磁気記録媒体製造方法および磁気記録媒体
【課題】所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適した方法、および、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ高い記録面平坦性を実現するのに適した磁気記録媒体を、提供すること。
【解決手段】本発明の方法は、例えば、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜１２’に対して非一様にエネルギを付与することにより、非磁性膜１２’から、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部１２Ａと非磁性部１２Ｂとを有する記録層１２を形成する工程を含む。本発明の磁気記録媒体Ｘ１は、連続膜体である記録層１２を備え、記録層１２は、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部１２Ａと、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性部１２Ｂとを有する。
【解決手段】本発明の方法は、例えば、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜１２’に対して非一様にエネルギを付与することにより、非磁性膜１２’から、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部１２Ａと非磁性部１２Ｂとを有する記録層１２を形成する工程を含む。本発明の磁気記録媒体Ｘ１は、連続膜体である記録層１２を備え、記録層１２は、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部１２Ａと、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性部１２Ｂとを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気記録媒体を製造するための方法、および、そのような磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクなどの記憶装置を構成するための記録媒体として、磁気ディスク（磁気記録媒体）が知られている。磁気ディスクは、ディスク基板と所定の磁性構造を有する記録層とを含む積層構造を有する。コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、磁気ディスクについては高記録密度化の要求が高まっている。
【０００３】
磁気ディスクへの情報記録に際しては、磁気ディスクの記録面に対して記録用の磁気ヘッドが近接配置（浮上配置）され、当該磁気ヘッドにより、記録層に対し、その保磁力より強い記録磁界が印加される。磁気ディスクに対して磁気ヘッドを相対移動させつつ磁気ヘッドからの記録磁界の向きを順次反転させることにより、記録層の情報トラックにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、記録磁界方向を反転させるタイミングが制御されることにより、各々に所定の長さで記録マークが形成される。このようにして、記録層において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報が記録される。
【０００４】
また、磁気ディスクの技術分野においては、高記録密度化を図るのに好ましい媒体として、いわゆるディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）など、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気ディスクが知られている。このような磁気ディスクについては、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７１４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６１１５号公報
【特許文献３】特開２００５−２９３７３０号公報
【０００６】
図２０および図２１は、ＤＴＭである従来の磁気ディスク４０を表す。図２０は、磁気ディスク４０の平面図であり、図２１は、磁気ディスク４０のディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【０００７】
磁気ディスク４０は、ディスク基板４１、記録層４２、および保護層４３（図２０では図示略）からなる積層構造を有する。記録層４２は、複数の記録磁性部４２Ａと複数の非磁性部４２Ｂとからなる。記録磁性部４２Ａは、図２０にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスク４０の回転軸心Ａ’を共通中心としてディスク基板４１上にて同心円状に配置され、情報トラックを構成する。また、記録磁性部４２Ａは所定の磁性材料よりなる。一方、非磁性部４２Ｂは、所定の非磁性材料よりなり、記録磁性部４２Ａ間に介在する。保護層４３の露出面は磁気ディスク４０の記録面４４をなす。
【０００８】
このような磁気ディスク４０への情報記録時には、磁気ディスク４０の記録面４４に対して記録用の磁気ヘッドが浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層４２の一の記録磁性部４２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。
【０００９】
図２２および図２３は、従来の磁気ディスク４０の製造方法を表す。磁気ディスク４０の製造においては、まず、図２２（ａ）に示すように、ディスク基板４１上に磁性膜４２Ａ’が形成される。次に、図２２（ｂ）に示すように、磁性膜４２Ａ’上にフォトレジスト膜５１が形成される。次に、図２２（ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、フォトレジスト膜５１からレジストパターン５２が形成される。レジストパターン５２は、上述の非磁性部４２Ｂのパターン形状に対応する開口部５２ａを有する。当該リソグラフィ法においては、具体的には、所定装置によって所定パターン（潜像）がフォトレジスト膜５１に露光形成された後、当該フォトレジスト膜５１に現像処理が施される。このようにして、磁性膜４２Ａ’上にレジストパターン５２が形成される。この後、図２２（ｄ）に示すように、レジストパターン５２がマスクとして利用されて、磁性膜４２Ａ’に対して所定のエッチングが施され、上述の記録磁性部４２Ａがパターン形成される。
【００１０】
磁気ディスク４０の製造においては、次に、図２３（ａ）に示すようにレジストパターン５２が除去される。次に、図２３（ｂ）に示すように非磁性材料４２Ｂ’が堆積される。具体的には、スパッタリング法により、記録磁性部４２Ａ間の隙間および記録磁性部４２Ａ上に非磁性材料４２Ｂ’が堆積される。次に、図２３（ｃ）に示すように、堆積された非磁性材料４２Ｂ’において記録磁性部４２Ａ間の隙間にない過剰部分を、例えば機械的研磨により除去する。本工程により、非磁性部４２Ｂが形成され、記録層４２が形成されることとなる。この後、図２３（ｄ）に示すように、記録層４２上に保護層４３が形成される。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部４２Ａを記録層４２内に有する磁気ディスク４０が製造される。
【００１１】
本方法によると、記録面４４において充分な平坦性を得ることが困難である。本方法では、図２２（ｄ）を参照して上述したように、磁性膜４２Ａ’に対するエッチングにより記録磁性部４２Ａがパターン形成された後、図２３（ｂ）に示すように、記録磁性部４２Ａ間の隙間を充填すべく非磁性材料４２Ｂ’が堆積され、そして、図２３（ｃ）に示すように、非磁性材料４２Ｂ’における過剰部分が除去されて記録層４２が形成される。このよう過程を経て形成される非連続膜体である記録層４２の図中上面については、充分な平坦性を得ることが困難であり、従って、記録層４２の表面平坦性が反映される記録面４４において充分な平坦性を得ることは困難なのである。
【００１２】
一般に、磁気ディスクないしその記録層における面内記録密度が大きいほど、情報記録再生時に磁気ディスクに対して浮上配置される磁気ヘッドについては、より小さな浮上量（磁気ヘッドと記録面の間の距離）が要求される傾向にあるところ、小さな浮上量にて磁気ヘッドが適切に動作するためには、磁気ディスクの記録面は充分に平坦でなければならない。要求される浮上量が小さいほど（即ち、磁気ディスクの面内記録密度か大きいほど）、記録面に求められる平坦性は高くなる傾向にある。
【００１３】
しかしながら、上述の従来の方法によると、記録層４２ないし記録面４４において充分な平坦性を得ることは困難である。このような方法により得られる磁気ディスク４０は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましくなく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましくない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであり、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適した方法、および、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ高い記録面平坦性を実現するのに適した磁気記録媒体を、提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して非一様にエネルギを付与することにより、当該非磁性膜から、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と非磁性部とを有する記録層を形成する工程を含む。
【００１６】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態は、熱力学的に準安定状態にあるので、所定の刺激に誘発されて、より安定な状態（例えば、真の平衡状態）に至るまで、当該強磁性材料を主成分とする強磁性相と当該非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離（スピノーダル分解）し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を生じ得る。本発明においては、この現象を磁気記録媒体の記録層の形成に利用して、記録層内の記録磁性部をパターン形成する。具体的には、本発明では、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して非一様にエネルギを付与して当該過飽和固溶非磁性膜における所定領域に刺激を与えることによって、当該過飽和固溶非磁性膜にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造の領域を生じさせ、実質的に記録磁性部をパターン形成し、従って、そのような所定パターンを有する記録磁性部を含む記録層を形成する。強磁性グラニュラ構造領域については、各強磁性グラニュラ構造領域が一の記録磁性部を構成するように、或は、複数の強磁性グラニュラ構造領域が一の記録磁性部を構成するように、所定のパターンで生じさせる。
【００１７】
また、本方法においては、そのような記録層を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層の表面平坦性が反映される記録面において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００１８】
以上のように、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適するのである。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００１９】
本発明の第２の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、凸部を有するスタンパにおける当該凸部を当接させる工程（第１の工程）と、スタンパの凸部を介して非磁性膜を加熱することにより、非磁性膜における当該加熱箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程（第２の工程）とを含む。本方法においては、第１の工程と第２の工程とを順次行ってもよいし、同時に行ってもよい。
【００２０】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。発熱体（スタンパ）の接触による局所的な加熱は、過飽和固溶非磁性膜に対する非一様なエネルギ付与手法として効果的である。
【００２１】
本発明の第３の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、収束ビームを照射することにより、非磁性膜における当該照射箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程を含む。収束ビームには、収束された電子線や、収束されたレーザ光線が含まれる。
【００２２】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。収束ビームの局所的な照射ないしそれによる局所的な加熱は、過飽和固溶非磁性膜に対する非一様なエネルギ付与手法として効果的である。
【００２３】
本発明の第４の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、開口部を有するマスクを介してレーザ光またはＸ線を照射することにより、非磁性膜における当該照射箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程を含む。
【００２４】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。マスクを介してのレーザ光またはＸ線の照射ないしそれによる局所的な加熱は、過飽和固溶非磁性膜に対する非一様なエネルギ付与手法として効果的である。
【００２５】
好ましくは、マスクは、過飽和固溶非磁性膜に密着して配置される。このような構成によると、当該マスクにおける過飽和固溶非磁性膜側にて生ずる近接場光も、過飽和固溶非磁性膜に対する付与エネルギとして利用することができる場合がある。近接場光の利用は、レーザ光またはＸ線の照射出力を低減するうえで好ましい。
【００２６】
本発明の第５の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して圧痕を形成する工程と、加熱により、非磁性膜内に、当該圧痕を起点として、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む。圧痕は、所定の突起部の圧入により過飽和固溶非磁性膜に形成されるものである。
【００２７】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。所定の突起部の圧入により過飽和固溶非磁性膜に形成される圧痕は、所定の温度条件下の過飽和固溶非磁性膜において、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離することを誘発する起点として機能し得る。
【００２８】
本発明の第６の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材の表面の部分領域に微細凹凸を形成する工程と、基材上に、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を形成する工程と、加熱により、非磁性膜における基材表面の微細凹凸領域上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む。
【００２９】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。過飽和固溶非磁性膜に接する微細凹凸は、所定の温度条件下の過飽和固溶非磁性膜において、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離することを誘発する起点として機能し得る。
【００３０】
本発明の第７の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材上に、当該基材表面とは異なる表面エネルギを有する薄膜パターンを形成する工程と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を、薄膜パターンを覆うように基材上に形成する工程と、加熱により、非磁性膜における薄膜パターン上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む。
【００３１】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。基材表面とは異なる表面エネルギを有して過飽和固溶非磁性膜に接する薄膜パターンは、所定の温度条件下の過飽和固溶非磁性膜において、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離することを誘発する起点として機能する場合がある。
【００３２】
本発明の第８の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材上に、低融点材料からなる薄膜パターンを形成する工程と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を、薄膜パターンを覆うように基材上に形成する工程と、加熱により、薄膜パターンを溶融しつつ、非磁性膜における薄膜パターンに対応する位置にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む。
【００３３】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。基材や過飽和固溶非磁性膜より低融点の材料よりなり且つ過飽和固溶非磁性膜に接する薄膜パターンは、所定の温度条件下の過飽和固溶非磁性膜において、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離することを誘発する起点として機能する場合がある。
【００３４】
本発明の第９の側面によると磁気記録媒体が提供される。この磁気記録媒体は、連続膜体である記録層を備える。記録層は、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性部とを有する。
【００３５】
本磁気記録媒体は、本発明の第１から第８の側面に係るいずれの磁気記録媒体製造方法によっても製造することができる。本磁気記録媒体の製造過程においては、本発明の第１の側面に関して上述した技術的利益を享受することが可能であり、従って、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する本磁気記録媒体は、高い記録面平坦性を実現するのに適している。
【００３６】
本発明の第１から第９の側面において、好ましくは、非磁性材料は、Ｂおよび／またはＣである。また、好ましくは、強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、またはＮｉを含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。本発明では、過飽和固溶非磁性膜が侵入型固溶体である場合、強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から過剰な非磁性材料が掃き出され、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離することとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
図１および図２は、本発明の第１の実施形態に係る磁気ディスクＸ１を表す。図１は、磁気ディスクＸ１の平面図であり、図２は、図１の磁気ディスクＸ１のディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【００３８】
磁気ディスクＸ１は、ディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、および保護層１４（図１では図示略）を含む積層構造を有し、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）として構成されたものである。
【００３９】
ディスク基板１１は、主に、磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、アルミニウム合金、ガラス、または樹脂よりなる。
【００４０】
記録層１２は、図２に示すように、複数の記録磁性部１２Ａおよび複数の非磁性部１２Ｂを有する。記録磁性部１２Ａは、図１にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスクＸ１の回転軸心Ａを共通中心として同心円状に配置され、情報トラックを構成する。また、記録磁性部１２Ａは、垂直磁気異方性の強磁性グラニュラ構造を有する。具体的には、記録磁性部１２Ａは、図３に示すように、柱状で垂直磁気異方性を有する強磁性グラニュラ粒子としての強磁性相１２ａと、当該強磁性グラニュラ粒子間に介在し且つ実質的に磁性を有しない（即ち、少なくとも強磁性相１２ａに比して充分に磁化の小さい）非磁性相１２ｂとからなる（図３は、磁気ディスクＸ１において保護層１４を省略して表した、記録層１２の部分拡大平面図である）。強磁性相１２ａは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉからなる群より選択される強磁性の単体金属、または、当該金属を含んでなる強磁性合金を、主成分として含む。非磁性相１２ｂは、Ｂおよび／またはＣである非磁性材料を主成分として含む。
【００４１】
非磁性部１２Ｂは、記録磁性部１２Ａ間に介在して実質的に磁性を有しない（即ち、少なくとも記録磁性部１２Ａないし強磁性相１２ａに比して充分に磁化の小さい）部位である。また、非磁性部１２Ｂは、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある。当該強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む。当該非磁性材料は、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。非磁性部１２Ｂは、このような侵入型固溶状態にあり、且つ、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にあるのである。
【００４２】
以上のような記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂからなる記録層１２は、連続膜体である。また、記録層１２の厚さは例えば５〜５０ｎｍであり、記録磁性部１２Ａの幅は例えば１０〜１００ｎｍであり、非磁性部１２Ｂの幅は例えば１０〜１００ｎｍである。
【００４３】
軟磁性層１３は、記録時等に稼働する磁気ヘッドからの磁束を再び当該磁気ヘッドに還流させる磁路を磁気ディスクＸ１内に効率よく形成するためのものであり、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有するとともに小さな保磁力を有する軟磁性材料よりなる。軟磁性層１３を構成するための軟磁性材料としては、例えば、ＦｅＣ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＣ、およびＦｅＣｏ−ＡｌＯが挙げられる。軟磁性層１３の厚さは例えば５０〜１０００ｎｍである。
【００４４】
保護層１４は、記録層１２や軟磁性層１３などを外界から物理的および化学的に保護するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはダイアモンドライクカーボンよりなる。保護層１４の露出面は磁気ディスクＸ１の記録面１５をなす。
【００４５】
以上のようなディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、および保護層１４を含む磁気ディスクＸ１の構造中には、必要に応じて他の層や要素が含まれてもよい。
【００４６】
このような磁気ディスクＸ１の情報記録時には、磁気ディスクＸ１の記録面１５に対して記録用の磁気ヘッド（図示略）が浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層１２の一の記録磁性部１２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、情報記録進行中であって磁界が順次印加される記録磁性部１２Ａと、これの隣りの記録磁性部１２Ａとが、非磁性部１２Ｂにより分断されているため、当該隣りの記録磁性部１２Ａの記録マークが消失ないし劣化するというクロスライト現象が抑制される。クロスライト現象が抑制される磁気ディスクは、トラックの狭ピッチ化ないし高記録密度化を図るうえで、好ましい。
【００４７】
図４は、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法を表す。本方法においては、まず、図４（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３の形成においては、例えばスパッタリング法により、ディスク基板１１上に上述の軟磁性材料を成膜する。プレ記録層１２’は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜である。当該強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む。当該非磁性材料は、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。プレ記録層１２’は、このような侵入型固溶状態にあり、且つ、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にあるのである。プレ記録層１２’の形成においては、例えばスパッタリング法により、そのような状態となる組成比で、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料と、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む非磁性材料とを、堆積成長させる。プレ記録層１２’における強磁性材料の組成比は、好ましくは４５〜７０atom.％である。非磁性材料の組成比は、好ましくは３０〜５５atom.％であり、より好ましくは３５〜５０atom.％である。
【００４８】
本方法においては、次に、図４（ｂ）に示すように、スタンパ２１をプレ記録層１２’に押し当てる。スタンパ２１は、凸部２１ａを有し、例えばＮｉやＮｉ合金よりなる。凸部２１ａは、上述の記録磁性部１２Ａに対応するパターン形状を有する。また、スタンパ２１は、図外の発熱機構から熱が伝わるように当該発熱機構と連結されている。本工程では、スタンパ２１の凸部２１ａの先端を、位置合わせしつつ、プレ記録層１２’に対して当接させる。
【００４９】
次に、図外の発熱機構を駆動して、図４（ｃ）に示すように、スタンパ２１の凸部２１ａを介してプレ記録層１２’を加熱し、当該加熱箇所にて記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。
【００５０】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態は、熱力学的に準安定状態にあるので、所定の刺激に誘発されて、より安定な状態（例えば、真の平衡状態）に至るまで、当該強磁性材料を主成分とする強磁性相と当該非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離（スピノーダル分解）し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を生じ得る。本工程においては、この現象を利用して、記録磁性部１２Ａをパターン形成する。
【００５１】
具体的には、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）においてスタンパ２１により加熱される箇所では、スタンパ２１からの熱エネルギに誘発されて、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００５２】
本方法においては、次に、スタンパ２１を記録層１２から離した後、図４（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成においては、例えばスパッタリング法により、保護層１４に関して上述した構成材料を記録層１２上に成膜する。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００５３】
本方法においては、図４（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図４（ａ）を参照して上述したように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００５４】
以上のように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００５５】
本方法においては、図４（ｂ）を参照して上述した工程と図４（ｃ）を参照して上述した工程とを順次行うのに代えて、予め所定温度に昇温したスタンパ２１を図４（ｃ）に示すようにプレ記録層１２’に押し当てることにより、記録層１２を形成してもよい。
【００５６】
図５は、磁気ディスクＸ１の第２の製造方法を表す。本方法においては、まず、図５（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００５７】
次に、図５（ｂ）に示すように、プレ記録層１２’において記録磁性部１２Ａを形成すべき箇所に収束ビーム２２を照射し、これにより、プレ記録層１２’における当該照射箇所にて記録磁性部１２Ａを形成する。収束ビーム２２は、例えば、収束された電子線や、収束されたレーザ光線である。収束ビーム２２のビーム径は例えば１０〜１００ｎｍである。照射時間は例えば０.１〜１０秒である。
【００５８】
プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）において収束ビーム２２が照射される箇所では、当該局所的な照射ないしそれによる局所的な加熱に誘発されて、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００５９】
本方法においては、次に、図５（ｃ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００６０】
本方法においては、図５（ｂ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図５（ａ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００６１】
図６は、磁気ディスクＸ１の第３の製造方法を表す。本方法においては、まず、図６（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００６２】
次に、図６（ｂ）に示すように、マスク２３を、位置合わせしつつ、プレ記録層１２’に対して対向配置する。マスク２３は、上述の記録磁性部１２Ａのパターン形状に対応する開口部２３ａを有し、次の照射工程にて用いられる光（電磁波）２４を充分に遮断する材料よりなる。マスク２３の構成材料としは、例えばＣｒ合金やＨｆ合金を採用することができる。
【００６３】
次に、図６（ｃ）に示すように、マスク２３を介してプレ記録層１２’に対して光（電磁波）２４を照射することにより、プレ記録層１２’における当該照射箇所にて記録磁性部１２Ａを形成する。光２４は、例えばレーザ光線やＸ線であり、照射時間は例えば１〜６０秒である。
【００６４】
プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）において光２４が照射される箇所では、当該局所的な照射およびそれによる局所的な加熱に誘発されて、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００６５】
本方法においては、次に、図６（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００６６】
本方法においては、図６（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図６（ａ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００６７】
図７は、磁気ディスクＸ１の第４の製造方法を表す。本方法においては、まず、図７（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００６８】
次に、図７（ｂ）に示すように、プレ記録層１２’上にマスク２５を形成する。マスク２５は、上述の記録磁性部１２Ａのパターン形状に対応する開口部２５ａを有する。マスク２５の形成においては、例えば、スパッタリング法により所定の金属材料をプレ記録層１２’上に成膜した後、当該金属膜をリソグラフィ法によりパターニングする。マスク２５の厚さは例えば５〜５０ｎｍである。マスク２５は、次の照射工程にて用いられる光（電磁波）２４を充分に遮断する材料よりなる。マスク２５の構成材料としは、例えばＣｒ合金やＨｆ合金を採用することができる。
【００６９】
次に、図７（ｃ）に示すように、マスク２５を介してプレ記録層１２’に対して光（電磁波）２４を照射することにより、プレ記録層１２’における当該照射箇所にて記録磁性部１２Ａを形成する。光２４は、例えばレーザ光線やＸ線であり、照射時間は例えば１〜６０秒である。
【００７０】
プレ記録層１２’上に密着形成されているマスク２５を介して光２４をプレ記録層１２’に照射すると、マスク２５におけるプレ記録層１２’側にて近接場光が生じ、当該近接場光も、プレ記録層１２’に対する付与エネルギとして利用することができる。近接場光の利用は、光２４の照射出力を低減するうえで好ましい。また、近接場光を利用すると、使用光の波長以下（即ち、使用光の回折限界以下）のサイズの微小露光が可能となることから、微細なパターンを形成しやすい。
【００７１】
プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）において光２４およびそれに由来する近接場光が照射される箇所では、当該局所的な照射およびそれによる局所的な加熱に誘発されて、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００７２】
本方法においては、次に、図７（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００７３】
本方法においては、図７（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図７（ａ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００７４】
図８および図９は、磁気ディスクＸ１の第５の製造方法を表す。本方法においては、まず、図８（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００７５】
次に、図８（ｂ）および図８（ｃ）に示すように、プレ記録層１２’において上述の記録磁性部１２Ａを形成すべき箇所内に、スタンパ２６を使用して圧痕１２’’を形成する。スタンパ２６は突部２６ａを有し、本工程では、当該突部２６ａをプレ記録層１２’に部分的に圧入する。
【００７６】
次に、図９（ａ）に示すように、プレ記録層１２’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、圧痕１２’’が起点となって相分離が誘発される。具体的には、起点たる圧痕１２’’の近傍では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる（相分離の生ずる領域についての例えば図９（ａ）に示す幅は、圧痕１２’’を形成する際にプレ記録層１２’表面に加える負荷や、圧痕１２’’の深さや幅を調整することによって、制御することが可能である）。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。この後、図９（ｂ）に示すように、プレ記録層１２’を機械的に研磨する。このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００７７】
本方法においては、次に、図９（ｃ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００７８】
本方法においては、図９（ａ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図８（ａ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００７９】
図１０は、磁気ディスクＸ１の第６の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１０（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３の表面に微細凹凸領域１３ａを形成する。軟磁性層１３の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。微細凹凸領域１３ａは、上述の記録磁性部１２Ａに対応するパターン形状を有し、微細凹凸領域１３ａの表面粗さは例えば０.５〜２ｎｍである。このような微細凹凸領域１３ａは、例えば、所定のマスクを軟磁性層１３上に設けたうえで当該軟磁性層１３にドライエッチング処理を施すことにより、形成することができる。
【００８０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にプレ記録層１２’を形成する。プレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００８１】
次に、図１０（ｃ）に示すように、プレ記録層１２’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、軟磁性層１３表面の微細凹凸領域１３ａの微細凹凸形状が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層１２’における微細凹凸領域１３ａ上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。
【００８２】
本方法においては、次に、図１０（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００８３】
本方法においては、図１０（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図１０（ｂ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００８４】
図１１は、磁気ディスクＸ１の第７の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１１（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３上に薄膜パターン２７を形成する。軟磁性層１３の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。薄膜パターン２７は、上述の記録磁性部１２Ａに対応するパターン形状を有し、軟磁性層１３表面とは異なる表面エネルギを有する。そのような薄膜パターン２７は、例えばＳｉＮやＳｉＯ2よりなる。薄膜パターン２７の厚さは例えば０.５〜２ｎｍである。薄膜パターン２７の形成においては、まず、薄膜パターン２７について上述した構成材料を軟磁性層１３上に成膜する。次に、所定のマスクを使用して行うエッチングにより、当該材料膜をパターニングする。
【００８５】
本方法においては、次に、図１１（ｂ）に示すように、薄膜パターン２７を覆うようにして軟磁性層１３上にプレ記録層１２’を形成する。プレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００８６】
次に、図１１（ｃ）に示すように、プレ記録層１２’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、軟磁性層１３表面とは表面エネルギの異なる薄膜パターン２７が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層１２’における薄膜パターン２７上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。
【００８７】
本方法においては、次に、図１１（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００８８】
本方法においては、図１１（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図１１（ｂ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００８９】
図１２は、磁気ディスクＸ１の第８の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１２（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３上に薄膜パターン２８を形成する。軟磁性層１３の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。薄膜パターン２８は、上述の記録磁性部１２Ａに対応するパターン形状を有し、次の加熱工程における加熱温度にて溶融可能な低融点材料よりなる。そのような薄膜パターン２８は、例えばＳｎ、Ｉｎ、Ａｇよりなる。薄膜パターン２８の厚さは例えば０.５〜２ｎｍである。薄膜パターン２８の形成においては、まず、薄膜パターン２８について上述した構成材料を軟磁性層１３上に成膜する。次に、所定のマスクを使用して行うエッチングにより、当該材料膜をパターニングする。
【００９０】
本方法においては、次に、図１２（ｂ）に示すように、薄膜パターン２８を覆うようにして軟磁性層１３上にプレ記録層１２’を形成する。プレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００９１】
次に、図１２（ｃ）に示すように、プレ記録層１２’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程では、このような加熱温度にて、薄膜パターン２８が溶融され、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、溶融状態にある薄膜パターン２８が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層１２’における薄膜パターン２８上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程を経ると、薄膜パターン２８の全部または一部が記録層１２内に拡散して事実上消失する場合がある。
【００９２】
本方法においては、次に、図１２（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００９３】
本方法においては、図１２（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図１２（ｂ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００９４】
図１３は、本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスクＸ２のディスク径方向に沿った部分断面図である。磁気ディスクＸ２は、ディスク基板１１、記録層３０、軟磁性層１３、および保護層１４を含む積層構造を有し、ＤＴＭとして構成されたものである。磁気ディスクＸ２は、記録層１２に代えて記録層３０を有する点において、磁気ディスクＸ１と異なる。
【００９５】
記録層３０は、複数の記録磁性部３１および複数の非磁性部３２を有する。記録磁性部３１は、磁気ディスクＸ１における記録磁性部１２Ａが同心円状に配置されて情報トラックを構成するのと同様に、磁気ディスクＸ２の回転軸心を共通中心として同心円状に配置されて情報トラックを構成する。また、各記録磁性部３１は、複数のグラニュラ構造部３１ａおよび非磁性部３１ｂからなる。グラニュラ構造部３１ａは、各々、ディスク周方向に延び、垂直磁気異方性の強磁性グラニュラ構造を有する。具体的には、グラニュラ構造部３１ａは、図３に示す記録磁性部１２Ａと同様に、柱状で垂直磁気異方性を有する強磁性グラニュラ粒子としての強磁性相と、当該強磁性グラニュラ粒子間に介在し且つ実質的に磁性を有しない（即ち、少なくとも強磁性相に比して充分に磁化の小さい）非磁性相とからなる。強磁性相は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉからなる群より選択される強磁性の単体金属または強磁性合金を主成分として含む。非磁性相は、Ｂおよび／Ｃである非磁性材料を主成分として含む。
【００９６】
非磁性部３１ｂは、グラニュラ構造部３１ａ間に介在して実質的に磁性を有しない（即ち、少なくともグラニュラ構造部３１ａないしその強磁性相に比して充分に磁化の小さい）部位である。また、非磁性部３１ｂは、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある。当該強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む。当該非磁性材料は、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。非磁性部３１ｂは、このような侵入型固溶状態にあり、且つ、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にあるのである。
【００９７】
非磁性部３２は、記録磁性部３１間に介在して実質的に磁性を有しない（即ち、少なくとも記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａないしその強磁性相に比して充分に磁化の小さい）部位である。また、非磁性部３２は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある。非磁性部３２は、具体的には、非磁性部３１ｂと同様の組成を有する。
【００９８】
以上のような記録磁性部３１および非磁性部３２からなる記録層３０は、連続膜体である。また、記録層３０の厚さは例えば５〜５０ｎｍであり、記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａの幅は例えば５〜２０ｎｍであり、非磁性部３１ｂの幅は例えば５〜２０ｎｍであり、非磁性部３２の幅は例えば１０〜１００ｎｍである。
【００９９】
図１４は、磁気ディスクＸ２の第１の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１４（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、当該軟磁性層１３の表面に微細凹凸領域１３ｂを形成する。軟磁性層１３の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。各微細凹凸領域１３ｂは、上述の記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａに対応するパターン形状を有し、微細凹凸領域１３ｂの表面粗さは例えば０.５〜２ｎｍである。このような微細凹凸領域１３ｂは、例えば、所定のマスクを軟磁性層１３上に設けたうえで当該軟磁性層１３にドライエッチング処理を施すことにより、形成することができる。
【０１００】
次に、図１４（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にプレ記録層３０’を形成する。プレ記録層３０’の形成手法は、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したプレ記録層１２’の形成手法と同様である。
【０１０１】
次に、図１４（ｃ）に示すように、プレ記録層３０’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部３１を形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層３０’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、軟磁性層１３表面の微細凹凸領域１３ｂの微細凹凸形状が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層３０’における微細凹凸領域１３ｂ上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造のグラニュラ構造部３１ａが生じる。プレ記録層３０’にてグラニュラ構造部３１ａが形成されない箇所は、非磁性部３１ｂ，３２を構成することとなる。
【０１０２】
本方法においては、次に、図１４（ｄ）に示すように、記録層３０上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有する磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【０１０３】
本方法においては、図１４（ｃ）を参照して上述したように、記録層３０内にグラニュラ構造部３１ａないし記録磁性部３１をパターン形成することができる。また、本方法においては、図１４（ｂ）に示すように、記録層３０を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層３０’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層３０の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ２を製造するのに、適する。
【０１０４】
図１５は、磁気ディスクＸ２の第２の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１５（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３上に薄膜パターン２７を形成する。軟磁性層１３の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。各薄膜パターン２７は、本実施形態では、上述の記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａに対応するパターン形状を有し、軟磁性層１３表面とは異なる表面エネルギを有する。そのような薄膜パターン２７の構成材料、厚さ、および形成手法については、磁気ディスクＸ１の第７の製造方法における薄膜パターン２７に関して上述したのと同様である。
【０１０５】
次に、図１５（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にプレ記録層３０’を形成する。プレ記録層３０’の形成手法は、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したプレ記録層１２’の形成手法と同様である。
【０１０６】
次に、図１５（ｃ）に示すように、プレ記録層３０’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部３１を形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層３０’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜）内では、軟磁性層１３表面とは表面エネルギの異なる薄膜パターン２７が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層３０’における薄膜パターン２７上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造のグラニュラ構造部３１ａが生じる。プレ記録層３０’にてグラニュラ構造部３１ａが形成されない箇所は、非磁性部３１ｂ，３２を構成することとなる。
【０１０７】
本方法においては、次に、図１５（ｄ）に示すように、記録層３０上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有する磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【０１０８】
本方法においては、図１５（ｃ）を参照して上述したように、記録層３０内にグラニュラ構造部３１ａないし記録磁性部３１をパターン形成することができる。また、本方法においては、図１５（ｂ）に示すように、記録層３０を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層３０’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層３０の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ２を製造するのに、適する。
【０１０９】
図１６は、磁気ディスクＸ２の第３の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１６（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３上に薄膜パターン２８を形成する。軟磁性層１３の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。各薄膜パターン２８は、本実施形態では、上述の記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａに対応するパターン形状を有し、次の加熱工程における加熱温度にて溶融する低融点材料よりなる。そのような薄膜パターン２８の構成材料、厚さ、および形成手法については、磁気ディスクＸ１の第８の製造方法における薄膜パターン２８に関して上述したのと同様である。
【０１１０】
次に、図１６（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にプレ記録層３０’を形成する。プレ記録層３０’の形成手法は、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したプレ記録層１２’の形成手法と同様である。
【０１１１】
次に、図１６（ｃ）に示すように、プレ記録層３０’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部３１を形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程では、このような加熱温度にて、薄膜パターン２８が溶融され、プレ記録層３０’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、溶融状態にある薄膜パターン２８が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層３０’における薄膜パターン２８上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造のグラニュラ構造部３１ａが生じる。プレ記録層３０’にてグラニュラ構造部３１ａが形成されない箇所は、非磁性部３１ｂ，３２を構成することとなる。本工程を経ると、薄膜パターン２８の全部または一部が記録層３０内に拡散して事実上消失する場合がある。
【０１１２】
本方法においては、次に、図１６（ｄ）に示すように、記録層３０上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有する磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【０１１３】
本方法においては、図１６（ｃ）を参照して上述したように、記録層３０内にグラニュラ構造部３１ａないし記録磁性部３１をパターン形成することができる。また、本方法においては、図１６（ｂ）に示すように、記録層３０を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層３０’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層３０の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ２を製造するのに、適する。
【実施例】
【０１１４】
固溶体膜である複数のＦｅＣｏＮｉＢ膜を、サンプル膜体として作製した。各サンプル膜体の作製においては、スパッタリング法により、所定組成比で厚さ５０ｎｍのＦｅＣｏＮｉＢ膜をガラス基板上に形成した。強磁性材料たるＦｅＣｏＮｉ内の組成比を全てのサンプル膜体において同一とし、固溶体膜における非磁性材料たるＢについて、サンプル膜体ごとに異なる含有率を設定した。具体的には、ＦｅＣｏＮｉ内の組成比をＦｅ65Ｃｏ30Ｎｉ5とし、その含有率を３０〜１００atom.％の範囲のいずれかとし、Ｂの含有率を０〜７０atom.％の範囲のいずれかとした。
【０１１５】
各サンプル膜体について、飽和磁化、保磁力、および強磁性粒サイズ（柱状グラニュラ粒子の径）を測定した。これらの結果を図１７〜図１９のグラフに表す。図１７のグラフでは、横軸にて固溶体膜のＢ含有率（atom.％）を表し、縦軸にて固溶体膜の飽和磁化（ｅｍｕ/ｃｃ）を表し、各サンプル膜体の測定に係るプロットを実線１７Ａで結ぶ。図１８のグラフでは、横軸にて固溶体膜のＢ含有率（atom.％）を表し、縦軸にて固溶体膜の保磁力（ｋＯｅ）を表し、各サンプル膜体の測定に係るプロットを実線１８Ａで結ぶ。図１９のグラフでは、横軸にて固溶体膜のＢ含有率（atom.％）を表し、縦軸にて固溶体膜内の強磁性粒サイズ（ｎｍ）を表し、各サンプル膜体の測定に係るプロットを実線１９Ａで結ぶ。
【０１１６】
各サンプル膜体について、１５０℃で６０秒間の加熱処理を施した後、飽和磁化、保磁力、および強磁性粒サイズ（柱状グラニュラ粒子の径）を測定した。これらの結果を図１７〜図１９のグラフに表す。図１７〜図１９のグラフでは、当該加熱処理後の各サンプル膜体の測定に係るプロットを破線１７Ｂ，１８Ｂ，１９Ｂで結ぶ。
【０１１７】
図１７のグラフからは、Ｂ含有率がおよそ３０〜５５atom.％の範囲にある場合に、加熱処理によってＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化が大きく変化することが解る。加熱処理前には（実線１７Ａ）、Ｂ含有率が０atom.％から約２５atom.％までの範囲では、ＦｅＣｏＮｉとＢとが侵入型固溶し、ＦｅＣｏＮｉが構成する強磁性結晶（格子）が保たれ、磁性原子どうしの磁気的相互作用がほとんど変化しないので、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は略一定である。Ｂ含有率２５atom.％あたりで、ＦｅＣｏＮｉＢ膜は過飽和状態に達し始めるので、ＦｅＣｏＮｉが構成する強磁性結晶（格子）の一部が壊れ始め、磁性原子どうしの磁気的相互作用が弱くなり始める。Ｂ含有率約２５atom.％から約３５atom.％にかけて、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は急峻に低下する。Ｂ含有率が約３５atom.％以上では、ＦｅＣｏＮｉが構成する強磁性結晶（格子）の大部分が壊れているので、磁性原子どうしの磁気的相互作用は極めて弱く、従って、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は極めて小さい。一方、加熱処理後には（破線１７Ｂ）、Ｂ含有率が０atom.％から約２５atom.％までの範囲では、加熱処理によって非磁性相が新たに形成されて、単位体積あたりに占める非磁性相の割合が増加するので、加熱処理前よりも飽和磁化は低下する。Ｂ含有率が０atom.％から約５０atom.％までの範囲では、純粋な強磁性相（大きな飽和磁化を有する相）の共存下において、Ｂ含有率が増加するほど、単位体積あたりに占める非磁性相の割合が徐々に増加するので、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は緩やかに低下する。ＦｅＣｏＮｉＢ膜においては、Ｂ含有率が約２５atom.％以上で過飽和固溶状態であるところ、Ｂ含有率が特に約２５atom.％以上の場合にＦｅＣｏＮｉＢ膜にて生ずる相分離は、主にスピノーダル分解であると考えられる。Ｂ含有率５０atom.％あたりで、非磁性相による飽和磁化の低減効果の方が、純粋な強磁性相による飽和磁化の低減を軽減する効果よりも相当程度に優勢となり（即ち、単位体積当たりに占める非磁性相の割合が過剰となり）、従って、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は急峻に低下し始める。
【０１１８】
図１８のグラフからは、Ｂ含有率がおよそ１０〜５５atom.％の範囲にある場合に、加熱処理によってＦｅＣｏＮｉＢ膜の保磁力が大きく変化することが解る。飽和磁化よりも保磁力の方が構造に対して敏感な物性値であるところ、加熱処理前には（実線１８Ａ）、０atom.％からＢ含有率が増大するのに伴い、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の保磁力は急峻に低下する。一方、加熱処理後には（破線１８Ｂ）、純粋な強磁性相（大きな飽和磁化を有する相）が生じるので、Ｂ含有率が増加して単位体積あたりの非磁性相の割合が比例的に増加しても、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化の低下は緩やかである。
【０１１９】
図１９のグラフからは、過飽和固溶状態にあるＦｅＣｏＮｉＢ膜が加熱処理によって相分離を生じても強磁性粒サイズが過大とならないことが解る。Ｂ含有率が約２５atom.％以上では、加熱処理前（実線１９Ａ）と加熱処理後（実線１９Ｂ）とで、ＦｅＣｏＮｉＢ膜における強磁性粒子サイズに大きな変化はない。Ｂ含有率が約２５atom.％以上では、加熱処理によりＦｅＣｏＮｉＢ膜にてスピノーダル分解が生じ強磁性相が形成されても、有意な割合の非磁性相が共存するので、非磁性相によって強磁性相が囲まれて強磁性相どうしの結合が妨げられ、強磁性粒サイズは抑制される。Ｂ含有率が約２５atom.％以下では、Ｂ含有率が小さいほど、非磁性相によって強磁性相が囲まれる状態に至りにくくなり（即ち、非磁性相は孤立的に存在する傾向が増大し）、強磁性粒は成長しやすくなる。
【０１２０】
非磁性材料としてＢに代えてＣを採用した場合においても、加熱処理前後の飽和磁化、保磁力、および強磁性粒サイズについて、図１７〜図１９に示す結果と同様の結果が得られた。
【０１２１】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【０１２２】
（付記１）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して非一様にエネルギを付与することにより、当該非磁性膜から、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と非磁性部とを有する記録層を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記２）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、凸部を有するスタンパにおける当該凸部を当接させる工程と、
前記スタンパの前記凸部を介して前記非磁性膜を加熱することにより、前記非磁性膜における当該加熱箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記３）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、収束ビームを照射することにより、前記非磁性膜における当該照射箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記４）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、開口部を有するマスクを介してレーザ光またはＸ線を照射することにより、前記非磁性膜における当該照射箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記５）前記マスクは、前記非磁性膜に密着して配置される、付記４に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記６）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して圧痕を形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜内に、前記圧痕を起点として、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記７）基材の表面の部分領域に微細凹凸を形成する工程と、
前記基材上に、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜における前記基材表面の微細凹凸領域上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記８）基材上に、当該基材表面とは異なる表面エネルギを有する薄膜パターンを形成する工程と、
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を、前記薄膜パターンを覆うように前記基材上に形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜における前記薄膜パターン上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記９）基材上に、低融点材料からなる薄膜パターンを形成する工程と、
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を、前記薄膜パターンを覆うように前記基材上に形成する工程と、
加熱により、前記薄膜パターンを溶融しつつ、前記非磁性膜における前記薄膜パターンに対応する位置にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記１０）連続膜体である記録層を備え、
前記記録層は、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性部とを有する、磁気記録媒体。
（付記１１）前記非磁性材料は、Ｂおよび／またはＣである、付記１から１０のいずれか一つに記載の磁気記録媒体製造方法または磁気記録媒体。
（付記１２）前記強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、またはＮｉを含む、付記１から１１のいずれか一つに記載の磁気記録媒体製造方法または磁気記録媒体。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るに磁気ディスクの平面図である。
【図２】図１に示す磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図３】図１に示す磁気ディスクにおける記録層の部分拡大平面図である。
【図４】図１に示す磁気ディスクの第１の製造方法を表す。
【図５】図１に示す磁気ディスクの第２の製造方法を表す。
【図６】図１に示す磁気ディスクの第３の製造方法を表す。
【図７】図１に示す磁気ディスクの第４の製造方法を表す。
【図８】図１に示す磁気ディスクの第５の製造方法における一部の工程を表す。
【図９】図８の後に続く工程を表す。
【図１０】図１に示す磁気ディスクの第６の製造方法を表す。
【図１１】図１に示す磁気ディスクの第７の製造方法を表す。
【図１２】図１に示す磁気ディスクの第８の製造方法を表す。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスクの部分断面図である。
【図１４】図１３に示す磁気ディスクの第１の製造方法を表す。
【図１５】図１３に示す磁気ディスクの第２の製造方法を表す。
【図１６】図１３に示す磁気ディスクの第３の製造方法を表す。
【図１７】サンプル膜体における飽和磁化のＢ含有率依存性を表す。
【図１８】サンプル膜体における保磁力のＢ含有率依存性を表す。
【図１９】サンプル膜体における強磁性粒サイズのＢ含有率依存性を表す。
【図２０】ディスクリートトラックメディアである従来の磁気ディスクの平面図である。
【図２１】図２０に示す磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図２２】図２０に示す磁気ディスクの製造方法における一部の工程を表す。
【図２３】図２２の後に続く工程を表す。
【符号の説明】
【０１２４】
Ｘ１，Ｘ２，４０ 磁気ディスク
１１，４１ ディスク基板
１２，３０，４２ 記録層
１２’，３０’ プレ記録層
１２Ａ，３１，４２Ａ 記録磁性部
１２Ｂ，３１ｂ，３２，４２Ｂ 非磁性部
１２ａ 強磁性相
１２ｂ 非磁性相
１３ 軟磁性層
１３ａ，１３ｂ 微細凹凸領域
１４，４３ 保護層
１５，４４ 記録面
２１，２６ スタンパ
２２ 収束ビーム
２３，２５ マスク
２４ 光
２７，２８ 薄膜パターン
３１ａ グラニュラ構造部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気記録媒体を製造するための方法、および、そのような磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクなどの記憶装置を構成するための記録媒体として、磁気ディスク（磁気記録媒体）が知られている。磁気ディスクは、ディスク基板と所定の磁性構造を有する記録層とを含む積層構造を有する。コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、磁気ディスクについては高記録密度化の要求が高まっている。
【０００３】
磁気ディスクへの情報記録に際しては、磁気ディスクの記録面に対して記録用の磁気ヘッドが近接配置（浮上配置）され、当該磁気ヘッドにより、記録層に対し、その保磁力より強い記録磁界が印加される。磁気ディスクに対して磁気ヘッドを相対移動させつつ磁気ヘッドからの記録磁界の向きを順次反転させることにより、記録層の情報トラックにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、記録磁界方向を反転させるタイミングが制御されることにより、各々に所定の長さで記録マークが形成される。このようにして、記録層において、磁化方向の変化として所定の信号ないし情報が記録される。
【０００４】
また、磁気ディスクの技術分野においては、高記録密度化を図るのに好ましい媒体として、いわゆるディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）など、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する磁気ディスクが知られている。このような磁気ディスクについては、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−７１４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６１１５号公報
【特許文献３】特開２００５−２９３７３０号公報
【０００６】
図２０および図２１は、ＤＴＭである従来の磁気ディスク４０を表す。図２０は、磁気ディスク４０の平面図であり、図２１は、磁気ディスク４０のディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【０００７】
磁気ディスク４０は、ディスク基板４１、記録層４２、および保護層４３（図２０では図示略）からなる積層構造を有する。記録層４２は、複数の記録磁性部４２Ａと複数の非磁性部４２Ｂとからなる。記録磁性部４２Ａは、図２０にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスク４０の回転軸心Ａ’を共通中心としてディスク基板４１上にて同心円状に配置され、情報トラックを構成する。また、記録磁性部４２Ａは所定の磁性材料よりなる。一方、非磁性部４２Ｂは、所定の非磁性材料よりなり、記録磁性部４２Ａ間に介在する。保護層４３の露出面は磁気ディスク４０の記録面４４をなす。
【０００８】
このような磁気ディスク４０への情報記録時には、磁気ディスク４０の記録面４４に対して記録用の磁気ヘッドが浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層４２の一の記録磁性部４２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。
【０００９】
図２２および図２３は、従来の磁気ディスク４０の製造方法を表す。磁気ディスク４０の製造においては、まず、図２２（ａ）に示すように、ディスク基板４１上に磁性膜４２Ａ’が形成される。次に、図２２（ｂ）に示すように、磁性膜４２Ａ’上にフォトレジスト膜５１が形成される。次に、図２２（ｃ）に示すように、リソグラフィ法により、フォトレジスト膜５１からレジストパターン５２が形成される。レジストパターン５２は、上述の非磁性部４２Ｂのパターン形状に対応する開口部５２ａを有する。当該リソグラフィ法においては、具体的には、所定装置によって所定パターン（潜像）がフォトレジスト膜５１に露光形成された後、当該フォトレジスト膜５１に現像処理が施される。このようにして、磁性膜４２Ａ’上にレジストパターン５２が形成される。この後、図２２（ｄ）に示すように、レジストパターン５２がマスクとして利用されて、磁性膜４２Ａ’に対して所定のエッチングが施され、上述の記録磁性部４２Ａがパターン形成される。
【００１０】
磁気ディスク４０の製造においては、次に、図２３（ａ）に示すようにレジストパターン５２が除去される。次に、図２３（ｂ）に示すように非磁性材料４２Ｂ’が堆積される。具体的には、スパッタリング法により、記録磁性部４２Ａ間の隙間および記録磁性部４２Ａ上に非磁性材料４２Ｂ’が堆積される。次に、図２３（ｃ）に示すように、堆積された非磁性材料４２Ｂ’において記録磁性部４２Ａ間の隙間にない過剰部分を、例えば機械的研磨により除去する。本工程により、非磁性部４２Ｂが形成され、記録層４２が形成されることとなる。この後、図２３（ｄ）に示すように、記録層４２上に保護層４３が形成される。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部４２Ａを記録層４２内に有する磁気ディスク４０が製造される。
【００１１】
本方法によると、記録面４４において充分な平坦性を得ることが困難である。本方法では、図２２（ｄ）を参照して上述したように、磁性膜４２Ａ’に対するエッチングにより記録磁性部４２Ａがパターン形成された後、図２３（ｂ）に示すように、記録磁性部４２Ａ間の隙間を充填すべく非磁性材料４２Ｂ’が堆積され、そして、図２３（ｃ）に示すように、非磁性材料４２Ｂ’における過剰部分が除去されて記録層４２が形成される。このよう過程を経て形成される非連続膜体である記録層４２の図中上面については、充分な平坦性を得ることが困難であり、従って、記録層４２の表面平坦性が反映される記録面４４において充分な平坦性を得ることは困難なのである。
【００１２】
一般に、磁気ディスクないしその記録層における面内記録密度が大きいほど、情報記録再生時に磁気ディスクに対して浮上配置される磁気ヘッドについては、より小さな浮上量（磁気ヘッドと記録面の間の距離）が要求される傾向にあるところ、小さな浮上量にて磁気ヘッドが適切に動作するためには、磁気ディスクの記録面は充分に平坦でなければならない。要求される浮上量が小さいほど（即ち、磁気ディスクの面内記録密度か大きいほど）、記録面に求められる平坦性は高くなる傾向にある。
【００１３】
しかしながら、上述の従来の方法によると、記録層４２ないし記録面４４において充分な平坦性を得ることは困難である。このような方法により得られる磁気ディスク４０は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましくなく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましくない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであり、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適した方法、および、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ高い記録面平坦性を実現するのに適した磁気記録媒体を、提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して非一様にエネルギを付与することにより、当該非磁性膜から、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と非磁性部とを有する記録層を形成する工程を含む。
【００１６】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態は、熱力学的に準安定状態にあるので、所定の刺激に誘発されて、より安定な状態（例えば、真の平衡状態）に至るまで、当該強磁性材料を主成分とする強磁性相と当該非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離（スピノーダル分解）し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を生じ得る。本発明においては、この現象を磁気記録媒体の記録層の形成に利用して、記録層内の記録磁性部をパターン形成する。具体的には、本発明では、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して非一様にエネルギを付与して当該過飽和固溶非磁性膜における所定領域に刺激を与えることによって、当該過飽和固溶非磁性膜にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造の領域を生じさせ、実質的に記録磁性部をパターン形成し、従って、そのような所定パターンを有する記録磁性部を含む記録層を形成する。強磁性グラニュラ構造領域については、各強磁性グラニュラ構造領域が一の記録磁性部を構成するように、或は、複数の強磁性グラニュラ構造領域が一の記録磁性部を構成するように、所定のパターンで生じさせる。
【００１７】
また、本方法においては、そのような記録層を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層の表面平坦性が反映される記録面において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００１８】
以上のように、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法は、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに、適するのである。記録面の平坦性の高い磁気記録媒体は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００１９】
本発明の第２の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、凸部を有するスタンパにおける当該凸部を当接させる工程（第１の工程）と、スタンパの凸部を介して非磁性膜を加熱することにより、非磁性膜における当該加熱箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程（第２の工程）とを含む。本方法においては、第１の工程と第２の工程とを順次行ってもよいし、同時に行ってもよい。
【００２０】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。発熱体（スタンパ）の接触による局所的な加熱は、過飽和固溶非磁性膜に対する非一様なエネルギ付与手法として効果的である。
【００２１】
本発明の第３の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、収束ビームを照射することにより、非磁性膜における当該照射箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程を含む。収束ビームには、収束された電子線や、収束されたレーザ光線が含まれる。
【００２２】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。収束ビームの局所的な照射ないしそれによる局所的な加熱は、過飽和固溶非磁性膜に対する非一様なエネルギ付与手法として効果的である。
【００２３】
本発明の第４の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、開口部を有するマスクを介してレーザ光またはＸ線を照射することにより、非磁性膜における当該照射箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程を含む。
【００２４】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。マスクを介してのレーザ光またはＸ線の照射ないしそれによる局所的な加熱は、過飽和固溶非磁性膜に対する非一様なエネルギ付与手法として効果的である。
【００２５】
好ましくは、マスクは、過飽和固溶非磁性膜に密着して配置される。このような構成によると、当該マスクにおける過飽和固溶非磁性膜側にて生ずる近接場光も、過飽和固溶非磁性膜に対する付与エネルギとして利用することができる場合がある。近接場光の利用は、レーザ光またはＸ線の照射出力を低減するうえで好ましい。
【００２６】
本発明の第５の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して圧痕を形成する工程と、加熱により、非磁性膜内に、当該圧痕を起点として、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む。圧痕は、所定の突起部の圧入により過飽和固溶非磁性膜に形成されるものである。
【００２７】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。所定の突起部の圧入により過飽和固溶非磁性膜に形成される圧痕は、所定の温度条件下の過飽和固溶非磁性膜において、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離することを誘発する起点として機能し得る。
【００２８】
本発明の第６の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材の表面の部分領域に微細凹凸を形成する工程と、基材上に、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を形成する工程と、加熱により、非磁性膜における基材表面の微細凹凸領域上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む。
【００２９】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。過飽和固溶非磁性膜に接する微細凹凸は、所定の温度条件下の過飽和固溶非磁性膜において、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離することを誘発する起点として機能し得る。
【００３０】
本発明の第７の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材上に、当該基材表面とは異なる表面エネルギを有する薄膜パターンを形成する工程と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を、薄膜パターンを覆うように基材上に形成する工程と、加熱により、非磁性膜における薄膜パターン上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む。
【００３１】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。基材表面とは異なる表面エネルギを有して過飽和固溶非磁性膜に接する薄膜パターンは、所定の温度条件下の過飽和固溶非磁性膜において、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離することを誘発する起点として機能する場合がある。
【００３２】
本発明の第８の側面によると磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材上に、低融点材料からなる薄膜パターンを形成する工程と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を、薄膜パターンを覆うように基材上に形成する工程と、加熱により、薄膜パターンを溶融しつつ、非磁性膜における薄膜パターンに対応する位置にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む。
【００３３】
本方法は、本発明の第１の側面に係る磁気記録媒体製造方法を実質的に含む。したがって、本方法も、本発明の第１の側面に係る方法と同様に、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有し且つ記録面の平坦性の高い磁気記録媒体を製造するのに適する。基材や過飽和固溶非磁性膜より低融点の材料よりなり且つ過飽和固溶非磁性膜に接する薄膜パターンは、所定の温度条件下の過飽和固溶非磁性膜において、強磁性材料を主成分とする強磁性相と非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離することを誘発する起点として機能する場合がある。
【００３４】
本発明の第９の側面によると磁気記録媒体が提供される。この磁気記録媒体は、連続膜体である記録層を備える。記録層は、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性部とを有する。
【００３５】
本磁気記録媒体は、本発明の第１から第８の側面に係るいずれの磁気記録媒体製造方法によっても製造することができる。本磁気記録媒体の製造過程においては、本発明の第１の側面に関して上述した技術的利益を享受することが可能であり、従って、所定パターンの記録磁性部を記録層内に有する本磁気記録媒体は、高い記録面平坦性を実現するのに適している。
【００３６】
本発明の第１から第９の側面において、好ましくは、非磁性材料は、Ｂおよび／またはＣである。また、好ましくは、強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、またはＮｉを含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。本発明では、過飽和固溶非磁性膜が侵入型固溶体である場合、強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から過剰な非磁性材料が掃き出され、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離することとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
図１および図２は、本発明の第１の実施形態に係る磁気ディスクＸ１を表す。図１は、磁気ディスクＸ１の平面図であり、図２は、図１の磁気ディスクＸ１のディスク径方向に沿った部分拡大断面図である。
【００３８】
磁気ディスクＸ１は、ディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、および保護層１４（図１では図示略）を含む積層構造を有し、ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）として構成されたものである。
【００３９】
ディスク基板１１は、主に、磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、アルミニウム合金、ガラス、または樹脂よりなる。
【００４０】
記録層１２は、図２に示すように、複数の記録磁性部１２Ａおよび複数の非磁性部１２Ｂを有する。記録磁性部１２Ａは、図１にて一部を模式的に太線で示すように磁気ディスクＸ１の回転軸心Ａを共通中心として同心円状に配置され、情報トラックを構成する。また、記録磁性部１２Ａは、垂直磁気異方性の強磁性グラニュラ構造を有する。具体的には、記録磁性部１２Ａは、図３に示すように、柱状で垂直磁気異方性を有する強磁性グラニュラ粒子としての強磁性相１２ａと、当該強磁性グラニュラ粒子間に介在し且つ実質的に磁性を有しない（即ち、少なくとも強磁性相１２ａに比して充分に磁化の小さい）非磁性相１２ｂとからなる（図３は、磁気ディスクＸ１において保護層１４を省略して表した、記録層１２の部分拡大平面図である）。強磁性相１２ａは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉからなる群より選択される強磁性の単体金属、または、当該金属を含んでなる強磁性合金を、主成分として含む。非磁性相１２ｂは、Ｂおよび／またはＣである非磁性材料を主成分として含む。
【００４１】
非磁性部１２Ｂは、記録磁性部１２Ａ間に介在して実質的に磁性を有しない（即ち、少なくとも記録磁性部１２Ａないし強磁性相１２ａに比して充分に磁化の小さい）部位である。また、非磁性部１２Ｂは、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある。当該強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む。当該非磁性材料は、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。非磁性部１２Ｂは、このような侵入型固溶状態にあり、且つ、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にあるのである。
【００４２】
以上のような記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂからなる記録層１２は、連続膜体である。また、記録層１２の厚さは例えば５〜５０ｎｍであり、記録磁性部１２Ａの幅は例えば１０〜１００ｎｍであり、非磁性部１２Ｂの幅は例えば１０〜１００ｎｍである。
【００４３】
軟磁性層１３は、記録時等に稼働する磁気ヘッドからの磁束を再び当該磁気ヘッドに還流させる磁路を磁気ディスクＸ１内に効率よく形成するためのものであり、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有するとともに小さな保磁力を有する軟磁性材料よりなる。軟磁性層１３を構成するための軟磁性材料としては、例えば、ＦｅＣ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＣ、およびＦｅＣｏ−ＡｌＯが挙げられる。軟磁性層１３の厚さは例えば５０〜１０００ｎｍである。
【００４４】
保護層１４は、記録層１２や軟磁性層１３などを外界から物理的および化学的に保護するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはダイアモンドライクカーボンよりなる。保護層１４の露出面は磁気ディスクＸ１の記録面１５をなす。
【００４５】
以上のようなディスク基板１１、記録層１２、軟磁性層１３、および保護層１４を含む磁気ディスクＸ１の構造中には、必要に応じて他の層や要素が含まれてもよい。
【００４６】
このような磁気ディスクＸ１の情報記録時には、磁気ディスクＸ１の記録面１５に対して記録用の磁気ヘッド（図示略）が浮上配置され、当該磁気ヘッドによる記録磁界の印加によって、記録層１２の一の記録磁性部１２Ａにて、磁化方向が順次反転する複数の記録マーク（磁区）がディスク周方向に連なって形成される。このとき、情報記録進行中であって磁界が順次印加される記録磁性部１２Ａと、これの隣りの記録磁性部１２Ａとが、非磁性部１２Ｂにより分断されているため、当該隣りの記録磁性部１２Ａの記録マークが消失ないし劣化するというクロスライト現象が抑制される。クロスライト現象が抑制される磁気ディスクは、トラックの狭ピッチ化ないし高記録密度化を図るうえで、好ましい。
【００４７】
図４は、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法を表す。本方法においては、まず、図４（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３の形成においては、例えばスパッタリング法により、ディスク基板１１上に上述の軟磁性材料を成膜する。プレ記録層１２’は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜である。当該強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む。当該非磁性材料は、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。プレ記録層１２’は、このような侵入型固溶状態にあり、且つ、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にあるのである。プレ記録層１２’の形成においては、例えばスパッタリング法により、そのような状態となる組成比で、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料と、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む非磁性材料とを、堆積成長させる。プレ記録層１２’における強磁性材料の組成比は、好ましくは４５〜７０atom.％である。非磁性材料の組成比は、好ましくは３０〜５５atom.％であり、より好ましくは３５〜５０atom.％である。
【００４８】
本方法においては、次に、図４（ｂ）に示すように、スタンパ２１をプレ記録層１２’に押し当てる。スタンパ２１は、凸部２１ａを有し、例えばＮｉやＮｉ合金よりなる。凸部２１ａは、上述の記録磁性部１２Ａに対応するパターン形状を有する。また、スタンパ２１は、図外の発熱機構から熱が伝わるように当該発熱機構と連結されている。本工程では、スタンパ２１の凸部２１ａの先端を、位置合わせしつつ、プレ記録層１２’に対して当接させる。
【００４９】
次に、図外の発熱機構を駆動して、図４（ｃ）に示すように、スタンパ２１の凸部２１ａを介してプレ記録層１２’を加熱し、当該加熱箇所にて記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。
【００５０】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態は、熱力学的に準安定状態にあるので、所定の刺激に誘発されて、より安定な状態（例えば、真の平衡状態）に至るまで、当該強磁性材料を主成分とする強磁性相と当該非磁性材料を主成分とする非磁性相とが相分離（スピノーダル分解）し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を生じ得る。本工程においては、この現象を利用して、記録磁性部１２Ａをパターン形成する。
【００５１】
具体的には、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）においてスタンパ２１により加熱される箇所では、スタンパ２１からの熱エネルギに誘発されて、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００５２】
本方法においては、次に、スタンパ２１を記録層１２から離した後、図４（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成においては、例えばスパッタリング法により、保護層１４に関して上述した構成材料を記録層１２上に成膜する。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００５３】
本方法においては、図４（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図４（ａ）を参照して上述したように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００５４】
以上のように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１は、磁気ヘッドの低浮上量化を図るうえで好ましく、従って、高記録密度化を図るうえで好ましい。
【００５５】
本方法においては、図４（ｂ）を参照して上述した工程と図４（ｃ）を参照して上述した工程とを順次行うのに代えて、予め所定温度に昇温したスタンパ２１を図４（ｃ）に示すようにプレ記録層１２’に押し当てることにより、記録層１２を形成してもよい。
【００５６】
図５は、磁気ディスクＸ１の第２の製造方法を表す。本方法においては、まず、図５（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００５７】
次に、図５（ｂ）に示すように、プレ記録層１２’において記録磁性部１２Ａを形成すべき箇所に収束ビーム２２を照射し、これにより、プレ記録層１２’における当該照射箇所にて記録磁性部１２Ａを形成する。収束ビーム２２は、例えば、収束された電子線や、収束されたレーザ光線である。収束ビーム２２のビーム径は例えば１０〜１００ｎｍである。照射時間は例えば０.１〜１０秒である。
【００５８】
プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）において収束ビーム２２が照射される箇所では、当該局所的な照射ないしそれによる局所的な加熱に誘発されて、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００５９】
本方法においては、次に、図５（ｃ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００６０】
本方法においては、図５（ｂ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図５（ａ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００６１】
図６は、磁気ディスクＸ１の第３の製造方法を表す。本方法においては、まず、図６（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００６２】
次に、図６（ｂ）に示すように、マスク２３を、位置合わせしつつ、プレ記録層１２’に対して対向配置する。マスク２３は、上述の記録磁性部１２Ａのパターン形状に対応する開口部２３ａを有し、次の照射工程にて用いられる光（電磁波）２４を充分に遮断する材料よりなる。マスク２３の構成材料としは、例えばＣｒ合金やＨｆ合金を採用することができる。
【００６３】
次に、図６（ｃ）に示すように、マスク２３を介してプレ記録層１２’に対して光（電磁波）２４を照射することにより、プレ記録層１２’における当該照射箇所にて記録磁性部１２Ａを形成する。光２４は、例えばレーザ光線やＸ線であり、照射時間は例えば１〜６０秒である。
【００６４】
プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）において光２４が照射される箇所では、当該局所的な照射およびそれによる局所的な加熱に誘発されて、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００６５】
本方法においては、次に、図６（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００６６】
本方法においては、図６（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図６（ａ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。
【００６７】
図７は、磁気ディスクＸ１の第４の製造方法を表す。本方法においては、まず、図７（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００６８】
次に、図７（ｂ）に示すように、プレ記録層１２’上にマスク２５を形成する。マスク２５は、上述の記録磁性部１２Ａのパターン形状に対応する開口部２５ａを有する。マスク２５の形成においては、例えば、スパッタリング法により所定の金属材料をプレ記録層１２’上に成膜した後、当該金属膜をリソグラフィ法によりパターニングする。マスク２５の厚さは例えば５〜５０ｎｍである。マスク２５は、次の照射工程にて用いられる光（電磁波）２４を充分に遮断する材料よりなる。マスク２５の構成材料としは、例えばＣｒ合金やＨｆ合金を採用することができる。
【００６９】
次に、図７（ｃ）に示すように、マスク２５を介してプレ記録層１２’に対して光（電磁波）２４を照射することにより、プレ記録層１２’における当該照射箇所にて記録磁性部１２Ａを形成する。光２４は、例えばレーザ光線やＸ線であり、照射時間は例えば１〜６０秒である。
【００７０】
プレ記録層１２’上に密着形成されているマスク２５を介して光２４をプレ記録層１２’に照射すると、マスク２５におけるプレ記録層１２’側にて近接場光が生じ、当該近接場光も、プレ記録層１２’に対する付与エネルギとして利用することができる。近接場光の利用は、光２４の照射出力を低減するうえで好ましい。また、近接場光を利用すると、使用光の波長以下（即ち、使用光の回折限界以下）のサイズの微小露光が可能となることから、微細なパターンを形成しやすい。
【００７１】
プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）において光２４およびそれに由来する近接場光が照射される箇所では、当該局所的な照射およびそれによる局所的な加熱に誘発されて、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程では、このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００７２】
本方法においては、次に、図７（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００７３】
本方法においては、図７（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図７（ａ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００７４】
図８および図９は、磁気ディスクＸ１の第５の製造方法を表す。本方法においては、まず、図８（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３およびプレ記録層１２’を順次形成する。軟磁性層１３およびプレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００７５】
次に、図８（ｂ）および図８（ｃ）に示すように、プレ記録層１２’において上述の記録磁性部１２Ａを形成すべき箇所内に、スタンパ２６を使用して圧痕１２’’を形成する。スタンパ２６は突部２６ａを有し、本工程では、当該突部２６ａをプレ記録層１２’に部分的に圧入する。
【００７６】
次に、図９（ａ）に示すように、プレ記録層１２’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、圧痕１２’’が起点となって相分離が誘発される。具体的には、起点たる圧痕１２’’の近傍では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる（相分離の生ずる領域についての例えば図９（ａ）に示す幅は、圧痕１２’’を形成する際にプレ記録層１２’表面に加える負荷や、圧痕１２’’の深さや幅を調整することによって、制御することが可能である）。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。この後、図９（ｂ）に示すように、プレ記録層１２’を機械的に研磨する。このようにして、プレ記録層１２’から、記録磁性部１２Ａおよび非磁性部１２Ｂを含む連続膜体としての記録層１２が形成される。
【００７７】
本方法においては、次に、図９（ｃ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００７８】
本方法においては、図９（ａ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図８（ａ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００７９】
図１０は、磁気ディスクＸ１の第６の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１０（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３の表面に微細凹凸領域１３ａを形成する。軟磁性層１３の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。微細凹凸領域１３ａは、上述の記録磁性部１２Ａに対応するパターン形状を有し、微細凹凸領域１３ａの表面粗さは例えば０.５〜２ｎｍである。このような微細凹凸領域１３ａは、例えば、所定のマスクを軟磁性層１３上に設けたうえで当該軟磁性層１３にドライエッチング処理を施すことにより、形成することができる。
【００８０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にプレ記録層１２’を形成する。プレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００８１】
次に、図１０（ｃ）に示すように、プレ記録層１２’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、軟磁性層１３表面の微細凹凸領域１３ａの微細凹凸形状が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層１２’における微細凹凸領域１３ａ上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。
【００８２】
本方法においては、次に、図１０（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００８３】
本方法においては、図１０（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図１０（ｂ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００８４】
図１１は、磁気ディスクＸ１の第７の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１１（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３上に薄膜パターン２７を形成する。軟磁性層１３の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。薄膜パターン２７は、上述の記録磁性部１２Ａに対応するパターン形状を有し、軟磁性層１３表面とは異なる表面エネルギを有する。そのような薄膜パターン２７は、例えばＳｉＮやＳｉＯ2よりなる。薄膜パターン２７の厚さは例えば０.５〜２ｎｍである。薄膜パターン２７の形成においては、まず、薄膜パターン２７について上述した構成材料を軟磁性層１３上に成膜する。次に、所定のマスクを使用して行うエッチングにより、当該材料膜をパターニングする。
【００８５】
本方法においては、次に、図１１（ｂ）に示すように、薄膜パターン２７を覆うようにして軟磁性層１３上にプレ記録層１２’を形成する。プレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００８６】
次に、図１１（ｃ）に示すように、プレ記録層１２’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、軟磁性層１３表面とは表面エネルギの異なる薄膜パターン２７が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層１２’における薄膜パターン２７上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。
【００８７】
本方法においては、次に、図１１（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００８８】
本方法においては、図１１（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図１１（ｂ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００８９】
図１２は、磁気ディスクＸ１の第８の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１２（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３上に薄膜パターン２８を形成する。軟磁性層１３の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。薄膜パターン２８は、上述の記録磁性部１２Ａに対応するパターン形状を有し、次の加熱工程における加熱温度にて溶融可能な低融点材料よりなる。そのような薄膜パターン２８は、例えばＳｎ、Ｉｎ、Ａｇよりなる。薄膜パターン２８の厚さは例えば０.５〜２ｎｍである。薄膜パターン２８の形成においては、まず、薄膜パターン２８について上述した構成材料を軟磁性層１３上に成膜する。次に、所定のマスクを使用して行うエッチングにより、当該材料膜をパターニングする。
【００９０】
本方法においては、次に、図１２（ｂ）に示すように、薄膜パターン２８を覆うようにして軟磁性層１３上にプレ記録層１２’を形成する。プレ記録層１２’の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。
【００９１】
次に、図１２（ｃ）に示すように、プレ記録層１２’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部１２Ａを形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程では、このような加熱温度にて、薄膜パターン２８が溶融され、プレ記録層１２’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、溶融状態にある薄膜パターン２８が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層１２’における薄膜パターン２８上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、図３に示すように強磁性相１２ａと非磁性相１２ｂとが相分離し、強磁性相１２ａおよび非磁性相１２ｂが混在する強磁性グラニュラ構造の記録磁性部１２Ａが生じる。プレ記録層１２’にて記録磁性部１２Ａが形成されない箇所は、非磁性部１２Ｂを構成することとなる。本工程を経ると、薄膜パターン２８の全部または一部が記録層１２内に拡散して事実上消失する場合がある。
【００９２】
本方法においては、次に、図１２（ｄ）に示すように、記録層１２上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有する磁気ディスクＸ１を製造することができる。
【００９３】
本方法においては、図１２（ｃ）を参照して上述したように、記録層１２内に記録磁性部１２Ａをパターン形成することができる。また、本方法においては、図１２（ｂ）に示すように、記録層１２を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層１２’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層１２の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部１２Ａを記録層１２内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ１を製造するのに、適する。
【００９４】
図１３は、本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスクＸ２のディスク径方向に沿った部分断面図である。磁気ディスクＸ２は、ディスク基板１１、記録層３０、軟磁性層１３、および保護層１４を含む積層構造を有し、ＤＴＭとして構成されたものである。磁気ディスクＸ２は、記録層１２に代えて記録層３０を有する点において、磁気ディスクＸ１と異なる。
【００９５】
記録層３０は、複数の記録磁性部３１および複数の非磁性部３２を有する。記録磁性部３１は、磁気ディスクＸ１における記録磁性部１２Ａが同心円状に配置されて情報トラックを構成するのと同様に、磁気ディスクＸ２の回転軸心を共通中心として同心円状に配置されて情報トラックを構成する。また、各記録磁性部３１は、複数のグラニュラ構造部３１ａおよび非磁性部３１ｂからなる。グラニュラ構造部３１ａは、各々、ディスク周方向に延び、垂直磁気異方性の強磁性グラニュラ構造を有する。具体的には、グラニュラ構造部３１ａは、図３に示す記録磁性部１２Ａと同様に、柱状で垂直磁気異方性を有する強磁性グラニュラ粒子としての強磁性相と、当該強磁性グラニュラ粒子間に介在し且つ実質的に磁性を有しない（即ち、少なくとも強磁性相に比して充分に磁化の小さい）非磁性相とからなる。強磁性相は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉからなる群より選択される強磁性の単体金属または強磁性合金を主成分として含む。非磁性相は、Ｂおよび／Ｃである非磁性材料を主成分として含む。
【００９６】
非磁性部３１ｂは、グラニュラ構造部３１ａ間に介在して実質的に磁性を有しない（即ち、少なくともグラニュラ構造部３１ａないしその強磁性相に比して充分に磁化の小さい）部位である。また、非磁性部３１ｂは、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある。当該強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む。当該非磁性材料は、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む。ＢおよびＣは、原子半径が比較的小さく、原子半径の比較的大きなＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどとは、これらがなす結晶構造における格子点の隙間に侵入して侵入型の固溶体を構成することができる。非磁性部３１ｂは、このような侵入型固溶状態にあり、且つ、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にあるのである。
【００９７】
非磁性部３２は、記録磁性部３１間に介在して実質的に磁性を有しない（即ち、少なくとも記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａないしその強磁性相に比して充分に磁化の小さい）部位である。また、非磁性部３２は、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある。非磁性部３２は、具体的には、非磁性部３１ｂと同様の組成を有する。
【００９８】
以上のような記録磁性部３１および非磁性部３２からなる記録層３０は、連続膜体である。また、記録層３０の厚さは例えば５〜５０ｎｍであり、記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａの幅は例えば５〜２０ｎｍであり、非磁性部３１ｂの幅は例えば５〜２０ｎｍであり、非磁性部３２の幅は例えば１０〜１００ｎｍである。
【００９９】
図１４は、磁気ディスクＸ２の第１の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１４（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、当該軟磁性層１３の表面に微細凹凸領域１３ｂを形成する。軟磁性層１３の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。各微細凹凸領域１３ｂは、上述の記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａに対応するパターン形状を有し、微細凹凸領域１３ｂの表面粗さは例えば０.５〜２ｎｍである。このような微細凹凸領域１３ｂは、例えば、所定のマスクを軟磁性層１３上に設けたうえで当該軟磁性層１３にドライエッチング処理を施すことにより、形成することができる。
【０１００】
次に、図１４（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にプレ記録層３０’を形成する。プレ記録層３０’の形成手法は、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したプレ記録層１２’の形成手法と同様である。
【０１０１】
次に、図１４（ｃ）に示すように、プレ記録層３０’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部３１を形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層３０’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、軟磁性層１３表面の微細凹凸領域１３ｂの微細凹凸形状が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層３０’における微細凹凸領域１３ｂ上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造のグラニュラ構造部３１ａが生じる。プレ記録層３０’にてグラニュラ構造部３１ａが形成されない箇所は、非磁性部３１ｂ，３２を構成することとなる。
【０１０２】
本方法においては、次に、図１４（ｄ）に示すように、記録層３０上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有する磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【０１０３】
本方法においては、図１４（ｃ）を参照して上述したように、記録層３０内にグラニュラ構造部３１ａないし記録磁性部３１をパターン形成することができる。また、本方法においては、図１４（ｂ）に示すように、記録層３０を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層３０’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層３０の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ２を製造するのに、適する。
【０１０４】
図１５は、磁気ディスクＸ２の第２の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１５（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３上に薄膜パターン２７を形成する。軟磁性層１３の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。各薄膜パターン２７は、本実施形態では、上述の記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａに対応するパターン形状を有し、軟磁性層１３表面とは異なる表面エネルギを有する。そのような薄膜パターン２７の構成材料、厚さ、および形成手法については、磁気ディスクＸ１の第７の製造方法における薄膜パターン２７に関して上述したのと同様である。
【０１０５】
次に、図１５（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にプレ記録層３０’を形成する。プレ記録層３０’の形成手法は、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したプレ記録層１２’の形成手法と同様である。
【０１０６】
次に、図１５（ｃ）に示すように、プレ記録層３０’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部３１を形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程において、プレ記録層３０’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜）内では、軟磁性層１３表面とは表面エネルギの異なる薄膜パターン２７が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層３０’における薄膜パターン２７上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造のグラニュラ構造部３１ａが生じる。プレ記録層３０’にてグラニュラ構造部３１ａが形成されない箇所は、非磁性部３１ｂ，３２を構成することとなる。
【０１０７】
本方法においては、次に、図１５（ｄ）に示すように、記録層３０上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有する磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【０１０８】
本方法においては、図１５（ｃ）を参照して上述したように、記録層３０内にグラニュラ構造部３１ａないし記録磁性部３１をパターン形成することができる。また、本方法においては、図１５（ｂ）に示すように、記録層３０を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層３０’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層３０の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ２を製造するのに、適する。
【０１０９】
図１６は、磁気ディスクＸ２の第３の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１６（ａ）に示すように、ディスク基板１１上に軟磁性層１３を形成したうえで、軟磁性層１３上に薄膜パターン２８を形成する。軟磁性層１３の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。各薄膜パターン２８は、本実施形態では、上述の記録磁性部３１のグラニュラ構造部３１ａに対応するパターン形状を有し、次の加熱工程における加熱温度にて溶融する低融点材料よりなる。そのような薄膜パターン２８の構成材料、厚さ、および形成手法については、磁気ディスクＸ１の第８の製造方法における薄膜パターン２８に関して上述したのと同様である。
【０１１０】
次に、図１６（ｂ）に示すように、軟磁性層１３上にプレ記録層３０’を形成する。プレ記録層３０’の形成手法は、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したプレ記録層１２’の形成手法と同様である。
【０１１１】
次に、図１６（ｃ）に示すように、プレ記録層３０’の全体を一括的に加熱することによって記録磁性部３１を形成する。加熱温度は例えば１００〜３００℃である。本工程では、このような加熱温度にて、薄膜パターン２８が溶融され、プレ記録層３０’（強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶〔侵入型〕した状態にある非磁性膜）内では、溶融状態にある薄膜パターン２８が起点となって相分離が誘発される。具体的には、プレ記録層３０’における薄膜パターン２８上の部位では、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉを少なくとも一種類含む強磁性材料が形成する結晶構造（強磁性を示す）から、ＢおよびＣを少なくとも一種類含む過剰な非磁性材料が掃き出される。そして、非磁性材料を掃き出した強磁性材料どうしが凝集し且つ掃き出された非磁性材料どうしが凝集することにより、強磁性相と非磁性相とが相分離し、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造のグラニュラ構造部３１ａが生じる。プレ記録層３０’にてグラニュラ構造部３１ａが形成されない箇所は、非磁性部３１ｂ，３２を構成することとなる。本工程を経ると、薄膜パターン２８の全部または一部が記録層３０内に拡散して事実上消失する場合がある。
【０１１２】
本方法においては、次に、図１６（ｄ）に示すように、記録層３０上に保護層１４を形成する。保護層１４の形成手法については、磁気ディスクＸ１の第１の製造方法に関して上述したのと同様である。以上のようにして、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有する磁気ディスクＸ２を製造することができる。
【０１１３】
本方法においては、図１６（ｃ）を参照して上述したように、記録層３０内にグラニュラ構造部３１ａないし記録磁性部３１をパターン形成することができる。また、本方法においては、図１６（ｂ）に示すように、記録層３０を構成することとなる過飽和固溶非磁性膜たるプレ記録層３０’を、スパッタリング法などのいわゆる薄膜形成技術により連続膜体として形成することができる。薄膜形成技術により形成される連続膜体においては、上述の従来の磁気ディスク４０における記録層４２のような非連続膜体におけるよりも、小さな表面凹凸すなわち高い表面平坦性を、達成しやすい。したがって、本方法は、記録層３０の表面平坦性が反映される記録面１５において、充分な平坦性を得るのに適する。このように、本方法は、所定パターンの記録磁性部３１を記録層３０内に有し且つ記録面１５の平坦性の高い磁気ディスクＸ２を製造するのに、適する。
【実施例】
【０１１４】
固溶体膜である複数のＦｅＣｏＮｉＢ膜を、サンプル膜体として作製した。各サンプル膜体の作製においては、スパッタリング法により、所定組成比で厚さ５０ｎｍのＦｅＣｏＮｉＢ膜をガラス基板上に形成した。強磁性材料たるＦｅＣｏＮｉ内の組成比を全てのサンプル膜体において同一とし、固溶体膜における非磁性材料たるＢについて、サンプル膜体ごとに異なる含有率を設定した。具体的には、ＦｅＣｏＮｉ内の組成比をＦｅ65Ｃｏ30Ｎｉ5とし、その含有率を３０〜１００atom.％の範囲のいずれかとし、Ｂの含有率を０〜７０atom.％の範囲のいずれかとした。
【０１１５】
各サンプル膜体について、飽和磁化、保磁力、および強磁性粒サイズ（柱状グラニュラ粒子の径）を測定した。これらの結果を図１７〜図１９のグラフに表す。図１７のグラフでは、横軸にて固溶体膜のＢ含有率（atom.％）を表し、縦軸にて固溶体膜の飽和磁化（ｅｍｕ/ｃｃ）を表し、各サンプル膜体の測定に係るプロットを実線１７Ａで結ぶ。図１８のグラフでは、横軸にて固溶体膜のＢ含有率（atom.％）を表し、縦軸にて固溶体膜の保磁力（ｋＯｅ）を表し、各サンプル膜体の測定に係るプロットを実線１８Ａで結ぶ。図１９のグラフでは、横軸にて固溶体膜のＢ含有率（atom.％）を表し、縦軸にて固溶体膜内の強磁性粒サイズ（ｎｍ）を表し、各サンプル膜体の測定に係るプロットを実線１９Ａで結ぶ。
【０１１６】
各サンプル膜体について、１５０℃で６０秒間の加熱処理を施した後、飽和磁化、保磁力、および強磁性粒サイズ（柱状グラニュラ粒子の径）を測定した。これらの結果を図１７〜図１９のグラフに表す。図１７〜図１９のグラフでは、当該加熱処理後の各サンプル膜体の測定に係るプロットを破線１７Ｂ，１８Ｂ，１９Ｂで結ぶ。
【０１１７】
図１７のグラフからは、Ｂ含有率がおよそ３０〜５５atom.％の範囲にある場合に、加熱処理によってＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化が大きく変化することが解る。加熱処理前には（実線１７Ａ）、Ｂ含有率が０atom.％から約２５atom.％までの範囲では、ＦｅＣｏＮｉとＢとが侵入型固溶し、ＦｅＣｏＮｉが構成する強磁性結晶（格子）が保たれ、磁性原子どうしの磁気的相互作用がほとんど変化しないので、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は略一定である。Ｂ含有率２５atom.％あたりで、ＦｅＣｏＮｉＢ膜は過飽和状態に達し始めるので、ＦｅＣｏＮｉが構成する強磁性結晶（格子）の一部が壊れ始め、磁性原子どうしの磁気的相互作用が弱くなり始める。Ｂ含有率約２５atom.％から約３５atom.％にかけて、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は急峻に低下する。Ｂ含有率が約３５atom.％以上では、ＦｅＣｏＮｉが構成する強磁性結晶（格子）の大部分が壊れているので、磁性原子どうしの磁気的相互作用は極めて弱く、従って、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は極めて小さい。一方、加熱処理後には（破線１７Ｂ）、Ｂ含有率が０atom.％から約２５atom.％までの範囲では、加熱処理によって非磁性相が新たに形成されて、単位体積あたりに占める非磁性相の割合が増加するので、加熱処理前よりも飽和磁化は低下する。Ｂ含有率が０atom.％から約５０atom.％までの範囲では、純粋な強磁性相（大きな飽和磁化を有する相）の共存下において、Ｂ含有率が増加するほど、単位体積あたりに占める非磁性相の割合が徐々に増加するので、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は緩やかに低下する。ＦｅＣｏＮｉＢ膜においては、Ｂ含有率が約２５atom.％以上で過飽和固溶状態であるところ、Ｂ含有率が特に約２５atom.％以上の場合にＦｅＣｏＮｉＢ膜にて生ずる相分離は、主にスピノーダル分解であると考えられる。Ｂ含有率５０atom.％あたりで、非磁性相による飽和磁化の低減効果の方が、純粋な強磁性相による飽和磁化の低減を軽減する効果よりも相当程度に優勢となり（即ち、単位体積当たりに占める非磁性相の割合が過剰となり）、従って、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化は急峻に低下し始める。
【０１１８】
図１８のグラフからは、Ｂ含有率がおよそ１０〜５５atom.％の範囲にある場合に、加熱処理によってＦｅＣｏＮｉＢ膜の保磁力が大きく変化することが解る。飽和磁化よりも保磁力の方が構造に対して敏感な物性値であるところ、加熱処理前には（実線１８Ａ）、０atom.％からＢ含有率が増大するのに伴い、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の保磁力は急峻に低下する。一方、加熱処理後には（破線１８Ｂ）、純粋な強磁性相（大きな飽和磁化を有する相）が生じるので、Ｂ含有率が増加して単位体積あたりの非磁性相の割合が比例的に増加しても、ＦｅＣｏＮｉＢ膜の飽和磁化の低下は緩やかである。
【０１１９】
図１９のグラフからは、過飽和固溶状態にあるＦｅＣｏＮｉＢ膜が加熱処理によって相分離を生じても強磁性粒サイズが過大とならないことが解る。Ｂ含有率が約２５atom.％以上では、加熱処理前（実線１９Ａ）と加熱処理後（実線１９Ｂ）とで、ＦｅＣｏＮｉＢ膜における強磁性粒子サイズに大きな変化はない。Ｂ含有率が約２５atom.％以上では、加熱処理によりＦｅＣｏＮｉＢ膜にてスピノーダル分解が生じ強磁性相が形成されても、有意な割合の非磁性相が共存するので、非磁性相によって強磁性相が囲まれて強磁性相どうしの結合が妨げられ、強磁性粒サイズは抑制される。Ｂ含有率が約２５atom.％以下では、Ｂ含有率が小さいほど、非磁性相によって強磁性相が囲まれる状態に至りにくくなり（即ち、非磁性相は孤立的に存在する傾向が増大し）、強磁性粒は成長しやすくなる。
【０１２０】
非磁性材料としてＢに代えてＣを採用した場合においても、加熱処理前後の飽和磁化、保磁力、および強磁性粒サイズについて、図１７〜図１９に示す結果と同様の結果が得られた。
【０１２１】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【０１２２】
（付記１）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して非一様にエネルギを付与することにより、当該非磁性膜から、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と非磁性部とを有する記録層を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記２）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、凸部を有するスタンパにおける当該凸部を当接させる工程と、
前記スタンパの前記凸部を介して前記非磁性膜を加熱することにより、前記非磁性膜における当該加熱箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記３）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、収束ビームを照射することにより、前記非磁性膜における当該照射箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記４）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、開口部を有するマスクを介してレーザ光またはＸ線を照射することにより、前記非磁性膜における当該照射箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
（付記５）前記マスクは、前記非磁性膜に密着して配置される、付記４に記載の磁気記録媒体製造方法。
（付記６）強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して圧痕を形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜内に、前記圧痕を起点として、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記７）基材の表面の部分領域に微細凹凸を形成する工程と、
前記基材上に、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜における前記基材表面の微細凹凸領域上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記８）基材上に、当該基材表面とは異なる表面エネルギを有する薄膜パターンを形成する工程と、
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を、前記薄膜パターンを覆うように前記基材上に形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜における前記薄膜パターン上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記９）基材上に、低融点材料からなる薄膜パターンを形成する工程と、
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を、前記薄膜パターンを覆うように前記基材上に形成する工程と、
加熱により、前記薄膜パターンを溶融しつつ、前記非磁性膜における前記薄膜パターンに対応する位置にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
（付記１０）連続膜体である記録層を備え、
前記記録層は、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性部とを有する、磁気記録媒体。
（付記１１）前記非磁性材料は、Ｂおよび／またはＣである、付記１から１０のいずれか一つに記載の磁気記録媒体製造方法または磁気記録媒体。
（付記１２）前記強磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、またはＮｉを含む、付記１から１１のいずれか一つに記載の磁気記録媒体製造方法または磁気記録媒体。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るに磁気ディスクの平面図である。
【図２】図１に示す磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図３】図１に示す磁気ディスクにおける記録層の部分拡大平面図である。
【図４】図１に示す磁気ディスクの第１の製造方法を表す。
【図５】図１に示す磁気ディスクの第２の製造方法を表す。
【図６】図１に示す磁気ディスクの第３の製造方法を表す。
【図７】図１に示す磁気ディスクの第４の製造方法を表す。
【図８】図１に示す磁気ディスクの第５の製造方法における一部の工程を表す。
【図９】図８の後に続く工程を表す。
【図１０】図１に示す磁気ディスクの第６の製造方法を表す。
【図１１】図１に示す磁気ディスクの第７の製造方法を表す。
【図１２】図１に示す磁気ディスクの第８の製造方法を表す。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る磁気ディスクの部分断面図である。
【図１４】図１３に示す磁気ディスクの第１の製造方法を表す。
【図１５】図１３に示す磁気ディスクの第２の製造方法を表す。
【図１６】図１３に示す磁気ディスクの第３の製造方法を表す。
【図１７】サンプル膜体における飽和磁化のＢ含有率依存性を表す。
【図１８】サンプル膜体における保磁力のＢ含有率依存性を表す。
【図１９】サンプル膜体における強磁性粒サイズのＢ含有率依存性を表す。
【図２０】ディスクリートトラックメディアである従来の磁気ディスクの平面図である。
【図２１】図２０に示す磁気ディスクの部分拡大断面図である。
【図２２】図２０に示す磁気ディスクの製造方法における一部の工程を表す。
【図２３】図２２の後に続く工程を表す。
【符号の説明】
【０１２４】
Ｘ１，Ｘ２，４０ 磁気ディスク
１１，４１ ディスク基板
１２，３０，４２ 記録層
１２’，３０’ プレ記録層
１２Ａ，３１，４２Ａ 記録磁性部
１２Ｂ，３１ｂ，３２，４２Ｂ 非磁性部
１２ａ 強磁性相
１２ｂ 非磁性相
１３ 軟磁性層
１３ａ，１３ｂ 微細凹凸領域
１４，４３ 保護層
１５，４４ 記録面
２１，２６ スタンパ
２２ 収束ビーム
２３，２５ マスク
２４ 光
２７，２８ 薄膜パターン
３１ａ グラニュラ構造部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して非一様にエネルギを付与することにより、当該非磁性膜から、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と非磁性部とを有する記録層を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項２】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、凸部を有するスタンパにおける当該凸部を当接させる工程と、
前記スタンパの前記凸部を介して前記非磁性膜を加熱することにより、前記非磁性膜における当該加熱箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項３】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して圧痕を形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜内に、前記圧痕を起点として、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
【請求項４】
基材の表面の部分領域に微細凹凸を形成する工程と、
前記基材上に、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜における前記基材表面の微細凹凸領域上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
【請求項５】
連続膜体である記録層を備え、
前記記録層は、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性部とを有する、磁気記録媒体。
【請求項１】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して非一様にエネルギを付与することにより、当該非磁性膜から、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と非磁性部とを有する記録層を形成する工程を含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項２】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対し、凸部を有するスタンパにおける当該凸部を当接させる工程と、
前記スタンパの前記凸部を介して前記非磁性膜を加熱することにより、前記非磁性膜における当該加熱箇所にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程とを含む、磁気記録媒体製造方法。
【請求項３】
強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜に対して圧痕を形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜内に、前記圧痕を起点として、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
【請求項４】
基材の表面の部分領域に微細凹凸を形成する工程と、
前記基材上に、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性膜を形成する工程と、
加熱により、前記非磁性膜における前記基材表面の微細凹凸領域上にて、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部を形成する工程と、を含む磁気記録媒体製造方法。
【請求項５】
連続膜体である記録層を備え、
前記記録層は、強磁性相および非磁性相が混在する強磁性グラニュラ構造を含む記録磁性部と、強磁性材料と非磁性材料とが過飽和に固溶した状態にある非磁性部とを有する、磁気記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２００７−２５７７３６（Ｐ２００７−２５７７３６Ａ）
【公開日】平成１９年１０月４日（２００７．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−８０８５３（Ｐ２００６−８０８５３）
【出願日】平成１８年３月２３日（２００６．３．２３）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月４日（２００７．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月２３日（２００６．３．２３）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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