橋性官能基又は重合性官能基を含む側鎖は、１種であってもよいし、複数種であってもよい。架橋性官能基又は重合性官能基は、液晶層４０を形成した後に架橋反応可能な官能基であれば任意であり、光反応によって架橋構造を形成する基であってもよいし、熱反応によって架橋構造を形成する基であってもよいが、中でも、光反応によって架橋構造を形成する、光反応性の架橋性官能基又は重合性官能基（感光性を有する感光基）が好ましい。液晶分子４１の配向を所定の方向に規制し易く、応答特性が向上すると共に良好な表示特性を有する液晶表示装置（液晶表示素子）の製造を容易にするからである。
【００６７】
光反応性の架橋性官能基（感光性を有する感光基であり、例えば、光二量化感光基）として、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、及び、キトサンのうちのいずれか１種の構造を含む基が挙げられる。これらのうち、カルコン、シンナメートあるいはシンナモイルの構造を含む基として、例えば、式（４１）で表される基が挙げられる。式（４１）に示す基を含む側鎖を有する配向処理前・化合物が架橋すると、例えば、式（４２）に示す構造が形成される。即ち、式（４１）に示す基を含む高分子化合物から生成された配向処理後・化合物は、シクロブタン骨格を有する式（４２）に示す構造を含む。尚、例えば、マレイミドといった光反応性の架橋性官能基は、場合によっては、光二量化反応だけでなく、重合反応も示す。従って、架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物といった表現としている。
【００６８】
ここで、Ｒ３は芳香族環を含む２価の基であり、Ｒ４は１又は２以上の環構造を含む１価の基であり、Ｒ５は水素原子、又は、アルキル基あるいはその誘導体である。
【００６９】
式（４１）におけるＲ３は、ベンゼン環等の芳香族環を含む２価の基であれば任意であり、芳香族環の他に、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合あるいは炭化水素基を含んでいてもよい。また、式（４１）におけるＲ４は、１又は２以上の環構造を含む１価の基であれば任意であり、環構造の他に、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、炭化水素基あるいはハロゲン原子等を含んでいてもよい。Ｒ４が有する環構造として、骨格を構成する元素として炭素を含む環であれば任意であり、その環構造として、例えば、芳香族環、複素環あるいは脂肪族環、又は、それらの連結あるいは縮合した環構造等が挙げられる。式（４１）におけるＲ５は、水素原子、又は、アルキル基あるいはその誘導体であれば任意である。ここで、「誘導体」とは、アルキル基が有する水素原子の一部あるいは全部がハロゲン原子等の置換基により置換された基のことを云う。また、Ｒ５として導入されるアルキル基の炭素数は任意である。Ｒ５として、水素原子あるいはメチル基が好ましい。良好な架橋反応性が得られるからである。
【００７０】
式（４２）におけるＲ３同士は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。このことは、式（４１）におけるＲ４同士及びＲ５同士についても同様である。式（４２）におけるＲ３、Ｒ４及びＲ５として、例えば、上記した式（４１）におけるＲ３、Ｒ４及びＲ５と同様のものが挙げられる。
【００７１】
式（４１）に示した基として、例えば、式（４１−１）〜式（４１−３３）で表される基が挙げられる。但し、式（４１）に示した構造を有する基であれば、式（４１−１）〜式（４１−３３）に示す基に限定されない。
【００７２】
【００７３】
【００７４】
【００７５】
【００７６】
配向処理前・化合物は、液晶分子４１を基板面に対して垂直方向に配向させるための構造（以下、『垂直配向誘起構造部』と呼ぶ）を含んでいることが好ましい。配向膜２２，３２が配向処理後・化合物とは別に垂直配向誘起構造部を有する化合物（所謂、通常の垂直配向剤）を含まなくても、液晶分子４１全体の配向規制が可能になるからである。その上、垂直配向誘起構造部を有する化合物を別に含む場合よりも、液晶層４０に対する配向規制機能をより均一に発揮可能な配向膜２２，３２が形成され易いからである。垂直配向誘起構造部は、配向処理前・化合物においては、主鎖に含まれていてもよいし、側鎖に含まれていてもよいし、双方に含まれていてもよい。また、配向処理前・化合物が上記した式（３）に示したポリイミド構造を含む場合、Ｒ２として垂直配向誘起構造部を含む構造（繰り返し単位）と、Ｒ２として架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造（繰り返し単位）との２種の構造を含んでいることが好ましい。容易に入手可能であるからである。尚、垂直配向誘起構造部は、配向処理前・化合物に含まれていれば、配向処理後・化合物においても含まれる。
【００７７】
垂直配向誘起構造部として、例えば、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のハロゲン化アルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基、炭素数１０以上のハロゲン化アルコキシ基あるいは環構造を含む有機基等が挙げられる。具体的には、垂直配向誘起構造部を含む構造として、例えば、式（５−１）〜式（５−６）で表される構造等が挙げられる。
【００７８】
ここで、Ｙ１は炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む１価の有機基である。また、Ｙ２〜Ｙ１５は水素原子、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む１価の有機基であり、Ｙ２及びＹ３のうちの少なくとも一方、Ｙ４〜Ｙ６のうちの少なくとも１つ、Ｙ７及びＹ８のうちの少なくとも一方、Ｙ９〜Ｙ１２のうちの少なくとも１つ、及び、Ｙ１３〜Ｙ１５のうちの少なくとも１つは、炭素数１０以上のアルキル基、炭素数１０以上のアルコキシ基あるいは環構造を含む１価の有機基である。但し、Ｙ１１及びＹ１２は結合して環構造を形成してもよい。
【００７９】
また、垂直配向誘起構造部としての環構造を含む１価の有機基として、例えば、式（６−１）〜式（６−２３）で表される基等が挙げられる。垂直配向誘起構造部としての環構造を含む２価の有機基として、例えば、式（７−１）〜式（７−７）で表される基等が挙げられる。
【００８０】
ここで、ａ１〜ａ３は０以上、２１以下の整数である。
【００８１】
【００８２】
ここで、ａ１は０以上、２１以下の整数である。
【００８３】
【００８４】
尚、垂直配向誘起構造部は、液晶分子４１を基板面に対して垂直方向に配列させるように機能する構造を含んでいれば、上記した基に限定されない。
【００８５】
また、本開示の第１Ａの構成、第２Ａの構成（後述する実施の形態２を参照）あるいは第３Ａの構成に則って表現すれば、架橋前の高分子化合物（配向処理前・化合物）は、架橋性官能基又は重合性官能基の他に、式（１）で表される基を側鎖として有する化合物から成る。式（１）に示した基は液晶分子４１に対して沿うように動くことができるため、配向処理前・化合物が架橋する際に、式（１）に示した基が液晶分子４１の配向方向に沿った状態で架橋性官能基又は重合性官能基と一緒に固定される。そして、この固定された式（１）に示した基により、液晶分子４１の配向を所定の方向により規制し易くなるため、良好な表示特性を有する液晶表示素子の製造をより容易にすることができる。
【００８６】
−Ｒ１−Ｒ２−Ｒ３ （１）
ここで、Ｒ１は、炭素数１以上の直鎖状又は分岐状の２価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、あるいは又、Ｒ１は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも１種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合している。Ｒ２は、複数の環構造を含む２価の有機基であり、環構造を構成する原子のうちの１つはＲ１に結合している。Ｒ３は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体である。
【００８７】
式（１）中のＲ１は、Ｒ２及びＲ３を主鎖に固定すると共に、長いＲ１を選択すれば液晶分子に対して大きなプレチルトを付与するための、また、短いＲ１を選択すればプレチルト角を容易に一定にするための、スペーサ部分として機能するための部位であり、Ｒ１として、例えば、アルキレン基等が挙げられる。このアルキレン基は、途中の炭素原子間にエーテル結合を有していてもよく、そのエーテル結合を有する箇所は、１箇所でもよいし、２箇所以上でもよい。また、Ｒ１は、カルボニル基又はカーボネート基を有していてもよい。Ｒ１の炭素数は、６以上であることがより好ましい。式（１）に示した基が液晶分子４１と相互作用するため、液晶分子４１に対して沿い易くなるからである。この炭素数は、Ｒ１の長さが液晶分子４１の末端鎖の長さとほぼ同等となるように決定されることが好ましい。
【００８８】
式（１）中のＲ２は、一般的なネマティック液晶分子に含まれる環構造（コア部位）に沿う部分である。Ｒ２として、例えば、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、１，６−ナフタレン基、ステロイド骨格を有する２価の基又はそれらの誘導体等のように、液晶分子に含まれる環構造と同様の基あるいは骨格が挙げられる。ここで、「誘導体」とは、上記した一連の基に１又は２以上の置換基が導入された基である。
【００８９】
式（１）中のＲ３は、液晶分子の末端鎖に沿う部分であり、Ｒ３として、例えば、アルキル基又はハロゲン化アルキル基等が挙げられる。但し、ハロゲン化アルキル基では、アルキル基のうちの少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換されていればよく、そのハロゲン原子の種類は任意である。アルキル基又はハロゲン化アルキル基は、途中の炭素原子間にエーテル結合を有していてもよく、そのエーテル結合を有する箇所は、１箇所でもよいし、２箇所以上でもよい。また、Ｒ３は、カルボニル基又はカーボネート基を有していてもよい。Ｒ３の炭素数は、Ｒ１と同様の理由により、６以上であることがより好ましい。
【００９０】
具体的には、式（１）に示した基として、例えば、式（１−１）〜式（１−１２）で表される１価の基等が挙げられる。
【００９１】
【００９２】
【００９３】
尚、式（１）に示した基は、液晶分子４１に対して沿うように動くことができれば、上記した基に限定されない。
【００９４】
あるいは又、本開示の第１Ｂの構成、第２Ｂの構成（後述する実施の形態２を参照）あるいは第３Ｂの構成に則って表現すれば、架橋前の高分子化合物（配向処理前・化合物）は、式（２）で表される基を側鎖として有する化合物から成る。架橋する部位の他に、液晶分子４１に沿う部位とチルト角を規定する部位とを有するため、液晶分子４１に対して沿う側鎖の部位が液晶分子４１により沿った状態で固定可能である。そして、これにより、液晶分子４１の配向を所定の方向により規制し易くなるため、良好な表示特性を有する液晶表示素子の製造をより容易にすることができる。
【００９５】
−Ｒ１１−Ｒ１２−Ｒ１３−Ｒ１４ （２）
ここで、Ｒ１１は、炭素数１以上、２０以下、好ましくは、炭素数３以上、１２以下の直鎖状又は分岐状の２価の、エーテル基あるいはエステル基を含むことある有機基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合しており、あるいは又、Ｒ１１は、エーテル、エステル、エーテルエステル、アセタール、ケタール、ヘミアセタール及びヘミケータールから成る群から選択された少なくとも１種の結合基であり、高分子化合物あるいは架橋した化合物（配向処理前・化合物あるいは配向処理後・化合物）の主鎖に結合している。Ｒ１２は、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、キトサン、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ及びオキセタンのうちのいずれか１種の構造を含む２価の基、又は、エチニレン基である。Ｒ１３は、複数の環構造を含む２価の有機基である。Ｒ１４は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体である。
【００９６】
式（２）中のＲ１１は、配向処理前・化合物においてはチルト角を規定する部位であり、配向処理前・化合物においては可撓性を有することが好ましい。Ｒ１１として、例えば、式（１）中のＲ１について説明した基が挙げられる。式（２）に示した基では、Ｒ１１を軸としてＲ１２〜Ｒ１４が動き易いため、Ｒ１３及びＲ１４が液晶分子４１に対して沿い易くなっている。Ｒ１１の炭素数は、６以上、１０以下であることがより好ましい。
【００９７】
式（２）中のＲ１２は、架橋性官能基又は重合性官能基を有する部位である。この架橋性官能基又は重合性官能基は、上記したように、光反応によって架橋構造を形成する基であってもよいし、熱反応によって架橋構造を形成する基であってもよい。具体的には、Ｒ１２として、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、キトサン、アクリロイル、メタクリロイル、ビニル、エポキシ及びオキセタンのうちのいずれか１種の構造を含む２価の基、又は、エチニレン基を挙げることができる。
【００９８】
式（２）中のＲ１３は、液晶分子４１のコア部位に対して沿うことができる部位であり、Ｒ１３として、例えば、式（１）中のＲ２について説明した基等が挙げられる。
【００９９】
式（２）中のＲ１４は、液晶分子４１の末端鎖に沿う部位であり、Ｒ１４として、例えば、式（１）中のＲ３について説明した基等が挙げられる。
【０１００】
具体的には、式（２）に示した基として、例えば、式（２−１）〜式（２−１１）で表される１価の基等が挙げられる。
【０１０１】
ここで、ｎは３以上、２０以下の整数である。
【０１０２】
【０１０３】
尚、式（２）に示した基は、上記した４つの部位（Ｒ１１〜Ｒ１４）を有していれば、上記した基に限定されない。
【０１０４】
あるいは又、本開示の第１Ｃの構成に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される。また、本開示の第２Ｃの構成（後述する実施の形態２を参照）に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される。また、本開示の第３Ｃの構成に則って表現すれば、高分子化合物にエネルギー線を照射することにより得られた化合物は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋・変形部、及び、架橋・変形部に結合した末端構造部から構成されており、液晶分子は、末端構造部に沿い、又は、末端構造部に挟まれることでプレチルトが付与される。
【０１０５】
ここで、本開示の第１Ｃの構成において、側鎖の一部が架橋した架橋部は、式（２）におけるＲ１２（但し、架橋後）が相当する。また、末端構造部は、式（２）におけるＲ１３及びＲ１４が相当する。ここで、配向処理後・化合物にあっては、例えば、主鎖から延びた２つの側鎖における架橋部が相互に架橋し、一方の架橋部から延びた末端構造部と、他方の架橋部から延びた末端構造部との間に、恰も、液晶分子の一部が挟まれた状態となり、しかも、末端構造部は、基板に対して所定の角度を成した状態で固定されるが故に、液晶分子はプレチルトが付与される。尚、このような状態を、図１３の概念図に示す。
【０１０６】
あるいは又、本開示の第１Ｄの構成に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）を架橋させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋した架橋部、及び、架橋部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている。ここで、側鎖は光二量化感光基を有する形態とすることができる。また、主鎖と架橋部とは共有結合によって結合しており、架橋部と末端構造部とは共有結合によって結合している形態とすることができる。また、本開示の第２Ｄの構成（後述する実施の形態２を参照）に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が変形した変形部、及び、変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている。また、本開示の第３Ｄの構成に則って表現すれば、高分子化合物（配向処理前・化合物）にエネルギー線を照射することにより得られた化合物（配向処理後・化合物）は、側鎖、及び、基板に対して側鎖を支持する主鎖から構成されており、側鎖は、主鎖に結合し、側鎖の一部が架橋あるいは変形した架橋・変形部、及び、架橋・変形部に結合し、メソゲン基を有する末端構造部から構成されている。
【０１０７】
ここで、本開示の第１Ｄの構成にあっては、架橋性官能基又は重合性官能基（感光性官能基）である光二量化感光基として、前述したとおり、例えば、カルコン、シンナメート、シンナモイル、クマリン、マレイミド、ベンゾフェノン、ノルボルネン、オリザノール、及び、キトサンのうちのいずれか１種の構造を含む基を挙げることができる。重合性官能基として、例えば、アクリロイル、メタクリロイル 、ビニル、エポキシ、オキセタンのうちのいずれか１種の構造を含む基を挙げることができる。また、末端構造部を構成する剛直なメソゲン基は、側鎖として液晶性を発現するものでも、液晶性を発現しないものでもよく、具体的な構造として、ステロイド誘導体、コレステロール誘導体、ビフェニル、トリフェニル、ナフタレン等を挙げることができる。更には、末端構造部として、式（２）におけるＲ１３及びＲ１４を挙げることができる。
【０１０８】
また、配向膜２２，３２は、上記した配向処理後・化合物の他に、他の垂直配向剤を含んでいてもよい。他の垂直配向剤として、垂直配向誘起構造部を有するポリイミドや、垂直配向誘起構造部を有するポリシロキサン等が挙げられる。
【０１０９】
液晶層４０は、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含んでいる。液晶分子４１は、例えば、互いに直交する長軸及び短軸をそれぞれ中心軸として回転対称な形状をなし、負の誘電率異方性を有している。
【０１１０】
液晶分子４１は、第１配向膜２２との界面近傍において、第１配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａと、第２配向膜３２との界面近傍において第２配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂと、それら以外の液晶分子４１Ｃとに分類することができる。液晶分子４１Ｃは、液晶層４０の厚み方向における中間領域に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子４１Ｃの長軸方向（ダイレクタ）が第１基板２０及び第２基板３０に対してほぼ垂直になるように配列されている。また、液晶分子４１Ｂは、第２配向膜３２の近傍に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子４１Ｂの長軸方向（ダイレクタ）が第２基板３０に対して第２プレチルト角θ2にて配向されている。更には、液晶分子４１Ａは、第１配向膜２２の近傍に位置し、駆動電圧がオフの状態において液晶分子４１Ａの長軸方向（ダイレクタ）が第１基板２０に対して第１プレチルト角θ1（＞θ2）を成して傾いて配列されている。
【０１１１】
ここで、駆動電圧がオンになると、液晶分子４１Ａのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０に対して平行になるように傾いて配向する。このような挙動は、液晶分子４１Ａにおいて、長軸方向の誘電率が短軸方向よりも小さいという性質を有することに起因している。液晶分子４１Ｂ，４１Ｃも同様の性質を有することから、駆動電圧のオン・オフの状態変化に応じて、基本的には、液晶分子４１Ａと同様の挙動を示す。但し、駆動電圧がオフの状態において、液晶分子４１Ａは第１配向膜２２によって第１プレチルト角θ1が付与され、そのダイレクタが第１基板２０及び第２基板３０の法線方向から傾斜した姿勢となる。一方、液晶分子４１Ｂは第２配向膜３２によって第２プレチルト角θ2が付与されるが、そのダイレクタは、例えば、第２基板３０の法線方向と平行であり、あるいは又、第１基板２０及び第２基板３０の法線方向から傾斜した姿勢となる。尚、ここで、「保持される」とは、配向膜２２，３２と液晶分子４１Ａ，４１Ｂとが固着せずに、液晶分子４１の配向を規制していることを表している。また、「プレチルト角θ（θ1，θ2）」とは、図４に示すように、第１基板２０及び第２基板３０の表面に垂直な方向（法線方向）をＺとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Ｚ方向に対する液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）のダイレクタＤの傾斜角度を指す。
【０１１２】
次に、上記の液晶表示装置（液晶表示素子）の製造方法について、図５に示すフローチャートと共に、図６に示す配向膜２２，３２中の状態を説明するための模式図、並びに、図７、図８及び図９に示す液晶表示装置等の模式的な一部断面図を参照して説明するが、この製造方法は、
一対の基板２０，３０の一方（具体的には、基板２０）に、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜２２を形成し、一対の基板２０，３０の他方（具体的には、基板３０）に、第２配向膜３２を形成した後、
一対の基板２０，３０を、第１配向膜２２と第２配向膜３２とが対向するように配置し、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０を封止し、次いで、
高分子化合物を架橋又は重合させて、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含む。あるいは又、
一対の基板２０，３０の一方（具体的には、基板２０）に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜２２を形成し、一対の基板２０，３０の他方（具体的には、基板３０）に、第２配向膜３２を形成した後、
一対の基板２０，３０を、第１配向膜２２と第２配向膜３２とが対向するように配置し、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０を封止し、次いで、
高分子化合物にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含む。尚、図７、図８及び図９では、簡略化のため、一画素分についてのみ示す。
【０１１３】
最初に、第１基板（ＴＦＴ基板）２０の表面に第１配向膜２２を形成すると共に、第２基板（ＣＦ基板）３０の表面に第２配向膜３２を形成する（ステップＳ１０１）。
【０１１４】
具体的には、先ず、第１基板２０の表面に、所定の第１スリット部２１を有する画素電極２０Ｂを例えばマトリクス状に設けることによりＴＦＴ基板２０を作製する。また、カラーフィルタが形成された第２基板３０のカラーフィルタ上に対向電極３０Ｂを設けることによりＣＦ基板３０を作製する。
【０１１５】
一方、例えば、配向処理前・化合物あるいは配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体と、溶剤と、必要に応じて垂直配向剤とを混合することにより液状の第１配向膜用及び第２配向膜用の配向膜材料を調製する。
【０１１６】
配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体として、例えば、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が式（３）に示したポリイミド構造を含む場合、架橋性官能基又は重合性官能基を有するポリアミック酸が挙げられる。高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸は、例えば、ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物とを反応させて合成される。ここで用いるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一方が、架橋性官能基又は重合性官能基を有している。ジアミン化合物として、例えば、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２１）で表される架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物が挙げられ、テトラカルボン酸二無水物として、式（ａ−１）〜式（ａ−１０）で表される架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物が挙げられる。尚、式（Ａ−９）〜式（Ａ−２１）で表される化合物は、本開示の第１Ｃの構成における架橋した高分子化合物の架橋部及び末端構造部を構成する化合物である。あるいは又、本開示の第１Ｃの構成における架橋した高分子化合物の架橋部及び末端構造部を構成する化合物として、式（Ｆ−１）〜式（Ｆ−２２）で表される化合物を挙げることもできる。尚、式（Ｆ−１）〜式（Ｆ−１８）で表される化合物にあっては、式（Ｆ−１）〜式（Ｆ−３）、式（Ｆ−７）〜式（Ｆ−９）及び式（Ｆ−１３）〜式（Ｆ−１５）で表される化合物の末端構造部に沿って液晶分子にはプレチルトが付与されると考えられ、一方、式（Ｆ−４）〜式（Ｆ−６）、式（Ｆ−１０）〜式（Ｆ−１２）及び式（Ｆ−１６）〜式（Ｆ−１８）で表される化合物の末端構造部に挟まれて液晶分子にはプレチルトが付与されると考えられる。また、式（Ｆ−１９）〜式（Ｆ−２２）で表される化合物の末端構造部に沿って液晶分子にはプレチルトが付与され、あるいは又、式（Ｆ−１９）〜式（Ｆ−２２）で表される化合物の末端構造部に挟まれて液晶分子にはプレチルトが付与されると推定される。
【０１１７】
【０１１８】
ここで、Ｘ１〜Ｘ４は単結合あるいは２価の有機基である。
【０１１９】
ここで、Ｘ５〜Ｘ７は単結合あるいは２価の有機基である。
【０１２０】
【０１２１】
【０１２２】
【０１２３】
【０１２４】
【０１２５】
【０１２６】
【０１２７】
【０１２８】
また、配向処理前・化合物が垂直配向誘起構造部を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−３６）で表される垂直配向誘起構造部を有する化合物や、テトラカルボン酸二無水物として式（ｂ−１）〜式（ｂ−３）で表される垂直配向誘起構造部を有する化合物を用いてもよい。
【０１２９】
【０１３０】
【０１３１】
ここで、ａ４〜ａ６は０以上、２１以下の整数である。
【０１３２】
ここで、ａ４は０以上、２１以下の整数である。
【０１３３】
ここで、ａ４は０以上、２１以下の整数である。
【０１３４】
【０１３５】
【０１３６】
また、配向処理前・化合物が架橋性官能基又は重合性官能基と一緒に式（１）に示した基を有するように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として、式（Ｃ−１）〜式（Ｃ−２４）で表される液晶分子４１に対して沿うことができる基を有する化合物を用いてもよい。
【０１３７】
【０１３８】
【０１３９】
【０１４０】
【０１４１】
また、配向処理前・化合物が式（２）に示した基を有するように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、上記の架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物の他に、ジアミン化合物として、式（Ｄ−１）〜式（Ｄ−１１）で表される液晶分子４１に対して沿うことができる基を有する化合物を用いてもよい。
【０１４２】
ここで、ｎは３以上、２０以下の整数である。
【０１４３】
【０１４４】
更に、配向処理前・化合物が式（３）におけるＲ２として垂直配向誘起構造部を含む構造と、架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造との２種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２１）に示した架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−３６）、式（ｂ−１）〜式（ｂ−３）に示した垂直配向誘起構造部を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｅ−１）〜式（Ｅ−２８）で表されるテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも１種とを用いる。尚、式（Ｅ−２３）におけるＲ１及びＲ２は、同一又は異なるアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、ハロゲン原子の種類は任意である。
【０１４５】
【０１４６】
【０１４７】
ここで、Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。
【０１４８】
また、配向処理前・化合物が式（３）におけるＲ２として式（１）に示した基を含む構造と架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造との２種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２１）に示した架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｃ−１）〜式（Ｃ−２４）に示した化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｅ−１）〜式（Ｅ−２８）に示したテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも１種とを用いる。
【０１４９】
また、配向処理前・化合物が式（３）におけるＲ２として式（２）に示した基を含む構造と架橋性官能基又は重合性官能基を含む構造との２種の構造を含むように高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸を合成する場合、例えば、次のように、ジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物を選択する。即ち、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２１）に示した架橋性官能基又は重合性官能基を有する化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｄ−１）〜式（Ｄ−１１）に示した化合物のうちの少なくとも１種と、式（Ｅ−１）〜式（Ｅ−２８）で表されるテトラカルボン酸二無水物のうちの少なくとも１種とを用いる。
【０１５０】
配向膜材料中における配向処理前・化合物あるいは配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体の含有量を、１重量％以上、３０重量％以下とすることが好ましく、３重量％以上、１０重量％以下とすることがより好ましい。また、配向膜材料には、必要に応じて、光重合開始剤等を混合してもよい。
【０１５１】
そして、調製した配向膜材料を、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、画素電極２０Ｂ及び第１スリット部２１、並びに、対向電極３０Ｂを覆うように塗布あるいは印刷した後、加熱処理をする。加熱処理の温度は８０゜Ｃ以上が好ましく、１５０゜Ｃ以上、２００゜Ｃ以下とすることがより好ましい。また、加熱処理は、加熱温度を段階的に変化させてもよい。これにより、塗布あるいは印刷された配向膜材料に含まれる溶剤が蒸発し、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物（配向処理前・化合物）を含む配向膜２２，３２が形成される。その後、必要に応じて、ラビング等の処理を施してもよい。
【０１５２】
ここで、配向膜２２，３２中における配向処理前・化合物は、図６に示す状態となっていると考えられる。即ち、配向処理前・化合物は、主鎖Ｍｃ（Ｍｃ１〜Ｍｃ３）と、主鎖Ｍｃに側鎖として導入された架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａとを含んで構成され、主鎖Ｍｃ１〜Ｍｃ３が連結していない状態で存在している。この状態における架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａは、熱運動によりランダムな方向を向いている。
【０１５３】
次に、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを第１配向膜２２と第２配向膜３２とが対向するように配置し、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に、液晶分子４１を含む液晶層４０を封止する（ステップＳ１０２）。具体的には、ＴＦＴ基板２０あるいはＣＦ基板３０のどちらか一方の、配向膜２２，３２の形成されている面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えば、プラスチックビーズ等を散布すると共に、例えば、スクリーン印刷法によりエポキシ接着剤等を用いてシール部を印刷する。その後、図７に示すように、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを、配向膜２２，３２が対向するように、スペーサ突起物及びシール部を介して貼り合わせ、液晶分子４１を含む液晶材料を注入する。次いで、加熱するなどしてシール部の硬化を行うことにより、液晶材料をＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に封止する。図７は、第１配向膜２２及び第２配向膜３２の間に封止された液晶層４０の断面構成を表している。
【０１５４】
次に、図８に示すように、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、電圧印加手段を用いて、電圧Ｖ１を印加する（ステップＳ１０３）。電圧Ｖ１は、例えば、３ボルト〜３０ボルトである。これにより、第１基板２０及び第２基板３０の表面に対して所定の角度をなす方向の電場（電界）が生じ、液晶分子４１Ａが、第１基板２０の垂直方向から所定方向に傾いて配向される。また、液晶分子４１Ｂが、第２基板３０の垂直方向と例えば平行な方向に配向され、あるいは又、第２基板３０の垂直方向から所定方向に傾いて配向される。即ち、このときの液晶分子４１の方位角（偏角）は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、極角（天頂角）は、電場の強さ、及び、配向膜材料の分子構造によって規定される。そして、液晶分子４１の傾斜角と、後述する工程で、第１配向膜２２との界面近傍において第１配向膜２２に保持された液晶分子４１Ａ及び第２配向膜３２との界面近傍において第２配向膜３２に保持された液晶分子４１Ｂに付与される第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2は、第１配向膜２２と第２配向膜３２の膜厚の違いに起因して、
θ1＞θ2
となる。そして、電圧Ｖ１の値を適宜調節することにより、液晶分子４１Ａ，４１Ｂの第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2の値を制御することが可能である。
【０１５５】
更に、図９に示すように、電圧Ｖ１を印加した状態のまま、エネルギー線（具体的には紫外線ＵＶ）を、例えば、ＴＦＴ基板２０の外側から配向膜２２，３２に対して照射する。即ち、液晶分子４１Ａを基板２０の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場又は磁場を印加しながら紫外線を照射する。これによって、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物が有する架橋性官能基又は重合性官能基を反応させ、配向処理前・化合物を架橋させる（ステップＳ１０４）。こうして、配向処理後・化合物により液晶分子４１の応答すべき方向が記憶され、配向膜２２近傍の液晶分子４１Ａにプレチルトが付与され、第２配向膜３２近傍の液晶分子４１Ｂは、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向される。そして、その結果、配向膜２２，３２中において配向処理後・化合物が形成され、非駆動状態において、液晶層４０における第１配向膜２２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ａに第１プレチルト角θ1が付与され、第２配向膜３２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ｂに第２プレチルト角θ2が付与される。紫外線ＵＶとして、波長２９５ｎｍから波長３６５ｎｍ程度程度の光成分を多く含む紫外線が好ましい。これよりも短波長域の光成分を多く含む紫外線を用いると、液晶分子４１が光分解し、劣化する虞があるからである。尚、ここでは、紫外線ＵＶをＴＦＴ基板２０の外側から照射したが、ＣＦ基板３０の外側から照射してもよく、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の双方の基板の外側から照射してもよい。この場合、透過率が高い方の基板側から紫外線ＵＶを照射することが好ましい。また、ＣＦ基板３０の外側から紫外線ＵＶを照射した場合、紫外線ＵＶの波長域に依っては、カラーフィルタに吸収されて架橋反応し難くなる虞がある。このため、ＴＦＴ基板２０の外側（画素電極を有する基板側）から照射することが好ましい。
【０１５６】
ここで、配向膜２２，３２中の配向処理後・化合物は、図１０に示す状態となっている。即ち、配向処理前・化合物の主鎖Ｍｃに導入された架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａの向きが、液晶分子４１の配向方向に従って変化し、物理的な距離が近い架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａ同士が反応して、連結部Ｃｒが形成される。このように生成された配向処理後・化合物によって配向膜２２，３２が液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対して第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を付与するものと考えられる。尚、連結部Ｃｒは、配向処理前・化合物間で形成されてもよいし、配向処理前・化合物内で形成されてもよい。即ち、図１０に示すように、連結部Ｃｒは、例えば、主鎖Ｍｃ１を有する配向処理前・化合物の架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａと、主鎖Ｍｃ２を有する配向処理前・化合物の架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａとの間で反応して形成されてもよい。また、連結部Ｃｒは、例えば、主鎖Ｍｃ３を有する高分子化合物のように、同じ主鎖Ｍｃ３に導入された架橋性官能基Ａ又は重合性官能基Ａ同士が反応して形成されてもよい。尚、重合性官能基の場合、重合性官能基Ａが複数個結合する。
【０１５７】
以上の工程により、図１に示した液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた。
【０１５８】
液晶表示装置（液晶表示素子）の動作にあっては、選択された画素１０では、駆動電圧が印加されると、液晶層４０に含まれる液晶分子４１の配向状態が、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間の電位差に応じて変化する。具体的には、液晶層４０では、図１に示した駆動電圧の印加前の状態から、駆動電圧が印加されることにより、配向膜２２，３２の近傍に位置する液晶分子４１Ａ，４１Ｂが自らの傾き方向に倒れ、且つ、その動作がその他の液晶分子４１Ｃに伝播する。その結果、液晶分子４１は、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０に対してほぼ水平（平行）となる姿勢をとるように応答する。これにより、液晶層４０の光学的特性が変化し、液晶表示素子への入射光が変調された出射光となり、この出射光に基づいて階調表現されることで、画像が表示される。
【０１５９】
ここで、プレチルト処理が全く施されていない液晶表示素子及びそれを備えた液晶表示装置では、液晶分子の配向を規制するためのスリット部等の配向規制部が基板に設けられていても、駆動電圧が印加されると、基板に対して垂直方向に配向していた液晶分子は、そのダイレクタが基板の面内方向において任意の方位を向くように倒れる。このように駆動電圧に応答した液晶分子では、各液晶分子のダイレクタの方位がぶれた状態となり、全体としての配向に乱れが生じる。これにより、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が遅くなり、応答特性が劣化し、その結果、表示特性を悪化させるという問題がある。また、初期の駆動電圧を表示状態の駆動電圧よりも高く設定して駆動（オーバードライブ駆動）させると、初期駆動電圧印加時において、応答した液晶分子と、殆ど応答していない液晶分子とが存在し、それらの間でダイレクタの傾きに大きな差が生じる。その後に表示状態の駆動電圧が印加されると、初期駆動電圧印加時に応答した液晶分子は、その動作が他の液晶分子に対して殆ど伝播しないうちに、表示状態の駆動電圧に応じたダイレクタの傾きとなり、この傾きが他の液晶分子に伝播する。その結果、画素全体として、初期駆動電圧印加時に表示状態の輝度に達するが、その後、輝度が低下し、再度、表示状態の輝度に達する。即ち、オーバードライブ駆動すれば、オーバードライブ駆動しない場合よりも見かけの応答速度は早くなるが、十分な表示品位が得られ難いという問題がある。尚、これらの問題は、ＩＰＳモードやＦＦＳモードの液晶表示素子では生じ難く、ＶＡモードの液晶表示素子において特有の問題と考えられる。
【０１６０】
これに対して、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法では、上記した第１配向膜２２、第２配向膜３２が液晶分子４１Ａ，４１Ｂに対して所定の第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を付与する。これにより、プレチルト処理が全く施されていない場合の問題が生じ難くなり、駆動電圧に対する応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が大幅に向上し、オーバードライブ駆動時における表示品位も向上する。その上、ＴＦＴ基板２０には、液晶分子４１の配向を規制するための配向規制部として第１スリット部２１が設けられているので、視野角特性等の表示特性が確保されるため、良好な表示特性を維持した状態で応答特性が向上する。しかも、第２配向膜３２は第１配向膜２２よりも薄い。従って、画像表示の立ち上がり速度だけでなく、立ち下がり速度の向上も図ることができる。また、液晶分子は第２配向膜３２によって第２プレチルト角θ2とされているので、黒表示の際の光の透過量を低減することができ、コントラストを一層向上させることができる。
【０１６１】
また、従来の液晶表示装置の製造方法（光配向技術）では、配向膜は、基板面上に設けられた所定の高分子材料を含む前駆体膜に対して直線偏光の光や基板面に対する斜め方向の光（以下、『斜め光』と呼ぶ）を照射して形成され、これによりプレチルト処理が施される。このため、配向膜を形成する際に、直線偏光の平行光を斜めから照射する装置といった大がかりな光照射装置が必要とされるという問題がある。また、より広い視野角を実現するためのマルチドメインを有する画素の形成には、マスクが必要とされる上、製造工程が複雑になるという問題もある。特に、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、基板上にスペーサ等の構造物あるいは凹凸があると、構造物等の陰になり、斜め光が届かない領域が生じ、この領域において液晶分子に対する所望の配向規制が難しくなる。この場合、例えば、画素内にマルチドメインを設けるためにフォトマスクを用いて斜め光を照射するには、光の回り込みを考慮した画素設計が必要となる。即ち、斜め光を用いて配向膜を形成する場合、高精細な画素形成が難しいという問題もある。
【０１６２】
更に、従来の光配向技術の中でも、高分子材料として架橋性高分子化合物を用いる場合、前駆体膜中において架橋性高分子化合物に含まれる架橋性官能基又は重合性官能基は、熱運動によりランダムな方位（方向）を向いているため、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づく確率が低くなる。その上、ランダム光（非偏光）を照射した場合、架橋性官能基又は重合性官能基同士の物理的距離が近づくことにより反応するが、直線偏光の光を照射して反応する架橋性官能基又は重合性官能基は、偏光方向と反応部位の方向とが所定の方向に揃う必要がある。また、斜め光は、垂直光と比較して、照射面積が広がる分だけ、単位面積当たりの照射量が低下する。即ち、直線偏光の光あるいは斜め光に反応する架橋性官能基又は重合性官能基の割合は、ランダム光（非偏光）を基板面に対して垂直方向から照射した場合と比較して低くなる。よって、形成された配向膜中における架橋密度（架橋度合い）が低くなり易い。
【０１６３】
これに対して、実施の形態１では、配向処理前・化合物を含む配向膜２２，３２を形成した後、第１配向膜２２と第２配向膜３２の間に液晶層４０を封止する。次いで、液晶層４０に電圧を印加することにより、液晶分子４１が所定の配向をとると共に、液晶分子４１によって基板あるいは電極に対する側鎖の末端構造部の方向が規定されながら、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を架橋又は重合させる。これにより、液晶分子４１Ａ，４１Ｂに第１プレチルト角θ1、第２プレチルト角θ2を付与する第１配向膜２２、第２配向膜３２を形成することができる。即ち、実施の形態１の液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法によれば、大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることができる。その上、配向処理前・化合物を架橋又は重合させる際に、紫外線の照射方向に依存することなく液晶分子４１に対して第１プレチルト角θ1を付与することができるため、高精細な画素を形成することができる。更に、配向処理前・化合物において側鎖の末端構造部の向きが整った状態で配向処理後・化合物が生成されるため、配向処理後・化合物の架橋度合いは、上記の従来の製造方法による配向膜よりも高くなっていると考えられる。よって、長時間駆動しても、駆動中に架橋構造が新たに形成され難いため、液晶分子４１Ａ，４１Ｂのプレチルト角θ1，θ2が製造時の状態に維持され、信頼性を向上させることもできる。
【０１６４】
この場合において、実施の形態１では、配向膜２２，３２の間に液晶層４０を封止した後、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を架橋又は重合させているため、液晶表示素子の駆動時の透過率を連続的に増加するように変化させることができる。
【０１６５】
液晶層４０を封止した後に配向処理前・化合物の架橋反応によりプレチルト処理が施される実施の形態１では、第１配向膜２２近傍における液晶分子４１の配向を規制するための第１スリット部２１によって、駆動時の液晶分子４１の配向方向に応じて、プレチルトが付与される。よって、図１２に示すように、液晶分子４１のプレチルトの方向が揃い易いため、オーダーパラメータが大きくなる（１に近づく）。これにより、液晶表示素子の駆動時において、液晶分子４１が均一な挙動を示すため、透過率が連続的に増加する。
【０１６６】
この場合、特に、配向処理前・化合物が架橋性官能基又は重合性官能基と一緒に式（１）に示した基を有しており、又は、配向処理前・化合物が架橋性官能基又は重合性官能基として式（２）に示した基を有していれば、第１配向膜２２、第２配向膜３２にプレチルト角θ1，θ2をより付与し易くなる。このため、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）をより向上させることができる。
【０１６７】
実施の形態１では、主にポリイミド構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物を含有する配向膜２２，３２を用いた場合について説明したが、配向処理前・化合物が有する主鎖は、ポリイミド構造を含むものに限定されない。例えば、主鎖が、ポリシロキサン構造、ポリアクリレート構造、ポリメタクリレート構造、マレインイミド重合体構造、スチレン重合体構造、スチレン／マレインイミド重合体構造、ポリサッカライド構造又はポリビニルアルコール構造等を含んでいてもよく、中でも、ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物が好ましい。上記したポリイミド構造を含む高分子化合物と同様の効果が得られるからである。ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物として、例えば、式（９）で表されるポリシラン構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（９）におけるＲ１０及びＲ１１は、炭素を含んで構成された１価の基であれば任意であるが、Ｒ１０及びＲ１１のうちのいずれか一方に、側鎖としての架橋性官能基又は重合性官能基、及び、式（１）から成る側鎖を含んでいることが好ましい。配向処理後・化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。この場合における架橋性官能基又は重合性官能基として、上記した式（４１）に示した基等が挙げられる。
【０１６８】
ここで、Ｒ１０及びＲ１１は１価の有機基であり、ｍ１は１以上の整数である。
【０１６９】
更に、実施の形態１では、第１スリット部２１を設けることにより、配向分割させて視野角特性を向上させるようにしたが、それに限定されるものではない。例えば、第１スリット部２１の代わりに、画素電極２０Ｂ上に配向規制部としての突起を設けてもよい。このように突起を設けることによっても、第１スリット部２１を設けた場合と同様の効果を得ることができる。
【０１７０】
尚、図１に示す例にあっては、第１基板２０であるＴＦＴ基板を覆う第１配向膜２２が、配向処理後・化合物を含み、液晶層４０のうちの第１基板（ＴＦＴ基板）２０の側に位置する液晶分子４１Ａに第１プレチルト角θ1を付与する構成としたが、これに限定されない。即ち、図２に示すように、第１基板２０をＣＦ基板とし、第２基板３０をＴＦＴ基板とすることもでき、この場合においても、図１に示した液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。但し、ＴＦＴ基板では、駆動時には種々の横電場が生じていることから、第２基板３０をＴＦＴ基板とする図２の液晶表示装置の変形例を採用することが望ましい。これにより、横電場による液晶分子４１の配向乱れを、効果的に低減することができる。
【０１７１】
次に、他の実施の形態について説明するが、実施の形態１と共通の構成要素については、同一の符号を付して説明は省略する。また、実施の形態１と同様の作用及び効果についても、適宜省略する。更には、実施の形態１において説明した以上の各種の技術的事項は、適宜、以下の実施の形態にも適用される。
【０１７２】
［実施の形態２］
実施の形態２は、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置、並びに、本開示の第２の態様及び第３の態様に係る液晶表示装置の製造方法に関する。
【０１７３】
実施の形態１にあっては、配向処理後・化合物は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する配向処理前・化合物における架橋性官能基又は重合性官能基が架橋又は重合することで得られる。一方、実施の形態２にあっては、配向処理後・化合物は、エネルギー線の照射による変形を伴う感光性官能基を側鎖として有する配向処理前・化合物に基づき得られる。
【０１７４】
ここで、実施の形態２においても、配向膜２２，３２は、側鎖に架橋構造を有する高分子化合物（配向処理後・化合物）の１種あるいは２種以上、若しくは、架橋性官能基あるいは重合性官能基と共に、式（１）に示す液晶に沿う末端基を有する側鎖をそれぞれ１種あるいは２種以上を含んで構成されている。そして、液晶分子は、変形した化合物によってプレチルトが付与される。ここで、配向処理後・化合物は、主鎖及び側鎖を有する高分子化合物（配向処理前・化合物）の１種あるいは２種以上を含む状態で配向膜２２，３２を形成した後、液晶層４０を設け、次いで、高分子化合物を変形させることで、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、より具体的には、電場又は磁場を印加しながら側鎖に含まれる感光性官能基を変形させることにより生成される。尚、このような状態を、図１４の概念図に示す。尚、図１４において、「ＵＶ」が付された矢印の方向、「電圧」が付された矢印の方向は、紫外線が照射される方向、加えられる電界の方向を示すものではない。そして、配向処理後・化合物は、液晶分子を一対の基板の一方（ＴＦＴ基板２０あるいはＣＦ基板３０）に対して所定の方向（具体的には、斜め方向）に配列させる構造を含んでいる。このように、高分子化合物を変形させて、あるいは又、高分子化合物にエネルギー線を照射することで、配向処理後・化合物が配向膜２２，３２中に含まれることにより、配向膜２２，３２近傍の液晶分子４１に対してプレチルトを付与できるため、応答速度（画像表示の立ち上がり速度）が早くなり、表示特性が向上する。
【０１７５】
感光性官能基として、アゾ基を有するアゾベンゼン系化合物、イミンとアルジミンとを骨格に有する化合物（便宜上、『アルジミンベンゼン』と呼ぶ）、スチレン骨格を有する化合物（便宜上、『スチルベン』と呼ぶ）を例示することができる。これらの化合物は、エネルギー線（例えば、紫外線）に応答して変形する結果、即ち、トランス状態からシス状態へ遷移する結果、液晶分子にプレチルトを付与することができる。
【０１７６】
【０１７７】
式（ＡＺ−０）で表されるアゾベンゼン系化合物における「Ｘ」として、具体的には、例えば、以下の式（ＡＺ−１）〜式（ＡＺ−９）を例示することができる。
【０１７８】
【０１７９】
ここで、Ｒ，Ｒ”のいずれか一方は、ジアミンを含むベンゼン環と、直接、若しくは、エーテル、エステル等を介して結合し、他方は末端基となり、Ｒ，Ｒ’，Ｒ”は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、カーボネート基を有する１価の基、又は、それらの誘導体であり、末端基は、その間に、式（１）のＲ２、式（２）のＲ１３を含んでもよい。このようにすることで、チルトの付与をより容易にすることができる。Ｒ”はジアミンを含むベンゼン環と、直接、若しくは、エーテル、エステル等を介して直接結合する。
【０１８０】
実施の形態２の液晶表示装置及びその製造方法は、エネルギー線（具体的には、紫外線）の照射による変形を伴う感光性官能基を有する配向処理前・化合物を用いることを除き、基本的、実質的には、実施の形態１において説明した液晶表示装置及びその製造方法と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例１】
【０１８１】
実施例１は、本開示の第１の態様に係る液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法、並びに、本開示の第３の態様に係る液晶表示装置（液晶表示素子）の製造方法に関する。実施例１にあっては、以下の手順により、後述する図１５に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を作製した。
【０１８２】
先ず、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を準備した。ＴＦＴ基板２０として、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０Ａの一面側に、スリットパターン（第１スリット部２１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第１スリット部２１が形成された第１電極２０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第１電極２０Ｂと第１電極２０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る画素電極２０Ｂが形成された基板を用いた。また、ＣＦ基板３０として、カラーフィルタが形成された厚さ０．７ｍｍのガラス基板３０Ａのカラーフィルタ上に、スリットパターン（第２スリット部３１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第２スリット部３１が形成された第３電極３０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第２電極３０Ｂと第２電極３０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る対向電極３０Ｂが形成された基板を用いた。この画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂに形成されたスリットパターンによって、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に斜め電界が加わる。続いて、ＴＦＴ基板２０の上に３．５μｍのスペーサ突起物を形成した。尚、第１スリット部２１及び第２スリット部３１のスリットパターンとして、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）に示すスリットパターンを用いた。
【０１８３】
一方、第１配向膜及び第２配向膜のための配向膜材料を調製した。この場合、例えば、先ず、ジアミン化合物である、式（Ａ−６）に示した架橋性官能基を有する化合物と、式（Ｂ−４）に示した垂直配向誘起構造部を有する化合物と、式（Ｅ−２）に示したテトラカルボン酸二無水物と、式（Ｇ−１）で表される化合物とを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させた。次いで、この溶液を６０゜Ｃで６時間反応させた後、反応後の溶液に対して、大過剰の純水を注いで反応生成物を沈殿させた。その後、沈殿した固形物を分離した後、純水で洗浄し、減圧下、４０゜Ｃで１５時間乾燥させ、これにより、配向処理前・化合物としての高分子化合物前駆体であるポリアミック酸が合成された。最後に、得られたポリアミック酸３．０グラムをＮＭＰに溶解させることにより、固形分濃度３重量％の溶液とした後、０．２μｍのフィルタで濾過した。こうして、配向膜２２，３２を形成するための配向膜材料を得た。
【０１８４】
【０１８５】
次いで、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０のそれぞれに、調製した配向膜材料（表１参照）をスピンコーターを用いて塗布した後、塗布膜を８０゜Ｃのホットプレートで８０秒間乾燥させた。その後、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を、窒素ガス雰囲気下、２００゜Ｃのオーブンで１時間加熱した。これにより、画素電極２０Ｂ上における厚さがｔ1）（ｎｍ）の第１配向膜２２を形成した。また、対向電極３０Ｂ上における第２配向膜３２の厚さがｔ2（ｎｍ）のＣＦ基板３０を作製した。
【０１８６】
［表１］
【０１８７】
次に、ＣＦ基板３０上の画素部周縁に、粒径３．５μｍのシリカ粒子を含む紫外線硬化型樹脂を塗布することによりシール部を形成し、これに囲まれた部分に、ネガ型液晶であるＭＬＣ−７０２９（メルク社製）から成る液晶材料を滴下注入した。その後、画素電極２０Ｂのライン部分の中央と、対向電極３０Ｂの第２スリット部３１とが対向するようにＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを貼り合わせ、シール部を硬化させた。次いで、１２０゜Ｃのオーブンで１時間加熱し、シール部を完全に硬化させた。これにより、液晶層４０が封止された液晶セルを備えた各種の液晶表示装置を完成させることができた。尚、以下に、実施例及び比較例の液晶表示装置における第１配向膜２２及び第２配向膜３２の膜厚を、以下の表２に示す。
【０１８８】
［表２］
第１配向膜（ｔ1） 第２配向膜（ｔ2）
実施例１Ａ ９０ ５５
実施例１Ｂ ９０ ７５
比較例１Ａ ９０ ９０
比較例１Ｂ ７５ ７５
比較例１Ｃ ５５ ５５
【０１８９】
その後、このように作製された液晶セルに対して、実効値電圧１０ボルト及び２０ボルトの矩形波の交流電界（６０Ｈｚ）を印加した状態で、５００ｍＪ（波長３６５ｎｍでの測定）の均一な紫外線を照射し、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を反応させた。これにより、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０に、配向処理後・化合物を含む配向膜２２，３２を形成した。以上により、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０側の液晶分子４１Ａ，４１Ｂが種々のプレチルト角をなす液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた（図１５参照）。最後に、液晶表示装置の外側に、吸収軸が直交するように一対の偏光板を貼り付けた。
【０１９０】
これらの配向膜材料を用いた液晶表示装置（液晶表示素子）について、応答時間（画像表示の立ち上がり時間Ｔon、及び、立ち下がり時間Ｔoff）、並びに、プレチルト角θ1，θ2を測定した。その結果を表３及び図２１の（Ａ）、（Ｂ）に示す。更には、配向膜の膜厚とプレチルト角θの関係を図２２に示す。尚、比較例１Ｃの立ち上がり時間Ｔonの値が大き過ぎたため、図２１の（Ａ）には示していない。また、図２１の（Ａ）において、実施例１Ａと実施例１Ｂの値は重なっている。更には、図２１の（Ｂ）において、実施例１Ａと比較例１Ｃの値は重なっているし、実施例１Ｂと比較例１Ｂの値は重なっている。
【０１９１】
応答時間を測定する際には、測定装置としてＬＣＤ５２００（大塚電子株式会社製）を用いて、画素電極２０Ｂと対向電極３０Ｂとの間に、駆動電圧（７．５ボルト）を印加し、輝度１０％からその駆動電圧に応じた階調の９０％の輝度となるまでの時間（画像表示の立ち上がり時間Ｔon）、及び、輝度９０％からその駆動電圧に応じた階調の１０％の輝度となるまでの時間（画像表示の立ち下がり時間Ｔoff）を測定した。また、液晶分子４１のプレチルト角θを調べる際には、公知の方法（T.J.Scheffer等，J.Appl.Phys.，vol.19，２０１３頁，１９８０年に記載されている方法）に準拠し、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を用いた結晶回転法により測定した。尚、プレチルト角θは、上述し、図４に示したように、ガラス基板２０Ａ，３０Ａの表面に垂直な方向（法線方向）をＺとした場合に、駆動電圧がオフの状態で、Ｚ方向に対する液晶分子４１（４１Ａ，４１Ｂ）のダイレクタＤの傾斜角度である。また、配向膜の膜厚は、作製されたＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０において、触針式膜厚計（ケーエルエー・テンコール株式会社製）を用いて測定したが、段差計の他にもエリプソメータ等の膜厚測定装置によって測定することもできる。
【０１９２】
［表３］
【０１９３】
図２２から、配向膜の膜厚とプレチルト角θとの間には一定の関係があることが判る。即ち、配向膜の膜厚が５５ｎｍのとき、プレチルト角θは０度であり、垂直配向となる。また、配向膜の膜厚が９０ｎｍのとき、プレチルト角θは１．５度前後となる。
【０１９４】
また、実施例１Ａと比較例１Ｃとを比較すると、実施例１Ａの方が格段に立ち上がり時間Ｔonの向上が認められるが、これは、実施例１Ａには、０度ではない第１プレチルト角θ1が付与されているためである。一方、実施例１Ａ、比較例１Ｃ共に、第２プレチルト角θ2＝０度であり、立ち下がり時間Ｔoffに差は認められない。
【０１９５】
同様に、実施例１Ｂと比較例１Ｂとを比較すると、実施例１Ｂの方が格段に立ち上がり時間Ｔonの向上が認められるが、これは、実施例１Ｂには、大きな値の第１プレチルト角θ1が付与されているためである。一方、実施例１Ｂ、比較例１Ｂ共に、第２プレチルト角θ2は同じ値であり、立ち下がり時間Ｔoffに差は認められない。
【０１９６】
次に、実施例１Ａと比較例１Ａとを比較すると、実施例１Ａの方が立ち下がり時間Ｔoffの向上が認められるが、これは、実施例１Ａには、０度の第２プレチルト角θ2が付与されているためである。同様に、実施例１Ｂと比較例１Ｂをと比較すると、同じ値の第２プレチルト角θ2が付与されているので、立ち下がり時間Ｔoffに差は認められない。
【０１９７】
また、実施例１Ａと実施例１Ｂとを比較すると、実施例１Ａの方が小さな値の第２プレチルト角θ2が付与されているので、立ち下がり時間Ｔoffは、実施例１Ａの方が一層短い。一方、実施例１Ａ、実施例１Ｂ共に同じ値の第１プレチルト角θ1が付与されているので、立ち上がり時間Ｔonに差は認められない。
【０１９８】
以上に説明したように、実施例１あるいは後述する実施例２にあっては、液晶層４０を設けた状態で、第１配向膜２２がその近傍の液晶分子４１Ａに対して第１プレチルト角θ1を付与するように、また、第２配向膜３２がその近傍の液晶分子４１Ｂに対して第２プレチルト角θ2を付与するように、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を架橋又は重合させる。これにより、応答速度（画像表示の立ち上がり速度及び立ち下がり速度）を大幅に向上させることができる。
【０１９９】
しかも、後述するように、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置していた。云い換えれば、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内にあった。即ち、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはなかった。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができた。
【実施例２】
【０２００】
実施例２は、本開示の第２の態様に係る液晶表示装置（液晶表示素子）及びその製造方法、並びに、本開示の第３の態様に係る液晶表示装置（液晶表示素子）の製造方法に関する。実施例２にあっては、液晶層を封止した後、高分子化合物（配向処理前・化合物）を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する。具体的には、液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、紫外線を照射して高分子化合物（配向処理前・化合物）の側鎖を変形させる。実施例２にあっては、感光性官能基を有する配向処理前・化合物／配向処理後・化合物を用いた。具体的には、以下の式（Ｈ−１）及び（Ｈ−２）に示すアゾベンゼン系化合物及びスチレン骨格を有する化合物を、感光性官能基を有する配向処理前・化合物として用いて、実施例１において説明した、図１５に示したと同様の構成、構造を有する液晶表示装置を作製し、応答特性を調べた。
【０２０１】
【０２０２】
実施例２にあっては、実質的に実施例１と同様にして、表４に示す配向膜材料２Ａ〜配向膜材料２Ｄを得た。そして、実施例１と同様にして、画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂ上における厚さが９０ｎｍ及び５５ｎｍの配向膜２２，３２を形成した。その後、実施例１と同様に、ＣＦ基板３０上の画素部周縁に、粒径３．５μｍのシリカ粒子を含む紫外線硬化型樹脂を塗布することによりシール部を形成し、これに囲まれた部分に、ネガ型液晶であるＭＬＣ−７０２９（メルク社製）から成る液晶材料を滴下注入した。次いで、画素電極２０Ｂのライン部分の中央と、対向電極３０Ｂの第２スリット部３１とが対向するようにＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０とを貼り合わせ、シール部を硬化させた。次いで、１２０゜Ｃのオーブンで１時間加熱し、シール部を完全に硬化させた。これにより、液晶層４０が封止され、液晶セルを完成させることができた。
【０２０３】
［表４］
【０２０４】
その後、このように作製された液晶セルに対して、実効値電圧２０ボルトの矩形波の交流電界（６０Ｈｚ）を印加した状態で、５００ｍＪ（波長３６５ｎｍでの測定）の均一な紫外線を照射し、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物を変形させた。これにより、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０に、配向処理後・化合物（変形した高分子化合物）を含む配向膜２２，３２を形成した。以上により図１５に示す液晶表示装置（液晶表示素子）を完成させることができた。最後に、液晶表示装置の外側に、吸収軸が直交するように一対の偏光板を貼り付けた。
【０２０５】
これらの配向膜材料２Ａ〜配向膜材料２Ｄを用いた液晶表示装置（液晶表示素子）について、応答時間を測定したところ、実施例１と同様の結果を得ることができた。
【０２０６】
以上、好ましい実施の形態及び実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、実施の形態及び実施例ではＶＡモードの液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示は必ずしもこれに限定されず、ＥＣＢモード（水平配向でポジ液晶のモード；ツイスト無し）、ＩＰＳ（In Plane Switching ）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードあるいはＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モード等の、他の表示モードにも適用可能である。この場合においても同様の効果が得られる。但し、本開示では、プレチルト処理が施されていないものと比較すると、ＶＡモードにおいて、ＩＰＳモードやＦＦＳモードよりも、特に高い応答特性の改善効果を発揮することができる。
【０２０７】
また、実施の形態及び実施例では、専ら透過型の液晶表示装置（液晶表示素子）について説明したが、本開示では必ずしも透過型に限られず、例えば、反射型としてもよい。反射型とした場合には、画素電極がアルミニウム等の光反射性を有する電極材料により構成される。
【０２０８】
以上に説明した液晶表示装置にあっては、第１基板側にのみ配向規制部を設けたが、第１基板に第１配向規制部（第１スリット部）を設け、第２基板に第２配向規制部（第２スリット部）を設けてもよい。このような液晶表示装置の一例として、以下に説明する液晶表示装置を挙げることができる。即ち、
第１基板及び第２基板、
第２基板と対向する第１基板の対向面に形成された第１電極、
第１電極に設けられた第１配向規制部、
第１電極、第１配向規制部及び第１基板の対向面を覆う第１配向膜、
第１基板と対向する第２基板の対向面に形成された第２電極、
第２電極に設けられた第２配向規制部、
第２電極、第２配向規制部及び第２基板の対向面を覆う第２配向膜、並びに、
第１配向膜及び第２配向膜の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層、
を有する画素が、複数、配列されて成る液晶表示装置であって、
各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置しており、
液晶分子は、第１配向膜によってプレチルトが付与される構成とすることができる。ここで、第２基板の法線方向から重複領域の中心領域を眺めたとき、第２基板の法線方向に沿って重複領域の中心領域を占める液晶分子群（より具体的には、第１基板から第２基板までの微小な柱状領域を占める液晶分子群）の長軸は、略、同一仮想垂直面内に位置している。
【０２０９】
尚、第２配向規制部は、第２電極に形成された第２スリット部から成り、
第２スリット部の幅は、２μｍ以上１０μｍ未満であり、
第２スリット部のピッチは、１０μｍ乃至１８０μｍ、好ましくは３０μｍ乃至１８０μｍ、より好ましくは６０μｍ乃至１８０μｍである構成とすることができる。
【０２１０】
ここで、『重複領域の中心領域』とは、重複領域の中心と一致する中心を有し、重複領域と相似の形状であって、重複領域の面積の２５％の面積を有する領域を意味する。また、『液晶層における液晶分子群の長軸は、略、一仮想平面内に位置する』とは、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度が±５度以内であることを意味する。云い換えれば、液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内であることを意味する。更には、画素が複数の副画素から構成される場合、画素を副画素と読み替えればよい。また、仮想平面と液晶分子群の長軸との成す角度、あるいは又、液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキの測定方法として、全反射減衰振動法（全反射減衰法とも呼ばれる）あるいは位相差測定法を挙げることができる。ここで、全反射減衰振動法とは、試料表面の吸収スペクトルを測定する方法であり、高屈折率媒質（プリズム）に試料を密着させ、プリズムから僅かに浸み出し、反射する全反射光を測定する。そして、このサンプルの方位を回転させることで、１００ｎｍ付近（液晶／配向膜）の分子の吸収の情報（配向方向）を求める方法である。また、位相差測定法は、ＲＥＴＳ１００（大塚電子株式会社製）を用いて、液晶セルを所望の角度だけ傾けた状態での位相差を測定し、プレチルトが付与された状態での理想の配向状態での位相差を予め算出しておき、フィッティングをかけることでプレチルトを算出する方法である。また、このサンプルをサンプル面内で回転させることで、プレチルトの付与された方位角を求めることができる。
【０２１１】
このような構造を有する液晶表示装置の模式的な一部断面図を、図１５及び図１６に示す。尚、図１５及び図１６に示す液晶表示装置は、図１及び図２に示した液晶表示装置の変形例である。
【０２１２】
ガラス基板から成るＴＦＴ基板２０には、ガラス基板から成るＣＦ基板３０と対向する側の表面に、例えば、マトリクス状に複数の画素電極２０Ｂが配置されている。更に、複数の画素電極２０Ｂをそれぞれ駆動するゲート・ソース・ドレイン等を備えたＴＦＴスイッチング素子や、これらＴＦＴスイッチング素子に接続されるゲート線及びソース線等（図示せず）が設けられている。画素電極２０Ｂは、画素分離部５２によって電気的に分離された画素毎に設けられ、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する材料により構成されている。画素電極２０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第１スリット部２１（電極の形成されない部分）が設けられている。これにより、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第１スリット部２１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第１配向規制部であり、ここでは、この第１スリット部２１によって駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。
【０２１３】
ＣＦ基板３０には、ＴＦＴ基板２０との対向面に、有効表示領域のほぼ全面に亙って、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のストライプ状フィルタにより構成されたカラーフィルタ（図示せず）と、対向電極３０Ｂとが配置されている。対向電極３０Ｂは、画素電極２０Ｂと同様に、例えばＩＴＯ等の透明性を有する材料により構成されている。対向電極３０Ｂには、各画素内において、例えば、ストライプ状やＶ字状のパターンを有する第２スリット部３１（電極の形成されない部分）が設けられている。これによっても、駆動電圧が印加されると、液晶分子４１の長軸方向に対して斜めの電場が付与され、画素内に配向方向の異なる領域が形成されるため（配向分割）、視野角特性が向上する。即ち、第２スリット部３１は、良好な表示特性を確保するために、液晶層４０中の液晶分子４１全体の配向を規制するための第２配向規制部であり、ここでは、この第２スリット部３１によっても駆動電圧印加時の液晶分子４１の配向方向を規制している。上述したとおり、基本的に、プレチルトが付与されたときの液晶分子の方位角は、電場の強さと方向、及び、配向膜材料の分子構造によって規定され、電場の方向は配向規制部によって決定される。
【０２１４】
第２スリット部３１は、第１スリット部２１と基板間で対向しないように配置されている。より具体的には、複数の第１スリット部２１は互いに平行に設けられており、複数の第２スリット部３１も互いに平行に設けられている。また、１つの画素において、互いに直交する２つの方向に複数の第１スリット部２１は延びており、同様に、互いに直交する２つの方向に複数の第２スリット部３１は延びている。そして、第１スリット部２１は、これらの第１スリット部２１に対向する第２スリット部３１と平行に設けられており、第１スリット部２１の射影像は、２つの第２スリット部３１の対称線の射影像上に位置し、第２スリット部３１の射影像は、２つの第１スリット部２１の対称線の射影像上に位置する。１つの画素（副画素）を上方から眺めたときの第１電極（画素電極）２０Ｂ及び第１スリット部２１、並びに、第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２スリット部３１の配置図を、図１７の（Ａ）に示し、第２電極（対向電極）３０Ｂ及び第２スリット部３１の配置図を、図１７の（Ｂ）に示す。また、第１スリット部２１及び第２スリット部３１の外形形状の変形例を図１８の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図１９の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。尚、図１７の（Ａ）、図１８の（Ａ）、図１９の（Ａ）においては、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）を実線で示し、これらの上方に位置する第２配向規制部（第２スリット部３１）を点線で示した。また、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部と第２配向規制部（第２スリット部３１）とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域５０に斜線を付し、更には、中心領域５１を一点鎖線で囲み、且つ、斜線を付した。重複領域５０及び中心領域５１は、便宜上、１箇所のみを図示した。また、図１７の（Ｂ）、図１８の（Ｂ）、図１９の（Ｂ）においては、画素における第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部を点線で示し、第２配向規制部（第２スリット部３１）を実線で示した。尚、第１配向規制部（第１スリット部２１）の形状を第２配向規制部（第２スリット部３１）の形状と置き換え、第２配向規制部（第２スリット部３１）の形状を第１配向規制部（第１スリット部２１）の形状と置き換えてもよい。
【０２１５】
そして、各画素（副画素）において、第１電極（画素電極）２０Ｂの縁部と第１配向規制部（第１スリット部２１）とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極（対向電極）３０Ｂの縁部と第２配向規制部（第２スリット部３１）とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置している。即ち、液晶層４０における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内である。
【０２１６】
このような液晶表示装置にあっては、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０には、液晶分子４１の配向を規制するための配向規制部として第１スリット部２１及び第２スリット部３１が設けられているので、視野角特性等の表示特性が確保されるため、良好な表示特性を維持した状態で応答特性が向上する。しかも、重複領域５０の中心領域５１において、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。それ故、一対の電極２０Ｂ，３０Ｂに電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、応答特性の一層の改善が図ることができる。尚、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）の状態を図２０の（Ａ）及び（Ｂ）に模式的に示す。ここで、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）の最上段に示す液晶分子４１Ｂは、第２基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）の最下段に示す液晶分子４１Ａは、第１基板の近傍に位置する液晶分子を示し、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）の中段に示す液晶分子４１Ｃは、第１基板と第２基板の中間に位置する液晶分子を示す。また、液晶分子を横切る点線は液晶分子の長軸を示す。図２０の（Ａ）に示す状態にあっては、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にはない。一方、図２０の（Ｂ）に示す状態にあっては、液晶層４０における液晶分子群はツイストした状態にある。
【０２１７】
このように、各画素において、第１電極の縁部と第１配向規制部とによって囲まれた領域の射影像と、第２電極の縁部と第２配向規制部とによって囲まれた領域の射影像とが重なり合う重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群の長軸は、略、同一仮想平面内に位置している。云い換えれば、液晶層における液晶分子群の方位角（偏角）のバラツキが±５度以内である。このように、重複領域の中心領域において、液晶層における液晶分子群は、それらの液晶分子群の長軸が一方の電極側から他方の電極側に向かって捩れた状態（ツイストした状態）にはない。それ故、一対の電極に電圧を印加したとき、液晶分子群の長軸の捩れ（ツイスト）が解けるのに時間が不要であり、同一面内での応答ができるため、応答特性の一層の改善が図ることができる。
【符号の説明】
【０２１８】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ・・・画素、２０・・・第１基板（ＴＦＴ基板）、２０Ａ，３０Ａ・・・ガラス基板、２０Ｂ・・・第１電極（画素電極）、２１・・・第１配向規制部（第１スリット部）、２２・・・第１配向膜、３０・・・第２基板（ＣＦ基板）、３０Ｂ・・・第２電極（対向電極）、３１・・・第２配向規制部（第２スリット部）、３２・・・第２配向膜、４０・・・液晶層、４１，４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ・・・液晶分子、５０・・・重複領域、５１・・・中心領域、５２・・・画素分離部、６０・・・表示領域、６１・・・ソースドライバ、６２・・・ゲートドライバ、６３・・・タイミングコントローラ、６４・・・電源回路、７１・・・ソース線、７２・・・ゲート線、１２１・・・トランジスタ、１２２・・・キャパシタ、Ａ・・・架橋性官能基又は重合性官能基、Ｃｒ・・・連結部、Ｍｃ（Ｍｃ１，Ｍｃ２，Ｍｃ３）・・・主鎖
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜及び第２配向膜、並びに、
第１配向膜と第２配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、
を有する液晶表示素子を備え、
少なくとも第１配向膜は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、
液晶分子は、第１配向膜によってプレチルトが付与されており、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置。
【請求項２】
一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜及び第２配向膜、並びに、
第１配向膜と第２配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、
を有する液晶表示素子を備え、
少なくとも第１配向膜は、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物を含み、
液晶分子は、第１配向膜によってプレチルトが付与されており、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置。
【請求項３】
第１配向膜の厚さをｔ1、第２配向膜の厚さをｔ2としたとき、
ｔ1−ｔ2≧１０ｎｍ
を満足する請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第１配向膜が形成された基板の法線と液晶分子の成す角度をθ1（度）、第２配向膜が形成された基板の法線と液晶分子の成す角度をθ2（度）としたとき、
θ1＞θ2
を満足する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
θ1−θ2≧０．５（度）
を満足する請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
第１配向膜を構成する材料と、第２配向膜を構成する材料は同じである請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物を架橋又は重合させて、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して高分子化合物の側鎖を架橋又は重合させる請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
一対の基板の一方に、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して高分子化合物の側鎖を変形させる請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、高分子化合物にエネルギー線として紫外線を照射する請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
第１配向膜の厚さをｔ1、第２配向膜の厚さをｔ2としたとき、
ｔ1−ｔ2≧１０ｎｍ
を満足する請求項７乃至請求項１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
第１配向膜が形成された基板の法線と液晶分子の成す角度をθ1（度）、第２配向膜が形成された基板の法線と液晶分子の成す角度をθ2（度）としたとき、
θ1＞θ2
を満足する請求項７乃至請求項１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
θ1−θ2≧０．５（度）
を満足する請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
第１配向膜を構成する材料と、第２配向膜を構成する材料は同じである請求項７乃至請求項１５のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１】
一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜及び第２配向膜、並びに、
第１配向膜と第２配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、
を有する液晶表示素子を備え、
少なくとも第１配向膜は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、
液晶分子は、第１配向膜によってプレチルトが付与されており、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置。
【請求項２】
一対の基板の対向面側に設けられた第１配向膜及び第２配向膜、並びに、
第１配向膜と第２配向膜との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層、
を有する液晶表示素子を備え、
少なくとも第１配向膜は、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物が変形した化合物を含み、
液晶分子は、第１配向膜によってプレチルトが付与されており、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置。
【請求項３】
第１配向膜の厚さをｔ1、第２配向膜の厚さをｔ2としたとき、
ｔ1−ｔ2≧１０ｎｍ
を満足する請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第１配向膜が形成された基板の法線と液晶分子の成す角度をθ1（度）、第２配向膜が形成された基板の法線と液晶分子の成す角度をθ2（度）としたとき、
θ1＞θ2
を満足する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
θ1−θ2≧０．５（度）
を満足する請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
第１配向膜を構成する材料と、第２配向膜を構成する材料は同じである請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物を架橋又は重合させて、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して高分子化合物の側鎖を架橋又は重合させる請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
一対の基板の一方に、側鎖として感光性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物を変形させることで、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、エネルギー線を照射して高分子化合物の側鎖を変形させる請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
一対の基板の一方に、側鎖として架橋性官能基又は感光性官能基を有する高分子化合物から成る第１配向膜を形成し、一対の基板の他方に、第２配向膜を形成した後、
一対の基板を、第１配向膜と第２配向膜とが対向するように配置し、第１配向膜と第２配向膜との間に、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含む液晶層を封止し、次いで、
高分子化合物にエネルギー線を照射することで、液晶分子にプレチルトを付与する、
工程を含み、
第２配向膜の厚さは第１配向膜の厚さよりも薄い液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
液晶層に対して所定の電場を印加することにより液晶分子を配向させつつ、高分子化合物にエネルギー線として紫外線を照射する請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
第１配向膜の厚さをｔ1、第２配向膜の厚さをｔ2としたとき、
ｔ1−ｔ2≧１０ｎｍ
を満足する請求項７乃至請求項１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
第１配向膜が形成された基板の法線と液晶分子の成す角度をθ1（度）、第２配向膜が形成された基板の法線と液晶分子の成す角度をθ2（度）としたとき、
θ1＞θ2
を満足する請求項７乃至請求項１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
θ1−θ2≧０．５（度）
を満足する請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
第１配向膜を構成する材料と、第２配向膜を構成する材料は同じである請求項７乃至請求項１５のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１２−１７３６０１（Ｐ２０１２−１７３６０１Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３６８３２（Ｐ２０１１−３６８３２）
【出願日】平成２３年２月２３日（２０１１．２．２３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月２３日（２０１１．２．２３）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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