発光装置
【課題】気密性・止水性の向上を図って、ＥＬ素子等の発光素子の劣化を抑えられるようにする。
【解決手段】発光装置６０は、発光パネル３０と、発光パネル３０の一面側に設けられ、複数の発光素子８が配列されてなる発光領域３１と、発光パネル３０の一面側に一面側が対向して設けられた対向基板４０と、対向基板４０の一面側に、発光領域３１を囲むように設けられる第一の凹部４２と、対向基板４０の一面側に、凹部４２を囲んで枠状に設けられ、発光パネル３０の一面側に接合される凸部４１と、対向基板４０の一面側の、対向基板４０の周縁と凸部４１との間に設けられた第二の凹部４３と、第二の凹部４３内に充填され、発光パネル３０の一面側と対向基板４０の一面側との間に挟持されて、発光パネル３０と対向基板４０とに固着されたシール材５３と、を備える。
【解決手段】発光装置６０は、発光パネル３０と、発光パネル３０の一面側に設けられ、複数の発光素子８が配列されてなる発光領域３１と、発光パネル３０の一面側に一面側が対向して設けられた対向基板４０と、対向基板４０の一面側に、発光領域３１を囲むように設けられる第一の凹部４２と、対向基板４０の一面側に、凹部４２を囲んで枠状に設けられ、発光パネル３０の一面側に接合される凸部４１と、対向基板４０の一面側の、対向基板４０の周縁と凸部４１との間に設けられた第二の凹部４３と、第二の凹部４３内に充填され、発光パネル３０の一面側と対向基板４０の一面側との間に挟持されて、発光パネル３０と対向基板４０とに固着されたシール材５３と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機などの電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である複数のＥＬ（Electro Luminescence）素子をマトリクス状に配列したＥＬパネルを適用したものが知られている。
ＥＬ素子は水分と接触すると、ＥＬ素子にダークスポットやダークエリアが発生し、ＥＬ素子の発光特性が劣化してしまう。そこで、ＥＬ素子をガラス板及び封止枠によって封止する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、特許文献１に記載されているように、有機ＥＬ層（３）が基板（１）の表面側にマトリクス状に配列され、ガラス板（９）が基板（１）の表面側に対向し、枠状の封止枠（１０）が基板（１）とガラス板（９）との間に挟持され、封止枠（１０）が封着材（８）によって基板（１）及びガラス板（９）に接着されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３３５３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の従来技術の場合でも、水分等が封止枠（１０）や封着材（８）を透過し、内側のＥＬ素子が劣化してしまう。
このような問題点に鑑みて、本発明が解決しようとする課題は、気密性・止水性の向上を図って、ＥＬ素子等の発光素子の劣化を抑えられるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、第一基板と、前記第一基板の一面側に設けられ、複数の発光素子が配列されてなる発光領域と、前記第一基板の前記一面側に一面側が対向して設けられた第二基板と、前記第二基板の前記一面側に、少なくとも前記第一基板の前記発光領域を囲むように設けられる第一の凹部と、前記第二基板の前記一面側に、前記第一の凹部を囲んで枠状に設けられ、前記第一基板の一面側に接合される凸部と、前記第二基板の前記一面側の、該第二基板の周縁と前記凸部との間に設けられた第二の凹部と、前記第二の凹部内に充填され、前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間に挟持されて、前記第一基板と前記第二基板とに固着されたシール材と、を備える。
【０００６】
好ましくは、前記発光装置は、前記第一の凹部内において対向する前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間の領域に充填されて、前記発光領域を覆うフィル材を備える。
好ましくは、前記凸部と前記第一基板の一面側とが、前記フィル材を介して接着されている。
好ましくは、前記凸部と前記第一基板の一面側とが接着剤を介して接着されている。
好ましくは、前記第一の凹部内において対向する前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間の領域が空洞となっている。
好ましくは、前記凸部と前記第一基板の一面側とが接着剤を介して接着されている。
好ましくは、前記凸部と前記第一基板の一面側とが、前記シール材を介して接着されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、気密性・止水性が向上し、発光素子の劣化を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図２】発光装置を製造する際の一工程を示す説明図である。
【図３】図２に示す工程の後の工程を示す説明図である。
【図４】図３に示す工程の後の工程を示す説明図である。
【図５】図４に示す工程の後の工程を示す説明図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図１１】発光パネルの画素の配置構成を示す平面図である。
【図１２】発光パネルの概略構成を示す平面図である。
【図１３】発光パネルの１つの画素の周辺回路の一例を示した回路図である。
【図１４】発光パネルの１つの画素及びその周辺を示した平面図である。
【図１５】図１４に示されたXV−XV線に沿った面の矢視断面図である。
【図１６】図１４に示されたXVI−XVI線に沿った面の矢視断面図である。
【図１７】図１、図６、図７、図８、図９又は図１０に示す発光装置を表示パネルに適用した携帯電話機の一例を示す正面図である。
【図１８】図１、図６、図７、図８、図９又は図１０に示す発光装置を表示パネルに適用したデジタルカメラの一例を示す正面側斜視図（ａ）と、後面側斜視図（ｂ）である。
【図１９】図１、図６、図７、図８、図９又は図１０に示す発光装置を表示パネルに適用したパーソナルコンピュータの一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１０】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置６０を示した断面図である。
この発光装置６０は、パッケージ付発光パネルである。この発光装置６０は、ドットマトリクスディスプレイに用いられるディスプレイパネルであったり、ページプリンタに用いられる露光装置であったりする。なお、発光装置６０の用途は、ディスプレイパネルや露光装置に限るものではない。
【００１１】
この発光装置６０は、発光パネル３０と対向基板４０を対向させて、これらを貼り合わせたものである。発光パネル３０が第一基板であり、対向基板４０が第二基板である。
発光パネル３０の表面側（一面側）には、各種の素子を保護するパッシベーション膜が成膜されている。また、発光パネル３０の表面側の中央部には、発光領域３１が設けられている。この発光領域３１は、複数の発光ドット（後述する画素Ｐ）を発光パネル３０の表面側に沿ってマトリクス状に配列したものであり、詳しくは後述する。つまり、発光領域３１は、表示領域でもある。これら発光ドットは別個に発光し、発光強度若しくは発光時間又はそれらの両方が発光ドットごとに制御される。発光ドットには、有機ＥＬ（electro luminescence：エレクトロルミネッセンス）素子、無機ＥＬ素子、発光ダイオードその他の半導体発光素子が用いられる。発光ドットが有機ＥＬ素子又は無機ＥＬ素子である場合、発光パネル３０はＥＬパネルであり、発光装置６０がパッケージ付ＥＬ装置である。
【００１２】
以下の説明において、トップエミッション型とは、発光領域３１の各発光ドットから発した光が対向基板４０の表面側（他面側）から外部に放射されるように構成されたものをいい、ボトムエミッション型とは、発光領域３１の各発光ドットから発した光が発光パネル３０の裏面側（他面側）から外部に放射されるように構成されたものをいう。
【００１３】
対向基板４０の裏面側（一面側）には、凸部４１が凸設されている。凸部４１は、対向基板４０と一体に成形されている。凸部４１は、対向基板４０の裏面側の縁に沿って枠状に設けられているとともに、対向基板４０の裏面側の縁よりも中央部寄りに位置している。対向基板４０の裏面側であって凸部４１の内側には、凹部（第一の凹部）４２が凹設されている。凹部４２の深さは１０〜５０μｍであることが好ましい。更に、対向基板４０の裏面側であって凸部４１の外側と対向基板４０の周縁との間に、凹部（第二の凹部）４３が凹設されている。ここで、凸部４１の内側から凹部４３の外側、つまり対向基板４０の周縁までの距離を封止幅Ｌとする。
【００１４】
対向基板４０の裏面側が発光パネル３０の表面側に向いた状態で、対向基板４０と発光パネル３０が貼り合わせられている。対向基板４０と発光パネル３０が貼り合わせられた状態では、発光パネル３０の発光領域３１が凸部４１の内側に配置されているとともに、その発光領域３１が凹部４２に収められている。すなわち、凸部４１は発光パネル３０の発光領域３１を囲むように設けられている。
【００１５】
トップエミッションの場合、対向基板４０及び凸部４１は、透明な材料（例えば、ガラス、アクリル、ポリカーボネート）からなる。ボトムエミッションの場合、対向基板４０及び凸部４１が透明であってもよいし、不透明であってもよい。対向基板４０及び凸部４１が無機材料（例えば、ガラス材料）からなるものであれば、発光領域３１をより良く保護することができ、耐湿性・保存性が向上する。
【００１６】
凸部４１が発光パネル３０の表面側に突き当てられて、凸部４１と発光パネル３０が接合されている。具体的には、凸部４１の頭頂部と発光パネル３０との間に接着剤（封着材）５１が挟まれ、凸部４１と発光パネル３０が接着剤５１によって接着されている。接着剤５１は、紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を接着時に硬化したものである。
【００１７】
凸部４１の内側の凹部４２内には、フィル材５２が充填されている。フィル材５２が凸部４１の内側において対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側との間に挟まれ、フィル材５２によって発光パネル３０の表面側及び発光領域３１が覆われている。フィル材５２は紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を硬化したものであり、フィル材５２の硬化によってフィル材５２が対向基板４０及び発光パネル３０に固着される。トップエミッションの場合、フィル材５２が透明である。ボトムエミッションの場合、フィル材５２が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００１８】
凸部４１の外側に設けられた凹部４３内における、対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側の間には、シール材５３が充填されている。シール材５３が、凹部４３内において対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側との間に挟まれている。シール材５３は紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を硬化したものであり、シール材５３の硬化によってシール材５３が対向基板４０及び発光パネル３０に固着される。
【００１９】
この発光装置６０では、対向基板４０の裏面側に凸設された凸部４１が発光パネル３０の表面側に接合されているので、水分が発光装置６０の側面から発光領域３１へ侵入することを抑制することができる。特に、凸部４１と対向基板４０が一体成形されているから、凸部４１と対向基板４０との間に接合界面等が存在しないので、水分の侵入をより効率よく抑えることができる。
【００２０】
対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側の間隔が凸部４１によって保たれる。そのため、対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側の間隔を保つためのギャップ材（例えば、球状のガラスビーズ）をシール材５３に含有させなくても済む。ギャップ材が含まれていないシール材５３を用いることで、コストの削減が図れるとともに、シール材５３の密閉性・止水性が向上する。
【００２１】
また、凸部４１の外側では、対向基板４０と発光パネル３０がシール材５３によって接着されているから、凹部４３を有さず、凹部４３に対応する部分にも凸部４１が設けられて、凸部４１と発光パネル３０とがシール材を介して接着されている場合と比べて、対向基板４０とシール材５３との接着面積が増加するため、対向基板４０がシール材５３から剥がれにくくなる。これによって、封止幅Ｌを増加させることなく、発光装置６０の密閉性・止水性を向上させることができる。更には、密閉性・止水性が凹部４３を有さない場合と同程度でよいとすれば、凹部４３を有さない場合と比べて、封止幅Ｌを狭くすることができる。
【００２２】
また、フィル材５２が凹部４２内に充填されているから、密閉性・止水性が向上する。特に、凹部４２の深さによってフィル材５２の厚さを確保することができ、発光領域３１をより良く保護することができる。フィル材５２が凹部４２内に充填されているからこそ、フィル材５２が厚くなっても、発光装置６０の厚みが増さない。フィル材５２の充填量が凹部４２によって増えるため、発光装置６０の製造の際にフィル材５２の充填量の制御が容易になる。
【００２３】
また、接着剤５１によって凸部４１と発光パネル３０が接着されているから、凸部４１と発光パネル３０の接合界面における密閉性・止水性が向上する。
【００２４】
発光装置６０の製造方法について説明する。
図２に示すように、平板状のマザー対向基板４０Ａを準備する。マザー対向基板４０Ａのサイズは対向基板４０のサイズよりも大きく、一枚のマザー対向基板４０Ａから複数枚の対向基板４０を取れる。
【００２５】
図３に示すように、マザー対向基板４０Ａの裏面側に対して掘り込み加工をする。つまり、複数の矩形状の凹部（第１の凹部）４２を格子状に配列させるようにこれら凹部４２をマザー対向基板４０Ａの裏面側に凹設するとともに、これら凹部４２を囲うような格子状の溝（第２の凹部）４３をマザー対向基板４０Ａの裏面側に形成する。これにより、マザー対向基板４０Ａの裏面側のうち掘り込まれていない部分が残留して、複数の矩形枠状の凸部４１が形成される。凹部４２や溝４３の掘り込み加工は、エッチング法又はサンドブラスト法を用いる。エッチング法の場合、マザー対向基板４０Ａがガラス製であるときには、フッ酸でマザー対向基板４０Ａをエッチングする。サンドブラスト法の場合、シリカ又はアルミナの粉をマザー対向基板４０Ａに吹き付けることによって、凹部４２や溝４３を形成する。
【００２６】
次に、図４に示すように、未硬化の紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂をフィル材５２として凹部４２内に充填するとともに、未硬化の紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂をシール材５３とし溝４３内に充填する。また、未硬化の紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を接着剤５１として凸部４１の頭頂部に塗布する。接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３は同じ素材でもよいし、異なった素材でもよい。シール材５３が紫外線硬化性樹脂であれば、接着剤５１とフィル材５２も紫外線硬化性樹脂であることが好ましく、シール材５３が熱硬化性樹脂であれば、接着剤５１とフィル材５２も熱硬化性樹脂であることが好ましい。
【００２７】
次に、図５に示すように、マザー発光パネル３０Ａの表面側をマザー対向基板４０Ａの裏面側に向けて、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａを貼り合わせる。ここで、マザー発光パネル３０Ａの表面側には複数の発光領域３１が形成され、これら発光領域３１が格子状に配列されており、一枚のマザー発光パネル３０Ａから複数枚の発光パネル３０を取れる。マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａとの貼り合わせに際しては、発光領域３１を凹部４２に対向させ、発光領域３１を凹部４２の内側に位置させ、発光領域３１をフィル材５２によって覆う。マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａの貼り合わせは、真空圧となった真空チャンバー内で行うことが好ましい。真空状態でマザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａの貼り合わせを行うと、接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３を脱泡することができるためである。
【００２８】
その後、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａを平行に保った状態で、マザー発光パネル３０Ａの裏面側及びマザー対向基板４０Ａの表面側からマザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａに対して均等に圧力をかける。そして、接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３に紫外線を照射することによって、又は接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３を加熱することによって、接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３を硬化させる。接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３の硬化は、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａに対して押圧力をかけた状態で行うことが好ましい。
【００２９】
次に、溝４３の中心線に沿ってマザー発光パネル３０Ａ、マザー対向基板４０Ａ及びシール材５３を切断する。これにより、複数の発光装置６０が完成する。マザー発光パネル３０Ａの分断によって得られたものが発光パネル３０であり、マザー対向基板４０Ａの分断によって得られたものが対向基板４０である。
【００３０】
上述の製造方法では、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａの貼り合わせ後に、マザー発光パネル３０Ａ及びマザー対向基板４０Ａを切断したが、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａの切断後に、発光パネル３０と対向基板４０を貼り合わせてもよい。
【００３１】
〔第２の実施の形態〕
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置１６０を示した断面図である。図６に示された発光装置１６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００３２】
図６に示すように、凹部４２内にフィル材が充填されておらず、凹部４２内が空洞となっている。凹部４２内には、不活性ガスが充填されていることが好ましい。また、乾燥剤が、凹部４２内のうち発光領域３１を避ける位置に配置されていることが好ましい。
【００３３】
以上に説明したことを除いて、図６に示された発光装置１６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分は、同様に設けられている。
【００３４】
この発光装置１６０の製造方法は、凹部４２内にフィル材を注入せずに、マザー発光パネル３０Ａ（又は発光パネル３０）とマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）の貼り合わせることを除いて、第１実施形態に係る発光装置６０の製造方法と同様である。
【００３５】
〔第３の実施の形態〕
図７は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置２６０を示した断面図である。図７に示された発光装置２６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００３６】
図７に示すように、フィル材５２若しくはシール材５３又はこれら両方の一部が凸部４１と発光パネル３０との間にはみ出て、フィル材５２若しくはシール材５３又はこれら両方の一部によって凸部４１と発光パネル３０が接着されている。以上に説明したことを除いて、図７に示された発光装置２６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分は、同様に設けられている。
【００３７】
この発光装置２６０の製造方法は、接着剤を凸部４１の頭頂部に塗布せずに、未硬化のフィル材５２若しくはシール材５３をマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）に塗布する際に、フィル材５２若しくはシール材５３又はこれら両方の一部を凸部４１の頭頂部にはみ出させることを除いて、第１実施形態に係る発光装置６０の製造方法と同様である。
【００３８】
〔第４の実施の形態〕
図８は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置３６０を示した断面図である。図８に示された発光装置３６０と、図２に示された発光装置１６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００３９】
図８に示すように、シール材５３の一部が凸部４１と発光パネル３０との間にはみ出て、シール材５３の一部によって凸部４１と発光パネル３０が接着されている。以上に説明したことを除いて、図８に示された発光装置３６０と、図６に示された発光装置１６０との間で互いに対応する部分は、同様に設けられている。
【００４０】
この発光装置３６０の製造方法は、接着剤を凸部４１の頭頂部に塗布せずに、シール材５３をマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）に塗布する際に、シール材５３の一部を凸部４１の頭頂部にはみ出させることを除いて、第２実施形態に係る発光装置１６０の製造方法と同様である。
【００４１】
〔第５の実施の形態〕
図９は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置４６０を示した断面図である。図９に示された発光装置４６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００４２】
図９に示すように、凸部４１と発光パネル３０が接着剤によって接着されておらず、凸部４１が発光パネル３０に直接突き当てられている。つまり、発光パネル３０と対向基板４０がフィル材５２及びシール材５３によって接着されており、凸部４１の頭頂部と発光パネル３０の表面側がフィル材５２及びシール材５３の接着力によって接合している。以上に説明したことを除いて、図９に示された発光装置４６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分は、同様に設けられている。
【００４３】
この発光装置４６０の製造方法は、接着剤を凸部４１の頭頂部に塗布せずに、フィル材５２及びシール材５３をマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）に塗布した後に、マザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）とマザー発光パネル３０Ａ（又は発光パネル３０）を貼りあわせることを除いて、第１実施形態に係る発光装置６０の製造方法と同様である。
【００４４】
〔第６の実施の形態〕
図１０は、本発明の第６の実施の形態に係る発光装置５６０を示した断面図である。図１０に示された発光装置５６０と、図９に示された発光装置４６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００４５】
図１０に示すように、凹部４２内にフィル材が充填されておらず、凹部４２内が空洞となっており、発光パネル３０と対向基板４０がシール材５３によって接着されている。凹部４２内には、不活性ガスが充填されていることが好ましい。また、乾燥剤が、凹部４２内のうち発光領域３１を避ける位置に配置されていることが好ましい。
【００４６】
この発光装置５６０の製造方法は、凹部４２内にフィル材を注入せずに、マザー発光パネル３０Ａ（又は発光パネル３０）とマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）の貼り合わせることを除いて、第５実施形態に係る発光装置４６０の製造方法と同様である。
【００４７】
〔具体例〕
発光パネル３０がアクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネルである場合、発光パネル３０及び発光領域３１の具体例について説明する。以下に説明する具体例は、上記第１〜第６の何れの実施の形態にも適用することができる。
【００４８】
図１１は、発光パネル３０における複数の画素（発光ドット）Ｐの配置構成を示す平面図であり、図１２は、発光パネル３０の概略構成を示す平面図である。
【００４９】
図１１、図１２に示すように、発光パネル３０の表面側には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）でそれぞれ発光する複数の画素Ｐが所定のパターンでマトリクス状に配置されている。
【００５０】
この発光パネル３０の表面側には、隔壁であるバンク１３が設けられている。バンク１３は例えば格子状に設けられ、バンク１３によって囲われてなる略長方形状の複数の開口部１３ａ内に画素Ｐが設けられている。このバンク１３によって画素Ｐが区画されることによって複数の画素Ｐが配列された領域が、発光領域３１である。画素Ｐの構成については、後に詳細に後述するが、画素Ｐは発光素子であるＥＬ素子８（図１４参照）である。
【００５１】
この発光パネル３０の表面側には、複数の走査線２が行方向に沿って互いに略平行となるよう配列され、複数の信号線３が平面視して走査線２と略直交するよう列方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。また、隣り合う走査線２の間において電圧供給線４が走査線２に沿って設けられている。バンク１３は、走査線２、信号線３及び電圧供給線４の上を覆っている。なお、バンク１３が格子状に設けられている必要はなく、バンク１３が信号線３の上を覆うように信号線３に沿ってストライプ状に設けられ、列方向一列の画素Ｐが隣り合うバンク１３とバンク１３との間で信号線３に沿って配列されていてもよい。また、バンク１３が走査線２及び電圧供給線４の上を覆うように走査線２及び電圧供給線４に沿ってストライプ状に設けられ、行方向一列の画素Ｐが隣り合うバンク１３とバンク１３との間で走査線２に沿って配列されていてもよい。バンク１３がストライプ状の場合、発光領域３１の外縁に沿った枠状のバンクが発光パネル３０の表面側に設けられ、ストライプ状のバンク１３の両端部が枠状バンクに連なっていてもよい。
【００５２】
図１３は、アクティブマトリクス駆動方式で動作する発光パネル３０の１つの画素Ｐの周辺回路の一例を示した回路図である。
図１３に示すように、発光パネル３０には、走査線２と、走査線２と交差する信号線３と、走査線２に沿う電圧供給線４とが設けられている。この発光パネル３０の画素ＰがＥＬ素子８であり、１画素Ｐにつき、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及びＥＬ素子８が設けられている。スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。
【００５３】
各画素Ｐにおいては、スイッチトランジスタ５のゲートが走査線２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及びＥＬ素子８のアノードに接続されている。なお、全ての画素ＰのＥＬ素子８のカソードは、一定電圧Ｖcomに保たれている（例えば、接地されている）。
【００５４】
また、この発光パネル３０の周囲において各走査線２が走査ドライバに接続され、各電圧供給線４が一定電圧源又は適宜電圧信号を出力するドライバに接続され、各信号線３がデータドライバに接続され、これらドライバによって発光パネル３０がアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。電圧供給線４には、電圧源による一定電圧又は電圧ドライバによる電圧信号が供給される。
【００５５】
次に、発光パネル３０の発光領域３１内の１つの画素Ｐ及びその周辺の回路構造について、図１４〜図１６を用いて説明する。ここで、図１４は、発光パネル３０の１画素Ｐ及びその周辺に相当する平面図である。図１５は、図１４のXV−XV線に沿った面の矢視断面図である。図１６は、図１４のXVI−XVI線に沿った面の矢視断面図である。なお、図１４においては、電極及び配線を主に示す。
【００５６】
図１４に示すように、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、信号線３に沿うように配列され、スイッチトランジスタ５の近傍にキャパシタ７が配置され、駆動トランジスタ６の近傍にＥＬ素子８（画素Ｐ）が配置されている。また、走査線２と電圧供給線４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及びＥＬ素子８が配置されている。
【００５７】
図１４〜図１６に示すように、ベース板１０の上面側に信号線３とゲート電極５ａ、６ａが設けられ、ベース板１０の上面側に、信号線３とゲート電極５ａ、６ａとを覆って、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６のゲート絶縁膜となる第一絶縁膜１１が成膜されている。その第一絶縁膜１１の上に走査線２及び電圧供給線４が形成され、そしてスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及び信号線３を覆うように第二絶縁膜１２が成膜されている。このため、信号線３は第一絶縁膜１１とベース板１０との間に形成され、走査線２及び電圧供給線４は第一絶縁膜１１と第二絶縁膜１２との間に形成されている。
【００５８】
また、図１４、図１６に示すように、スイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このスイッチトランジスタ５は、ゲート電極５ａ、半導体膜５ｂ、保護絶縁膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、ドレイン電極５ｈ、ソース電極５ｉ等を有するものである。
【００５９】
ゲート電極５ａは、ベース板１０と第一絶縁膜１１の間に形成されている。このゲート電極５ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。また、ゲート電極５ａの上に絶縁性の第一絶縁膜１１が成膜されており、その第一絶縁膜１１によってゲート電極５ａが被覆されている。
ベース板１０は、無機材料（例えば、ガラス）又は有機材料（例えば、アクリル、ポリカーボネート等）からなる。ボトムエミッションの場合、ベース板１０が透明である。トップエミッションの場合、ベース板１０が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
第一絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。ボトムエミッションの場合、第一絶縁膜１１が透明である。トップエミッションの場合、第一絶縁膜１１が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
この第一絶縁膜１１上であってゲート電極５ａに対応する位置に真性な半導体膜５ｂが形成されており、半導体膜５ｂが第一絶縁膜１１を挟んでゲート電極５ａと相対している。
半導体膜５ｂは、例えば、アモルファスシリコン若しくは結晶性シリコン又はそれらの両方を含んでなり、この半導体膜５ｂにチャネルが形成される。また、半導体膜５ｂの略中央部上のチャネル形成領域上には、チャネルをエッチングから保護する絶縁性の保護絶縁膜５ｄが形成されている。この保護絶縁膜５ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜５ｂの一端部の上には、不純物半導体膜５ｆが一部保護絶縁膜５ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜５ｂの他端部の上には、不純物半導体膜５ｇが一部保護絶縁膜５ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはそれぞれ半導体膜５ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、スイッチトランジスタ５がｐ型トランジスタであれば、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜５ｆの上には、ドレイン電極５ｈが形成されている。不純物半導体膜５ｇの上には、ソース電極５ｉが形成されている。ドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
保護絶縁膜５ｄ、ドレイン電極５ｈ及びソース電極５ｉの上には、絶縁性の第二絶縁膜１２が成膜され、保護絶縁膜５ｄ、ドレイン電極５ｈ及びソース電極５ｉが第二絶縁膜１２によって被覆されている。そして、スイッチトランジスタ５は、第二絶縁膜１２によって覆われるようになっている。第二絶縁膜１２は、例えば、窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００６０】
また、図１４、図１５に示すように、駆動トランジスタ６は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。この駆動トランジスタ６は、ゲート電極６ａ、半導体膜６ｂ、保護絶縁膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、ドレイン電極６ｈ、ソース電極６ｉ等を有するものである。
【００６１】
ゲート電極６ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなり、ゲート電極５ａと同様にベース板１０と第一絶縁膜１１の間に形成されている。そして、ゲート電極６ａは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる第一絶縁膜１１によって被覆されている。
この第一絶縁膜１１の上であって、ゲート電極６ａに対応する位置に、チャネルが形成される半導体膜６ｂが設けられており、この半導体膜６ｂが第一絶縁膜１１を挟んでゲート電極６ａと相対している。半導体膜６ｂは、例えば、アモルファスシリコン若しくは結晶性シリコン又はそれらの両方を含んでなる。
半導体膜６ｂの略中央部上のチャネル形成領域上には、チャネルをエッチングから保護する保護絶縁膜６ｄが形成されている。この保護絶縁膜６ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜６ｂの一端部の上には、不純物半導体膜６ｆが一部保護絶縁膜６ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜６ｂの他端部の上には、不純物半導体膜６ｇが一部保護絶縁膜６ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはそれぞれ半導体膜６ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、駆動トランジスタ６がｐ型トランジスタであれば、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜６ｆの上には、ドレイン電極６ｈが形成されている。不純物半導体膜６ｇの上には、ソース電極６ｉが形成されている。ドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
保護絶縁膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉの上には、絶縁性の第二絶縁膜１２が成膜され、保護絶縁膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉが第二絶縁膜１２によって被覆されている。そして、駆動トランジスタ６は、第二絶縁膜１２によって覆われるようになっている。
【００６２】
キャパシタ７は、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉとの間に接続されている。具体的には、キャパシタ７の電極７ａは、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに接続され、キャパシタ７の電極７ｂは、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉに接続されている。そして、図１４、図１６に示すように、ベース板１０と第一絶縁膜１１との間にキャパシタ７の一方の電極７ａが形成され、第一絶縁膜１１と第二絶縁膜１２との間にキャパシタ７の他方の電極７ｂが形成され、電極７ａと電極７ｂが誘電体である第一絶縁膜１１を挟んで相対している。
【００６３】
なお、信号線３、キャパシタ７の電極７ａ、スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート電極６ａは、ベース板１０に一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成されたものである。
また、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の電極７ｂ、スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉは、第一絶縁膜１１に一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００６４】
また、第一絶縁膜１１には、ゲート電極５ａと走査線２とが重なる領域にコンタクトホール１１ａが形成され、ドレイン電極５ｈと信号線３とが重なる領域にコンタクトホール１１ｂが形成され、ゲート電極６ａとソース電極５ｉとが重なる領域にコンタクトホール１１ｃが形成されており、コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃがそれぞれ埋め込まれている。コンタクトプラグ２０ａによってスイッチトランジスタ５のゲート電極５ａと走査線２が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｂによってスイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈと信号線３が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｃによってスイッチトランジスタ５のソース電極５ｉとキャパシタ７の電極７ａが電気的に導通するとともにスイッチトランジスタ５のソース電極５ｉと駆動トランジスタ６のゲート電極６ａが電気的に導通する。なお、コンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃを介することなく、走査線２が直接ゲート電極５ａと接触し、ドレイン電極５ｈが信号線３と接触し、ソース電極５ｉがゲート電極６ａと接触してもよい。
また、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａがキャパシタ７の電極７ａに一体に連なっており、駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈが電圧供給線４に一体に連なっており、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉがキャパシタ７の電極７ｂに一体に連なっている。
【００６５】
画素電極８ａは、第一絶縁膜１１を介してベース板１０上に設けられており、画素Ｐごとに独立して形成されている。ボトムエミッションの場合、この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）からなる。また、トップエミッションの場合、画素電極８ａは、高い光反射性のアルミ等の単体又は合金層を下層として光反射性層とし、上層として上述の透明電極の積層構造とすることが好ましい。なお、画素電極８ａの一部が駆動トランジスタ６のソース電極６ｉに重なり、画素電極８ａとソース電極６ｉとが電気的に接続されている。
そして、図１４、図１５に示すように、第二絶縁膜１２が、走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、画素電極８ａの周縁部、キャパシタ７の電極７ｂ及び第一絶縁膜１１を覆うように形成されている。つまり第二絶縁膜１２には、マトリクス状に配列された複数の開口部１２ａが形成され、各開口部１２ａ内では、各画素電極８ａの中央部が第二絶縁膜１２によって覆われていない。そのため、第二絶縁膜１２は平面視して格子状に形成されている。
【００６６】
バンク１３が、第二絶縁膜１２の上から、走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、画素電極８ａの周縁部、キャパシタ７の電極７ｂ及び第一絶縁膜１１を覆うように形成されている。つまりバンク１３には、マトリクス状に配列された複数の開口部１３ａが形成され、各開口部１３ａ内では、各画素電極８ａの中央部がバンク１３によって覆われていない。そのため、バンク１３は平面視して格子状に形成されている。なお、上述のように、バンク１３がストライプ状に設けられていてもよい。
【００６７】
開口部１３ａ内では、所定のキャリア輸送層と対向電極８ｄとが積層されている。開口部１３ａの内側で、画素電極８ａ、キャリア輸送層及び対向電極８ｄの積層体がＥＬ素子８であり、そのＥＬ素子８が画素Ｐとなる。ＥＬ素子８は発光素子である。キャリア輸送層とは、電圧が印加されることによって正孔又は電子を輸送する層である。
【００６８】
具体的には、ＥＬ素子８は、図１４、図１５に示すように、アノードとなる第一電極としての画素電極８ａと、画素電極８ａの上に形成された化合物膜である正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂの上に形成された化合物膜である発光層８ｃと、発光層８ｃの上に形成された第二電極としての対向電極８ｄとを備えている。対向電極８ｄは全画素Ｐに共通の単一電極であって、全画素Ｐに連続して形成されている。
【００６９】
正孔注入層８ｂは、例えば、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）からなる層であって、画素電極８ａから発光層８ｃに向けて正孔を注入するキャリア注入層である。
発光層８ｃは、画素Ｐ毎にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかを発光する材料を含み、例えば、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料からなる層であって、対向電極８ｄから供給される電子と、正孔注入層８ｂから注入される正孔との再結合に伴い発光する。このため、Ｒ（赤）を発光する画素Ｐ、Ｇ（緑）を発光する画素Ｐ、Ｂ（青）を発光する画素Ｐは互いに発光層８ｃの発光材料が異なる。なお、画素ＰのＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）は、例えば縦方向に同色画素が配列されるストライプパターンで配列される。なお、この配列パターンはストライプパターンに限らず、デルタ配列であってもよい。配列パターンがストライプパターンの場合に、バンク１３の開口部１３ａは、各画素Ｐの配列パターンに沿った格子状又は列方向に沿って複数の画素Ｐの画素電極８ａの中央部をまとめて露出するストライプ状に設けられる。
【００７０】
対向電極８ｄは、画素電極８ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、カソードとして適用される場合、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金の下層及びシート抵抗を下げるための上層の積層体で形成されている。トップエミッション構造の場合、対向電極８ｄの上層は、透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）からなる。ボトムエミッションの場合、対向電極８ｄの上層部分は、高い光反射性のアルミ等の単体又は合金層が好ましい。
この対向電極８ｄは全ての画素Ｐに共通した電極であり、発光層８ｃなどの化合物膜とともに後述するバンク１３を被覆している。
【００７１】
このように、第二絶縁膜１２及びバンク１３によって発光部位となる発光層８ｃが画素Ｐごとに仕切られている。そして、開口部１３ａ内において、キャリア輸送層としての正孔注入層８ｂ及び発光層８ｃが、画素電極８ａ上に積層されている。
【００７２】
バンク１３は、正孔注入層８ｂや発光層８ｃを湿式法により画素Ｐのバンク１３で囲まれた所定の領域に形成するに際して、正孔注入層８ｂや発光層８ｃとなる材料が溶媒に溶解または分散された液状体が、バンク１３を介して隣接する画素Ｐに流出しないように堰き止める隔壁として機能する。
【００７３】
例えば、図１５に示すように、第二絶縁膜１２の上に設けられたバンク１３には、第二絶縁膜１２の開口部１２ａより内側に開口部１３ａが形成されている。第二絶縁膜１２をバンク１３よりも幅広とした構造にすることによって、開口部１３ａが開口部１２ａより幅広となるようにしてもよい。
そして、各開口部１３ａに囲まれた各画素電極８ａ上に、正孔注入層８ｂとなる材料が含有される液状体を塗布し、ベース板１０ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第１のキャリア輸送層である正孔注入層８ｂとなる。
さらに、各開口部１３ａに囲まれた各正孔注入層８ｂ上に、発光層８ｃとなる材料が含有される液状体を塗布し、ベース板１０ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第２のキャリア輸送層である発光層８ｃとなる。
なお、正孔注入層８ｂは、複数の画素Ｐに跨るように連続して形成されていてもよい。この場合、正孔注入性のある酸化ゲルマニウムが好ましい。また、この発光層８ｃとバンク１３を被覆するように対向電極８ｄが設けられている。
【００７４】
図１５、図１６に示すように、対向電極８ｄ上には、電極を保護するための電極保護層（パッシベーション膜）１４が成膜されている。電極保護層１４は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。トップエミッションの場合、電極保護層１４が透明である。ボトムエミッションの場合、電極保護層１４が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００７５】
この発光パネル３０（ＥＬパネル）においては、ボトムエミッションの場合、画素電極８ａ、ベース板１０及び第一絶縁膜１１が透明であり、発光層８ｃから発した光が画素電極８ａ、第一絶縁膜１１及びベース板１０を透過して出射する。そのため、ベース板１０の裏面側が表示面となる。
トップエミッションの場合、対向電極８ｄ、電極保護層１４、フィル材５２（但し、図１、図７、図９の場合）及び対向基板４０（図１、図６〜図１０に図示）が透明であり、発光層８ｃから発した光が対向電極８ｄ、電極保護層１４、フィル材５２（但し、図１、図７、図９の場合）及び対向基板４０を透過して出射する。そのため、対向基板４０の表面側が表示面となる。トップエミッションの場合、画素電極８ａを反射電極とすることが好ましい。
【００７６】
図１、図６〜図１０に示す発光領域３１の最上層は、電極保護層１４となっている。そのため、図１、図７、図９に示すフィル材５２が電極保護層１４に密着している。なお、電極保護層１４が設けられずに、図１、図７、図９に示すフィル材５２が対向電極８ｄに密着していてもよい。
【００７７】
電極保護層１４は発光パネル３０の表面側の縁まで広がっており、接着剤５１（図１、図６に図示）やシール材５３（図１、図６〜図１０に図示）が電極保護層１４に密着している。電極保護層１４が設けられていない場合、発光パネル３０の表面側の周縁部では、第一絶縁膜１１又は第二絶縁膜１２が発光パネル３０の最上層となっており、接着剤５１（図１、図６に図示）やシール材５３（図１、図６〜図１０に図示）が第一絶縁膜１１又は第二絶縁膜１２に密着している。
【００７８】
この発光パネル３０は、次のように駆動されて発光する。
各電圧供給線４に所定レベルの電圧が印加された状態で、走査ドライバによって走査線２に順次電圧が印加されることで、これら走査線２が順次選択される。選択された走査線２に対応する各画素Ｐのスイッチトランジスタ５はオンになる。
各走査線２が選択されている時に、データドライバによって階調に応じたレベルの電圧が全ての信号線３に印加されると、その選択されている走査線２に対応する各画素Ｐのスイッチトランジスタ５がオンになっていることから、その信号線３における電圧が駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加される。
この駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された所定の階調に対応するレベルの電圧に応じて、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉとの間の電位差が定まって、駆動トランジスタ６におけるドレイン−ソース電流の大きさが定まり、ＥＬ素子８がそのドレイン−ソース電流に応じた明るさで発光する。その後、その走査線２の選択が解除されると、スイッチトランジスタ５がオフとなるので、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された電圧にしたがった電荷がキャパシタ７に蓄えられ、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉ間の電位差は保持される。このため、駆動トランジスタ６は選択時と同じ電流値のドレイン−ソース電流を流し続け、ＥＬ素子８の輝度を維持するようになっている。
つまり、スイッチトランジスタ５によって、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加される電圧が、信号線３に印加された所定階調レベルの電圧に切り替えられ、駆動トランジスタ６は、そのゲート電極６ａに印加された電圧のレベルに応じた電流値のドレイン−ソース電流（駆動電流）を電圧供給線４からＥＬ素子８に向けて流し、ＥＬ素子８を電流値（電流密度）にしたがった所定の階調で発光させる。
【００７９】
上述の説明では、１つの画素Ｐに設けられる薄膜トランジスタの数が２であったが、３以上であってもよい。画素Ｐごとに画素Ｐの周囲に設けられる回路は、図１３に示すようなものに限られるものではなく、適宜変更してもよい。
【００８０】
上述の説明では、発光パネル３０がアクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネルであるとしたが、発光パネル３０がパッシブマトリクス（単純マトリクス）駆動方式で動作するＥＬパネルであってもよい。
【００８１】
〔応用例〕
上述した発光装置６０，１６０，２６０，３６０，４６０，５６０は、各種電子機器の表示パネル（ディスプレイパネル）として用いられる。
例えば、図１７に示した携帯電話機２００の表示パネル１ａや、図１８（ａ）、（ｂ）に示したデジタルカメラ３００の表示パネル１ｂや、図１９に示したパーソナルコンピュータ４００の表示パネル１ｃが、発光装置６０，１６０，２６０，３６０，４６０，５６０の何れかである。
【００８２】
また、発光装置６０，１６０，２６０，４６０，５６０は印刷機（例えばページプリンタ）の露光装置として用いることもできる。具体的には、発光装置６０，１６０，２６０，４６０，５６０の何れかの発光領域３１に形成された像（複数の画素Ｐからなる像）が光学系（例えばロッドレンズアレイ）によって感光材（例えば感光ドラム）に投影されることによって、感光材に静電潜像が形成される。その後、トナーが感光材に付着することによって静電潜像が顕在化する。その後、記録媒体（例えば紙）が感光材に押し当てられることによって、顕在化した静電潜像が記録媒体（例えば紙）に転写される。
【符号の説明】
【００８３】
６０，１６０，２６０，３６０，４６０，５６０ 発光装置
３０ 発光パネル（第一基板）
３１ 発光領域
４０ 対向基板（第二基板）
４１ 凸部
４２ 凹部（第一の凹部）
４３ 凹部（第二の凹部）
５１ 接着剤
５２ フィル材
５３ シール材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機などの電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である複数のＥＬ（Electro Luminescence）素子をマトリクス状に配列したＥＬパネルを適用したものが知られている。
ＥＬ素子は水分と接触すると、ＥＬ素子にダークスポットやダークエリアが発生し、ＥＬ素子の発光特性が劣化してしまう。そこで、ＥＬ素子をガラス板及び封止枠によって封止する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、特許文献１に記載されているように、有機ＥＬ層（３）が基板（１）の表面側にマトリクス状に配列され、ガラス板（９）が基板（１）の表面側に対向し、枠状の封止枠（１０）が基板（１）とガラス板（９）との間に挟持され、封止枠（１０）が封着材（８）によって基板（１）及びガラス板（９）に接着されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３３５３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の従来技術の場合でも、水分等が封止枠（１０）や封着材（８）を透過し、内側のＥＬ素子が劣化してしまう。
このような問題点に鑑みて、本発明が解決しようとする課題は、気密性・止水性の向上を図って、ＥＬ素子等の発光素子の劣化を抑えられるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明に係る発光装置は、第一基板と、前記第一基板の一面側に設けられ、複数の発光素子が配列されてなる発光領域と、前記第一基板の前記一面側に一面側が対向して設けられた第二基板と、前記第二基板の前記一面側に、少なくとも前記第一基板の前記発光領域を囲むように設けられる第一の凹部と、前記第二基板の前記一面側に、前記第一の凹部を囲んで枠状に設けられ、前記第一基板の一面側に接合される凸部と、前記第二基板の前記一面側の、該第二基板の周縁と前記凸部との間に設けられた第二の凹部と、前記第二の凹部内に充填され、前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間に挟持されて、前記第一基板と前記第二基板とに固着されたシール材と、を備える。
【０００６】
好ましくは、前記発光装置は、前記第一の凹部内において対向する前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間の領域に充填されて、前記発光領域を覆うフィル材を備える。
好ましくは、前記凸部と前記第一基板の一面側とが、前記フィル材を介して接着されている。
好ましくは、前記凸部と前記第一基板の一面側とが接着剤を介して接着されている。
好ましくは、前記第一の凹部内において対向する前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間の領域が空洞となっている。
好ましくは、前記凸部と前記第一基板の一面側とが接着剤を介して接着されている。
好ましくは、前記凸部と前記第一基板の一面側とが、前記シール材を介して接着されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、気密性・止水性が向上し、発光素子の劣化を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図２】発光装置を製造する際の一工程を示す説明図である。
【図３】図２に示す工程の後の工程を示す説明図である。
【図４】図３に示す工程の後の工程を示す説明図である。
【図５】図４に示す工程の後の工程を示す説明図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係る発光装置を示した概略断面図である。
【図１１】発光パネルの画素の配置構成を示す平面図である。
【図１２】発光パネルの概略構成を示す平面図である。
【図１３】発光パネルの１つの画素の周辺回路の一例を示した回路図である。
【図１４】発光パネルの１つの画素及びその周辺を示した平面図である。
【図１５】図１４に示されたXV−XV線に沿った面の矢視断面図である。
【図１６】図１４に示されたXVI−XVI線に沿った面の矢視断面図である。
【図１７】図１、図６、図７、図８、図９又は図１０に示す発光装置を表示パネルに適用した携帯電話機の一例を示す正面図である。
【図１８】図１、図６、図７、図８、図９又は図１０に示す発光装置を表示パネルに適用したデジタルカメラの一例を示す正面側斜視図（ａ）と、後面側斜視図（ｂ）である。
【図１９】図１、図６、図７、図８、図９又は図１０に示す発光装置を表示パネルに適用したパーソナルコンピュータの一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１０】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置６０を示した断面図である。
この発光装置６０は、パッケージ付発光パネルである。この発光装置６０は、ドットマトリクスディスプレイに用いられるディスプレイパネルであったり、ページプリンタに用いられる露光装置であったりする。なお、発光装置６０の用途は、ディスプレイパネルや露光装置に限るものではない。
【００１１】
この発光装置６０は、発光パネル３０と対向基板４０を対向させて、これらを貼り合わせたものである。発光パネル３０が第一基板であり、対向基板４０が第二基板である。
発光パネル３０の表面側（一面側）には、各種の素子を保護するパッシベーション膜が成膜されている。また、発光パネル３０の表面側の中央部には、発光領域３１が設けられている。この発光領域３１は、複数の発光ドット（後述する画素Ｐ）を発光パネル３０の表面側に沿ってマトリクス状に配列したものであり、詳しくは後述する。つまり、発光領域３１は、表示領域でもある。これら発光ドットは別個に発光し、発光強度若しくは発光時間又はそれらの両方が発光ドットごとに制御される。発光ドットには、有機ＥＬ（electro luminescence：エレクトロルミネッセンス）素子、無機ＥＬ素子、発光ダイオードその他の半導体発光素子が用いられる。発光ドットが有機ＥＬ素子又は無機ＥＬ素子である場合、発光パネル３０はＥＬパネルであり、発光装置６０がパッケージ付ＥＬ装置である。
【００１２】
以下の説明において、トップエミッション型とは、発光領域３１の各発光ドットから発した光が対向基板４０の表面側（他面側）から外部に放射されるように構成されたものをいい、ボトムエミッション型とは、発光領域３１の各発光ドットから発した光が発光パネル３０の裏面側（他面側）から外部に放射されるように構成されたものをいう。
【００１３】
対向基板４０の裏面側（一面側）には、凸部４１が凸設されている。凸部４１は、対向基板４０と一体に成形されている。凸部４１は、対向基板４０の裏面側の縁に沿って枠状に設けられているとともに、対向基板４０の裏面側の縁よりも中央部寄りに位置している。対向基板４０の裏面側であって凸部４１の内側には、凹部（第一の凹部）４２が凹設されている。凹部４２の深さは１０〜５０μｍであることが好ましい。更に、対向基板４０の裏面側であって凸部４１の外側と対向基板４０の周縁との間に、凹部（第二の凹部）４３が凹設されている。ここで、凸部４１の内側から凹部４３の外側、つまり対向基板４０の周縁までの距離を封止幅Ｌとする。
【００１４】
対向基板４０の裏面側が発光パネル３０の表面側に向いた状態で、対向基板４０と発光パネル３０が貼り合わせられている。対向基板４０と発光パネル３０が貼り合わせられた状態では、発光パネル３０の発光領域３１が凸部４１の内側に配置されているとともに、その発光領域３１が凹部４２に収められている。すなわち、凸部４１は発光パネル３０の発光領域３１を囲むように設けられている。
【００１５】
トップエミッションの場合、対向基板４０及び凸部４１は、透明な材料（例えば、ガラス、アクリル、ポリカーボネート）からなる。ボトムエミッションの場合、対向基板４０及び凸部４１が透明であってもよいし、不透明であってもよい。対向基板４０及び凸部４１が無機材料（例えば、ガラス材料）からなるものであれば、発光領域３１をより良く保護することができ、耐湿性・保存性が向上する。
【００１６】
凸部４１が発光パネル３０の表面側に突き当てられて、凸部４１と発光パネル３０が接合されている。具体的には、凸部４１の頭頂部と発光パネル３０との間に接着剤（封着材）５１が挟まれ、凸部４１と発光パネル３０が接着剤５１によって接着されている。接着剤５１は、紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を接着時に硬化したものである。
【００１７】
凸部４１の内側の凹部４２内には、フィル材５２が充填されている。フィル材５２が凸部４１の内側において対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側との間に挟まれ、フィル材５２によって発光パネル３０の表面側及び発光領域３１が覆われている。フィル材５２は紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を硬化したものであり、フィル材５２の硬化によってフィル材５２が対向基板４０及び発光パネル３０に固着される。トップエミッションの場合、フィル材５２が透明である。ボトムエミッションの場合、フィル材５２が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００１８】
凸部４１の外側に設けられた凹部４３内における、対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側の間には、シール材５３が充填されている。シール材５３が、凹部４３内において対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側との間に挟まれている。シール材５３は紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を硬化したものであり、シール材５３の硬化によってシール材５３が対向基板４０及び発光パネル３０に固着される。
【００１９】
この発光装置６０では、対向基板４０の裏面側に凸設された凸部４１が発光パネル３０の表面側に接合されているので、水分が発光装置６０の側面から発光領域３１へ侵入することを抑制することができる。特に、凸部４１と対向基板４０が一体成形されているから、凸部４１と対向基板４０との間に接合界面等が存在しないので、水分の侵入をより効率よく抑えることができる。
【００２０】
対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側の間隔が凸部４１によって保たれる。そのため、対向基板４０の裏面側と発光パネル３０の表面側の間隔を保つためのギャップ材（例えば、球状のガラスビーズ）をシール材５３に含有させなくても済む。ギャップ材が含まれていないシール材５３を用いることで、コストの削減が図れるとともに、シール材５３の密閉性・止水性が向上する。
【００２１】
また、凸部４１の外側では、対向基板４０と発光パネル３０がシール材５３によって接着されているから、凹部４３を有さず、凹部４３に対応する部分にも凸部４１が設けられて、凸部４１と発光パネル３０とがシール材を介して接着されている場合と比べて、対向基板４０とシール材５３との接着面積が増加するため、対向基板４０がシール材５３から剥がれにくくなる。これによって、封止幅Ｌを増加させることなく、発光装置６０の密閉性・止水性を向上させることができる。更には、密閉性・止水性が凹部４３を有さない場合と同程度でよいとすれば、凹部４３を有さない場合と比べて、封止幅Ｌを狭くすることができる。
【００２２】
また、フィル材５２が凹部４２内に充填されているから、密閉性・止水性が向上する。特に、凹部４２の深さによってフィル材５２の厚さを確保することができ、発光領域３１をより良く保護することができる。フィル材５２が凹部４２内に充填されているからこそ、フィル材５２が厚くなっても、発光装置６０の厚みが増さない。フィル材５２の充填量が凹部４２によって増えるため、発光装置６０の製造の際にフィル材５２の充填量の制御が容易になる。
【００２３】
また、接着剤５１によって凸部４１と発光パネル３０が接着されているから、凸部４１と発光パネル３０の接合界面における密閉性・止水性が向上する。
【００２４】
発光装置６０の製造方法について説明する。
図２に示すように、平板状のマザー対向基板４０Ａを準備する。マザー対向基板４０Ａのサイズは対向基板４０のサイズよりも大きく、一枚のマザー対向基板４０Ａから複数枚の対向基板４０を取れる。
【００２５】
図３に示すように、マザー対向基板４０Ａの裏面側に対して掘り込み加工をする。つまり、複数の矩形状の凹部（第１の凹部）４２を格子状に配列させるようにこれら凹部４２をマザー対向基板４０Ａの裏面側に凹設するとともに、これら凹部４２を囲うような格子状の溝（第２の凹部）４３をマザー対向基板４０Ａの裏面側に形成する。これにより、マザー対向基板４０Ａの裏面側のうち掘り込まれていない部分が残留して、複数の矩形枠状の凸部４１が形成される。凹部４２や溝４３の掘り込み加工は、エッチング法又はサンドブラスト法を用いる。エッチング法の場合、マザー対向基板４０Ａがガラス製であるときには、フッ酸でマザー対向基板４０Ａをエッチングする。サンドブラスト法の場合、シリカ又はアルミナの粉をマザー対向基板４０Ａに吹き付けることによって、凹部４２や溝４３を形成する。
【００２６】
次に、図４に示すように、未硬化の紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂をフィル材５２として凹部４２内に充填するとともに、未硬化の紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂をシール材５３とし溝４３内に充填する。また、未硬化の紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を接着剤５１として凸部４１の頭頂部に塗布する。接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３は同じ素材でもよいし、異なった素材でもよい。シール材５３が紫外線硬化性樹脂であれば、接着剤５１とフィル材５２も紫外線硬化性樹脂であることが好ましく、シール材５３が熱硬化性樹脂であれば、接着剤５１とフィル材５２も熱硬化性樹脂であることが好ましい。
【００２７】
次に、図５に示すように、マザー発光パネル３０Ａの表面側をマザー対向基板４０Ａの裏面側に向けて、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａを貼り合わせる。ここで、マザー発光パネル３０Ａの表面側には複数の発光領域３１が形成され、これら発光領域３１が格子状に配列されており、一枚のマザー発光パネル３０Ａから複数枚の発光パネル３０を取れる。マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａとの貼り合わせに際しては、発光領域３１を凹部４２に対向させ、発光領域３１を凹部４２の内側に位置させ、発光領域３１をフィル材５２によって覆う。マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａの貼り合わせは、真空圧となった真空チャンバー内で行うことが好ましい。真空状態でマザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａの貼り合わせを行うと、接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３を脱泡することができるためである。
【００２８】
その後、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａを平行に保った状態で、マザー発光パネル３０Ａの裏面側及びマザー対向基板４０Ａの表面側からマザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａに対して均等に圧力をかける。そして、接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３に紫外線を照射することによって、又は接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３を加熱することによって、接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３を硬化させる。接着剤５１、フィル材５２及びシール材５３の硬化は、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａに対して押圧力をかけた状態で行うことが好ましい。
【００２９】
次に、溝４３の中心線に沿ってマザー発光パネル３０Ａ、マザー対向基板４０Ａ及びシール材５３を切断する。これにより、複数の発光装置６０が完成する。マザー発光パネル３０Ａの分断によって得られたものが発光パネル３０であり、マザー対向基板４０Ａの分断によって得られたものが対向基板４０である。
【００３０】
上述の製造方法では、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａの貼り合わせ後に、マザー発光パネル３０Ａ及びマザー対向基板４０Ａを切断したが、マザー発光パネル３０Ａとマザー対向基板４０Ａの切断後に、発光パネル３０と対向基板４０を貼り合わせてもよい。
【００３１】
〔第２の実施の形態〕
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置１６０を示した断面図である。図６に示された発光装置１６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００３２】
図６に示すように、凹部４２内にフィル材が充填されておらず、凹部４２内が空洞となっている。凹部４２内には、不活性ガスが充填されていることが好ましい。また、乾燥剤が、凹部４２内のうち発光領域３１を避ける位置に配置されていることが好ましい。
【００３３】
以上に説明したことを除いて、図６に示された発光装置１６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分は、同様に設けられている。
【００３４】
この発光装置１６０の製造方法は、凹部４２内にフィル材を注入せずに、マザー発光パネル３０Ａ（又は発光パネル３０）とマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）の貼り合わせることを除いて、第１実施形態に係る発光装置６０の製造方法と同様である。
【００３５】
〔第３の実施の形態〕
図７は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置２６０を示した断面図である。図７に示された発光装置２６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００３６】
図７に示すように、フィル材５２若しくはシール材５３又はこれら両方の一部が凸部４１と発光パネル３０との間にはみ出て、フィル材５２若しくはシール材５３又はこれら両方の一部によって凸部４１と発光パネル３０が接着されている。以上に説明したことを除いて、図７に示された発光装置２６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分は、同様に設けられている。
【００３７】
この発光装置２６０の製造方法は、接着剤を凸部４１の頭頂部に塗布せずに、未硬化のフィル材５２若しくはシール材５３をマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）に塗布する際に、フィル材５２若しくはシール材５３又はこれら両方の一部を凸部４１の頭頂部にはみ出させることを除いて、第１実施形態に係る発光装置６０の製造方法と同様である。
【００３８】
〔第４の実施の形態〕
図８は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置３６０を示した断面図である。図８に示された発光装置３６０と、図２に示された発光装置１６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００３９】
図８に示すように、シール材５３の一部が凸部４１と発光パネル３０との間にはみ出て、シール材５３の一部によって凸部４１と発光パネル３０が接着されている。以上に説明したことを除いて、図８に示された発光装置３６０と、図６に示された発光装置１６０との間で互いに対応する部分は、同様に設けられている。
【００４０】
この発光装置３６０の製造方法は、接着剤を凸部４１の頭頂部に塗布せずに、シール材５３をマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）に塗布する際に、シール材５３の一部を凸部４１の頭頂部にはみ出させることを除いて、第２実施形態に係る発光装置１６０の製造方法と同様である。
【００４１】
〔第５の実施の形態〕
図９は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置４６０を示した断面図である。図９に示された発光装置４６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００４２】
図９に示すように、凸部４１と発光パネル３０が接着剤によって接着されておらず、凸部４１が発光パネル３０に直接突き当てられている。つまり、発光パネル３０と対向基板４０がフィル材５２及びシール材５３によって接着されており、凸部４１の頭頂部と発光パネル３０の表面側がフィル材５２及びシール材５３の接着力によって接合している。以上に説明したことを除いて、図９に示された発光装置４６０と、図１に示された発光装置６０との間で互いに対応する部分は、同様に設けられている。
【００４３】
この発光装置４６０の製造方法は、接着剤を凸部４１の頭頂部に塗布せずに、フィル材５２及びシール材５３をマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）に塗布した後に、マザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）とマザー発光パネル３０Ａ（又は発光パネル３０）を貼りあわせることを除いて、第１実施形態に係る発光装置６０の製造方法と同様である。
【００４４】
〔第６の実施の形態〕
図１０は、本発明の第６の実施の形態に係る発光装置５６０を示した断面図である。図１０に示された発光装置５６０と、図９に示された発光装置４６０との間で互いに対応する部分には、同一の符号を付す。
【００４５】
図１０に示すように、凹部４２内にフィル材が充填されておらず、凹部４２内が空洞となっており、発光パネル３０と対向基板４０がシール材５３によって接着されている。凹部４２内には、不活性ガスが充填されていることが好ましい。また、乾燥剤が、凹部４２内のうち発光領域３１を避ける位置に配置されていることが好ましい。
【００４６】
この発光装置５６０の製造方法は、凹部４２内にフィル材を注入せずに、マザー発光パネル３０Ａ（又は発光パネル３０）とマザー対向基板４０Ａ（又は対向基板４０）の貼り合わせることを除いて、第５実施形態に係る発光装置４６０の製造方法と同様である。
【００４７】
〔具体例〕
発光パネル３０がアクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネルである場合、発光パネル３０及び発光領域３１の具体例について説明する。以下に説明する具体例は、上記第１〜第６の何れの実施の形態にも適用することができる。
【００４８】
図１１は、発光パネル３０における複数の画素（発光ドット）Ｐの配置構成を示す平面図であり、図１２は、発光パネル３０の概略構成を示す平面図である。
【００４９】
図１１、図１２に示すように、発光パネル３０の表面側には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）でそれぞれ発光する複数の画素Ｐが所定のパターンでマトリクス状に配置されている。
【００５０】
この発光パネル３０の表面側には、隔壁であるバンク１３が設けられている。バンク１３は例えば格子状に設けられ、バンク１３によって囲われてなる略長方形状の複数の開口部１３ａ内に画素Ｐが設けられている。このバンク１３によって画素Ｐが区画されることによって複数の画素Ｐが配列された領域が、発光領域３１である。画素Ｐの構成については、後に詳細に後述するが、画素Ｐは発光素子であるＥＬ素子８（図１４参照）である。
【００５１】
この発光パネル３０の表面側には、複数の走査線２が行方向に沿って互いに略平行となるよう配列され、複数の信号線３が平面視して走査線２と略直交するよう列方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。また、隣り合う走査線２の間において電圧供給線４が走査線２に沿って設けられている。バンク１３は、走査線２、信号線３及び電圧供給線４の上を覆っている。なお、バンク１３が格子状に設けられている必要はなく、バンク１３が信号線３の上を覆うように信号線３に沿ってストライプ状に設けられ、列方向一列の画素Ｐが隣り合うバンク１３とバンク１３との間で信号線３に沿って配列されていてもよい。また、バンク１３が走査線２及び電圧供給線４の上を覆うように走査線２及び電圧供給線４に沿ってストライプ状に設けられ、行方向一列の画素Ｐが隣り合うバンク１３とバンク１３との間で走査線２に沿って配列されていてもよい。バンク１３がストライプ状の場合、発光領域３１の外縁に沿った枠状のバンクが発光パネル３０の表面側に設けられ、ストライプ状のバンク１３の両端部が枠状バンクに連なっていてもよい。
【００５２】
図１３は、アクティブマトリクス駆動方式で動作する発光パネル３０の１つの画素Ｐの周辺回路の一例を示した回路図である。
図１３に示すように、発光パネル３０には、走査線２と、走査線２と交差する信号線３と、走査線２に沿う電圧供給線４とが設けられている。この発光パネル３０の画素ＰがＥＬ素子８であり、１画素Ｐにつき、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及びＥＬ素子８が設けられている。スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。
【００５３】
各画素Ｐにおいては、スイッチトランジスタ５のゲートが走査線２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及びＥＬ素子８のアノードに接続されている。なお、全ての画素ＰのＥＬ素子８のカソードは、一定電圧Ｖcomに保たれている（例えば、接地されている）。
【００５４】
また、この発光パネル３０の周囲において各走査線２が走査ドライバに接続され、各電圧供給線４が一定電圧源又は適宜電圧信号を出力するドライバに接続され、各信号線３がデータドライバに接続され、これらドライバによって発光パネル３０がアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。電圧供給線４には、電圧源による一定電圧又は電圧ドライバによる電圧信号が供給される。
【００５５】
次に、発光パネル３０の発光領域３１内の１つの画素Ｐ及びその周辺の回路構造について、図１４〜図１６を用いて説明する。ここで、図１４は、発光パネル３０の１画素Ｐ及びその周辺に相当する平面図である。図１５は、図１４のXV−XV線に沿った面の矢視断面図である。図１６は、図１４のXVI−XVI線に沿った面の矢視断面図である。なお、図１４においては、電極及び配線を主に示す。
【００５６】
図１４に示すように、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、信号線３に沿うように配列され、スイッチトランジスタ５の近傍にキャパシタ７が配置され、駆動トランジスタ６の近傍にＥＬ素子８（画素Ｐ）が配置されている。また、走査線２と電圧供給線４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及びＥＬ素子８が配置されている。
【００５７】
図１４〜図１６に示すように、ベース板１０の上面側に信号線３とゲート電極５ａ、６ａが設けられ、ベース板１０の上面側に、信号線３とゲート電極５ａ、６ａとを覆って、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６のゲート絶縁膜となる第一絶縁膜１１が成膜されている。その第一絶縁膜１１の上に走査線２及び電圧供給線４が形成され、そしてスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及び信号線３を覆うように第二絶縁膜１２が成膜されている。このため、信号線３は第一絶縁膜１１とベース板１０との間に形成され、走査線２及び電圧供給線４は第一絶縁膜１１と第二絶縁膜１２との間に形成されている。
【００５８】
また、図１４、図１６に示すように、スイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このスイッチトランジスタ５は、ゲート電極５ａ、半導体膜５ｂ、保護絶縁膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、ドレイン電極５ｈ、ソース電極５ｉ等を有するものである。
【００５９】
ゲート電極５ａは、ベース板１０と第一絶縁膜１１の間に形成されている。このゲート電極５ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。また、ゲート電極５ａの上に絶縁性の第一絶縁膜１１が成膜されており、その第一絶縁膜１１によってゲート電極５ａが被覆されている。
ベース板１０は、無機材料（例えば、ガラス）又は有機材料（例えば、アクリル、ポリカーボネート等）からなる。ボトムエミッションの場合、ベース板１０が透明である。トップエミッションの場合、ベース板１０が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
第一絶縁膜１１は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。ボトムエミッションの場合、第一絶縁膜１１が透明である。トップエミッションの場合、第一絶縁膜１１が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
この第一絶縁膜１１上であってゲート電極５ａに対応する位置に真性な半導体膜５ｂが形成されており、半導体膜５ｂが第一絶縁膜１１を挟んでゲート電極５ａと相対している。
半導体膜５ｂは、例えば、アモルファスシリコン若しくは結晶性シリコン又はそれらの両方を含んでなり、この半導体膜５ｂにチャネルが形成される。また、半導体膜５ｂの略中央部上のチャネル形成領域上には、チャネルをエッチングから保護する絶縁性の保護絶縁膜５ｄが形成されている。この保護絶縁膜５ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜５ｂの一端部の上には、不純物半導体膜５ｆが一部保護絶縁膜５ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜５ｂの他端部の上には、不純物半導体膜５ｇが一部保護絶縁膜５ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはそれぞれ半導体膜５ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、スイッチトランジスタ５がｐ型トランジスタであれば、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜５ｆの上には、ドレイン電極５ｈが形成されている。不純物半導体膜５ｇの上には、ソース電極５ｉが形成されている。ドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
保護絶縁膜５ｄ、ドレイン電極５ｈ及びソース電極５ｉの上には、絶縁性の第二絶縁膜１２が成膜され、保護絶縁膜５ｄ、ドレイン電極５ｈ及びソース電極５ｉが第二絶縁膜１２によって被覆されている。そして、スイッチトランジスタ５は、第二絶縁膜１２によって覆われるようになっている。第二絶縁膜１２は、例えば、窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００６０】
また、図１４、図１５に示すように、駆動トランジスタ６は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。この駆動トランジスタ６は、ゲート電極６ａ、半導体膜６ｂ、保護絶縁膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、ドレイン電極６ｈ、ソース電極６ｉ等を有するものである。
【００６１】
ゲート電極６ａは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなり、ゲート電極５ａと同様にベース板１０と第一絶縁膜１１の間に形成されている。そして、ゲート電極６ａは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる第一絶縁膜１１によって被覆されている。
この第一絶縁膜１１の上であって、ゲート電極６ａに対応する位置に、チャネルが形成される半導体膜６ｂが設けられており、この半導体膜６ｂが第一絶縁膜１１を挟んでゲート電極６ａと相対している。半導体膜６ｂは、例えば、アモルファスシリコン若しくは結晶性シリコン又はそれらの両方を含んでなる。
半導体膜６ｂの略中央部上のチャネル形成領域上には、チャネルをエッチングから保護する保護絶縁膜６ｄが形成されている。この保護絶縁膜６ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜６ｂの一端部の上には、不純物半導体膜６ｆが一部保護絶縁膜６ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜６ｂの他端部の上には、不純物半導体膜６ｇが一部保護絶縁膜６ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはそれぞれ半導体膜６ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜６ｆ，６ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、駆動トランジスタ６がｐ型トランジスタであれば、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜６ｆの上には、ドレイン電極６ｈが形成されている。不純物半導体膜６ｇの上には、ソース電極６ｉが形成されている。ドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉは、例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
保護絶縁膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉの上には、絶縁性の第二絶縁膜１２が成膜され、保護絶縁膜６ｄ、ドレイン電極６ｈ及びソース電極６ｉが第二絶縁膜１２によって被覆されている。そして、駆動トランジスタ６は、第二絶縁膜１２によって覆われるようになっている。
【００６２】
キャパシタ７は、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉとの間に接続されている。具体的には、キャパシタ７の電極７ａは、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに接続され、キャパシタ７の電極７ｂは、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉに接続されている。そして、図１４、図１６に示すように、ベース板１０と第一絶縁膜１１との間にキャパシタ７の一方の電極７ａが形成され、第一絶縁膜１１と第二絶縁膜１２との間にキャパシタ７の他方の電極７ｂが形成され、電極７ａと電極７ｂが誘電体である第一絶縁膜１１を挟んで相対している。
【００６３】
なお、信号線３、キャパシタ７の電極７ａ、スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート電極６ａは、ベース板１０に一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成されたものである。
また、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の電極７ｂ、スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈ，ソース電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈ，ソース電極６ｉは、第一絶縁膜１１に一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００６４】
また、第一絶縁膜１１には、ゲート電極５ａと走査線２とが重なる領域にコンタクトホール１１ａが形成され、ドレイン電極５ｈと信号線３とが重なる領域にコンタクトホール１１ｂが形成され、ゲート電極６ａとソース電極５ｉとが重なる領域にコンタクトホール１１ｃが形成されており、コンタクトホール１１ａ〜１１ｃ内にコンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃがそれぞれ埋め込まれている。コンタクトプラグ２０ａによってスイッチトランジスタ５のゲート電極５ａと走査線２が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｂによってスイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｈと信号線３が電気的に導通し、コンタクトプラグ２０ｃによってスイッチトランジスタ５のソース電極５ｉとキャパシタ７の電極７ａが電気的に導通するとともにスイッチトランジスタ５のソース電極５ｉと駆動トランジスタ６のゲート電極６ａが電気的に導通する。なお、コンタクトプラグ２０ａ〜２０ｃを介することなく、走査線２が直接ゲート電極５ａと接触し、ドレイン電極５ｈが信号線３と接触し、ソース電極５ｉがゲート電極６ａと接触してもよい。
また、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａがキャパシタ７の電極７ａに一体に連なっており、駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｈが電圧供給線４に一体に連なっており、駆動トランジスタ６のソース電極６ｉがキャパシタ７の電極７ｂに一体に連なっている。
【００６５】
画素電極８ａは、第一絶縁膜１１を介してベース板１０上に設けられており、画素Ｐごとに独立して形成されている。ボトムエミッションの場合、この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）からなる。また、トップエミッションの場合、画素電極８ａは、高い光反射性のアルミ等の単体又は合金層を下層として光反射性層とし、上層として上述の透明電極の積層構造とすることが好ましい。なお、画素電極８ａの一部が駆動トランジスタ６のソース電極６ｉに重なり、画素電極８ａとソース電極６ｉとが電気的に接続されている。
そして、図１４、図１５に示すように、第二絶縁膜１２が、走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、画素電極８ａの周縁部、キャパシタ７の電極７ｂ及び第一絶縁膜１１を覆うように形成されている。つまり第二絶縁膜１２には、マトリクス状に配列された複数の開口部１２ａが形成され、各開口部１２ａ内では、各画素電極８ａの中央部が第二絶縁膜１２によって覆われていない。そのため、第二絶縁膜１２は平面視して格子状に形成されている。
【００６６】
バンク１３が、第二絶縁膜１２の上から、走査線２、信号線３、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、画素電極８ａの周縁部、キャパシタ７の電極７ｂ及び第一絶縁膜１１を覆うように形成されている。つまりバンク１３には、マトリクス状に配列された複数の開口部１３ａが形成され、各開口部１３ａ内では、各画素電極８ａの中央部がバンク１３によって覆われていない。そのため、バンク１３は平面視して格子状に形成されている。なお、上述のように、バンク１３がストライプ状に設けられていてもよい。
【００６７】
開口部１３ａ内では、所定のキャリア輸送層と対向電極８ｄとが積層されている。開口部１３ａの内側で、画素電極８ａ、キャリア輸送層及び対向電極８ｄの積層体がＥＬ素子８であり、そのＥＬ素子８が画素Ｐとなる。ＥＬ素子８は発光素子である。キャリア輸送層とは、電圧が印加されることによって正孔又は電子を輸送する層である。
【００６８】
具体的には、ＥＬ素子８は、図１４、図１５に示すように、アノードとなる第一電極としての画素電極８ａと、画素電極８ａの上に形成された化合物膜である正孔注入層８ｂと、正孔注入層８ｂの上に形成された化合物膜である発光層８ｃと、発光層８ｃの上に形成された第二電極としての対向電極８ｄとを備えている。対向電極８ｄは全画素Ｐに共通の単一電極であって、全画素Ｐに連続して形成されている。
【００６９】
正孔注入層８ｂは、例えば、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）からなる層であって、画素電極８ａから発光層８ｃに向けて正孔を注入するキャリア注入層である。
発光層８ｃは、画素Ｐ毎にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかを発光する材料を含み、例えば、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料からなる層であって、対向電極８ｄから供給される電子と、正孔注入層８ｂから注入される正孔との再結合に伴い発光する。このため、Ｒ（赤）を発光する画素Ｐ、Ｇ（緑）を発光する画素Ｐ、Ｂ（青）を発光する画素Ｐは互いに発光層８ｃの発光材料が異なる。なお、画素ＰのＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）は、例えば縦方向に同色画素が配列されるストライプパターンで配列される。なお、この配列パターンはストライプパターンに限らず、デルタ配列であってもよい。配列パターンがストライプパターンの場合に、バンク１３の開口部１３ａは、各画素Ｐの配列パターンに沿った格子状又は列方向に沿って複数の画素Ｐの画素電極８ａの中央部をまとめて露出するストライプ状に設けられる。
【００７０】
対向電極８ｄは、画素電極８ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、カソードとして適用される場合、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金の下層及びシート抵抗を下げるための上層の積層体で形成されている。トップエミッション構造の場合、対向電極８ｄの上層は、透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）からなる。ボトムエミッションの場合、対向電極８ｄの上層部分は、高い光反射性のアルミ等の単体又は合金層が好ましい。
この対向電極８ｄは全ての画素Ｐに共通した電極であり、発光層８ｃなどの化合物膜とともに後述するバンク１３を被覆している。
【００７１】
このように、第二絶縁膜１２及びバンク１３によって発光部位となる発光層８ｃが画素Ｐごとに仕切られている。そして、開口部１３ａ内において、キャリア輸送層としての正孔注入層８ｂ及び発光層８ｃが、画素電極８ａ上に積層されている。
【００７２】
バンク１３は、正孔注入層８ｂや発光層８ｃを湿式法により画素Ｐのバンク１３で囲まれた所定の領域に形成するに際して、正孔注入層８ｂや発光層８ｃとなる材料が溶媒に溶解または分散された液状体が、バンク１３を介して隣接する画素Ｐに流出しないように堰き止める隔壁として機能する。
【００７３】
例えば、図１５に示すように、第二絶縁膜１２の上に設けられたバンク１３には、第二絶縁膜１２の開口部１２ａより内側に開口部１３ａが形成されている。第二絶縁膜１２をバンク１３よりも幅広とした構造にすることによって、開口部１３ａが開口部１２ａより幅広となるようにしてもよい。
そして、各開口部１３ａに囲まれた各画素電極８ａ上に、正孔注入層８ｂとなる材料が含有される液状体を塗布し、ベース板１０ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第１のキャリア輸送層である正孔注入層８ｂとなる。
さらに、各開口部１３ａに囲まれた各正孔注入層８ｂ上に、発光層８ｃとなる材料が含有される液状体を塗布し、ベース板１０ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第２のキャリア輸送層である発光層８ｃとなる。
なお、正孔注入層８ｂは、複数の画素Ｐに跨るように連続して形成されていてもよい。この場合、正孔注入性のある酸化ゲルマニウムが好ましい。また、この発光層８ｃとバンク１３を被覆するように対向電極８ｄが設けられている。
【００７４】
図１５、図１６に示すように、対向電極８ｄ上には、電極を保護するための電極保護層（パッシベーション膜）１４が成膜されている。電極保護層１４は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。トップエミッションの場合、電極保護層１４が透明である。ボトムエミッションの場合、電極保護層１４が透明であってもよいし、不透明であってもよい。
【００７５】
この発光パネル３０（ＥＬパネル）においては、ボトムエミッションの場合、画素電極８ａ、ベース板１０及び第一絶縁膜１１が透明であり、発光層８ｃから発した光が画素電極８ａ、第一絶縁膜１１及びベース板１０を透過して出射する。そのため、ベース板１０の裏面側が表示面となる。
トップエミッションの場合、対向電極８ｄ、電極保護層１４、フィル材５２（但し、図１、図７、図９の場合）及び対向基板４０（図１、図６〜図１０に図示）が透明であり、発光層８ｃから発した光が対向電極８ｄ、電極保護層１４、フィル材５２（但し、図１、図７、図９の場合）及び対向基板４０を透過して出射する。そのため、対向基板４０の表面側が表示面となる。トップエミッションの場合、画素電極８ａを反射電極とすることが好ましい。
【００７６】
図１、図６〜図１０に示す発光領域３１の最上層は、電極保護層１４となっている。そのため、図１、図７、図９に示すフィル材５２が電極保護層１４に密着している。なお、電極保護層１４が設けられずに、図１、図７、図９に示すフィル材５２が対向電極８ｄに密着していてもよい。
【００７７】
電極保護層１４は発光パネル３０の表面側の縁まで広がっており、接着剤５１（図１、図６に図示）やシール材５３（図１、図６〜図１０に図示）が電極保護層１４に密着している。電極保護層１４が設けられていない場合、発光パネル３０の表面側の周縁部では、第一絶縁膜１１又は第二絶縁膜１２が発光パネル３０の最上層となっており、接着剤５１（図１、図６に図示）やシール材５３（図１、図６〜図１０に図示）が第一絶縁膜１１又は第二絶縁膜１２に密着している。
【００７８】
この発光パネル３０は、次のように駆動されて発光する。
各電圧供給線４に所定レベルの電圧が印加された状態で、走査ドライバによって走査線２に順次電圧が印加されることで、これら走査線２が順次選択される。選択された走査線２に対応する各画素Ｐのスイッチトランジスタ５はオンになる。
各走査線２が選択されている時に、データドライバによって階調に応じたレベルの電圧が全ての信号線３に印加されると、その選択されている走査線２に対応する各画素Ｐのスイッチトランジスタ５がオンになっていることから、その信号線３における電圧が駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加される。
この駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された所定の階調に対応するレベルの電圧に応じて、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉとの間の電位差が定まって、駆動トランジスタ６におけるドレイン−ソース電流の大きさが定まり、ＥＬ素子８がそのドレイン−ソース電流に応じた明るさで発光する。その後、その走査線２の選択が解除されると、スイッチトランジスタ５がオフとなるので、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された電圧にしたがった電荷がキャパシタ７に蓄えられ、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｉ間の電位差は保持される。このため、駆動トランジスタ６は選択時と同じ電流値のドレイン−ソース電流を流し続け、ＥＬ素子８の輝度を維持するようになっている。
つまり、スイッチトランジスタ５によって、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加される電圧が、信号線３に印加された所定階調レベルの電圧に切り替えられ、駆動トランジスタ６は、そのゲート電極６ａに印加された電圧のレベルに応じた電流値のドレイン−ソース電流（駆動電流）を電圧供給線４からＥＬ素子８に向けて流し、ＥＬ素子８を電流値（電流密度）にしたがった所定の階調で発光させる。
【００７９】
上述の説明では、１つの画素Ｐに設けられる薄膜トランジスタの数が２であったが、３以上であってもよい。画素Ｐごとに画素Ｐの周囲に設けられる回路は、図１３に示すようなものに限られるものではなく、適宜変更してもよい。
【００８０】
上述の説明では、発光パネル３０がアクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネルであるとしたが、発光パネル３０がパッシブマトリクス（単純マトリクス）駆動方式で動作するＥＬパネルであってもよい。
【００８１】
〔応用例〕
上述した発光装置６０，１６０，２６０，３６０，４６０，５６０は、各種電子機器の表示パネル（ディスプレイパネル）として用いられる。
例えば、図１７に示した携帯電話機２００の表示パネル１ａや、図１８（ａ）、（ｂ）に示したデジタルカメラ３００の表示パネル１ｂや、図１９に示したパーソナルコンピュータ４００の表示パネル１ｃが、発光装置６０，１６０，２６０，３６０，４６０，５６０の何れかである。
【００８２】
また、発光装置６０，１６０，２６０，４６０，５６０は印刷機（例えばページプリンタ）の露光装置として用いることもできる。具体的には、発光装置６０，１６０，２６０，４６０，５６０の何れかの発光領域３１に形成された像（複数の画素Ｐからなる像）が光学系（例えばロッドレンズアレイ）によって感光材（例えば感光ドラム）に投影されることによって、感光材に静電潜像が形成される。その後、トナーが感光材に付着することによって静電潜像が顕在化する。その後、記録媒体（例えば紙）が感光材に押し当てられることによって、顕在化した静電潜像が記録媒体（例えば紙）に転写される。
【符号の説明】
【００８３】
６０，１６０，２６０，３６０，４６０，５６０ 発光装置
３０ 発光パネル（第一基板）
３１ 発光領域
４０ 対向基板（第二基板）
４１ 凸部
４２ 凹部（第一の凹部）
４３ 凹部（第二の凹部）
５１ 接着剤
５２ フィル材
５３ シール材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板の一面側に設けられ、複数の発光素子が配列されてなる発光領域と、
前記第一基板の前記一面側に一面側が対向して設けられた第二基板と、
前記第二基板の前記一面側に、少なくとも前記第一基板の前記発光領域を囲むように設けられる第一の凹部と、
前記第二基板の前記一面側に、前記第一の凹部を囲んで枠状に設けられ、前記第一基板の一面側に接合される凸部と、
前記第二基板の前記一面側の、該第二基板の周縁と前記凸部との間に設けられた第二の凹部と、
前記第二の凹部内に充填され、前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間に挟持されて、前記第一基板と前記第二基板とに固着されたシール材と、
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第一の凹部内において対向する前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間の領域に充填されて、前記発光領域を覆うフィル材を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記凸部と前記第一基板の一面側とが、前記フィル材を介して接着されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記凸部と前記第一基板の一面側とが接着剤を介して接着されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第一の凹部内において対向する前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間の領域が空洞となっていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記凸部と前記第一基板の一面側とが接着剤を介して接着されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記凸部と前記第一基板の一面側とが、前記シール材を介して接着されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板の一面側に設けられ、複数の発光素子が配列されてなる発光領域と、
前記第一基板の前記一面側に一面側が対向して設けられた第二基板と、
前記第二基板の前記一面側に、少なくとも前記第一基板の前記発光領域を囲むように設けられる第一の凹部と、
前記第二基板の前記一面側に、前記第一の凹部を囲んで枠状に設けられ、前記第一基板の一面側に接合される凸部と、
前記第二基板の前記一面側の、該第二基板の周縁と前記凸部との間に設けられた第二の凹部と、
前記第二の凹部内に充填され、前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間に挟持されて、前記第一基板と前記第二基板とに固着されたシール材と、
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第一の凹部内において対向する前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間の領域に充填されて、前記発光領域を覆うフィル材を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記凸部と前記第一基板の一面側とが、前記フィル材を介して接着されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記凸部と前記第一基板の一面側とが接着剤を介して接着されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第一の凹部内において対向する前記第一基板の前記一面側と前記第二基板の前記一面側との間の領域が空洞となっていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記凸部と前記第一基板の一面側とが接着剤を介して接着されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記凸部と前記第一基板の一面側とが、前記シール材を介して接着されていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−６９３７４（Ｐ２０１２−６９３７４Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１３１０５（Ｐ２０１０−２１３１０５）
【出願日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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