発光装置及び電子機器
【課題】基板・封止材間の剥離を抑制する。
【解決手段】有機EL表示素子10は、発光素子61を含む積層体22を有し表面が凹凸になっているTFT基板20と、積層体22を封止するための封止材40と、TFT基板20の表面に対向し、封止材40を介してTFT基板20と貼り合わせられる封止基板30と、を備える。封止基板30は、TFT基板20の表面に対向する側の面に凹凸部32を有し、TFT基板20の凹凸の少なくとも一部と封止基板30の凹凸部32の少なくとも一部とは、封止材40に接着している。封止基板30に形成された凹凸部32によって、封止材40との接着面積は大きくなり、接着力も大きくなる。
【解決手段】有機EL表示素子10は、発光素子61を含む積層体22を有し表面が凹凸になっているTFT基板20と、積層体22を封止するための封止材40と、TFT基板20の表面に対向し、封止材40を介してTFT基板20と貼り合わせられる封止基板30と、を備える。封止基板30は、TFT基板20の表面に対向する側の面に凹凸部32を有し、TFT基板20の凹凸の少なくとも一部と封止基板30の凹凸部32の少なくとも一部とは、封止材40に接着している。封止基板30に形成された凹凸部32によって、封止材40との接着面積は大きくなり、接着力も大きくなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば、有機EL(Electro Luminescence)を用いた発光装置、及び発光装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
前記の発光装置としては、例えば、有機ELパネルがある。例えば、特許文献1には、発光素子、土手部、導電膜、保護膜等からなる積層体が形成されている第1の基板と、前記積層体を封止する封止層(封止材)と、第1の基板に対向して配置された第2の基板と、を備える有機ELパネルが開示されている。この有機ELパネルでは、パネル外部から水分等が浸入することを防ぐため、第1の基板と第2の基板とが、封止材を介して貼り合わされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2009−277549号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載されたような従来の有機ELパネルでは、第2の基板の封止材に接する面は略平面状である。このため、第2の基板と封止材との接着面積は小さく、一般に、第2の基板と封止材との接着力は弱い。
【0005】
ところで、第1の基板及び第2の基板には、外力等による応力によって、反りやねじれが生じる場合がある。この際、接着力の弱い第2の基板・封止材間が剥離しやすい。そして、この剥離によって、パネル外部から水分等が浸入し、カソードが酸化したり、有機膜の特性が低下したりすることで、最終的にはダークスポットが発生し、暗欠陥等が生じることがある。
【0006】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板・封止材間の剥離を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の第1の観点に係る発光装置は、第一電極と、前記第一電極と対向して形成された第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を有した発光素子を含む複数の画素が形成された第一基板と、前記第一基板の前記複数の画素が形成された面に対向して形成された第二基板と、前記第一基板と前記第二基板とを接着する封止材と、を備え、前記第一基板は、前記封止材に接着され且つ凹凸形状の第一面を有し、前記第二基板の前記封止材と接着される第二面には、前記第一面の前記凹凸形状に対応した凹凸部が設けられていることを特徴とする。
【0008】
例えば、前記第一基板の前記複数の画素が形成された面には、前記複数の画素を各画素毎に画定するための隔壁が形成されているようにしてもよい。
また、前記第一基板は、前記第一基板における前記発光素子を保護する無機質の保護層を更に備え、前記封止材は、液状の有機系材料から成るようにしてもよい。
また、前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の全面に形成されているようにしてもよい。
また、前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の周縁に形成されているようにしてもよい。
また、前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の角近傍に形成されているようにしてもよい。
また、前記第一基板と前記封止材との接着強度と、前記第二基板と前記封止材との接着強度とは、略等しい値であると望ましい。
【0009】
本発明の第2の観点に係る電子機器は、前記発光装置を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、基板・封止材間の剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本実施形態に係る発光装置の画素配列の一例を示す概略平面図である。
【図2】光学素子駆動回路を示す等価回路図である。
【図3】発光装置に含まれる発光画素の近傍を示す概略平面図である。
【図4】図3の断面線IV−IVにおける有機EL表示素子の断面の一部を示す模式図である。
【図5】全面に形成された凹凸部を有する封止基板を示す模式図である。
【図6】周縁に形成された凹凸部を有する第1変形例に係る封止基板を示す模式図である。
【図7】四隅に形成された凹凸部を有する第2変形例に係る封止基板を示す模式図である。
【図8】中空部を有する第3変形例に係る有機EL表示素子の図6におけるVIII−VIII断面を示す模式図である。
【図9】(A)は、有機EL表示素子を備えるデジタルカメラを示す正面側斜視図である。(B)は、有機EL表示素子を備えるデジタルカメラを示す背面側斜視図である。
【図10】有機EL表示素子を備えるパーソナルコンピュータを示す正面側斜視図である。
【図11】有機EL表示素子を備える携帯電話を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の実施形態に係る発光装置について、図面を参照して説明する。なお、本発明は下記で説明する実施形態(図面に記載された内容も含む。)によって限定されるものではない。下記で説明する実施形態に変更を加えることができる。特に、下記で説明する実施形態の構成要素を適宜削除してもよい。
【0013】
図1に示すように、本発明の実施形態に係る発光装置には、ガラス等から成るTFT基板(第一基板)20上に、それぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)の3色を発する3つの発光画素60を一組として、この組が行方向(左右方向)に繰り返し複数配列されるとともに、列方向(上下方向)に同一色の発光画素60が複数配列されている。このようにRGBの各色を発する発光画素60がマトリクス状に配列される。各発光画素60は、RGBそれぞれの光を発する表示素子としての有機EL素子である発光素子61を備える。
【0014】
各発光画素60は、発光素子61と、発光素子61をアクティブ動作させる光学素子駆動回路DS(図2参照)とを備える。
【0015】
光学素子駆動回路DSは、図2に示すように、発光素子61を選択する第1選択トランジスタT11及び第2選択トランジスタT12と、発光素子61を駆動する発光駆動トランジスタT13と、キャパシタCsとを備える。第1選択トランジスタT11、第2選択トランジスタT12及び発光駆動トランジスタT13は、例えば、それぞれアモルファスシリコンを有する半導体層を備える逆スタガ型のnチャネル型TFT(Thin Film Transistor)である。第1選択トランジスタT11、第2選択トランジスタT12及び発光駆動トランジスタT13は、それぞれ、ドレイン電極とソース電極間にゲート電極に印加される電圧によって制御される電流路を有している。
【0016】
光学素子駆動回路DSは、複数のアノードライン(電流供給配線)Laと、発光素子61と、それぞれ所定列に配列された複数の光学素子駆動回路DSに接続されたデータライン(階調信号配線)Ldと、それぞれ所定行に配列された複数の光学素子駆動回路DSの第1選択トランジスタT11及び第2選択トランジスタT12を選択する複数の選択ライン(制御信号配線)Lsと、に接続されている。発光素子61のアノードが光学素子駆動回路DSに接続されており、カソードには、基準電圧Vssが印加される。
【0017】
なお、各アノードラインLaは、図示しない接続端子を介してアノードドライバ71に接続される。また、各選択ラインLsは、図示しない接続端子を介して選択ドライバ72に接続される。各データラインLdは、図示しない接続端子を介してデータドライバ73に接続される。アノードドライバ71と、選択ドライバ72と、データドライバ73とは、システムコントローラ75によって制御される。
【0018】
システムコントローラ75は、外部から供給される画像データに基づいて、アノードドライバ71と、選択ドライバ72と、データドライバ73とを制御することで、有機EL表示素子(発光装置)10の各発光画素60の発光・非発光及び発光させる場合の輝度を制御する。前記ドライバの制御は、制御信号の供給によって行われる。詳しくは後述するが、アノードドライバ71は、システムコントローラ75の制御のもと、アノードラインLaに電圧Vaを印加する。また、選択ドライバ72は、システムコントローラ75の制御のもと、選択ラインLsに電圧Vsを印加する。また、データドライバ72は、システムコントローラ75の制御のもと、データラインLdに電圧Vdを印加する。
【0019】
図3に、発光画素60近傍の概略平面図を示す。なお、図3において、各電極、アノードラインLa、選択ラインLs及びデータラインLdを実線で示し、隔壁208を2点鎖線で示す。また、各要素に付したハッチングは、各要素を明瞭にするためのものであって、断面を表すものではない。図3に示すように、第1選択トランジスタT11のゲート電極T1gと、第2選択トランジスタT12のゲート電極T2gとは、電気的に接続されるとともに一体的に形成されている。ゲート電極T2gは、ゲート絶縁膜201(図4を参照して後述)に設けられコンタクトホール内に充填されたコンタクト部52を介して選択ラインLsに接続されている。これによって、ゲート電極T1gとゲート電極T2gとは共に、コンタクト部52とを介して選択ラインLsに接続されていることとなる。アノードラインLaは、第1選択トランジスタT11のドレイン電極T1dと一体的に形成されることによって電気的に接続されている。また、第1選択トランジスタT11のソース電極T1sは、ゲート絶縁膜201(図4を参照して後述)に設けられコンタクトホール内に充填されたコンタクト部53を介してキャパシタ電極Cs1に接続されている。
【0020】
また、第2選択トランジスタT12のドレイン電極T2dは、ゲート絶縁膜201に設けられコンタクトホール内に充填されたコンタクト部51を介してデータラインLdに接続される。また、第2選択トランジスタT12のソース電極T2sは、画素電極(アノード電極、第一電極)204に接触している。発光駆動トランジスタT13のソース電極T3sも画素電極204に接触している。即ち、ソース電極T2sとソース電極T3sとは、画素電極204を介して接続されることとなる。
【0021】
発光駆動トランジスタT13のドレイン電極T3dは、アノードラインLaに一体的に接続される。また、発光駆動トランジスタT13のゲート電極T3gは、コンタクト部54を介してキャパシタ電極Cs1と接続されており、更にキャパシタ電極Cs1を介して第1選択トランジスタT11のソース電極T1sに接続されている。また、発光駆動トランジスタT13のソース電極T3sは、画素電極204と一部重なることによって接続されている。
【0022】
キャパシタCsは、キャパシタ電極Cs1と、他方のキャパシタ電極として機能する画素電極204と、キャパシタ電極Cs1と画素電極204との間に介在する誘導体となる窒化シリコン等のゲート絶縁膜201によって構成される。
【0023】
システムコントローラ75は、アノードドライバ71と、選択ドライバ72と、データドライバ73とを用いて、有機EL表示素子10を制御して、書き込み制御と発光制御とを行う。システムコントローラ75は、システムコントローラ75の外部から供給される画像データに基づいてこれら制御を行う。
【0024】
まず、書き込み制御を説明する。システムコントローラ75は、選択ドライバ72を制御し、所定の閾値以上の電圧値の電圧(Highレベルの電圧)Vsを一の選択ラインLsに印加する。これによって、この選択ラインLsに接続された複数の画素回路(この選択ラインLsの行)が選択されたことになる。また、システムコントローラ75は、アノードドライバ71を制御し、非発光レベルの電圧値(基準電位Vssよりも低い値;例えば、負の電圧値)の電圧Vaを、選択しているアノードラインLaに印加するとともに、データドライバ73を制御し、前記の画像データに応じて負の電圧値に設定した階調電圧Vdを各データラインLdに印加する。
【0025】
これによって、第1選択トランジスタT11、第2選択トランジスタT12、駆動トランジスタT13は、オン状態になって、駆動トランジスタT13のゲート・ソース間に生じた電位差に応じた書込電流がアノードラインLaから、第2選択トランジスタT12を介してデータラインLdの方向に流れる。このとき、キャパシタCsには、駆動トランジスタT13のゲート・ソース間の電位差に応じた量の電荷が蓄積され、前記の電位差(階調電圧Vdに応じた電位差)が保持される。また、発光素子61のアノードの電位は、カソードの電位(基準電位Vss)よりも低くなるため、発光素子61には電流が流れず、発光素子61は発光しない。なお、発光素子61を非発光させる場合には、例えば、書込電流が流れないような階調電圧Vdがその発光素子61の画素回路に接続されたデータラインLdに印加され、前記書込電流が流れない。
【0026】
システムコントローラ75は、このような書き込み制御(Vs、Va、Vdの印加)を、所定の順序(図1における上の行から下の行に向かう順序)で、一行毎に全ての行について順次行い(走査)、発光装置10の全ての画素回路について行う。また、システムコントローラ75は、書き込み制御を、一行について所定の期間行う。
【0027】
システムコントローラ75は、前記の書き込み制御を行っていない行(非選択期間にある各行)については、発光制御を行う。システムコントローラ75は、選択ドライバ72を制御し、前記所定の閾値未満の電圧値の電圧(Lowレベルの電圧)Vsを、非選択期間にある各行の選択ラインLsに印加することによって、前記第1選択トランジスタT11及び第2選択トランジスタT12をオフ状態にする。これによって、光学素子駆動回路DSと、データラインLdとの接続が遮断される。この遮断後であっても、キャパシタCsには、前記電荷が蓄積されているので、発光駆動トランジスタT13は、オン状態を維持する。さらに、システムコントローラ75は、アノードドライバ71を制御し、発光レベルの電圧値(基準電位Vssよりも高い値)の電圧Vaを非選択期間にある各行のアノードラインLaに印加する。これによって、アノードラインLaから発光駆動トランジスタT13を介して発光素子61に発光駆動電流が流れる。
【0028】
ここで、キャパシタCsに保持されている電位差は、前記書込電流が流れたときの電位差(つまり、階調電圧Vdに応じた電位差)に相当するので、発光素子61に流れる電流値は、書込電流の電流値と略同等になる。このため、発光素子61は、階調電圧Vdの電圧値に応じた輝度で発光する。システムコントローラ75は、このような発光制御(前記Vs、Vaの印加)を行うことで、非選択期間にある各行の画素回路の各発光素子61は、発光しないか、画像データに応じた輝度で発光することになる。各行について、非選択期間は順次到来するので、発光装置10は、全体として、画像データが表す画像を表示することになる。発光装置10は、表示装置でもある。
【0029】
次に、本実施形態に係る有機EL表示素子10の具体的な構成について説明する。図4に、本実施形態に係る有機EL表示素子10の図3のIV−IV断面における断面構造を示す。有機EL表示素子10は、TFT基板(第一基板)20と、封止基板(第二基板)30と、封止材40と、を主に備える。TFT基板20と、封止基板30とは、封止材40を介して貼り合わされる。
【0030】
TFT基板20は、基板本体21と、この基板本体21上に形成された積層体22と、を備える。TFT基板20は、積層体22が形成されていることによって、その表面が凹凸になっている。
【0031】
基板本体21は、透明であり、絶縁性を有する。基板本体21は、例えば、ガラス基板等によって構成される。
【0032】
積層体22は、ゲート電極T1g(図3参照),T2g,T3g、ドレイン電極T1d(図3参照),T2d,T3d、ソース電極T1s(図3参照),T2s,T3s、ゲート絶縁膜201、半導体層202、ストッパ膜203、不純物層205、絶縁膜206、隔壁208、画素電極204、有機EL層(発光層)210、例えば接地電位等の基準電圧Vssが印加される対向電極(カソード電極,発光装置)212、パッシベーション膜(保護層)214等の各種の層を備える。積層体22は、前記の複数の層等によって、駆動回路、及び駆動回路によって駆動して発光する有機EL素子(発光素子)61等を構成する。画素電極204、有機EL層210、対向電極212等によって、発光素子61が構成される。
【0033】
積層体22は、前記の駆動回路の回路内容等によって適宜の構成を採ることが出来る。積層体22の各要素についての説明は、後述の積層体22の形成方法を説明する際に説明する。なお、積層体22は、前記の光学素子駆動回路DSを実現するために、選択ラインLs、アノードラインLa、他のトランジスタを構成する層等を構成する層も適宜含むものとする。また、積層体22は、適宜ダミー回路等も含む。
【0034】
封止基板30は、例えば、ガラス基板、硬質合成樹脂製基板等によって構成され、後述する封止材40に接触する側の面(裏面)に、凸部320と凹部322とから成る凹凸部32を有する。凹凸部32は、例えば、封止基板30の裏面を削って形成されたり、封止基板30が樹脂製基板である場合等には、予め凹凸部32の外面に沿う金型を用いた射出成形等によって形成されたりし、適宜の方法によって形成される。図5に示される例においては、封止材40に接触する封止基板30の全面に、凹凸部32が形成(加工)されている。なお、凹凸は、例えば、平坦な面の一部に溝等の凹部のみが形成されているもの、一部に突起等の凸部のみが形成されているもの等を含み、段差等を有すればよい。
【0035】
封止材40は、TFT基板20と封止基板30とを貼り合わされるために用いられると共に、積層体22の全面を覆って、封止基板30とともに積層体22を封止するためのものである。TFT基板20と封止基板30とは間隔(数十μm程度)をあけて封止材40によって貼り合わされている。封止材40は、TFT基板20の表面と封止基板30の裏面とに接着して双方を貼り合わせる。封止材40は、アクリル樹脂又はウレタン樹脂、熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂、又は反応開始剤をマイクロカプセル化して加圧することにより反応が開始する常温硬化型エポキシ系樹脂等から形成される。エポキシ系樹脂の場合は、ビスフェノールA形、ビスフェノールF形、ビスフェノールAD形、ビスフェノールS形、キシレノール形、フェノールノボラック形、クレゾールノボラック形、多官能形、テトラフェニロールメタン形、ポリエチレングリコール形、ポリプロピレングリコール形、ヘキサンジオール形、トリメチロールプロパン形、プロピレンオキサイドビスフェノールA形、水添ビスフェノールA形、又はこれらの混合物を主剤としたものである。
【0036】
次に、有機EL表示素子10の形成方法について説明する。
【0037】
まず、基板本体21を用意し、ここに積層体22を積層形成し、TFT基板20を形成する。積層体22の形成方法を簡単に説明する。なお、積層体22は、前記の駆動回路を実現するための、上述した他の層も下記の形成行程において、適宜形成されるものとする。
【0038】
まず、透明な絶縁性を有する基板本体21上に、スパッタ法又は真空蒸着法等により例えば、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜、AlNdTi合金膜又はMoNb合金膜等からなるゲートメタル層を成膜する。更に、このゲートメタル層をパターニングしてゲート電極T1g,T2g,T3g、ゲート電極T1g及びゲート電極T2gを接続する選択ラインLs、データラインLd等を、所定形状に形成する。以下では、これら電極及び配線を、まとめてメタル膜という。
【0039】
次に、基板本体21上に、スパッタ法、真空蒸着法等により基板本体21上に、前記で形成したメタル膜を覆うように、ITO(Indium Tin Oxide)、ZnO等の透明導電膜を被膜後、この透明導電膜をフォトリソグラフィによってパターニングしてキャパシタCsのキャパシタ電極Cs1を形成する。
【0040】
そして、基板本体21及びゲート電極T1g,T2g,T3gを覆うように、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により、SiN等からなるゲート絶縁膜201を形成する。さらに、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により、アモルファスシリコン等からなる半導体膜をゲート絶縁膜201上に形成し、更に半導体膜上に、CVD法等により、SiN等からなる絶縁膜を連続被覆形成する。
【0041】
続いて、前記で形成した絶縁膜をフォトリソグラフィ等によりパターニングし、所定形状のストッパ膜203(チャネル保護膜層BL(Block Layer))となるSiN等)を半導体膜上に形成する。ストッパ膜203は、後述の半導体層202を保護するものである。
【0042】
更に、半導体膜及びストッパ膜203上に、CVD法等により、n型不純物が含まれたアモルファスシリコン等からなる膜を形成し、この膜と半導体膜とをフォトリソグラフィ等によりパターニングする(特に、ストッパ膜203上以外の外側部分)。これによって、まず、半導体層202(半導体層SMC(Sheet Molding Compound))が形成される。なお、パターニングされたアモルファスシリコン等からなる膜を、不純物膜という。不純物膜は、未だ、ストッパ膜203を覆っている。さらに、例えば、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlNdTi合金膜、MoNb合金膜等からなるメタル層をスパッタ法、真空蒸着法等により、ゲート絶縁膜201上に成膜する。メタル層は、半導体層202及び不純物膜を覆うように成膜される。
【0043】
次いで、フォトリソグラフィによって、メタル層をパターニングし、ソース電極T1s,T2s,T3s及びドレイン電極T1d,T2d,T3dを形成する。このパターニングでは、前記の不純物膜もパターニングされる(このときに、ストッパ膜203が半導体層202を保護する。)。このため、ソース電極T1s,T2s,T3s及びドレイン電極T1d,T2d,T3dとともに、不純物層205が形成されることになる。不純物層205は、後述のソース電極T1s,T2s,T3s及びドレイン電極T1d,T2d,T3dのそれぞれと、半導体層202とのオーミック接続を実現するためのものである。
【0044】
次に、スパッタ法、真空蒸着法等によりゲート絶縁膜201上に、ITO(Indium Tin Oxide)、ZnO等の透明導電膜を被膜後、フォトリソグラフィによってパターニングして画素電極204を形成する。画素電極204は、ソース電極T1s,T2s,T3sの一部に接触するように形成される。画素電極204は、表示画素(発光画素)を規定するための電極になる。
【0045】
次に、CVD法等により、SiN等からなる絶縁膜を、画素電極204、ソース電極T1s,T2s,T3s及びドレイン電極T1d,T2d,T3d等を覆うように成膜して、パターニングすることによって、絶縁膜206を形成する。絶縁膜206は、例えばシリコン窒化膜から形成され、画素電極204を露出させるように形成される。絶縁膜206は、隣り合う画素電極204を絶縁させるとともに、第1選択トランジスタT11、第2選択トランジスタT12及び発光駆動トランジスタT13等を絶縁保護する。また、絶縁膜206には、複数の画素電極204を夫々露出させるように複数の開口部207aが形成されており、開口部207aによって画素電極204及び対向電極212との間に介在する有機EL層210、つまり発光素子61の発光領域が画される。また、絶縁膜206は、複数の開口部207aによって格子状に形成される。更に隔壁208には列方向(図3における上下方向)に延びる溝状の開口部207bが複数の発光素子61にわたって形成されている。
【0046】
続いて、例えば感光性のポリイミド系の絶縁樹脂材料を塗布、パターニング、硬化して、絶縁膜206上に隔壁208を形成する。隔壁208は、列方向(図4の紙面の表裏方向)に沿った複数の発光素子61の画素電極204をまとめて開口するようにストライプ状の開口部207bを有する。これにより表示画素の画素形成領域が隔壁208により囲まれて画定され、当該領域に画素電極204の上面が露出した状態となる。隔壁208は、後述の有機EL層210の形状を画定するためのものである。
【0047】
次いで、正孔注入層、発光層を、隔壁208の各開口内に表示に用いられる色毎に塗布して、画素電極204上に、正孔注入層、発光層からなる有機EL層210を積層させる。正孔注入層は、公知の高分子材料等によって形成される。発光層は、公知の高分子発光材料等によって形成される。そして、各画素電極204に各有機EL層210を介して共通して対向するように連なる対向電極212を形成する。対向電極212は、光反射特性を有し、導電材料、例えば1〜10nm厚のLi,Mg,Ca,Ba,In等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、100nm以上の厚さのAl,Cr,Ag,パラジウム銀系の合金等の光反射性導電金属からなる高仕事関数の上層を有する積層構造として、真空蒸着、スパッタ等の方法によって形成される。有機EL層210は、画素電極204と対向電極212との間に電圧を印加することにより光を発生させる。
【0048】
最後に、対向電極212を覆うように、無機化合物から成るSi3N4、SiO2等から成るパッシベーション膜214を、CVD法等の適宜の方法によって形成する。パッシベーション膜214は、対向電極212側への水分の浸入を遮断するためのものである。また、パッシベーション膜214は、封止材40が液状の有機系封止樹脂から成る場合に、この樹脂が有機EL層21に直接接触することを防ぎ、これによって表示における暗欠陥が生じることを防ぐ。
【0049】
TFT基板20は、上記の積層体22が形成されることによって、その表面に凹凸を備えることとなる。特に、隔壁208は、その高さが高いので、他の回路素子と比べ凹凸の高低に関わり、つまり、封止材40に接触する面積に関わることになる。
【0050】
次に、TFT基板20の表面全面に封止材40を塗布等し、封止基板30をその上に置いて、TFT基板20と封止基板30とが封止材40を介して貼り合わせられた状態とする。更に、封止材40に紫外線を照射することにより、熱を加えることにより、又は封止基板30を加圧すること等により、封止材40を硬化させ、TFT基板20と封止材40と封止基板30とを一体的に接着させる。このようにして、封止材40及び封止基板30によって、積層体22が封止され、これによって、有機EL表示素子10が完成する。
【0051】
上記の有機EL表示素子10の形成方法においては、本発明に関わる主要な部分についてのみ説明したが、それ以外の部分、例えば、選択ラインLs、コンタクト部51,52,53,54等は、適宜周知のタイミング及び方法により形成され、有機EL表示素子10は、図3のような構成となる。
【0052】
本実施形態に係る有機EL表示素子10によれば、凹凸部32によって、封止基板30と封止材405との接触面積が大きくなることで、封止基板30と封止材40との接着力(粘着力)を強くすることができる。つまり、凹凸部32が形成されていない従来の構成において、封止材40が剥離しやすい部位である封止基板30と封止材40との接着力を、凹凸部32を形成することによって、強くすることができる。したがって、凹凸部32によって、封止基板30と封止材40との剥離(隙間が生じること)を防ぐことができ、僅かな隙間から水分が浸入することを効率的に防ぐことができる。これによって、電極の酸化や有機EL層210の機能低下等を防ぎ、暗欠陥等が防止される。
【0053】
また、従来のように、封止基板30の封止材40に接する面に凹凸部32が形成されていないとすると、この面は略平面状になる。TFT基板20の表面(封止材40に接する面)は、積層体22によって数μm程度の凹凸になっているため、従来では、TFT基板20と封止材40との接着面積に比べて、封止基板30と封止材40との接着面積は小さかった。つまり、一般に、TFT基板20と封止材40との接着力に比べて、封止基板30と封止材40との接着力の方が弱かった。上記のような凹凸部32が形成され、TFT基板20の凹凸と封止材40とが接着し、凹凸部32と封止材40とが接着することによって、TFT基板20と封止材40との接着力と、封止基板30と封止材40との接着力と、の差を小さくすることができ、封止基板30と封止材40とが、特に最初に剥離することを防ぐことができる。
【0054】
また、液状の有機系封止樹脂を封止材40の材料として採用した場合、この樹脂が発光素子61に直接接触すると、暗欠陥を生じやすくなる。そこで、無機質のパッシベーション膜214を併用し、基本的には、パッシベーション膜214により、発光素子61への水分の浸入を遮断する。更に、封止材40が貼り合わせた封止基板30で、積層体22を封止することで、パッシベーション膜214を保護し、発光素子61から完全に水分を遮断する役目を担う。このとき、封止材40に用いられる材料の接着性は、簡易接着剤程度の接着力しか望めない。これを補うために、封止基板30の表面を凹凸構造にして接着力を強化する。
【0055】
なお、上記の封止構造に用いられる封止方法としては、上記した液状封止材の全面塗布の他、液状封止材(シール材)の周辺塗布と液状充填材(封止材の一種とする)の充填の併用、封止材の一種であるシート状接着材(シート状粘着材等も含む。なお、粘着という文言は、接着という文言に含まれるものとする。)の貼り付け、などがある。どのような封止方法であっても、封止材が前記の凹凸部32に接触することによって、接着力が強化される。特に封止材40が、TFT基板20の凹凸に接着するとともに、凹凸部32に接着することによって、封止材40とTFT基板20の接着強度と、封止材40と封止基板30との接着強度と、の差を少なくすることによって、封止基板30と封止材40とが剥離することを防ぐことができる。なお、封止部材として機能するものとして、封止基板30を例として説明したが、基板形状でない他の封止部材、例えば封止蓋等であってもよい。
【0056】
(第1変形例)
図6に示される例においては、封止材40に接触する封止基板(第二基板)300の周縁に、凹凸部32が形成されている。つまり、封止材40に接触する封止基板300における周縁以外の部位は、平坦な面で形成されている。凹凸部32によって、上記同様、封止基板30と封止材40との剥離(隙間が生じること)を防ぐことができる。このように、封止基板300と封止材40との剥離に関して、影響度合いが高い封止基板300の周縁部のみに凹凸部32を形成するようにしてもよい。また、TFT基板20と封止基板300との間に、TFT基板20の凹凸及び封止基板300の凹凸部32に接するように封止材40が塗布されている。TFT基板20の凹凸及び封止基板300の凹凸部32は、封止材40と接着している。これによって、TFT基板20と封止材40との接着力と、封止基板300と封止材40との接着力と、の差を小さくすることができ、封止基板300と封止材40とが、特に最初に剥離することを防ぐことができる。
【0057】
(第2変形例)
図7に示される例においては、封止材40に接触する封止基板(第二基板)302の角近傍に、凹凸部32が形成されている。つまり、封止材40に接触する封止基板302における角近傍以外の部位は、平坦な面で形成されている。凹凸部32によって、上記同様、封止基板30と封止材40との剥離(隙間が生じること)を防ぐことができる。このように、封止基板302と封止材40との剥離に関して、影響度合いが高い封止基板302の角近傍のみに凹凸部32を形成するようにしてもよい。また、TFT基板20と封止基板302との間に、TFT基板20の凹凸及び封止基板302の凹凸部32に接するように封止材40が塗布されている。TFT基板20の凹凸及び封止基板302の凹凸部32は、封止材40と接着している。これによって、TFT基板20と封止材40との接着力と、封止基板302と封止材40との接着力と、の差を小さくすることができ、封止基板302と封止材40とが、特に最初に剥離することを防ぐことができる。
【0058】
(第3変形例)
なお、図6及び図7に示される例において、TFT基板20と封止基板300又は封止基板302との間には、封止材40が塗布されているものとして説明したが、TFT基板20と封止基板300又は封止基板302とに挟まれる全ての領域に封止材40が塗布される構成に限定されない。中央部は中空であってもよい。例えば、図8に示すように、TFT基板20における凹凸が形成されている部位にある周縁と、封止基板300,302における凹凸部32が形成されている部位にある周縁と、に挟まれる部位のみに封止材40が塗布され、その他の部位(中空部400)は、減圧されているか、乾燥窒素ガス又は不活性ガスが充填されている構成であってもよい。なお、図8の例では、TFT基板20の上面であり、封止材40によって封止される部位に、第1選択トランジスタT11(図3参照)、第2選択トランジスタT12又は発光駆動トランジスタT13及び発光素子61等が形成されているが、これらは形成されていなくてもよい。また、その他の凹凸が形成されているものであってもよく、更には、平面であってもよい。封止基板300又は封止基板302には、中空部400をより広くするための、凹部がその裏面に形成されているが、この凹部はない場合もある。更に、中空部400に存在する残留水分を除去するために、吸着乾燥シート34等を併用して用いるようにしてもよい。
【0059】
このように、TFT基板20の周縁と封止基板300,302の周縁とにのみ封止材40が塗布されている場合であっても、その封止材40に接する部位に凹凸部32が形成されていれば、封止基板300,302と封止材40との接着力を向上させることができるという、同一の効果を奏し得る。
【0060】
このような構成を採る有機EL表示素子10は、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、又は携帯電話等の表示装置の表示部(ディスプレイ)等として用いられる。具体的には、デジタルカメラ(電子機器)910は、例えば図9(A)及び図9(B)に示すように、操作部911と、表示部912と、を備える。この表示部912に有機EL表示素子10が用いられる。同様に、パーソナルコンピュータ(電子機器)920は、図10に示すように、表示部921を備え、有機EL表示素子10は表示部921に使用される。更に、携帯電話(電子機器)930は、図11に示すように、表示部931を備え、有機EL表示素子10は表示部931に使用される。
【0061】
なお、上記実施形態においては、有機EL表示素子10は、有機EL層210から出射される光を基板本体21側から外部に出射する所謂ボトムエミッション型の発光装置であるとして説明した。ボトムエミッション型として説明したのは、有機EL層210から出射される光が、封止基板30に形成された凹凸部32を通ることによって、屈折する等の影響を受けることを排除するためである。
【0062】
しかし、図6及び図7に示された第1変形例又は第2変形例に係る有機EL表示素子10のように、封止基板300の周縁部又は封止基板302の角近傍に、凹凸部32が形成されているものであれば、ボトムエミッション型の発光装置に限定せずトップエミッション型でもよい。この形態であれば、有機EL層210から出射される光の出射方向上に、凹凸部32を形成(配置)しないようにできるためである。なお、トップエミッション型の場合、一例として周知なように、図4に示された画素電極204が配置されている部分には、光反射特性を有し、100nm以上の厚さのAl,Cr,Ag,パラジウム銀系の合金等の光反射性導電金属からなる高仕事関数の下層と、導電材料、例えば1〜10nm厚のLi,Mg,Ca,Ba,In等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の上層とを有する積層構造の電極が配置される。また、対向電極212が配置されている部分には、有機EL層210から出射される光を透過可能なようにITO、ZnO等の透明導電膜をパターニングして形成される電極が配置される。
【0063】
なお、封止材40に接着させる凹凸部32は、封止材40に接着させる、TFT基板20の凹凸と対応させて形成されことが望ましい。特に、凹凸部32は、凹凸部32と封止材40との接着強度と、TFT基板20の凹凸と封止材40との接着強度とを略同じにするように形成されることが望ましい。接着強度が略同じであれば、封止基板30,300,302と封止材40との間と、TFT基板20と封止材40との間と、のいずれか一方から剥がれることが抑制される。接着強度を略同じにするには、例えば、封止材40、TFT基板20の表面の凹凸、封止基板30等の材料の接着特性等を考慮することが考えられる。また、凹凸部32を有する封止基板30,300,302の封止材40との接触面積(接着面積)が、凹凸(特に隔壁208)を有するTFT基板20の封止材40との接触面積と、同程度になるように、凹凸部32が形成してもよい。接触面積が略同じであれば、封止基板30,300,302と封止材40との接着強度と、TFT基板20と封止材40との接着強度を略同じに出来ることがある(例えば、封止基板30,300,302と、TFT基板20の表面(パッシベーション膜214等)と、を同じ材料で形成した場合等)。
【0064】
また、凹凸部32の形状は、封止材40との接触面積を大きくできればよく、例えば、半球状、円錐状、多角錐状、切頭円錐状、切頭多角錐状等、特に限定しない。また、封止材40との接触面積を大きくするために凹凸部32が形成されることから明白なように、凹凸部32の個数も、隔壁208の凹凸の個数と等しい数に限定しない。
【符号の説明】
【0065】
10・・・有機EL表示素子(発光装置)、20・・・TFT基板(第一基板)、21・・・基板本体、201・・・ゲート絶縁膜、202・・・半導体層、203・・・ストッパ膜、204・・・画素電極(アノード電極、第一電極)、205・・・不純物層、206・・・絶縁膜、208・・・隔壁、210・・・有機EL層(発光層)、212・・・対向電極(カソード電極、第二電極)、214・・・パッシベーション膜(保護層)、22・・・積層体、30,300,302・・・封止基板(第二基板)、32・・・凹凸部、34・・・吸着乾燥シート、40・・・封止材、400・・・中空部、60・・・発光画素、61・・・発光素子、T11・・・第1選択トランジスタ、T12・・・第2選択トランジスタ、T13・・・発光駆動トランジスタ、T1d,T2d,T3d・・・ドレイン電極、T1s,T2s,T3s・・・ソース電極、T1g,T2g,T3g・・・ゲート電極、910・・・デジタルカメラ(電子機器)、920・・・パーソナルコンピュータ(電子機器)、930・・・携帯電話(電子機器)、Ld・・・データライン、La・・・アノードライン、Ls・・・選択ライン
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば、有機EL(Electro Luminescence)を用いた発光装置、及び発光装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
前記の発光装置としては、例えば、有機ELパネルがある。例えば、特許文献1には、発光素子、土手部、導電膜、保護膜等からなる積層体が形成されている第1の基板と、前記積層体を封止する封止層(封止材)と、第1の基板に対向して配置された第2の基板と、を備える有機ELパネルが開示されている。この有機ELパネルでは、パネル外部から水分等が浸入することを防ぐため、第1の基板と第2の基板とが、封止材を介して貼り合わされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2009−277549号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載されたような従来の有機ELパネルでは、第2の基板の封止材に接する面は略平面状である。このため、第2の基板と封止材との接着面積は小さく、一般に、第2の基板と封止材との接着力は弱い。
【0005】
ところで、第1の基板及び第2の基板には、外力等による応力によって、反りやねじれが生じる場合がある。この際、接着力の弱い第2の基板・封止材間が剥離しやすい。そして、この剥離によって、パネル外部から水分等が浸入し、カソードが酸化したり、有機膜の特性が低下したりすることで、最終的にはダークスポットが発生し、暗欠陥等が生じることがある。
【0006】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板・封止材間の剥離を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の第1の観点に係る発光装置は、第一電極と、前記第一電極と対向して形成された第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を有した発光素子を含む複数の画素が形成された第一基板と、前記第一基板の前記複数の画素が形成された面に対向して形成された第二基板と、前記第一基板と前記第二基板とを接着する封止材と、を備え、前記第一基板は、前記封止材に接着され且つ凹凸形状の第一面を有し、前記第二基板の前記封止材と接着される第二面には、前記第一面の前記凹凸形状に対応した凹凸部が設けられていることを特徴とする。
【0008】
例えば、前記第一基板の前記複数の画素が形成された面には、前記複数の画素を各画素毎に画定するための隔壁が形成されているようにしてもよい。
また、前記第一基板は、前記第一基板における前記発光素子を保護する無機質の保護層を更に備え、前記封止材は、液状の有機系材料から成るようにしてもよい。
また、前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の全面に形成されているようにしてもよい。
また、前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の周縁に形成されているようにしてもよい。
また、前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の角近傍に形成されているようにしてもよい。
また、前記第一基板と前記封止材との接着強度と、前記第二基板と前記封止材との接着強度とは、略等しい値であると望ましい。
【0009】
本発明の第2の観点に係る電子機器は、前記発光装置を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、基板・封止材間の剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本実施形態に係る発光装置の画素配列の一例を示す概略平面図である。
【図2】光学素子駆動回路を示す等価回路図である。
【図3】発光装置に含まれる発光画素の近傍を示す概略平面図である。
【図4】図3の断面線IV−IVにおける有機EL表示素子の断面の一部を示す模式図である。
【図5】全面に形成された凹凸部を有する封止基板を示す模式図である。
【図6】周縁に形成された凹凸部を有する第1変形例に係る封止基板を示す模式図である。
【図7】四隅に形成された凹凸部を有する第2変形例に係る封止基板を示す模式図である。
【図8】中空部を有する第3変形例に係る有機EL表示素子の図6におけるVIII−VIII断面を示す模式図である。
【図9】(A)は、有機EL表示素子を備えるデジタルカメラを示す正面側斜視図である。(B)は、有機EL表示素子を備えるデジタルカメラを示す背面側斜視図である。
【図10】有機EL表示素子を備えるパーソナルコンピュータを示す正面側斜視図である。
【図11】有機EL表示素子を備える携帯電話を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の実施形態に係る発光装置について、図面を参照して説明する。なお、本発明は下記で説明する実施形態(図面に記載された内容も含む。)によって限定されるものではない。下記で説明する実施形態に変更を加えることができる。特に、下記で説明する実施形態の構成要素を適宜削除してもよい。
【0013】
図1に示すように、本発明の実施形態に係る発光装置には、ガラス等から成るTFT基板(第一基板)20上に、それぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)の3色を発する3つの発光画素60を一組として、この組が行方向(左右方向)に繰り返し複数配列されるとともに、列方向(上下方向)に同一色の発光画素60が複数配列されている。このようにRGBの各色を発する発光画素60がマトリクス状に配列される。各発光画素60は、RGBそれぞれの光を発する表示素子としての有機EL素子である発光素子61を備える。
【0014】
各発光画素60は、発光素子61と、発光素子61をアクティブ動作させる光学素子駆動回路DS(図2参照)とを備える。
【0015】
光学素子駆動回路DSは、図2に示すように、発光素子61を選択する第1選択トランジスタT11及び第2選択トランジスタT12と、発光素子61を駆動する発光駆動トランジスタT13と、キャパシタCsとを備える。第1選択トランジスタT11、第2選択トランジスタT12及び発光駆動トランジスタT13は、例えば、それぞれアモルファスシリコンを有する半導体層を備える逆スタガ型のnチャネル型TFT(Thin Film Transistor)である。第1選択トランジスタT11、第2選択トランジスタT12及び発光駆動トランジスタT13は、それぞれ、ドレイン電極とソース電極間にゲート電極に印加される電圧によって制御される電流路を有している。
【0016】
光学素子駆動回路DSは、複数のアノードライン(電流供給配線)Laと、発光素子61と、それぞれ所定列に配列された複数の光学素子駆動回路DSに接続されたデータライン(階調信号配線)Ldと、それぞれ所定行に配列された複数の光学素子駆動回路DSの第1選択トランジスタT11及び第2選択トランジスタT12を選択する複数の選択ライン(制御信号配線)Lsと、に接続されている。発光素子61のアノードが光学素子駆動回路DSに接続されており、カソードには、基準電圧Vssが印加される。
【0017】
なお、各アノードラインLaは、図示しない接続端子を介してアノードドライバ71に接続される。また、各選択ラインLsは、図示しない接続端子を介して選択ドライバ72に接続される。各データラインLdは、図示しない接続端子を介してデータドライバ73に接続される。アノードドライバ71と、選択ドライバ72と、データドライバ73とは、システムコントローラ75によって制御される。
【0018】
システムコントローラ75は、外部から供給される画像データに基づいて、アノードドライバ71と、選択ドライバ72と、データドライバ73とを制御することで、有機EL表示素子(発光装置)10の各発光画素60の発光・非発光及び発光させる場合の輝度を制御する。前記ドライバの制御は、制御信号の供給によって行われる。詳しくは後述するが、アノードドライバ71は、システムコントローラ75の制御のもと、アノードラインLaに電圧Vaを印加する。また、選択ドライバ72は、システムコントローラ75の制御のもと、選択ラインLsに電圧Vsを印加する。また、データドライバ72は、システムコントローラ75の制御のもと、データラインLdに電圧Vdを印加する。
【0019】
図3に、発光画素60近傍の概略平面図を示す。なお、図3において、各電極、アノードラインLa、選択ラインLs及びデータラインLdを実線で示し、隔壁208を2点鎖線で示す。また、各要素に付したハッチングは、各要素を明瞭にするためのものであって、断面を表すものではない。図3に示すように、第1選択トランジスタT11のゲート電極T1gと、第2選択トランジスタT12のゲート電極T2gとは、電気的に接続されるとともに一体的に形成されている。ゲート電極T2gは、ゲート絶縁膜201(図4を参照して後述)に設けられコンタクトホール内に充填されたコンタクト部52を介して選択ラインLsに接続されている。これによって、ゲート電極T1gとゲート電極T2gとは共に、コンタクト部52とを介して選択ラインLsに接続されていることとなる。アノードラインLaは、第1選択トランジスタT11のドレイン電極T1dと一体的に形成されることによって電気的に接続されている。また、第1選択トランジスタT11のソース電極T1sは、ゲート絶縁膜201(図4を参照して後述)に設けられコンタクトホール内に充填されたコンタクト部53を介してキャパシタ電極Cs1に接続されている。
【0020】
また、第2選択トランジスタT12のドレイン電極T2dは、ゲート絶縁膜201に設けられコンタクトホール内に充填されたコンタクト部51を介してデータラインLdに接続される。また、第2選択トランジスタT12のソース電極T2sは、画素電極(アノード電極、第一電極)204に接触している。発光駆動トランジスタT13のソース電極T3sも画素電極204に接触している。即ち、ソース電極T2sとソース電極T3sとは、画素電極204を介して接続されることとなる。
【0021】
発光駆動トランジスタT13のドレイン電極T3dは、アノードラインLaに一体的に接続される。また、発光駆動トランジスタT13のゲート電極T3gは、コンタクト部54を介してキャパシタ電極Cs1と接続されており、更にキャパシタ電極Cs1を介して第1選択トランジスタT11のソース電極T1sに接続されている。また、発光駆動トランジスタT13のソース電極T3sは、画素電極204と一部重なることによって接続されている。
【0022】
キャパシタCsは、キャパシタ電極Cs1と、他方のキャパシタ電極として機能する画素電極204と、キャパシタ電極Cs1と画素電極204との間に介在する誘導体となる窒化シリコン等のゲート絶縁膜201によって構成される。
【0023】
システムコントローラ75は、アノードドライバ71と、選択ドライバ72と、データドライバ73とを用いて、有機EL表示素子10を制御して、書き込み制御と発光制御とを行う。システムコントローラ75は、システムコントローラ75の外部から供給される画像データに基づいてこれら制御を行う。
【0024】
まず、書き込み制御を説明する。システムコントローラ75は、選択ドライバ72を制御し、所定の閾値以上の電圧値の電圧(Highレベルの電圧)Vsを一の選択ラインLsに印加する。これによって、この選択ラインLsに接続された複数の画素回路(この選択ラインLsの行)が選択されたことになる。また、システムコントローラ75は、アノードドライバ71を制御し、非発光レベルの電圧値(基準電位Vssよりも低い値;例えば、負の電圧値)の電圧Vaを、選択しているアノードラインLaに印加するとともに、データドライバ73を制御し、前記の画像データに応じて負の電圧値に設定した階調電圧Vdを各データラインLdに印加する。
【0025】
これによって、第1選択トランジスタT11、第2選択トランジスタT12、駆動トランジスタT13は、オン状態になって、駆動トランジスタT13のゲート・ソース間に生じた電位差に応じた書込電流がアノードラインLaから、第2選択トランジスタT12を介してデータラインLdの方向に流れる。このとき、キャパシタCsには、駆動トランジスタT13のゲート・ソース間の電位差に応じた量の電荷が蓄積され、前記の電位差(階調電圧Vdに応じた電位差)が保持される。また、発光素子61のアノードの電位は、カソードの電位(基準電位Vss)よりも低くなるため、発光素子61には電流が流れず、発光素子61は発光しない。なお、発光素子61を非発光させる場合には、例えば、書込電流が流れないような階調電圧Vdがその発光素子61の画素回路に接続されたデータラインLdに印加され、前記書込電流が流れない。
【0026】
システムコントローラ75は、このような書き込み制御(Vs、Va、Vdの印加)を、所定の順序(図1における上の行から下の行に向かう順序)で、一行毎に全ての行について順次行い(走査)、発光装置10の全ての画素回路について行う。また、システムコントローラ75は、書き込み制御を、一行について所定の期間行う。
【0027】
システムコントローラ75は、前記の書き込み制御を行っていない行(非選択期間にある各行)については、発光制御を行う。システムコントローラ75は、選択ドライバ72を制御し、前記所定の閾値未満の電圧値の電圧(Lowレベルの電圧)Vsを、非選択期間にある各行の選択ラインLsに印加することによって、前記第1選択トランジスタT11及び第2選択トランジスタT12をオフ状態にする。これによって、光学素子駆動回路DSと、データラインLdとの接続が遮断される。この遮断後であっても、キャパシタCsには、前記電荷が蓄積されているので、発光駆動トランジスタT13は、オン状態を維持する。さらに、システムコントローラ75は、アノードドライバ71を制御し、発光レベルの電圧値(基準電位Vssよりも高い値)の電圧Vaを非選択期間にある各行のアノードラインLaに印加する。これによって、アノードラインLaから発光駆動トランジスタT13を介して発光素子61に発光駆動電流が流れる。
【0028】
ここで、キャパシタCsに保持されている電位差は、前記書込電流が流れたときの電位差(つまり、階調電圧Vdに応じた電位差)に相当するので、発光素子61に流れる電流値は、書込電流の電流値と略同等になる。このため、発光素子61は、階調電圧Vdの電圧値に応じた輝度で発光する。システムコントローラ75は、このような発光制御(前記Vs、Vaの印加)を行うことで、非選択期間にある各行の画素回路の各発光素子61は、発光しないか、画像データに応じた輝度で発光することになる。各行について、非選択期間は順次到来するので、発光装置10は、全体として、画像データが表す画像を表示することになる。発光装置10は、表示装置でもある。
【0029】
次に、本実施形態に係る有機EL表示素子10の具体的な構成について説明する。図4に、本実施形態に係る有機EL表示素子10の図3のIV−IV断面における断面構造を示す。有機EL表示素子10は、TFT基板(第一基板)20と、封止基板(第二基板)30と、封止材40と、を主に備える。TFT基板20と、封止基板30とは、封止材40を介して貼り合わされる。
【0030】
TFT基板20は、基板本体21と、この基板本体21上に形成された積層体22と、を備える。TFT基板20は、積層体22が形成されていることによって、その表面が凹凸になっている。
【0031】
基板本体21は、透明であり、絶縁性を有する。基板本体21は、例えば、ガラス基板等によって構成される。
【0032】
積層体22は、ゲート電極T1g(図3参照),T2g,T3g、ドレイン電極T1d(図3参照),T2d,T3d、ソース電極T1s(図3参照),T2s,T3s、ゲート絶縁膜201、半導体層202、ストッパ膜203、不純物層205、絶縁膜206、隔壁208、画素電極204、有機EL層(発光層)210、例えば接地電位等の基準電圧Vssが印加される対向電極(カソード電極,発光装置)212、パッシベーション膜(保護層)214等の各種の層を備える。積層体22は、前記の複数の層等によって、駆動回路、及び駆動回路によって駆動して発光する有機EL素子(発光素子)61等を構成する。画素電極204、有機EL層210、対向電極212等によって、発光素子61が構成される。
【0033】
積層体22は、前記の駆動回路の回路内容等によって適宜の構成を採ることが出来る。積層体22の各要素についての説明は、後述の積層体22の形成方法を説明する際に説明する。なお、積層体22は、前記の光学素子駆動回路DSを実現するために、選択ラインLs、アノードラインLa、他のトランジスタを構成する層等を構成する層も適宜含むものとする。また、積層体22は、適宜ダミー回路等も含む。
【0034】
封止基板30は、例えば、ガラス基板、硬質合成樹脂製基板等によって構成され、後述する封止材40に接触する側の面(裏面)に、凸部320と凹部322とから成る凹凸部32を有する。凹凸部32は、例えば、封止基板30の裏面を削って形成されたり、封止基板30が樹脂製基板である場合等には、予め凹凸部32の外面に沿う金型を用いた射出成形等によって形成されたりし、適宜の方法によって形成される。図5に示される例においては、封止材40に接触する封止基板30の全面に、凹凸部32が形成(加工)されている。なお、凹凸は、例えば、平坦な面の一部に溝等の凹部のみが形成されているもの、一部に突起等の凸部のみが形成されているもの等を含み、段差等を有すればよい。
【0035】
封止材40は、TFT基板20と封止基板30とを貼り合わされるために用いられると共に、積層体22の全面を覆って、封止基板30とともに積層体22を封止するためのものである。TFT基板20と封止基板30とは間隔(数十μm程度)をあけて封止材40によって貼り合わされている。封止材40は、TFT基板20の表面と封止基板30の裏面とに接着して双方を貼り合わせる。封止材40は、アクリル樹脂又はウレタン樹脂、熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂、又は反応開始剤をマイクロカプセル化して加圧することにより反応が開始する常温硬化型エポキシ系樹脂等から形成される。エポキシ系樹脂の場合は、ビスフェノールA形、ビスフェノールF形、ビスフェノールAD形、ビスフェノールS形、キシレノール形、フェノールノボラック形、クレゾールノボラック形、多官能形、テトラフェニロールメタン形、ポリエチレングリコール形、ポリプロピレングリコール形、ヘキサンジオール形、トリメチロールプロパン形、プロピレンオキサイドビスフェノールA形、水添ビスフェノールA形、又はこれらの混合物を主剤としたものである。
【0036】
次に、有機EL表示素子10の形成方法について説明する。
【0037】
まず、基板本体21を用意し、ここに積層体22を積層形成し、TFT基板20を形成する。積層体22の形成方法を簡単に説明する。なお、積層体22は、前記の駆動回路を実現するための、上述した他の層も下記の形成行程において、適宜形成されるものとする。
【0038】
まず、透明な絶縁性を有する基板本体21上に、スパッタ法又は真空蒸着法等により例えば、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜、AlNdTi合金膜又はMoNb合金膜等からなるゲートメタル層を成膜する。更に、このゲートメタル層をパターニングしてゲート電極T1g,T2g,T3g、ゲート電極T1g及びゲート電極T2gを接続する選択ラインLs、データラインLd等を、所定形状に形成する。以下では、これら電極及び配線を、まとめてメタル膜という。
【0039】
次に、基板本体21上に、スパッタ法、真空蒸着法等により基板本体21上に、前記で形成したメタル膜を覆うように、ITO(Indium Tin Oxide)、ZnO等の透明導電膜を被膜後、この透明導電膜をフォトリソグラフィによってパターニングしてキャパシタCsのキャパシタ電極Cs1を形成する。
【0040】
そして、基板本体21及びゲート電極T1g,T2g,T3gを覆うように、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により、SiN等からなるゲート絶縁膜201を形成する。さらに、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により、アモルファスシリコン等からなる半導体膜をゲート絶縁膜201上に形成し、更に半導体膜上に、CVD法等により、SiN等からなる絶縁膜を連続被覆形成する。
【0041】
続いて、前記で形成した絶縁膜をフォトリソグラフィ等によりパターニングし、所定形状のストッパ膜203(チャネル保護膜層BL(Block Layer))となるSiN等)を半導体膜上に形成する。ストッパ膜203は、後述の半導体層202を保護するものである。
【0042】
更に、半導体膜及びストッパ膜203上に、CVD法等により、n型不純物が含まれたアモルファスシリコン等からなる膜を形成し、この膜と半導体膜とをフォトリソグラフィ等によりパターニングする(特に、ストッパ膜203上以外の外側部分)。これによって、まず、半導体層202(半導体層SMC(Sheet Molding Compound))が形成される。なお、パターニングされたアモルファスシリコン等からなる膜を、不純物膜という。不純物膜は、未だ、ストッパ膜203を覆っている。さらに、例えば、Mo膜、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlNdTi合金膜、MoNb合金膜等からなるメタル層をスパッタ法、真空蒸着法等により、ゲート絶縁膜201上に成膜する。メタル層は、半導体層202及び不純物膜を覆うように成膜される。
【0043】
次いで、フォトリソグラフィによって、メタル層をパターニングし、ソース電極T1s,T2s,T3s及びドレイン電極T1d,T2d,T3dを形成する。このパターニングでは、前記の不純物膜もパターニングされる(このときに、ストッパ膜203が半導体層202を保護する。)。このため、ソース電極T1s,T2s,T3s及びドレイン電極T1d,T2d,T3dとともに、不純物層205が形成されることになる。不純物層205は、後述のソース電極T1s,T2s,T3s及びドレイン電極T1d,T2d,T3dのそれぞれと、半導体層202とのオーミック接続を実現するためのものである。
【0044】
次に、スパッタ法、真空蒸着法等によりゲート絶縁膜201上に、ITO(Indium Tin Oxide)、ZnO等の透明導電膜を被膜後、フォトリソグラフィによってパターニングして画素電極204を形成する。画素電極204は、ソース電極T1s,T2s,T3sの一部に接触するように形成される。画素電極204は、表示画素(発光画素)を規定するための電極になる。
【0045】
次に、CVD法等により、SiN等からなる絶縁膜を、画素電極204、ソース電極T1s,T2s,T3s及びドレイン電極T1d,T2d,T3d等を覆うように成膜して、パターニングすることによって、絶縁膜206を形成する。絶縁膜206は、例えばシリコン窒化膜から形成され、画素電極204を露出させるように形成される。絶縁膜206は、隣り合う画素電極204を絶縁させるとともに、第1選択トランジスタT11、第2選択トランジスタT12及び発光駆動トランジスタT13等を絶縁保護する。また、絶縁膜206には、複数の画素電極204を夫々露出させるように複数の開口部207aが形成されており、開口部207aによって画素電極204及び対向電極212との間に介在する有機EL層210、つまり発光素子61の発光領域が画される。また、絶縁膜206は、複数の開口部207aによって格子状に形成される。更に隔壁208には列方向(図3における上下方向)に延びる溝状の開口部207bが複数の発光素子61にわたって形成されている。
【0046】
続いて、例えば感光性のポリイミド系の絶縁樹脂材料を塗布、パターニング、硬化して、絶縁膜206上に隔壁208を形成する。隔壁208は、列方向(図4の紙面の表裏方向)に沿った複数の発光素子61の画素電極204をまとめて開口するようにストライプ状の開口部207bを有する。これにより表示画素の画素形成領域が隔壁208により囲まれて画定され、当該領域に画素電極204の上面が露出した状態となる。隔壁208は、後述の有機EL層210の形状を画定するためのものである。
【0047】
次いで、正孔注入層、発光層を、隔壁208の各開口内に表示に用いられる色毎に塗布して、画素電極204上に、正孔注入層、発光層からなる有機EL層210を積層させる。正孔注入層は、公知の高分子材料等によって形成される。発光層は、公知の高分子発光材料等によって形成される。そして、各画素電極204に各有機EL層210を介して共通して対向するように連なる対向電極212を形成する。対向電極212は、光反射特性を有し、導電材料、例えば1〜10nm厚のLi,Mg,Ca,Ba,In等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、100nm以上の厚さのAl,Cr,Ag,パラジウム銀系の合金等の光反射性導電金属からなる高仕事関数の上層を有する積層構造として、真空蒸着、スパッタ等の方法によって形成される。有機EL層210は、画素電極204と対向電極212との間に電圧を印加することにより光を発生させる。
【0048】
最後に、対向電極212を覆うように、無機化合物から成るSi3N4、SiO2等から成るパッシベーション膜214を、CVD法等の適宜の方法によって形成する。パッシベーション膜214は、対向電極212側への水分の浸入を遮断するためのものである。また、パッシベーション膜214は、封止材40が液状の有機系封止樹脂から成る場合に、この樹脂が有機EL層21に直接接触することを防ぎ、これによって表示における暗欠陥が生じることを防ぐ。
【0049】
TFT基板20は、上記の積層体22が形成されることによって、その表面に凹凸を備えることとなる。特に、隔壁208は、その高さが高いので、他の回路素子と比べ凹凸の高低に関わり、つまり、封止材40に接触する面積に関わることになる。
【0050】
次に、TFT基板20の表面全面に封止材40を塗布等し、封止基板30をその上に置いて、TFT基板20と封止基板30とが封止材40を介して貼り合わせられた状態とする。更に、封止材40に紫外線を照射することにより、熱を加えることにより、又は封止基板30を加圧すること等により、封止材40を硬化させ、TFT基板20と封止材40と封止基板30とを一体的に接着させる。このようにして、封止材40及び封止基板30によって、積層体22が封止され、これによって、有機EL表示素子10が完成する。
【0051】
上記の有機EL表示素子10の形成方法においては、本発明に関わる主要な部分についてのみ説明したが、それ以外の部分、例えば、選択ラインLs、コンタクト部51,52,53,54等は、適宜周知のタイミング及び方法により形成され、有機EL表示素子10は、図3のような構成となる。
【0052】
本実施形態に係る有機EL表示素子10によれば、凹凸部32によって、封止基板30と封止材405との接触面積が大きくなることで、封止基板30と封止材40との接着力(粘着力)を強くすることができる。つまり、凹凸部32が形成されていない従来の構成において、封止材40が剥離しやすい部位である封止基板30と封止材40との接着力を、凹凸部32を形成することによって、強くすることができる。したがって、凹凸部32によって、封止基板30と封止材40との剥離(隙間が生じること)を防ぐことができ、僅かな隙間から水分が浸入することを効率的に防ぐことができる。これによって、電極の酸化や有機EL層210の機能低下等を防ぎ、暗欠陥等が防止される。
【0053】
また、従来のように、封止基板30の封止材40に接する面に凹凸部32が形成されていないとすると、この面は略平面状になる。TFT基板20の表面(封止材40に接する面)は、積層体22によって数μm程度の凹凸になっているため、従来では、TFT基板20と封止材40との接着面積に比べて、封止基板30と封止材40との接着面積は小さかった。つまり、一般に、TFT基板20と封止材40との接着力に比べて、封止基板30と封止材40との接着力の方が弱かった。上記のような凹凸部32が形成され、TFT基板20の凹凸と封止材40とが接着し、凹凸部32と封止材40とが接着することによって、TFT基板20と封止材40との接着力と、封止基板30と封止材40との接着力と、の差を小さくすることができ、封止基板30と封止材40とが、特に最初に剥離することを防ぐことができる。
【0054】
また、液状の有機系封止樹脂を封止材40の材料として採用した場合、この樹脂が発光素子61に直接接触すると、暗欠陥を生じやすくなる。そこで、無機質のパッシベーション膜214を併用し、基本的には、パッシベーション膜214により、発光素子61への水分の浸入を遮断する。更に、封止材40が貼り合わせた封止基板30で、積層体22を封止することで、パッシベーション膜214を保護し、発光素子61から完全に水分を遮断する役目を担う。このとき、封止材40に用いられる材料の接着性は、簡易接着剤程度の接着力しか望めない。これを補うために、封止基板30の表面を凹凸構造にして接着力を強化する。
【0055】
なお、上記の封止構造に用いられる封止方法としては、上記した液状封止材の全面塗布の他、液状封止材(シール材)の周辺塗布と液状充填材(封止材の一種とする)の充填の併用、封止材の一種であるシート状接着材(シート状粘着材等も含む。なお、粘着という文言は、接着という文言に含まれるものとする。)の貼り付け、などがある。どのような封止方法であっても、封止材が前記の凹凸部32に接触することによって、接着力が強化される。特に封止材40が、TFT基板20の凹凸に接着するとともに、凹凸部32に接着することによって、封止材40とTFT基板20の接着強度と、封止材40と封止基板30との接着強度と、の差を少なくすることによって、封止基板30と封止材40とが剥離することを防ぐことができる。なお、封止部材として機能するものとして、封止基板30を例として説明したが、基板形状でない他の封止部材、例えば封止蓋等であってもよい。
【0056】
(第1変形例)
図6に示される例においては、封止材40に接触する封止基板(第二基板)300の周縁に、凹凸部32が形成されている。つまり、封止材40に接触する封止基板300における周縁以外の部位は、平坦な面で形成されている。凹凸部32によって、上記同様、封止基板30と封止材40との剥離(隙間が生じること)を防ぐことができる。このように、封止基板300と封止材40との剥離に関して、影響度合いが高い封止基板300の周縁部のみに凹凸部32を形成するようにしてもよい。また、TFT基板20と封止基板300との間に、TFT基板20の凹凸及び封止基板300の凹凸部32に接するように封止材40が塗布されている。TFT基板20の凹凸及び封止基板300の凹凸部32は、封止材40と接着している。これによって、TFT基板20と封止材40との接着力と、封止基板300と封止材40との接着力と、の差を小さくすることができ、封止基板300と封止材40とが、特に最初に剥離することを防ぐことができる。
【0057】
(第2変形例)
図7に示される例においては、封止材40に接触する封止基板(第二基板)302の角近傍に、凹凸部32が形成されている。つまり、封止材40に接触する封止基板302における角近傍以外の部位は、平坦な面で形成されている。凹凸部32によって、上記同様、封止基板30と封止材40との剥離(隙間が生じること)を防ぐことができる。このように、封止基板302と封止材40との剥離に関して、影響度合いが高い封止基板302の角近傍のみに凹凸部32を形成するようにしてもよい。また、TFT基板20と封止基板302との間に、TFT基板20の凹凸及び封止基板302の凹凸部32に接するように封止材40が塗布されている。TFT基板20の凹凸及び封止基板302の凹凸部32は、封止材40と接着している。これによって、TFT基板20と封止材40との接着力と、封止基板302と封止材40との接着力と、の差を小さくすることができ、封止基板302と封止材40とが、特に最初に剥離することを防ぐことができる。
【0058】
(第3変形例)
なお、図6及び図7に示される例において、TFT基板20と封止基板300又は封止基板302との間には、封止材40が塗布されているものとして説明したが、TFT基板20と封止基板300又は封止基板302とに挟まれる全ての領域に封止材40が塗布される構成に限定されない。中央部は中空であってもよい。例えば、図8に示すように、TFT基板20における凹凸が形成されている部位にある周縁と、封止基板300,302における凹凸部32が形成されている部位にある周縁と、に挟まれる部位のみに封止材40が塗布され、その他の部位(中空部400)は、減圧されているか、乾燥窒素ガス又は不活性ガスが充填されている構成であってもよい。なお、図8の例では、TFT基板20の上面であり、封止材40によって封止される部位に、第1選択トランジスタT11(図3参照)、第2選択トランジスタT12又は発光駆動トランジスタT13及び発光素子61等が形成されているが、これらは形成されていなくてもよい。また、その他の凹凸が形成されているものであってもよく、更には、平面であってもよい。封止基板300又は封止基板302には、中空部400をより広くするための、凹部がその裏面に形成されているが、この凹部はない場合もある。更に、中空部400に存在する残留水分を除去するために、吸着乾燥シート34等を併用して用いるようにしてもよい。
【0059】
このように、TFT基板20の周縁と封止基板300,302の周縁とにのみ封止材40が塗布されている場合であっても、その封止材40に接する部位に凹凸部32が形成されていれば、封止基板300,302と封止材40との接着力を向上させることができるという、同一の効果を奏し得る。
【0060】
このような構成を採る有機EL表示素子10は、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、又は携帯電話等の表示装置の表示部(ディスプレイ)等として用いられる。具体的には、デジタルカメラ(電子機器)910は、例えば図9(A)及び図9(B)に示すように、操作部911と、表示部912と、を備える。この表示部912に有機EL表示素子10が用いられる。同様に、パーソナルコンピュータ(電子機器)920は、図10に示すように、表示部921を備え、有機EL表示素子10は表示部921に使用される。更に、携帯電話(電子機器)930は、図11に示すように、表示部931を備え、有機EL表示素子10は表示部931に使用される。
【0061】
なお、上記実施形態においては、有機EL表示素子10は、有機EL層210から出射される光を基板本体21側から外部に出射する所謂ボトムエミッション型の発光装置であるとして説明した。ボトムエミッション型として説明したのは、有機EL層210から出射される光が、封止基板30に形成された凹凸部32を通ることによって、屈折する等の影響を受けることを排除するためである。
【0062】
しかし、図6及び図7に示された第1変形例又は第2変形例に係る有機EL表示素子10のように、封止基板300の周縁部又は封止基板302の角近傍に、凹凸部32が形成されているものであれば、ボトムエミッション型の発光装置に限定せずトップエミッション型でもよい。この形態であれば、有機EL層210から出射される光の出射方向上に、凹凸部32を形成(配置)しないようにできるためである。なお、トップエミッション型の場合、一例として周知なように、図4に示された画素電極204が配置されている部分には、光反射特性を有し、100nm以上の厚さのAl,Cr,Ag,パラジウム銀系の合金等の光反射性導電金属からなる高仕事関数の下層と、導電材料、例えば1〜10nm厚のLi,Mg,Ca,Ba,In等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の上層とを有する積層構造の電極が配置される。また、対向電極212が配置されている部分には、有機EL層210から出射される光を透過可能なようにITO、ZnO等の透明導電膜をパターニングして形成される電極が配置される。
【0063】
なお、封止材40に接着させる凹凸部32は、封止材40に接着させる、TFT基板20の凹凸と対応させて形成されことが望ましい。特に、凹凸部32は、凹凸部32と封止材40との接着強度と、TFT基板20の凹凸と封止材40との接着強度とを略同じにするように形成されることが望ましい。接着強度が略同じであれば、封止基板30,300,302と封止材40との間と、TFT基板20と封止材40との間と、のいずれか一方から剥がれることが抑制される。接着強度を略同じにするには、例えば、封止材40、TFT基板20の表面の凹凸、封止基板30等の材料の接着特性等を考慮することが考えられる。また、凹凸部32を有する封止基板30,300,302の封止材40との接触面積(接着面積)が、凹凸(特に隔壁208)を有するTFT基板20の封止材40との接触面積と、同程度になるように、凹凸部32が形成してもよい。接触面積が略同じであれば、封止基板30,300,302と封止材40との接着強度と、TFT基板20と封止材40との接着強度を略同じに出来ることがある(例えば、封止基板30,300,302と、TFT基板20の表面(パッシベーション膜214等)と、を同じ材料で形成した場合等)。
【0064】
また、凹凸部32の形状は、封止材40との接触面積を大きくできればよく、例えば、半球状、円錐状、多角錐状、切頭円錐状、切頭多角錐状等、特に限定しない。また、封止材40との接触面積を大きくするために凹凸部32が形成されることから明白なように、凹凸部32の個数も、隔壁208の凹凸の個数と等しい数に限定しない。
【符号の説明】
【0065】
10・・・有機EL表示素子(発光装置)、20・・・TFT基板(第一基板)、21・・・基板本体、201・・・ゲート絶縁膜、202・・・半導体層、203・・・ストッパ膜、204・・・画素電極(アノード電極、第一電極)、205・・・不純物層、206・・・絶縁膜、208・・・隔壁、210・・・有機EL層(発光層)、212・・・対向電極(カソード電極、第二電極)、214・・・パッシベーション膜(保護層)、22・・・積層体、30,300,302・・・封止基板(第二基板)、32・・・凹凸部、34・・・吸着乾燥シート、40・・・封止材、400・・・中空部、60・・・発光画素、61・・・発光素子、T11・・・第1選択トランジスタ、T12・・・第2選択トランジスタ、T13・・・発光駆動トランジスタ、T1d,T2d,T3d・・・ドレイン電極、T1s,T2s,T3s・・・ソース電極、T1g,T2g,T3g・・・ゲート電極、910・・・デジタルカメラ(電子機器)、920・・・パーソナルコンピュータ(電子機器)、930・・・携帯電話(電子機器)、Ld・・・データライン、La・・・アノードライン、Ls・・・選択ライン
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第一電極と、前記第一電極と対向して形成された第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を有した発光素子を含む複数の画素が形成された第一基板と、
前記第一基板の前記複数の画素が形成された面に対向して形成された第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板とを接着する封止材と、を備え、
前記第一基板は、前記封止材に接着され且つ凹凸形状の第一面を有し、
前記第二基板の前記封止材と接着される第二面には、前記第一面の前記凹凸形状に対応した凹凸部が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項2】
前記第一基板の前記複数の画素が形成された面には、前記複数の画素を各画素毎に画定するための隔壁が形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第一基板は、前記第一基板における前記発光素子を保護する無機質の保護層を更に備え、
前記封止材は、液状の有機系材料から成る、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項4】
前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の全面に形成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
【請求項5】
前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の周縁に形成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
【請求項6】
前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の角近傍に形成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
【請求項7】
前記第一基板と前記封止材との接着強度と、前記第二基板と前記封止材との接着強度とは、略等しい値であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
【請求項8】
請求項1乃至7のいずれか1項の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項1】
第一電極と、前記第一電極と対向して形成された第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を有した発光素子を含む複数の画素が形成された第一基板と、
前記第一基板の前記複数の画素が形成された面に対向して形成された第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板とを接着する封止材と、を備え、
前記第一基板は、前記封止材に接着され且つ凹凸形状の第一面を有し、
前記第二基板の前記封止材と接着される第二面には、前記第一面の前記凹凸形状に対応した凹凸部が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項2】
前記第一基板の前記複数の画素が形成された面には、前記複数の画素を各画素毎に画定するための隔壁が形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第一基板は、前記第一基板における前記発光素子を保護する無機質の保護層を更に備え、
前記封止材は、液状の有機系材料から成る、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
【請求項4】
前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の全面に形成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
【請求項5】
前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の周縁に形成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
【請求項6】
前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の角近傍に形成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置。
【請求項7】
前記第一基板と前記封止材との接着強度と、前記第二基板と前記封止材との接着強度とは、略等しい値であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
【請求項8】
請求項1乃至7のいずれか1項の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2012−74238(P2012−74238A)
【公開日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−217852(P2010−217852)
【出願日】平成22年9月28日(2010.9.28)
【出願人】(000001443)カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年9月28日(2010.9.28)
【出願人】(000001443)カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Fターム(参考)】
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