精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法
一般式（Ｉ）の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩を製造するための、一般式（ＩＩ）の１，３−置換イミダゾリウム塩と強塩基との２０〜２５０℃の範囲にある温度での反応による、この生じた１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの留去下での製造方法であって、この留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、かつ／又は前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを、気体状態又は凝縮状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入することを特徴とする、一般式（Ｉ）の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の詳細な説明
本発明は、一般式（Ｉ）
【０００２】
【化１】
［前記式中、
＊前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は相互に独立して、炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又はアラリファチック（ａｒａｌｉｐｈａｔｉｓｃｈ）の、１〜３０つの炭素原子を有する残基を表し、前記残基は１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよく、その際、このそれぞれ隣接した残基、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、並びにＲ３とＲ４はまた相互に結合していてよく、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３は更にまた相互に独立して、水素、ハロゲン又は官能基を表す；
かつ
＊Ａａ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ａは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩を製造するための、一般式（ＩＩ）
【０００３】
【化２】
［前記式中、前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は上述した意味を有し、かつ前記アニオンＹｙ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨｙＹ（ＩＶ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ｙは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の１，３−置換イミダゾリウム塩と強塩基との２０〜２５０℃の範囲にある温度での反応による、この生じた１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの留去下での、一般式（Ｉ）の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法に関する。
【０００４】
１，３−置換イミダゾリウム塩はいわゆるイオン液体のグループに属し、ますます重要性を増している。つまりこれらは例えば、様々な適用に関して、有機及び無機化合物のための良好な溶媒である。
【０００５】
イオン液体は溶媒として、例えば化学的な反応の実施のためにますます重要性を増している。P. Wasserscheid et al., Angew. Chem. 112 (2000), p3926〜3945は、均一系遷移金属触媒におけるその使用に関して概論を述べる。重要なことはこの場合、この使用するイオン液体の純度であり、というのは不純物が化学反応の過程に一般的にネガティブに影響するからである。従って例えばP. Dyson et al. in Electrochemical Society Proceedings, 99-41巻, p161〜168は、液相水素化における塩化物含有イオン液体の使用の際及びＳｕｚｕｋｉ反応の際の問題を指摘している。イオン液体の製造の際には従って、所望の生成物の純度に関して高い要求が出される。
【０００６】
前記イオン液体の重要なグループは、前記の置換イミダゾリウム塩である。一般的に、前記塩はこの相応するＮ−置換イミダゾールから、この第２の窒素のアルキル化により得られる。
【０００７】
ＷＯ02/34722は、１，２，３−置換イミダゾリウム塩、１，２，３，４−置換イミダゾリウム塩、及び１，２，３，４，５−置換イミダゾリウム塩の製造のための２つの異なる方法を記載する：（１）非直接的な経路の際には、この相応する、置換したイミダゾールを有機ハロゲン化物と反応させ、この置換したイミダゾリウム−ハロゲン化物のハロゲン化物イオンを所望のアニオンによるイオン交換によって交換する。（２）直接的な経路の際には、この相応する、置換したイミダゾールをアルキルトリフラート又は所望のアニオンのトリアルキルオキソニウム塩（例えばトリエチルオキソニウム−テトラフルオロホウ酸）と反応させる。前記非直接的な経路（１）を介したこの製造に関する欠点は、引き続いて必要なイオン交換、及び場合によりこれに関連した前記生成物の有機溶媒を用いた抽出による高い出費、並びにハロゲン化物イオンの残存する残留含量であって、前記含量は例えば前記した遷移金属触媒反応をネガティブに影響する可能性がある。前記直接的な経路（２）を介したこの製造に関する欠点は、前記アルキル化剤は、この置換基も、前記アニオンをも規定することで、並びに前記アニオンに関して多様性の幅及び柔軟性を制限することである。
【０００８】
EP-A 1 182 196は、ベースとなる１−置換イミダゾールと、アルキル化剤である、これに相応する有機的なジスルファートとの反応、及び所望のアニオンを含有する金属塩との引き続くイオン交換による１，３−置換イミダゾリウム塩のハロゲン化物なしの製造を教示する。従って例えば、１−ブチル−３−メチル−イミダゾリウム−テトラフルオロホウ酸の製造を、１−ブチルイミダゾールとジメチルスルファートとの反応、ナトリウム−テトラフルオロホウ酸での引き続く処理、及びメチレンクロリドでの前記生成物の複数回の抽出により実施した。この上述の方法は即ち、見かけ上、塩化物なしの１，３−置換イミダゾリウム塩を生じるが、しかし有機的なジスルファートの使用の決定的な欠点を有し、前記使用はその発癌性作用及び腐食作用に基づく安全性の面での高いリスクであり、かつ従って莫大な安全性の面での出費を必要とする。更に、金属塩（これはこの所望のアニオンを含有する）の添加によるイオン交換は非常に高価であり、というのは特にこのバッチを引き続き抽出により有機溶媒の使用下で後処理しなくてはならないからである。
【０００９】
ＷＯ01/40146は、１，３−置換イミダゾリウム塩の、ベースとなる１−置換イミダゾールとフッ化エステルとの反応、例えばトリフルオロ酢酸エステルとの反応、又はアルキル化剤であるアルキルスルホナートとの、溶媒の存在下での反応による製造を記載する。この得られた生成物の、所望のアニオンの酸、例えばテトラフルオロホウ酸又はヘキサフルオロリン酸との引き続く反応により、この所望の１，３−置換イミダゾリウム塩は、ほぼハロゲン化物なしで、かつ金属なしで得られる。この方法に関する欠点は、この合成において使用された化合物又はその反応生成物の痕跡量での前記の所望の１，３−置換イミダゾリウム塩の汚染、例えば、過剰のアルキル化剤、使用した１−置換イミダゾールの塩、使用した溶媒の塩、又はフッ化した酸アニオン又はスルホナートを有する１，３−置換したイミダゾリウム塩の痕跡量での汚染である。
【００１０】
ＷＯ96/18459は、所望のイミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン又はホスホニウムカチオンのハロゲン化物と、鉛塩（このアニオンは前記イオン液体のための所望のアニオンである）との反応、及びこの生じる鉛ハロゲン化物の分離によるハロゲン化物なしのイオン液体の製造を開示している。この記載した方法に関する欠点は、毒性の鉛塩の化学量論量の使用、及びこれに関連した、処理する鉛ハロゲン化物に関する化学量論量の発生の他に、特に前記生成物のこの鉛化合物との著しい汚染であり、例えば特にJ.T. Hamill et al., Chem. Comm. 2000, p1929〜1930から明らかである。
【００１１】
置換したイミダゾリウム塩の、上述した製造方法に関する欠点は、副生成物によって汚染された生成物を得ることであり、前記生成物は置換したイミダゾリウム塩の使用の際にネガティブな影響を生じかねない。
【００１２】
WO 01/77081は、ハロゲン化物イオンでも、金属イオンでも汚染されていない、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩が製造される方法を開示する。使用物質として１，３−置換イミダゾリウム塩（これは例えば従来の方法で製造されている）を用い、その際このアニオンは、後に所望するアニオンとは完全に異なっていてよい。前記１，３−置換イミダゾリウム塩は、上述の方法の際に強塩基の存在下で、例えばアルコラートの存在下で、減圧下で加熱され、その際相応する１，３−置換イミダゾリウム塩−カルベンが形成し、かつ留去される。これは、受け器中で純物質として凝縮される。引き続きこの凝縮したカルベンを、所望のアニオンの酸又はアルコールと、この精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の形成下で反応させる。前記方法に関する欠点は、A.J. Arduengo et al., J. Am. Chem. Soc. 114, 1992, p5530〜5534に記載された事実であって、即ち立体的に強力には阻害されていないカルベンは溶媒中では数日間安定であるが、純物質としては非常に不安定である。従って、例えば純粋な１，３−ジメチルイミダゾール−２−イリデンは極低温でも、褐色化及び粘性の生成物の形成下で分解する。このWO 01/77081に述べられた実施例によって、１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデン、１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデン、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾール−２−イリデン及び１−オクチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを非常に少量、クーゲルロール装置中で得、かつＮＭＲ分光学的に検出されることが可能であったことが示されたとしても、この必然的に形成される粘性の副生成物は、前記の所望の１，３−置換イミダゾリウム塩の新たな汚染を生じる。この粘性の副生成物の量は、この際生成物バッチの大きさが大きくなるにつれ、そのより長い滞留時間のために更に増え、従って前記方法の工業的な使用の際には、非常に強力に汚染された生成物が得られるだけである。０℃を下回る温度への前記蒸留受け器の強力な冷却は、技術的に非常に高価でかつエネルギー集中的である。
【００１３】
従って、上述した欠点をもはや有さず、イミダゾリウム−カチオンの置換基の選択及びアニオンの選択に関して大きな多様性及び柔軟性を有し、かつ技術的に容易な方法で高い収率でもって、純粋な１，３−置換イミダゾリウム塩から高純度な１，３−置換イミダゾリウム塩までを生じる、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法を見出すことが課題である。
【００１４】
これにより、一般式（Ｉ）
【００１５】
【化３】
［前記式中、
＊前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は相互に独立して、炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基を表し、前記残基は１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよく、その際、このそれぞれ隣接した残基、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、並びにＲ３とＲ４はまた相互に結合していてよく、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３は更にまた相互に独立して、水素、ハロゲン又は官能基を表す；
かつ
＊Ａａ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ａは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩を製造するための、一般式（ＩＩ）
【００１６】
【化４】
［前記式中、前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は上述した意味を有し、かつ前記アニオンＹｙ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨｙＹ（ＩＶ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ｙは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の１，３−置換イミダゾリウム塩と強塩基との２０〜２５０℃の範囲にある温度での反応による、この生じた１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの留去下での製造方法であって、この留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、かつ／又はこの留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを、気体状態又は凝縮状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入することを特徴とする、一般式（Ｉ）の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法を見出した。
【００１７】
前記本発明による方法により製造可能な精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、一般式（Ｉａ）
【００１８】
【化５】
［前記式中
前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は相互に独立して、炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基を表し、前記残基は１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよく、その際、このそれぞれ隣接した残基、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、並びにＲ３とＲ４もまた相互に結合していてよく、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３は更にまた相互に独立して、水素、ハロゲン又は官能基を表す］
の１，３−置換イミダゾリウムカチオンを含有する。
【００１９】
ヘテロ原子として原則的には、式として−ＣＨ２−、−ＣＨ＝、Ｃ≡、＝Ｃ＝の基を置換することが可能である全てのヘテロ原子が考慮される。前記炭素含有残基がヘテロ原子を含有する場合には、酸素、窒素、硫黄、リン及びケイ素が有利である。有利な基として、特に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ−、−Ｎ＝、−ＰＲ−、−ＰＲ２及び−ＳｉＲ２−が挙げられ、その際前記残基Ｒは前記炭素含有残基の残りの部分である。前記炭素含有残基はこの際Ｒ２及びＲ３の場合には、このヘテロ原子を介してイミダゾリウム環に直接的に結合していてもよい。
【００２０】
官能基として原則的には、炭素原子又はヘテロ原子に結合していてよい全ての官能基が考慮される。適した例として、−ＯＨ（ヒドロキシ）、＝Ｏ（殊にカルボニル基として）、−ＮＨ２（アミノ）、＝ＮＨ（イミノ）、−ＣＯＯＨ（カルボキシ）、−ＣＯＮＨ２（カルボキサミド）及び−ＣＮ（シアノ）が挙げられる。官能基及びヘテロ原子は、直接的に隣接していてもよく、従って複数の近接した原子からの組み合わせ、例えば−Ｏ−（エーテル）、−Ｓ（チオエーテル）、−ＣＯＯ−（エステル）、−ＣＯＮＨ−（第二アミド）又は−ＣＯＮＲ−（第三アミド）も含まれてよく、例えばジ−（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）−アミノ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシカルボニル又はＣ１〜Ｃ４アルキルオキシも含まれてよい。
【００２１】
ハロゲンとして、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素が挙げられる。
【００２２】
有利には、本発明による方法の際には、前記残基Ｒ２及びＲ３が相互に独立して、
・水素；
・ハロゲン；又は
・官能基：
かつ、前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が相互に独立して、それぞれ
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換された、及び／又は１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断されたＣ１〜Ｃ１８−アルキル；
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換された、及び／又は１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断されたＣ２〜Ｃ１８−アルケニル；
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ６〜Ｃ１２−アリール；
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキル；
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルケニル；又は
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換された五〜六員環の、酸素原子、窒素原子及び／又は硫黄原子を有する複素環を表す；、又は
隣接した残基Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３並びにＲ３とＲ４が一緒になって
・不飽和の、飽和の、又は芳香族の、場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換され、かつ、場合により１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断された環を形成する
場合に精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００２３】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ１〜Ｃ１８−アルキルは、有利にはメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、２−エチルヘキシル、２，４，４−トリメチル−ペンチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−ノニル、１−デシル、１−ウンデシル、１−ドデシル、１−トリデシル、１−テトラデシル、１−ペンタデシル、１−ヘキサデシル、１−ヘプタデシル、１−オクタデシル、シクロペンチルメチル、２−シクロペンチルエチル、３−シクロペンチルプロピル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、３−シクロヘキシルプロピル、ベンジル（フェニルメチル）、ジフェニルメチル（ベンズヒドリル）、トリフェニルメチル、１−フェニルエチル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、α，α−ジメチルベンジル、ｐ−トリルメチル、１−（ｐ−ブチルフェニル）−エチル、ｐ−クロロベンジル、２，４−ジクロロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ｍ−エトキシベンジル、２−シアノエチル、２−シアノプロピル、２−メトキシカルボンエチル、２−エトキシカルボニルエチル、２−ブトキシカルボニルプロピル、１，２−ジ−（メトキシカルボニル）−エチル、メトキシ、エトキシ、ホルミル、１，３−ジオキソラン−２−イル、１，３−ジオキサン−２−イル、２−メチル−１，３−ジオキソラン−２−イル、４−メチル−１，３−ジオキソラン−２−イル、クロロメチル、２−クロロエチル、トリクロロメチル、トリフルオロメチル、１，１−ジメチル−２−クロロエチル、２、２，２−トリフルオロエチル、２−ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、６−ヒドロキシヘキシル、２−アミノエチル、２−アミノプロピル、３−アミノプロピル、４−アミノブチル、６−アミノヘキシル、２−メチルアミノエチル、２−メチルアミノプロピル、３−メチルアミノプロピル、４−メチルアミノブチル、６−メチルアミノヘキシル、２−ジメチルアミノエチル、２−ジメチルアミノプロピル、３−ジメチルアミノプロピル、４−ジメチルアミノブチル、６−ジメチルアミノヘキシル、２−ヒドロキシ−２，２−ジメチルエチル、２−フェノキシエチル、２−フェノキシプロピル、３−フェノキシプロピル、４−フェノキシブチル、６−フェノキシヘキシル、２−メトキシエチル、２−メトキシプロピル、３−メトキシプロピル、４−メトキシブチル、６−メトキシヘキシル、２−エトキシエチル、２−エトキシプロピル、３−エトキシプロピル、４−エトキシブチル、６−エトキシヘキシル、アセチル、ＣｎＦ２（ｎ−ａ）＋（１−ｂ）Ｈ２ａ＋ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１（例えばＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ（ｎ−２）Ｆ２（ｎ−２）＋１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ８Ｆ１７、Ｃ１０Ｆ２１、Ｃ１２Ｆ２５））、メトキシメチル、２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−ブトキシエチル、ジエトキシメチル、ジエトキシエチル、２−イソプロポキシエチル、２−ブトキシプロピル、２−オクチルオキシエチル、２−メトキシイソプロピル、２−（メトキシ−カルボニル）−エチル、２−（エトキシカルボニル）−エチル、２−（ｎ−ブトキシカルボニル）−エチル、ブチルチオメチル、２−ドデシルチオエチル、２−フェニルチオエチル、５−ヒドロキシ−３−オキサ−ペンチル、８−ヒドロキシ−３，６−ジオキサオクチル、１１−ヒドロキシ−３，６，９−トリオキサ−ウンデシル、７−ヒドロキシ−４−オキサ−ヘプチル、１１−ヒドロキシ−４，８−ジオキサウンデシル、１５−ヒドロキシ−４，８，１２−トリオキサ−ペンタデシル、９−ヒドロキシ−５−オキサ−ノニル、１４−ヒドロキシ−５，１０−オキサ−テトラデシル、５−メトキシ−３−オキサ−ペンチル、８−メトキシル−３，６−ジオキサ−オクチル、１１−メトキシ−３，６，９−トリオキサ−ウンデシル、７−メトキシ−４−オキサ−ヘプチル、１１−メトキシ−４，８−ジオキサ−ウンデシル、１５−メトキシ−４，８，１２−トリオキサ−ペンタデシル、９−メトキシ−５−オキサ−ノニル、１４−メトキシ−５，１０−オキサ−テトラデシル、５−エトキシ−３−オキサ−ペンチル、８−エトキシ−３，６−ジオキサ−オクチル、１１−エトキシ−３，６，９−トリオキサ−ウンデシル、７−エトキシ−４−オキサーヘプチル、１１−エトキシ−４，８−ジオキサ−ウンデシル、１５−エトキシ−４，８，１２−トリオキサ−ペンタデシル、９−エトキシ−５−オキサ−ノニル又は１４−エトキシ−５，１０−オキサーテトラデシルである。
【００２４】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換された、及び／又は１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断されたＣ２〜Ｃ１８−アルケニルは、有利にはビニル、２−プロペニル、３−ブテニル、ｃｉｓ−２−ブテニル、ｔｒａｎｓ−２−ブテニル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−（１−ｂ）Ｈ２ａ−ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）である。
【００２５】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ６〜Ｃ１２−アリールは、有利にはフェニル、トリル、キシリル、α−ナフチル、β−ナフチル、４−ジフェニルイル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、トリクロロフェニル、ジフルオロフェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニル、ジエチルフェニル、イソプロピルフェニル、ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル、ドデシルフェニル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル、エトキシフェニル、ヘキシルオキシフェニル、メチルナフチル、イソプロピルナフチル、クロロナフチル、エトキシナフチル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２，６−ジメトキシフェニル、２，６−ジクロロフェニル、４−ブロモフェニル、２−ニトロフェニル、４−ニトロフェニル、２，４−ジニトロフェニル、２，６−ジニトロフェニル、４−ジメチルアミノフェニル、４−アセチルフェニル、メトキシエチルフェニル、エトキシメチルフェニル、メチルチオフェニル、イソプロピルフェニル又はｔｅｒｔ．−ブチルチオフェニル又は、０≦ａ≦５を有するＣ６Ｈ（５−ａ）Ｈａである。
【００２６】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルは、有利にはシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、シクロドデシル、メチルシクロペンチル、ジメチルシクロペンチル、メチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、ジエチルシクロヘキシル、ブチルシクロヘキシル、メトキシシクロヘキシル、ジメトキシシクロヘキシル、ジエトキシシクロヘキシル、ブチルチオシクロヘキシル、クロロシクロヘキシル、ジクロロシクロヘキシル、ジクロロシクロペンチル、ＣｎＦ２（ｎ−ａ）−（１−ｂ）Ｈ２ａ−ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）、並びに飽和又は不飽和の二環系、例えばノルボルニル又はノルボルネニルである。
【００２７】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルケニルは、有利には３−シクロペンテニル、２−シクロヘキセニル、２，５−シクロヘキサジエニル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−３（１−ｂ）Ｈ２ａ−３ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）である。
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環によって置換された五〜六員環の、酸素原子、窒素原子及び／又は硫黄原子を有する複素環は、有利にはフリル、チオフェニル、ピリル、ピリジル、インドリル、ベンズオキサゾリル、ジオキソリル、ジオキシル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、ジメチルピリジル、メチルキノリル、ジメチルピリル、メトキシフリル、ジメトキシピリジル又はジフルオロピリジルである。
【００２８】
前記の隣接した残基Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３並びにＲ３とＲ４が一緒になって不飽和の、飽和の、又は芳香族の、場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換され、かつ、場合により１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断された環を形成する場合には、これは有利には１，３−プロピレン、１，４−ブチレン、２−オキサ−１，３−プロピレン、１−オキサ−１，３−プロピレン、２−オキサ−１，３−プロピレン、１−オキサ−１，３−プロペニレン、１−アザ−１，３−プロペニレン、１−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−１−アザ−１，３−プロペニレン、１，４−ブタ−１，３−ジエニレン、１−アザ−１，４−ブタ−１，３−ジエニレン、又は２−アザ−１，４−ブタ−１，３−ジエニレンである。
【００２９】
上述した残基が、酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基を含有する場合には、前記酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又はイミノ基の数は限定されない。一般に、前記の数は、前記残基中に５個以下、有利には４個以下、特に有利には３個以下である。
【００３０】
上述した残基がヘテロ原子を含有する場合には、２つのヘテロ原子の間には一般的に少なくとも１つの炭素原子、有利には少なくとも２つの炭素原子が存在する。
【００３１】
殊に有利には、前記残基Ｒ１及びＲ４は相互に独立して、非分枝又は分枝の、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、１−ヘプチル、１−オクチル、１−ノニル、１−デシル、１−ウンデシル、１−ドデシル、１−テトラデシル、１−ヘキサデシル、１−オクタデシル、２−ヒドロキシエチル、ベンジル、３−フェニルプロピル、ビニル、２−シアノエチル、２−（メトキシカルボニル）−エチル、２−（エトキシカルボニル）−エチル、２−（ｎ−ブトキシカルボニル）−エチル、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル、ヘプタフルオロイソプロピル、ノナフルオロブチル、ノナフルオロイソブチル、ウンデシルフルオロペンチル、ウンデシルフルオロイソペンチルであり、６−ヒドロキシヘキシル又はプロピルスルホン酸である。
【００３２】
殊に有利には、前記残基Ｒ２及びＲ３は、相互に独立して、水素又は非分枝又は分枝の、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、２−ヒドロキシエチル、２−シアノエチル、２−（メトキシカルボニル）−エチル、２−（エトキシカルボニル）−エチル、２−（ｎ−ブトキシカルボニル）−エチル、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、塩素、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル、ヘプタフルオロイソプロピル、ノナフルオロブチル、ノナフルオロイソブチル、ウンデシルフルオロペンチル、ウンデシルフルオロイソペンチル、又は６−ヒドロキシヘキシルである。
【００３３】
とりわけ特に有利には、本発明による方法の際に、前記残基Ｒ１及びＲ４は、相互に独立して、メチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、１−ペンチル、１−ヘキシル、１−ヘプチル、１−オクチル、１−ノニル、１−デシル、１−ドデシル、１−テトラデシル、１−ヘキサデシル、１−オクタデシル、１−（２−エチル）ヘキシル、ベンジル、３−フェニルプロピル、６−ヒドロキシヘキシル又はフェニルであり、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３が相互に独立して、水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、１−ヘキシル、６−ヒドロキシヘキシル、フェニル又は塩素である際に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００３４】
とりわけ特に有利には、本発明による方法の際に、１，３−置換イミダゾリウムカチオンとして、１，３−ジメチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−プロピルイミダゾリウム、１−イソプロピル−３−メチルイミダゾリウム、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−ペンチルイミダゾリウム、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、１−ヘプチル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム、１−デシル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチルーベンジルイミダゾリウム、１−メチル−３−（３−フェニルプロピル）イミダゾリウム、１−（２−エチル）ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−ノニルイミダゾリウム、１−メチル−３−デシルイミダゾリウム、１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム又は１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムを含有する際に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００３５】
この本発明の方法により製造可能な精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、前記アニオンＡａ−を含有し、その際前記アニオンは無機又は有機のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンであり、その際ａは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す。
【００３６】
部分的に脱プロトンしたアニオンとして多価の酸からのアニオンが理解され、これは１つ又は複数の脱プロトン可能な水素原子を含有する。相応して、完全に脱プロトンしたアニオンとして、更なる脱プロトン可能な水素原子を含有しないアニオンが理解される。
【００３７】
有利には、本発明による方法の際に、前記アニオンＡａ−が
フッ化物；ヘキサフルオロリン酸；ヘキサフルオロヒ酸；ヘキサフルオロアンチモン酸；トリフルオロヒ酸；亜硝酸；硝酸；硫酸：硫酸水素；炭酸；炭酸水素；リン酸；リン酸水素；リン酸二水素；ビニルホスホン酸；ジシアナミド；ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィン酸；トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸；トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロリン酸；ビス［オキサラト（２−）］ホウ酸；ビス［サリチラト（２−）］ホウ酸；ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ホウ酸；テトラシアノホウ酸；テトラカルボニルコバルト酸；
一般式（Ｖａ）［ＢＲａＲｂＲｃＲｄ］−［前記式中、Ｒａ〜Ｒｄは相互に独立して、フッ素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の四置換されたホウ酸であるか；
一般式（Ｖｂ）［Ｒｅ-ＳＯ３］−［前記式中、Ｒｅは炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記基残は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の有機スルホン酸であるか；
一般式（Ｖｃ）［Ｒｆ−ＣＯＯ］−［前記式中、Ｒｆは水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のカルボン酸であるか；
一般式（Ｖｄ）［ＰＦｘ（ＣｙＦ２ｙ＋１−ｚＨｚ）６−ｘ］−［前記式中、１≦ｘ≦６、１≦ｙ≦８及び０≦ｚ≦２ｙ＋１］の（フルオロアルキル）フルオロリン酸；
一般式（Ｖｅ）［Ｒｇ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−Ｒｈ］−、（Ｖｆ）［Ｒｉ−ＳＯ２−Ｎ−ＣＯ−Ｒｊ］−、又は（Ｖｇ）［Ｒｋ−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−Ｒｌ］−［前記式中、Ｒｇ〜Ｒｌは相互に独立して、水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のイミドであるか；
一般式（Ｖｈ）
【００３８】
【化６】
［前記式中、Ｒｍ〜Ｒｏは相互に独立して、水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のメチドであるか；
一般式（Ｖｉ）［ＲｐＯ−ＳＯ３］−［前記式中、Ｒｐは炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の有機硫酸であるか；又は
一般式（Ｖｊ）［ＭｑＨａｌｒ］ｓ−［前記式中、Ｍは金属、及びＨａｌはフッ素、塩素、臭素又はヨウ素であり、ｑ及びｒは正の整数であってこの錯体の化学量論を示し、かつｓは正の整数であってこの錯体の電荷を示す］のハロメタラート（Ｈａｌｏｍｅｔａｌｌａｔ）；
である場合に精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００３９】
前記アニオンＡａ−の電荷「ａ−」は、「１−」、「２−」又は「３−」である。２価で負に荷電したアニオンの例として、硫酸、リン酸水素及び炭酸が挙げられる。３価で負に荷電したアニオンの例として、リン酸が挙げられる。
【００４０】
ヘテロ原子として原則的に、式として−ＣＨ２−、−ＣＨ＝、Ｃ≡又は＝Ｃ＝の基を置換することが可能である全てのヘテロ原子が考慮される。前記炭素含有残基がヘテロ原子を含有する場合には、酸素、窒素、硫黄、リン及びケイ素が有利である。有利な基として、特に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ−、−Ｎ＝、−ＰＲ−、−ＰＲ２及び−ＳｉＲ２−が挙げられ、その際前記残基Ｒは前記炭素含有残基の残りの部分である。
【００４１】
官能基として原則的には、炭素原子又はヘテロ原子に結合していてよい全ての官能基が考慮される。適した例として、−ＯＨ（ヒドロキシ）、＝Ｏ（殊にカルボニル基として）、−ＮＨ２（アミノ）、＝ＮＨ（イミノ）、−ＣＯＯＨ（カルボキシ）、−ＣＯＮＨ２（カルボキサミド）及び−ＣＮ（シアノ）が挙げられる。官能基及びヘテロ原子は、直接的に隣接していてもよく、従って複数の近接した原子からの組み合わせ、例えば−Ｏ−（エーテル）、−Ｓ（チオエーテル）、−ＣＯＯ−（エステル）、−ＣＯＮＨ−（第二アミド）又は−ＣＯＮＲ−（第三アミド）も含まれてよい。
【００４２】
ハロゲンとして、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素が挙げられる。
【００４３】
炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基として、四置換されたホウ酸（Ｖａ）の際には前記残基Ｒａ〜Ｒｄ、有機スルホン酸（Ｖｂ）の際には前記残基Ｒｅ、カルボン酸（Ｖｃ）の際には前記残基Ｒｆ、イミド（Ｖｅ）、（Ｖｆ）及び（Ｖｇ）の際には前記残基Ｒｇ〜Ｒｌは、相互に独立して有利には、
・Ｃ１〜Ｃ３０−アルキル及びそのアリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−ＣＯ−Ｎ＜置換した構成要素、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、イコシル、ヘンイコシル、ドコシル、トリコシル、テトラトコシル、ペンタコシル、ヘキサコシル、ヘプタコシル、オクタコシル、ノナコシル、トリアコンチル、フェニルメチル（ベンジル）、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、シクロペンチルメチル、２−シクロペンチルエチル、３−シクロペンチルプロピル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、２−シクロヘキシルプロピル、メトキシ、エトキシ、ホルミル、アセチル、又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）＋（１−ｂ）Ｈ２ａ＋ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１（例えばＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ（ｎ−２）Ｆ２（ｎ−２）＋１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ８Ｆ１７、Ｃ１０Ｆ２１、Ｃ１２Ｆ２５））；
・Ｃ３〜Ｃ１２−シクロアルキル及びそのアリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＣＯ−Ｏ−置換した構成要素、例えばシクロペンチル、２−メチル−１−シクロペンチル、３−メチル−１シクロペンチル、シクロヘキシル、２−メチル−１−シクロヘキシル、３−メチル−１−シクロヘキシル、４−メチル−１−シクロヘキシル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−（１−ｂ）Ｈ２ａ−ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）；
・Ｃ２〜Ｃ３０−アルケニル及びそのアリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＣＯ−Ｏ−置換した構成要素、例えば２−プロペニル、３−ブテニル、ｃｉｓ−２−ブテニル、ｔｒａｎｓ−ブテニル、ｔｒａｎｓ−２−ブテニル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−（１−ｂ）Ｈ２ａ−ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）；
・Ｃ３〜Ｃ１２−シクロアルケニル及びそのアリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＣＯ−Ｏ−置換した構成要素、例えば３−シクロペンテニル、２−シクロヘキセニル、３−シクロヘキセニル、２，５−シクロヘキサジエニル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−３（１−ｂ）Ｈ２ａ−３ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）；及び
・２〜３０つの炭素原子を有するアリール又はヘテロアリール及びそのアルキル置換、アリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＣＯ−Ｏ−置換した構成要素、例えばフェニル、２−メチル−フェニル−（２−トリル）、３−メチル−フェニル（３−トリル）、４−メチルーフェニル、２−エチル−フェニル、３−エチル−フェニル、４−エチル−フェニル、２，３−ジメチル−フェニル、２，４−ジメチル−フェニル、２，５−ジメチル−フェニル、２，６−ジメチル−フェニル、３，４−ジメチル−フェニル、３，５−ジメチル−フェニル、４−フェニル−フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、１−ピロリル、２−ピロリル、３−ピロリル、２−ピリジニル、３−ピリジニル、４−ピリジニル又は０≦ａ≦５を有するＣ６Ｆ（５−ａ）Ｈａである。
【００４４】
アニオンＡａ−が、四置換されたホウ酸（Ｖａ）［ＢＲａＲｂＲｃＲｄ］−である場合には、この際有利には全ての四つの残基Ｒａ〜Ｒｄは同一であり、その際前記Ｒは有利にはフッ素、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニルである。殊に有利な四置換されたホウ酸（Ｖａ）は、テトラフルオロホウ酸、テトラフェニルホウ酸及びテトラ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ホウ酸である。
【００４５】
前記アニオンＡａ−が有機スルホン酸（Ｖｂ）［Ｒｅ−ＳＯ３］−である場合には、前記残基Ｒｅは有利にはメチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ｐ−トリル又はＣ９Ｆ１９である。殊に有利な有機スルホン酸（Ｖｂ）はトリフルオロメタンスルホン酸（トリフラート（Ｔｒｉｆｌａｔ））、メタンスルホン酸、ｐ−トリルスルホン酸、ノナデカンフルオロノナスルホン酸（ノナフラート（Ｎｏｎａｆｌａｔ））、ジメチレングリコールモノメチル−エーテル硫酸及びオクチル硫酸である。
【００４６】
前記アニオンＡａ−がカルボン酸（Ｖｃ）［Ｒｆ−ＣＯＯ］−である場合には、前記残基Ｒｆは有利には水素、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、ヒドロキシ−フェニルメチル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル、エテニル（ビニル）、２−プロペニル、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、ｃｉｓ−８−ヘプタデセニル、−ＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）−ＣＨ２−ＣＯＯ−、又は非分枝又は分枝のＣ１〜Ｃ１８−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、ヘプタデシルである。殊に有利なカルボン酸（Ｖｃ）はギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、安息香酸、マンデル酸、トリクロロ酢酸、クロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、フルオロ酢酸である。
【００４７】
前記アニオンＡａ−が（フルオロアルキル）フルオロリン酸（Ｖｄ）［ＰＦｘ（ＣｙＦ２ｙ＋１−ｚＨｚ）６−ｘ］−である場合には、ｚは有利には０である。殊に有利には、ｚ＝０、ｘ＝３及び１≦ｙ≦４の（フルオロアルキル）フルオロリン酸（Ｖｄ）、具体的には、［ＰＦ３（ＣＦ３）３］−、［ＰＦ３（Ｃ２Ｆ５）３］−、［ＰＦ３（Ｃ３Ｆ７）３］−及び［ＰＦ３（Ｃ４Ｆ７）３］−である。
【００４８】
アニオンＡａ−がイミド（Ｖｅ）［Ｒｇ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−Ｒｈ］−、（Ｖｆ）［Ｒｉ−ＳＯ２−Ｎ−ＣＯ−Ｒｊ］−、又は（Ｖｇ）［Ｒｋ−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−Ｒｌ］−である場合には、前記残基Ｒｇ〜Ｒｌは相互に独立して有利には、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル又は非分枝又は分枝のＣ１〜Ｃ１２−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル又はドデシルである。殊に有利なイミド（Ｖｅ）、（Ｖｆ）、及び（Ｖｇ）は［Ｆ３Ｃ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−ＣＦ３］−（ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド）、［Ｆ５Ｃ２-ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−Ｃ２Ｆ５］−（ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド）、［Ｆ３Ｃ−ＳＯ２−Ｎ−ＣＯ−ＣＦ３］−、［Ｆ３Ｃ−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−ＣＦ３］−、及び前記残基Ｒｇ〜Ｒｌが相互に独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、又はフルオロメチルであるイミドである。
【００４９】
アニオンＡａ−がメチド（Ｖｈ）
【００５０】
【化７】
である場合には、前記残基Ｒｍ〜Ｒｏは相互に独立して有利には、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル、又は非分枝又は分枝のＣ１〜Ｃ１２−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル又はドデシルである。殊に有利なメチド（Ｖｈ）は［（Ｆ３Ｃ−ＳＯ２）３Ｃ］−（トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド）、［（Ｆ５Ｃ２−ＳＯ２）３Ｃ］−（ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド）及び、前記残基Ｒｍ〜Ｒｏが相互に独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル又はフルオロメチルであるメチドである。
【００５１】
アニオンＡａ−が有機硫酸（Ｖｉ）［ＲｐＯ−ＳＯ３］−である場合には、前記残基Ｒｐは有利には分枝又は非分枝のＣ１〜Ｃ３０−アルキル残基、殊に有利にはメチル硫酸、エチル硫酸、プロピル硫酸、ブチル硫酸、ペンチル硫酸、ヘキシル硫酸、ヘプチル硫酸又はオクチル硫酸である。
【００５２】
アニオンＡａ−がハロメタラート（Ｖｊ）［ＭｑＨａｌｒ］ｓ−である場合には、Ｍは有利にはアルミニウム、亜鉛、鉄、コバルト、アンチモン又はスズである。Ｈａｌは有利には塩素又は臭素、とりわけ特に有利には塩素である。ｑは有利には１、２又は３、かつｒ及びｓは、前記金属イオンの化学量論及び電荷に相応して生じる。
【００５３】
とりわけ特に有利には本発明による方法の際に、アニオンＡａ−として、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、ギ酸、酢酸、マンデル酸、硝酸、亜硝酸、トリフルオロ酢酸、硫酸、硫酸水素、メチル硫酸、エチル硫酸、プロピル硫酸、ブチル硫酸、ペンチル硫酸、ヘキシル硫酸、ヘプチル硫酸、オクチル硫酸、リン酸、リン酸二水素、リン酸水素、プロピオン酸、テトラクロロアルミン酸、Ａｌ２Ｃｌ７−、クロロ亜鉛酸、クロロ鉄酸、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、トリフリミド（Ｔｒｉｆｌｉｍｉｄ）、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド、トリス（トリフルオロ−メチルスルホニル）メチド（メチド）、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド、ｐ−トリルスルホン酸（トシル酸（Ｔｏｓｙｌａｔ））、ビス［サリチラト（２−）］ホウ酸、テトラカルボニルコバルト酸、ジメチレングリコールモノメチルエーテル硫酸、オレイン酸、ステアリル酸、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、コハク酸水素、ビニルホスホン酸、ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィン酸、ビス［オキサラト（２−）］ホウ酸、ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ホウ酸、ジシアナミド、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸、トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロリン酸、テトラシアノホウ酸、又はクロロコバルト酸を含有する、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００５４】
とりわけ殊に有利には本発明による方法の際に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）として、１，３−ジメチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、及び１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムの、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、硫酸、硫酸水素、メチル硫酸、エチル硫酸、プロピル硫酸、ブチル硫酸、ペンチル硫酸、ヘキシル硫酸、ヘプチル硫酸、オクチル硫酸、リン酸、リン酸二水素、リン酸水素、プロピオン酸、テトラクロロアルミン酸、Ａｌ２Ｃｌ７−、クロロ亜鉛酸、クロロ鉄酸、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ビス（ペンタフルオロエチル−スルホニル）イミド、トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド、ｐ−トリルスルホン酸が製造される。
【００５５】
本発明による方法の際に使用する１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）は、１，３−置換イミダゾリウムカチオン（Ｉａ）（上記で定義したとおりであり、従って製造する精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）の１，３−置換イミダゾリウムカチオン（Ｉａ）と同一である）と、前記アニオンＹｙ−とを含有し、前記アニオンは無機又は有機のプロトン酸ＨｙＹ（ＩＶ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ｙは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す。アニオンＹｙ−として原則的に、無機又は有機のプロトン酸の、全ての部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンが適していて、これは前記１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉａ）と塩を形成する。有利にはＹｙ−は、無機又は有機のプロトン酸の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンであり、例えばこれは前記アニオンＡａ−の定義の際に記載したようであり、並びに塩化物、臭化物、及びヨウ化物である。
【００５６】
殊に有利には本発明による方法の際に、１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）を使用し、これはアニオンＹｙ−として、塩化物、臭化物、メタンスルホン酸、炭酸水素、炭酸、硫酸水素、ジエチルリン酸、トシル酸又はメチル硫酸を含有する。
【００５７】
この使用する１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）は例えば、一般的に公知の合成により、例えば相応する１−置換イミダゾールのアルキル化により入手可能である。
【００５８】
強塩基として本発明による方法の場合に原則的には、適当な反応条件、例えば圧力及び温度下で、前記の使用した１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）を、相応する１，３−置換イミダゾール−２−イリデンへと変換することが可能である、全ての塩基を使用してよい。適した強塩基として例示的には、アルコラート、例えば脂肪族のアルコールのアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩、水酸化物、例えばアルカリ金属の水酸化物及びアルカリ土類金属の水酸化物（例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、又は水酸化カルシウム及びそのクラウンエーテル錯体）、酸化物、例えばアルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム又は酸化カルシウム）、炭酸塩及び炭酸水素塩、例えばアルカリ金属炭酸塩及びアルカリ土類金属炭酸塩及びアルカリ金属炭酸水素塩及びアルカリ土類金属炭酸水素塩（例えば炭酸ナトリウム又は炭酸カリウム、又は炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウム）、アンモニア、アミン、金属水素化物、例えば水素化ナトリウム又は水素化カリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化アルミニウムリチウム、ブチルリチウム、フェノラート、例えばナトリウムフェノラート又はカリウムフェノラート、及びそのクラウンエーテル錯体、アミジン、アミド、例えばナトリウムアミド、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）又は１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ）が挙げられる。有利には強塩基として、アルカリのＣ１〜Ｃ６−アルキラート、例えばメチラート、エチラート、ｎ−ブチラート、ｓｅｃ−ブチラート、イソ−ブチラート、ｔｅｒｔ．−ブチラート、ペンチラート又はヘキシラートを使用する。とりわけ殊に有利には、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチラート、又はカリウム−ｔｅｒｔ．−ブチラートを使用する。
【００５９】
添加した強塩基のモル量は一般的には、１，３−置換イミダゾリウムカチオン（Ｉａ）のモル量に関して０．８〜５、有利には０．９〜３、殊に有利には１．０〜１．１である。
【００６０】
前記１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）と、前記強塩基とを、相応する１，３−置換イミダゾール−２−イリデンにするこの反応は、２０〜２５０℃、有利には２０〜２００℃、殊に有利には２５〜１５０℃の温度で行われる。一般的には、０．０００１〜０．１５ＭＰａ ａｂｓ、有利には０．０００１〜０．１ＭＰａ ａｂｓ、殊に有利には０．００５〜０．０５ＭＰａ ａｂｓの圧力の場合に前記反応を実施する。
【００６１】
前記反応は原則的に、前記の使用した１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）と、前記の強塩基との混合を可能にし、かつここから、この形成した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの留去を可能にする、全ての装置中で行ってよい。例として、撹拌槽、薄層蒸発装置、フラッシュ蒸発装置、及び蒸留塔が挙げられる。
【００６２】
本発明の核心は、この留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、かつ／又は前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態又は凝縮状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入する処置である。これによって方法全体において、前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデン、及び殊に液状の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの短い滞留時間が保証される。
【００６３】
有利な実施態様においては、前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、液体の、殊に有利には気体状態のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、この凝縮した、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離する。この接触は、例えば蒸留塔中で、又は有利には充填した滞留時間区域中で行われる。前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンと前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）とをこの際有利には向流において互いに接触させ、その際この形成した、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、その高い沸点のために凝縮し、かつ下方に運ばれ、従ってこの精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は直接的に所望の終生成物として入手可能である。このために適した反応装置として、２つの気流が混合するか又は接触することが可能である一般的な装置、例えば蒸留塔又は管状反応器が挙げられる。
【００６４】
その他の有利な実施態様においては、前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入し、ここから前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離する。適した装置として例えば、気体導入装置を有する撹拌槽、塔を有する撹拌槽、冷却器、及び受け器が挙げられる。一般的に、前記の装入したプロトン酸（ＩＩＩ）の蒸発に抗するために前記受け器を冷却することが有利である。前記の気体状態の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンは、例えば蒸留塔の気体状態の塔頂生成物、又は直接的には、前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの形成が行われる前記装置からの気流である。一般的には、前記プロトン酸（ＩＩＩ）を、前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデンに対して、化学量論量又は化学量論を超えた量で使用する。過剰のプロトン酸（ＩＩＩ）を次に、容易な方法で反応後に、留去又は液／液抽出によって除去し、従って前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、直接的に所望の終生成物として入手可能である。
【００６５】
更なる有利な実施態様において、前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを冷却器中で凝縮し、これを凝縮状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する蒸留受け器中に導入し、ここから前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離する。適した装置として、例えば導入装置を有する撹拌槽が挙げられる。一般的に、前記の装入したプロトン酸（ＩＩＩ）の蒸発に抗するために前記受け器を冷却することが有利である。一般的に、前記プロトン酸（ＩＩＩ）を、前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデンに対して、化学量論量又は化学量論を超えた量で使用する。過剰のプロトン酸（ＩＩＩ）を次に、容易な方法で反応後に、留去又は液／液抽出によって除去し、従って前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、直接的に所望の終生成物として入手可能である。
【００６６】
前記の本発明による方法によって、殊に高い純度で前記１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造可能である。前記塩化物塩、臭化物塩、及びヨウ化物塩が精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）として所望されていない場合には、塩化物イオン、臭化物イオン及びヨウ化物イオンに関するこの総濃度は、有利には≦１００質量ｐｐｍ、殊に有利には≦５０質量ｐｐｍ、とりわけ殊に有利には≦１０質量ｐｐｍ、特に≦５質量ｐｐｍである。金属含有アニオンを有する精製していない１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が所望されている場合には、前記金属−総濃度は有利には≦１００質量ｐｐｍ、殊に有利には≦５０質量ｐｐｍ、とりわけ有利には≦１０質量ｐｐｍ、特に≦１質量ｐｐｍである。金属−総濃度とはこの場合、結合又は非結合状態で、中性又はイオン状態で、溶解又は懸濁して、溶融した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）中に存在する金属に関する総濃度であると理解される。
【００６７】
前記の本発明による方法は、イミダゾリウム−カチオンの置換基の選択及びアニオンの選択に関して大きな多様性及び柔軟性を有し、かつ技術的に容易な方法で高い収率でもって、純粋な１，３−置換イミダゾリウム塩から高純度な１，３−置換イミダゾリウム塩までを生じる、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法を可能にする。本発明による方法の際には、任意の方法で製造された１，３−置換イミダゾリウム塩が使用されてよい。これは、様々な不純物を含有してもよい。従って、本発明による方法は、この使用する１，３−置換イミダゾリウム塩の品質に関してはさして要求しない。前記気体状態の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを介した精製工程によって、前記受け器中に元から存在する不純物が残る。前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデンと、前記の所望のプロトン酸との引き続く反応は従って、殊に純粋な生成物を生じ、前記生成物は例えば、適用のための更なる精製なしで電子分野に適する（「電子等級」）。前記気体状態の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンと前記所望のプロトン酸との直接的な反応、あるいは前記気体状態の又は凝縮した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの、前記プロトン酸を含有する受け器中への導入により、反応性の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンから場合により生じる副生成物又は分解生成物の形成は妨げられるか、又は少なくとも著しく減少する。
【００６８】
実施例
比較例１
［ＢＭＩＭ］Ｃｌ ７ｇ（０．０４Ｍｏｌ）と、ナトリウムメチラート３．２４ｇ（０．０６Ｍｏｌ）とを混合すると、このバッチが薄く黄色に変色した。この形成した１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを引き続き真空中で、約７０℃の移行温度で留去し、かつ外部からドライアイスで冷却した蒸留受け器中で捕集した。この得られた蒸留物をすぐさま１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲ分光学的に分析した。この際、１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンは検出されなかった。この蒸留物はこれ以上同定されない分解生成物からなっていた。
【００６９】
実施例２（本発明による）
１−エチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド（以下［ＥＭＩＭ］Ｃｌと略称する）２２ｇ（０．１５Ｍｏｌ）とカリウム−ｔｅｒｔ．−ブチラート２５．２ｇ（０．２２５Ｍｏｌ）とを混合した。この形成した１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを引き続き真空中で４０Ｐａ ａｂｓの圧力及び５２〜５７℃の移行温度で留去し、氷酢酸（濃縮酢酸）９．０ｇ（０．１５Ｍｏｌ）で充填しかつ氷水で冷却した蒸留受け器中に導入した。この塔底温度は７２〜１００℃であった。前記の凝縮した１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンの、前記氷酢酸を含有する蒸留受け器への滴加の際に発熱反応が観察された。前記蒸留受け器中の混合物はこの場合、黄褐色に変色した。前記の装入した氷酢酸と共に、全部で蒸留物２１．７ｇが得られた。この得られた蒸留物を１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲ−分光学的に分析した。前記スペクトルは［ＥＭＩＭ］−酢酸並びに過剰な酢酸及びｔｅｒｔ．−ブタノールのシグナルを示した。前記の過剰な酢酸及びｔｅｒｔ．−ブタノールの分離後、８０℃で真空中でＥＭＩＭ−酢酸１５．６ｇを得た。これは、６１％の収率に相応する。
【００７０】
実施例３（本発明による）
融解した［ＥＭＩＭ］Ｃｌ ２２ｇ（０，１５Ｍｏｌ）と、カリウム−ｔｅｒｔ．−ブチラート２５．２ｇ（０．２２５Ｍｏｌ）とを混合した。この形成した１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを引き続き真空中で４０〜２００Ｐａ ａｂｓの圧力及び４７〜５２℃の移行温度で留去し、メタンスルホン酸１４．４ｇ（０．１５Ｍｏｌ）で充填しかつ氷水で冷却した蒸留受け器中に導入した。この塔底温度は７５〜１１０℃であった。前記の凝縮した１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンの、前記メタンスルホン酸を含有する蒸留受け器への滴加の際に発熱反応が観察された。前記蒸留受け器中の混合物はこの場合、黄褐色に変色した。前記の装入したメタンスルホン酸と共に、全部で蒸留物２８．４ｇが得られた。この得られた蒸留物を１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲ−分光学的に分析した。ＮＭＲ−分析によれば、これは［ＥＭＩＭ］−メタンスルホン酸であった。この収率は、９１．８％であった。
【００７１】
比較例４
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド（以下［ＢＭＩＭ］Ｃｌと略称する）２５ｇ（０．１４３Ｍｏｌ）と、カリウム−ｔｅｒｔ．−ブチラート２４．１ｇ（０．２１５Ｍｏｌ）とを混合すると、このバッチはすぐさま橙赤色に変色した。この形成された１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを引き続き真空中で２０Ｐａ ａｂｓの圧力及び５８〜６６℃の移行温度で留去した。この塔底温度は８５〜９３℃であった。蒸留物１４．３４ｇを得、前記蒸留に引き続きすぐさまメタノールと混合した。前記混合物のｐＨ値は１２であった。この得られた混合物をすぐさま１Ｈ及び１３ＣＮＭＲ分光学的に分析した。この際、１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンも、前記１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムカチオンも検出されなかった。前記混合物の主成分は、これ以上同定されない分解生成物であった。
【技術分野】
【０００１】
発明の詳細な説明
本発明は、一般式（Ｉ）
【０００２】
【化１】
［前記式中、
＊前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は相互に独立して、炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又はアラリファチック（ａｒａｌｉｐｈａｔｉｓｃｈ）の、１〜３０つの炭素原子を有する残基を表し、前記残基は１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよく、その際、このそれぞれ隣接した残基、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、並びにＲ３とＲ４はまた相互に結合していてよく、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３は更にまた相互に独立して、水素、ハロゲン又は官能基を表す；
かつ
＊Ａａ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ａは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩を製造するための、一般式（ＩＩ）
【０００３】
【化２】
［前記式中、前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は上述した意味を有し、かつ前記アニオンＹｙ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨｙＹ（ＩＶ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ｙは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の１，３−置換イミダゾリウム塩と強塩基との２０〜２５０℃の範囲にある温度での反応による、この生じた１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの留去下での、一般式（Ｉ）の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法に関する。
【０００４】
１，３−置換イミダゾリウム塩はいわゆるイオン液体のグループに属し、ますます重要性を増している。つまりこれらは例えば、様々な適用に関して、有機及び無機化合物のための良好な溶媒である。
【０００５】
イオン液体は溶媒として、例えば化学的な反応の実施のためにますます重要性を増している。P. Wasserscheid et al., Angew. Chem. 112 (2000), p3926〜3945は、均一系遷移金属触媒におけるその使用に関して概論を述べる。重要なことはこの場合、この使用するイオン液体の純度であり、というのは不純物が化学反応の過程に一般的にネガティブに影響するからである。従って例えばP. Dyson et al. in Electrochemical Society Proceedings, 99-41巻, p161〜168は、液相水素化における塩化物含有イオン液体の使用の際及びＳｕｚｕｋｉ反応の際の問題を指摘している。イオン液体の製造の際には従って、所望の生成物の純度に関して高い要求が出される。
【０００６】
前記イオン液体の重要なグループは、前記の置換イミダゾリウム塩である。一般的に、前記塩はこの相応するＮ−置換イミダゾールから、この第２の窒素のアルキル化により得られる。
【０００７】
ＷＯ02/34722は、１，２，３−置換イミダゾリウム塩、１，２，３，４−置換イミダゾリウム塩、及び１，２，３，４，５−置換イミダゾリウム塩の製造のための２つの異なる方法を記載する：（１）非直接的な経路の際には、この相応する、置換したイミダゾールを有機ハロゲン化物と反応させ、この置換したイミダゾリウム−ハロゲン化物のハロゲン化物イオンを所望のアニオンによるイオン交換によって交換する。（２）直接的な経路の際には、この相応する、置換したイミダゾールをアルキルトリフラート又は所望のアニオンのトリアルキルオキソニウム塩（例えばトリエチルオキソニウム−テトラフルオロホウ酸）と反応させる。前記非直接的な経路（１）を介したこの製造に関する欠点は、引き続いて必要なイオン交換、及び場合によりこれに関連した前記生成物の有機溶媒を用いた抽出による高い出費、並びにハロゲン化物イオンの残存する残留含量であって、前記含量は例えば前記した遷移金属触媒反応をネガティブに影響する可能性がある。前記直接的な経路（２）を介したこの製造に関する欠点は、前記アルキル化剤は、この置換基も、前記アニオンをも規定することで、並びに前記アニオンに関して多様性の幅及び柔軟性を制限することである。
【０００８】
EP-A 1 182 196は、ベースとなる１−置換イミダゾールと、アルキル化剤である、これに相応する有機的なジスルファートとの反応、及び所望のアニオンを含有する金属塩との引き続くイオン交換による１，３−置換イミダゾリウム塩のハロゲン化物なしの製造を教示する。従って例えば、１−ブチル−３−メチル−イミダゾリウム−テトラフルオロホウ酸の製造を、１−ブチルイミダゾールとジメチルスルファートとの反応、ナトリウム−テトラフルオロホウ酸での引き続く処理、及びメチレンクロリドでの前記生成物の複数回の抽出により実施した。この上述の方法は即ち、見かけ上、塩化物なしの１，３−置換イミダゾリウム塩を生じるが、しかし有機的なジスルファートの使用の決定的な欠点を有し、前記使用はその発癌性作用及び腐食作用に基づく安全性の面での高いリスクであり、かつ従って莫大な安全性の面での出費を必要とする。更に、金属塩（これはこの所望のアニオンを含有する）の添加によるイオン交換は非常に高価であり、というのは特にこのバッチを引き続き抽出により有機溶媒の使用下で後処理しなくてはならないからである。
【０００９】
ＷＯ01/40146は、１，３−置換イミダゾリウム塩の、ベースとなる１−置換イミダゾールとフッ化エステルとの反応、例えばトリフルオロ酢酸エステルとの反応、又はアルキル化剤であるアルキルスルホナートとの、溶媒の存在下での反応による製造を記載する。この得られた生成物の、所望のアニオンの酸、例えばテトラフルオロホウ酸又はヘキサフルオロリン酸との引き続く反応により、この所望の１，３−置換イミダゾリウム塩は、ほぼハロゲン化物なしで、かつ金属なしで得られる。この方法に関する欠点は、この合成において使用された化合物又はその反応生成物の痕跡量での前記の所望の１，３−置換イミダゾリウム塩の汚染、例えば、過剰のアルキル化剤、使用した１−置換イミダゾールの塩、使用した溶媒の塩、又はフッ化した酸アニオン又はスルホナートを有する１，３−置換したイミダゾリウム塩の痕跡量での汚染である。
【００１０】
ＷＯ96/18459は、所望のイミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン又はホスホニウムカチオンのハロゲン化物と、鉛塩（このアニオンは前記イオン液体のための所望のアニオンである）との反応、及びこの生じる鉛ハロゲン化物の分離によるハロゲン化物なしのイオン液体の製造を開示している。この記載した方法に関する欠点は、毒性の鉛塩の化学量論量の使用、及びこれに関連した、処理する鉛ハロゲン化物に関する化学量論量の発生の他に、特に前記生成物のこの鉛化合物との著しい汚染であり、例えば特にJ.T. Hamill et al., Chem. Comm. 2000, p1929〜1930から明らかである。
【００１１】
置換したイミダゾリウム塩の、上述した製造方法に関する欠点は、副生成物によって汚染された生成物を得ることであり、前記生成物は置換したイミダゾリウム塩の使用の際にネガティブな影響を生じかねない。
【００１２】
WO 01/77081は、ハロゲン化物イオンでも、金属イオンでも汚染されていない、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩が製造される方法を開示する。使用物質として１，３−置換イミダゾリウム塩（これは例えば従来の方法で製造されている）を用い、その際このアニオンは、後に所望するアニオンとは完全に異なっていてよい。前記１，３−置換イミダゾリウム塩は、上述の方法の際に強塩基の存在下で、例えばアルコラートの存在下で、減圧下で加熱され、その際相応する１，３−置換イミダゾリウム塩−カルベンが形成し、かつ留去される。これは、受け器中で純物質として凝縮される。引き続きこの凝縮したカルベンを、所望のアニオンの酸又はアルコールと、この精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の形成下で反応させる。前記方法に関する欠点は、A.J. Arduengo et al., J. Am. Chem. Soc. 114, 1992, p5530〜5534に記載された事実であって、即ち立体的に強力には阻害されていないカルベンは溶媒中では数日間安定であるが、純物質としては非常に不安定である。従って、例えば純粋な１，３−ジメチルイミダゾール−２−イリデンは極低温でも、褐色化及び粘性の生成物の形成下で分解する。このWO 01/77081に述べられた実施例によって、１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデン、１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデン、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾール−２−イリデン及び１−オクチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを非常に少量、クーゲルロール装置中で得、かつＮＭＲ分光学的に検出されることが可能であったことが示されたとしても、この必然的に形成される粘性の副生成物は、前記の所望の１，３−置換イミダゾリウム塩の新たな汚染を生じる。この粘性の副生成物の量は、この際生成物バッチの大きさが大きくなるにつれ、そのより長い滞留時間のために更に増え、従って前記方法の工業的な使用の際には、非常に強力に汚染された生成物が得られるだけである。０℃を下回る温度への前記蒸留受け器の強力な冷却は、技術的に非常に高価でかつエネルギー集中的である。
【００１３】
従って、上述した欠点をもはや有さず、イミダゾリウム−カチオンの置換基の選択及びアニオンの選択に関して大きな多様性及び柔軟性を有し、かつ技術的に容易な方法で高い収率でもって、純粋な１，３−置換イミダゾリウム塩から高純度な１，３−置換イミダゾリウム塩までを生じる、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法を見出すことが課題である。
【００１４】
これにより、一般式（Ｉ）
【００１５】
【化３】
［前記式中、
＊前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は相互に独立して、炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基を表し、前記残基は１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよく、その際、このそれぞれ隣接した残基、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、並びにＲ３とＲ４はまた相互に結合していてよく、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３は更にまた相互に独立して、水素、ハロゲン又は官能基を表す；
かつ
＊Ａａ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ａは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩を製造するための、一般式（ＩＩ）
【００１６】
【化４】
［前記式中、前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は上述した意味を有し、かつ前記アニオンＹｙ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨｙＹ（ＩＶ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ｙは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の１，３−置換イミダゾリウム塩と強塩基との２０〜２５０℃の範囲にある温度での反応による、この生じた１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの留去下での製造方法であって、この留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、かつ／又はこの留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを、気体状態又は凝縮状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入することを特徴とする、一般式（Ｉ）の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法を見出した。
【００１７】
前記本発明による方法により製造可能な精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、一般式（Ｉａ）
【００１８】
【化５】
［前記式中
前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は相互に独立して、炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基を表し、前記残基は１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよく、その際、このそれぞれ隣接した残基、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、並びにＲ３とＲ４もまた相互に結合していてよく、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３は更にまた相互に独立して、水素、ハロゲン又は官能基を表す］
の１，３−置換イミダゾリウムカチオンを含有する。
【００１９】
ヘテロ原子として原則的には、式として−ＣＨ２−、−ＣＨ＝、Ｃ≡、＝Ｃ＝の基を置換することが可能である全てのヘテロ原子が考慮される。前記炭素含有残基がヘテロ原子を含有する場合には、酸素、窒素、硫黄、リン及びケイ素が有利である。有利な基として、特に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ−、−Ｎ＝、−ＰＲ−、−ＰＲ２及び−ＳｉＲ２−が挙げられ、その際前記残基Ｒは前記炭素含有残基の残りの部分である。前記炭素含有残基はこの際Ｒ２及びＲ３の場合には、このヘテロ原子を介してイミダゾリウム環に直接的に結合していてもよい。
【００２０】
官能基として原則的には、炭素原子又はヘテロ原子に結合していてよい全ての官能基が考慮される。適した例として、−ＯＨ（ヒドロキシ）、＝Ｏ（殊にカルボニル基として）、−ＮＨ２（アミノ）、＝ＮＨ（イミノ）、−ＣＯＯＨ（カルボキシ）、−ＣＯＮＨ２（カルボキサミド）及び−ＣＮ（シアノ）が挙げられる。官能基及びヘテロ原子は、直接的に隣接していてもよく、従って複数の近接した原子からの組み合わせ、例えば−Ｏ−（エーテル）、−Ｓ（チオエーテル）、−ＣＯＯ−（エステル）、−ＣＯＮＨ−（第二アミド）又は−ＣＯＮＲ−（第三アミド）も含まれてよく、例えばジ−（Ｃ１〜Ｃ４アルキル）−アミノ、Ｃ１〜Ｃ４アルキルオキシカルボニル又はＣ１〜Ｃ４アルキルオキシも含まれてよい。
【００２１】
ハロゲンとして、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素が挙げられる。
【００２２】
有利には、本発明による方法の際には、前記残基Ｒ２及びＲ３が相互に独立して、
・水素；
・ハロゲン；又は
・官能基：
かつ、前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が相互に独立して、それぞれ
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換された、及び／又は１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断されたＣ１〜Ｃ１８−アルキル；
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換された、及び／又は１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断されたＣ２〜Ｃ１８−アルケニル；
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ６〜Ｃ１２−アリール；
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキル；
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルケニル；又は
・場合により、官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換された五〜六員環の、酸素原子、窒素原子及び／又は硫黄原子を有する複素環を表す；、又は
隣接した残基Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３並びにＲ３とＲ４が一緒になって
・不飽和の、飽和の、又は芳香族の、場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換され、かつ、場合により１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断された環を形成する
場合に精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００２３】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ１〜Ｃ１８−アルキルは、有利にはメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、２−エチルヘキシル、２，４，４−トリメチル−ペンチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、１−ノニル、１−デシル、１−ウンデシル、１−ドデシル、１−トリデシル、１−テトラデシル、１−ペンタデシル、１−ヘキサデシル、１−ヘプタデシル、１−オクタデシル、シクロペンチルメチル、２−シクロペンチルエチル、３−シクロペンチルプロピル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、３−シクロヘキシルプロピル、ベンジル（フェニルメチル）、ジフェニルメチル（ベンズヒドリル）、トリフェニルメチル、１−フェニルエチル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、α，α−ジメチルベンジル、ｐ−トリルメチル、１−（ｐ−ブチルフェニル）−エチル、ｐ−クロロベンジル、２，４−ジクロロベンジル、ｐ−メトキシベンジル、ｍ−エトキシベンジル、２−シアノエチル、２−シアノプロピル、２−メトキシカルボンエチル、２−エトキシカルボニルエチル、２−ブトキシカルボニルプロピル、１，２−ジ−（メトキシカルボニル）−エチル、メトキシ、エトキシ、ホルミル、１，３−ジオキソラン−２−イル、１，３−ジオキサン−２−イル、２−メチル−１，３−ジオキソラン−２−イル、４−メチル−１，３−ジオキソラン−２−イル、クロロメチル、２−クロロエチル、トリクロロメチル、トリフルオロメチル、１，１−ジメチル−２−クロロエチル、２、２，２−トリフルオロエチル、２−ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、６−ヒドロキシヘキシル、２−アミノエチル、２−アミノプロピル、３−アミノプロピル、４−アミノブチル、６−アミノヘキシル、２−メチルアミノエチル、２−メチルアミノプロピル、３−メチルアミノプロピル、４−メチルアミノブチル、６−メチルアミノヘキシル、２−ジメチルアミノエチル、２−ジメチルアミノプロピル、３−ジメチルアミノプロピル、４−ジメチルアミノブチル、６−ジメチルアミノヘキシル、２−ヒドロキシ−２，２−ジメチルエチル、２−フェノキシエチル、２−フェノキシプロピル、３−フェノキシプロピル、４−フェノキシブチル、６−フェノキシヘキシル、２−メトキシエチル、２−メトキシプロピル、３−メトキシプロピル、４−メトキシブチル、６−メトキシヘキシル、２−エトキシエチル、２−エトキシプロピル、３−エトキシプロピル、４−エトキシブチル、６−エトキシヘキシル、アセチル、ＣｎＦ２（ｎ−ａ）＋（１−ｂ）Ｈ２ａ＋ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１（例えばＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ（ｎ−２）Ｆ２（ｎ−２）＋１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ８Ｆ１７、Ｃ１０Ｆ２１、Ｃ１２Ｆ２５））、メトキシメチル、２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−ブトキシエチル、ジエトキシメチル、ジエトキシエチル、２−イソプロポキシエチル、２−ブトキシプロピル、２−オクチルオキシエチル、２−メトキシイソプロピル、２−（メトキシ−カルボニル）−エチル、２−（エトキシカルボニル）−エチル、２−（ｎ−ブトキシカルボニル）−エチル、ブチルチオメチル、２−ドデシルチオエチル、２−フェニルチオエチル、５−ヒドロキシ−３−オキサ−ペンチル、８−ヒドロキシ−３，６−ジオキサオクチル、１１−ヒドロキシ−３，６，９−トリオキサ−ウンデシル、７−ヒドロキシ−４−オキサ−ヘプチル、１１−ヒドロキシ−４，８−ジオキサウンデシル、１５−ヒドロキシ−４，８，１２−トリオキサ−ペンタデシル、９−ヒドロキシ−５−オキサ−ノニル、１４−ヒドロキシ−５，１０−オキサ−テトラデシル、５−メトキシ−３−オキサ−ペンチル、８−メトキシル−３，６−ジオキサ−オクチル、１１−メトキシ−３，６，９−トリオキサ−ウンデシル、７−メトキシ−４−オキサ−ヘプチル、１１−メトキシ−４，８−ジオキサ−ウンデシル、１５−メトキシ−４，８，１２−トリオキサ−ペンタデシル、９−メトキシ−５−オキサ−ノニル、１４−メトキシ−５，１０−オキサ−テトラデシル、５−エトキシ−３−オキサ−ペンチル、８−エトキシ−３，６−ジオキサ−オクチル、１１−エトキシ−３，６，９−トリオキサ−ウンデシル、７−エトキシ−４−オキサーヘプチル、１１−エトキシ−４，８−ジオキサ−ウンデシル、１５−エトキシ−４，８，１２−トリオキサ−ペンタデシル、９−エトキシ−５−オキサ−ノニル又は１４−エトキシ−５，１０−オキサーテトラデシルである。
【００２４】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換された、及び／又は１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断されたＣ２〜Ｃ１８−アルケニルは、有利にはビニル、２−プロペニル、３−ブテニル、ｃｉｓ−２−ブテニル、ｔｒａｎｓ−２−ブテニル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−（１−ｂ）Ｈ２ａ−ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）である。
【００２５】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ６〜Ｃ１２−アリールは、有利にはフェニル、トリル、キシリル、α−ナフチル、β−ナフチル、４−ジフェニルイル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、トリクロロフェニル、ジフルオロフェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニル、ジエチルフェニル、イソプロピルフェニル、ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル、ドデシルフェニル、メトキシフェニル、ジメトキシフェニル、エトキシフェニル、ヘキシルオキシフェニル、メチルナフチル、イソプロピルナフチル、クロロナフチル、エトキシナフチル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２，６−ジメトキシフェニル、２，６−ジクロロフェニル、４−ブロモフェニル、２−ニトロフェニル、４−ニトロフェニル、２，４−ジニトロフェニル、２，６−ジニトロフェニル、４−ジメチルアミノフェニル、４−アセチルフェニル、メトキシエチルフェニル、エトキシメチルフェニル、メチルチオフェニル、イソプロピルフェニル又はｔｅｒｔ．−ブチルチオフェニル又は、０≦ａ≦５を有するＣ６Ｈ（５−ａ）Ｈａである。
【００２６】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルは、有利にはシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル、シクロドデシル、メチルシクロペンチル、ジメチルシクロペンチル、メチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、ジエチルシクロヘキシル、ブチルシクロヘキシル、メトキシシクロヘキシル、ジメトキシシクロヘキシル、ジエトキシシクロヘキシル、ブチルチオシクロヘキシル、クロロシクロヘキシル、ジクロロシクロヘキシル、ジクロロシクロペンチル、ＣｎＦ２（ｎ−ａ）−（１−ｂ）Ｈ２ａ−ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）、並びに飽和又は不飽和の二環系、例えばノルボルニル又はノルボルネニルである。
【００２７】
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換されたＣ５〜Ｃ１２−シクロアルケニルは、有利には３−シクロペンテニル、２−シクロヘキセニル、２，５−シクロヘキサジエニル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−３（１−ｂ）Ｈ２ａ−３ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）である。
場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環によって置換された五〜六員環の、酸素原子、窒素原子及び／又は硫黄原子を有する複素環は、有利にはフリル、チオフェニル、ピリル、ピリジル、インドリル、ベンズオキサゾリル、ジオキソリル、ジオキシル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、ジメチルピリジル、メチルキノリル、ジメチルピリル、メトキシフリル、ジメトキシピリジル又はジフルオロピリジルである。
【００２８】
前記の隣接した残基Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３並びにＲ３とＲ４が一緒になって不飽和の、飽和の、又は芳香族の、場合により官能基、アリール、アルキル、アリールオキシ、アルキルオキシ、ハロゲン、ヘテロ原子及び／又は複素環により置換され、かつ、場合により１つ又は複数の酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基により中断された環を形成する場合には、これは有利には１，３−プロピレン、１，４−ブチレン、２−オキサ−１，３−プロピレン、１−オキサ−１，３−プロピレン、２−オキサ−１，３−プロピレン、１−オキサ−１，３−プロペニレン、１−アザ−１，３−プロペニレン、１−Ｃ１〜Ｃ４−アルキル−１−アザ−１，３−プロペニレン、１，４−ブタ−１，３−ジエニレン、１−アザ−１，４−ブタ−１，３−ジエニレン、又は２−アザ−１，４−ブタ−１，３−ジエニレンである。
【００２９】
上述した残基が、酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又は１つ又は複数の置換又は非置換のイミノ基を含有する場合には、前記酸素原子及び／又は硫黄原子及び／又はイミノ基の数は限定されない。一般に、前記の数は、前記残基中に５個以下、有利には４個以下、特に有利には３個以下である。
【００３０】
上述した残基がヘテロ原子を含有する場合には、２つのヘテロ原子の間には一般的に少なくとも１つの炭素原子、有利には少なくとも２つの炭素原子が存在する。
【００３１】
殊に有利には、前記残基Ｒ１及びＲ４は相互に独立して、非分枝又は分枝の、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、１−ヘプチル、１−オクチル、１−ノニル、１−デシル、１−ウンデシル、１−ドデシル、１−テトラデシル、１−ヘキサデシル、１−オクタデシル、２−ヒドロキシエチル、ベンジル、３−フェニルプロピル、ビニル、２−シアノエチル、２−（メトキシカルボニル）−エチル、２−（エトキシカルボニル）−エチル、２−（ｎ−ブトキシカルボニル）−エチル、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル、ヘプタフルオロイソプロピル、ノナフルオロブチル、ノナフルオロイソブチル、ウンデシルフルオロペンチル、ウンデシルフルオロイソペンチルであり、６−ヒドロキシヘキシル又はプロピルスルホン酸である。
【００３２】
殊に有利には、前記残基Ｒ２及びＲ３は、相互に独立して、水素又は非分枝又は分枝の、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、２−ヒドロキシエチル、２−シアノエチル、２−（メトキシカルボニル）−エチル、２−（エトキシカルボニル）−エチル、２−（ｎ−ブトキシカルボニル）−エチル、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、塩素、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル、ヘプタフルオロイソプロピル、ノナフルオロブチル、ノナフルオロイソブチル、ウンデシルフルオロペンチル、ウンデシルフルオロイソペンチル、又は６−ヒドロキシヘキシルである。
【００３３】
とりわけ特に有利には、本発明による方法の際に、前記残基Ｒ１及びＲ４は、相互に独立して、メチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、１−ペンチル、１−ヘキシル、１−ヘプチル、１−オクチル、１−ノニル、１−デシル、１−ドデシル、１−テトラデシル、１−ヘキサデシル、１−オクタデシル、１−（２−エチル）ヘキシル、ベンジル、３−フェニルプロピル、６−ヒドロキシヘキシル又はフェニルであり、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３が相互に独立して、水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、１−ヘキシル、６−ヒドロキシヘキシル、フェニル又は塩素である際に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００３４】
とりわけ特に有利には、本発明による方法の際に、１，３−置換イミダゾリウムカチオンとして、１，３−ジメチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−プロピルイミダゾリウム、１−イソプロピル−３−メチルイミダゾリウム、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−ペンチルイミダゾリウム、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、１−ヘプチル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−オクチルイミダゾリウム、１−デシル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチルーベンジルイミダゾリウム、１−メチル−３−（３−フェニルプロピル）イミダゾリウム、１−（２−エチル）ヘキシル−３−メチルイミダゾリウム、１−メチル−３−ノニルイミダゾリウム、１−メチル−３−デシルイミダゾリウム、１，２，３−トリメチルイミダゾリウム、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウム又は１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムを含有する際に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００３５】
この本発明の方法により製造可能な精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、前記アニオンＡａ−を含有し、その際前記アニオンは無機又は有機のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンであり、その際ａは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す。
【００３６】
部分的に脱プロトンしたアニオンとして多価の酸からのアニオンが理解され、これは１つ又は複数の脱プロトン可能な水素原子を含有する。相応して、完全に脱プロトンしたアニオンとして、更なる脱プロトン可能な水素原子を含有しないアニオンが理解される。
【００３７】
有利には、本発明による方法の際に、前記アニオンＡａ−が
フッ化物；ヘキサフルオロリン酸；ヘキサフルオロヒ酸；ヘキサフルオロアンチモン酸；トリフルオロヒ酸；亜硝酸；硝酸；硫酸：硫酸水素；炭酸；炭酸水素；リン酸；リン酸水素；リン酸二水素；ビニルホスホン酸；ジシアナミド；ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィン酸；トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸；トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロリン酸；ビス［オキサラト（２−）］ホウ酸；ビス［サリチラト（２−）］ホウ酸；ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ホウ酸；テトラシアノホウ酸；テトラカルボニルコバルト酸；
一般式（Ｖａ）［ＢＲａＲｂＲｃＲｄ］−［前記式中、Ｒａ〜Ｒｄは相互に独立して、フッ素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の四置換されたホウ酸であるか；
一般式（Ｖｂ）［Ｒｅ-ＳＯ３］−［前記式中、Ｒｅは炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記基残は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の有機スルホン酸であるか；
一般式（Ｖｃ）［Ｒｆ−ＣＯＯ］−［前記式中、Ｒｆは水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のカルボン酸であるか；
一般式（Ｖｄ）［ＰＦｘ（ＣｙＦ２ｙ＋１−ｚＨｚ）６−ｘ］−［前記式中、１≦ｘ≦６、１≦ｙ≦８及び０≦ｚ≦２ｙ＋１］の（フルオロアルキル）フルオロリン酸；
一般式（Ｖｅ）［Ｒｇ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−Ｒｈ］−、（Ｖｆ）［Ｒｉ−ＳＯ２−Ｎ−ＣＯ−Ｒｊ］−、又は（Ｖｇ）［Ｒｋ−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−Ｒｌ］−［前記式中、Ｒｇ〜Ｒｌは相互に独立して、水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のイミドであるか；
一般式（Ｖｈ）
【００３８】
【化６】
［前記式中、Ｒｍ〜Ｒｏは相互に独立して、水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のメチドであるか；
一般式（Ｖｉ）［ＲｐＯ−ＳＯ３］−［前記式中、Ｒｐは炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の有機硫酸であるか；又は
一般式（Ｖｊ）［ＭｑＨａｌｒ］ｓ−［前記式中、Ｍは金属、及びＨａｌはフッ素、塩素、臭素又はヨウ素であり、ｑ及びｒは正の整数であってこの錯体の化学量論を示し、かつｓは正の整数であってこの錯体の電荷を示す］のハロメタラート（Ｈａｌｏｍｅｔａｌｌａｔ）；
である場合に精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００３９】
前記アニオンＡａ−の電荷「ａ−」は、「１−」、「２−」又は「３−」である。２価で負に荷電したアニオンの例として、硫酸、リン酸水素及び炭酸が挙げられる。３価で負に荷電したアニオンの例として、リン酸が挙げられる。
【００４０】
ヘテロ原子として原則的に、式として−ＣＨ２−、−ＣＨ＝、Ｃ≡又は＝Ｃ＝の基を置換することが可能である全てのヘテロ原子が考慮される。前記炭素含有残基がヘテロ原子を含有する場合には、酸素、窒素、硫黄、リン及びケイ素が有利である。有利な基として、特に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲ−、−Ｎ＝、−ＰＲ−、−ＰＲ２及び−ＳｉＲ２−が挙げられ、その際前記残基Ｒは前記炭素含有残基の残りの部分である。
【００４１】
官能基として原則的には、炭素原子又はヘテロ原子に結合していてよい全ての官能基が考慮される。適した例として、−ＯＨ（ヒドロキシ）、＝Ｏ（殊にカルボニル基として）、−ＮＨ２（アミノ）、＝ＮＨ（イミノ）、−ＣＯＯＨ（カルボキシ）、−ＣＯＮＨ２（カルボキサミド）及び−ＣＮ（シアノ）が挙げられる。官能基及びヘテロ原子は、直接的に隣接していてもよく、従って複数の近接した原子からの組み合わせ、例えば−Ｏ−（エーテル）、−Ｓ（チオエーテル）、−ＣＯＯ−（エステル）、−ＣＯＮＨ−（第二アミド）又は−ＣＯＮＲ−（第三アミド）も含まれてよい。
【００４２】
ハロゲンとして、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素が挙げられる。
【００４３】
炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基として、四置換されたホウ酸（Ｖａ）の際には前記残基Ｒａ〜Ｒｄ、有機スルホン酸（Ｖｂ）の際には前記残基Ｒｅ、カルボン酸（Ｖｃ）の際には前記残基Ｒｆ、イミド（Ｖｅ）、（Ｖｆ）及び（Ｖｇ）の際には前記残基Ｒｇ〜Ｒｌは、相互に独立して有利には、
・Ｃ１〜Ｃ３０−アルキル及びそのアリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−ＣＯ−Ｎ＜置換した構成要素、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、イコシル、ヘンイコシル、ドコシル、トリコシル、テトラトコシル、ペンタコシル、ヘキサコシル、ヘプタコシル、オクタコシル、ノナコシル、トリアコンチル、フェニルメチル（ベンジル）、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、シクロペンチルメチル、２−シクロペンチルエチル、３−シクロペンチルプロピル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、２−シクロヘキシルプロピル、メトキシ、エトキシ、ホルミル、アセチル、又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）＋（１−ｂ）Ｈ２ａ＋ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１（例えばＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ（ｎ−２）Ｆ２（ｎ−２）＋１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ８Ｆ１７、Ｃ１０Ｆ２１、Ｃ１２Ｆ２５））；
・Ｃ３〜Ｃ１２−シクロアルキル及びそのアリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＣＯ−Ｏ−置換した構成要素、例えばシクロペンチル、２−メチル−１−シクロペンチル、３−メチル−１シクロペンチル、シクロヘキシル、２−メチル−１−シクロヘキシル、３−メチル−１−シクロヘキシル、４−メチル−１−シクロヘキシル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−（１−ｂ）Ｈ２ａ−ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）；
・Ｃ２〜Ｃ３０−アルケニル及びそのアリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＣＯ−Ｏ−置換した構成要素、例えば２−プロペニル、３−ブテニル、ｃｉｓ−２−ブテニル、ｔｒａｎｓ−ブテニル、ｔｒａｎｓ−２−ブテニル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−（１−ｂ）Ｈ２ａ−ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）；
・Ｃ３〜Ｃ１２−シクロアルケニル及びそのアリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＣＯ−Ｏ−置換した構成要素、例えば３−シクロペンテニル、２−シクロヘキセニル、３−シクロヘキセニル、２，５−シクロヘキサジエニル又はＣｎＦ２（ｎ−ａ）−３（１−ｂ）Ｈ２ａ−３ｂ（ｎ≦３０、０≦ａ≦ｎ及びｂ＝０又は１）；及び
・２〜３０つの炭素原子を有するアリール又はヘテロアリール及びそのアルキル置換、アリール置換、ヘテロアリール置換、シクロアルキル置換、ハロゲン置換、ヒドロキシ置換、アミノ置換、カルボキシ置換、ホルミル置換、−Ｏ−、−ＣＯ−、又は−ＣＯ−Ｏ−置換した構成要素、例えばフェニル、２−メチル−フェニル−（２−トリル）、３−メチル−フェニル（３−トリル）、４−メチルーフェニル、２−エチル−フェニル、３−エチル−フェニル、４−エチル−フェニル、２，３−ジメチル−フェニル、２，４−ジメチル−フェニル、２，５−ジメチル−フェニル、２，６−ジメチル−フェニル、３，４−ジメチル−フェニル、３，５−ジメチル−フェニル、４−フェニル−フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、１−ピロリル、２−ピロリル、３−ピロリル、２−ピリジニル、３−ピリジニル、４−ピリジニル又は０≦ａ≦５を有するＣ６Ｆ（５−ａ）Ｈａである。
【００４４】
アニオンＡａ−が、四置換されたホウ酸（Ｖａ）［ＢＲａＲｂＲｃＲｄ］−である場合には、この際有利には全ての四つの残基Ｒａ〜Ｒｄは同一であり、その際前記Ｒは有利にはフッ素、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニルである。殊に有利な四置換されたホウ酸（Ｖａ）は、テトラフルオロホウ酸、テトラフェニルホウ酸及びテトラ［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ホウ酸である。
【００４５】
前記アニオンＡａ−が有機スルホン酸（Ｖｂ）［Ｒｅ−ＳＯ３］−である場合には、前記残基Ｒｅは有利にはメチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ｐ−トリル又はＣ９Ｆ１９である。殊に有利な有機スルホン酸（Ｖｂ）はトリフルオロメタンスルホン酸（トリフラート（Ｔｒｉｆｌａｔ））、メタンスルホン酸、ｐ−トリルスルホン酸、ノナデカンフルオロノナスルホン酸（ノナフラート（Ｎｏｎａｆｌａｔ））、ジメチレングリコールモノメチル−エーテル硫酸及びオクチル硫酸である。
【００４６】
前記アニオンＡａ−がカルボン酸（Ｖｃ）［Ｒｆ−ＣＯＯ］−である場合には、前記残基Ｒｆは有利には水素、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、ヒドロキシ−フェニルメチル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル、エテニル（ビニル）、２−プロペニル、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、ｃｉｓ−８−ヘプタデセニル、−ＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）−ＣＨ２−ＣＯＯ−、又は非分枝又は分枝のＣ１〜Ｃ１８−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、ヘプタデシルである。殊に有利なカルボン酸（Ｖｃ）はギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、安息香酸、マンデル酸、トリクロロ酢酸、クロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、フルオロ酢酸である。
【００４７】
前記アニオンＡａ−が（フルオロアルキル）フルオロリン酸（Ｖｄ）［ＰＦｘ（ＣｙＦ２ｙ＋１−ｚＨｚ）６−ｘ］−である場合には、ｚは有利には０である。殊に有利には、ｚ＝０、ｘ＝３及び１≦ｙ≦４の（フルオロアルキル）フルオロリン酸（Ｖｄ）、具体的には、［ＰＦ３（ＣＦ３）３］−、［ＰＦ３（Ｃ２Ｆ５）３］−、［ＰＦ３（Ｃ３Ｆ７）３］−及び［ＰＦ３（Ｃ４Ｆ７）３］−である。
【００４８】
アニオンＡａ−がイミド（Ｖｅ）［Ｒｇ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−Ｒｈ］−、（Ｖｆ）［Ｒｉ−ＳＯ２−Ｎ−ＣＯ−Ｒｊ］−、又は（Ｖｇ）［Ｒｋ−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−Ｒｌ］−である場合には、前記残基Ｒｇ〜Ｒｌは相互に独立して有利には、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル又は非分枝又は分枝のＣ１〜Ｃ１２−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル又はドデシルである。殊に有利なイミド（Ｖｅ）、（Ｖｆ）、及び（Ｖｇ）は［Ｆ３Ｃ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−ＣＦ３］−（ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド）、［Ｆ５Ｃ２-ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−Ｃ２Ｆ５］−（ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド）、［Ｆ３Ｃ−ＳＯ２−Ｎ−ＣＯ−ＣＦ３］−、［Ｆ３Ｃ−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−ＣＦ３］−、及び前記残基Ｒｇ〜Ｒｌが相互に独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、又はフルオロメチルであるイミドである。
【００４９】
アニオンＡａ−がメチド（Ｖｈ）
【００５０】
【化７】
である場合には、前記残基Ｒｍ〜Ｒｏは相互に独立して有利には、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル、フルオロメチル、又は非分枝又は分枝のＣ１〜Ｃ１２−アルキル、例えばメチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、２−ブチル、２−メチル−１−プロピル（イソブチル）、２−メチル−２−プロピル（ｔｅｒｔ．−ブチル）、１−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、２−メチル−１−ブチル、３−メチル−１−ブチル、２−メチル−２−ブチル、３−メチル−２−ブチル、２，２−ジメチル−１−プロピル、１−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、２−メチル−１−ペンチル、３−メチル−１−ペンチル、４−メチル−１−ペンチル、２−メチル−２−ペンチル、３−メチル−２−ペンチル、４−メチル−２−ペンチル、２−メチル−３−ペンチル、３−メチル−３−ペンチル、２，２−ジメチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−１−ブチル、３，３−ジメチル−１−ブチル、２−エチル−１−ブチル、２，３−ジメチル−２−ブチル、３，３−ジメチル−２−ブチル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル又はドデシルである。殊に有利なメチド（Ｖｈ）は［（Ｆ３Ｃ−ＳＯ２）３Ｃ］−（トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド）、［（Ｆ５Ｃ２−ＳＯ２）３Ｃ］−（ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド）及び、前記残基Ｒｍ〜Ｒｏが相互に独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、トリクロロメチル、ジクロロメチル、クロロメチル、トリフルオロメチル、ジフルオロメチル又はフルオロメチルであるメチドである。
【００５１】
アニオンＡａ−が有機硫酸（Ｖｉ）［ＲｐＯ−ＳＯ３］−である場合には、前記残基Ｒｐは有利には分枝又は非分枝のＣ１〜Ｃ３０−アルキル残基、殊に有利にはメチル硫酸、エチル硫酸、プロピル硫酸、ブチル硫酸、ペンチル硫酸、ヘキシル硫酸、ヘプチル硫酸又はオクチル硫酸である。
【００５２】
アニオンＡａ−がハロメタラート（Ｖｊ）［ＭｑＨａｌｒ］ｓ−である場合には、Ｍは有利にはアルミニウム、亜鉛、鉄、コバルト、アンチモン又はスズである。Ｈａｌは有利には塩素又は臭素、とりわけ特に有利には塩素である。ｑは有利には１、２又は３、かつｒ及びｓは、前記金属イオンの化学量論及び電荷に相応して生じる。
【００５３】
とりわけ特に有利には本発明による方法の際に、アニオンＡａ−として、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、ギ酸、酢酸、マンデル酸、硝酸、亜硝酸、トリフルオロ酢酸、硫酸、硫酸水素、メチル硫酸、エチル硫酸、プロピル硫酸、ブチル硫酸、ペンチル硫酸、ヘキシル硫酸、ヘプチル硫酸、オクチル硫酸、リン酸、リン酸二水素、リン酸水素、プロピオン酸、テトラクロロアルミン酸、Ａｌ２Ｃｌ７−、クロロ亜鉛酸、クロロ鉄酸、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、トリフリミド（Ｔｒｉｆｌｉｍｉｄ）、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド、トリス（トリフルオロ−メチルスルホニル）メチド（メチド）、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド、ｐ−トリルスルホン酸（トシル酸（Ｔｏｓｙｌａｔ））、ビス［サリチラト（２−）］ホウ酸、テトラカルボニルコバルト酸、ジメチレングリコールモノメチルエーテル硫酸、オレイン酸、ステアリル酸、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、コハク酸水素、ビニルホスホン酸、ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィン酸、ビス［オキサラト（２−）］ホウ酸、ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ホウ酸、ジシアナミド、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸、トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロリン酸、テトラシアノホウ酸、又はクロロコバルト酸を含有する、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造される。
【００５４】
とりわけ殊に有利には本発明による方法の際に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）として、１，３−ジメチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム、及び１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムの、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、硫酸、硫酸水素、メチル硫酸、エチル硫酸、プロピル硫酸、ブチル硫酸、ペンチル硫酸、ヘキシル硫酸、ヘプチル硫酸、オクチル硫酸、リン酸、リン酸二水素、リン酸水素、プロピオン酸、テトラクロロアルミン酸、Ａｌ２Ｃｌ７−、クロロ亜鉛酸、クロロ鉄酸、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ビス（ペンタフルオロエチル−スルホニル）イミド、トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド、ｐ−トリルスルホン酸が製造される。
【００５５】
本発明による方法の際に使用する１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）は、１，３−置換イミダゾリウムカチオン（Ｉａ）（上記で定義したとおりであり、従って製造する精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）の１，３−置換イミダゾリウムカチオン（Ｉａ）と同一である）と、前記アニオンＹｙ−とを含有し、前記アニオンは無機又は有機のプロトン酸ＨｙＹ（ＩＶ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ｙは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す。アニオンＹｙ−として原則的に、無機又は有機のプロトン酸の、全ての部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンが適していて、これは前記１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉａ）と塩を形成する。有利にはＹｙ−は、無機又は有機のプロトン酸の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンであり、例えばこれは前記アニオンＡａ−の定義の際に記載したようであり、並びに塩化物、臭化物、及びヨウ化物である。
【００５６】
殊に有利には本発明による方法の際に、１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）を使用し、これはアニオンＹｙ−として、塩化物、臭化物、メタンスルホン酸、炭酸水素、炭酸、硫酸水素、ジエチルリン酸、トシル酸又はメチル硫酸を含有する。
【００５７】
この使用する１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）は例えば、一般的に公知の合成により、例えば相応する１−置換イミダゾールのアルキル化により入手可能である。
【００５８】
強塩基として本発明による方法の場合に原則的には、適当な反応条件、例えば圧力及び温度下で、前記の使用した１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）を、相応する１，３−置換イミダゾール−２−イリデンへと変換することが可能である、全ての塩基を使用してよい。適した強塩基として例示的には、アルコラート、例えば脂肪族のアルコールのアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩、水酸化物、例えばアルカリ金属の水酸化物及びアルカリ土類金属の水酸化物（例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、又は水酸化カルシウム及びそのクラウンエーテル錯体）、酸化物、例えばアルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム又は酸化カルシウム）、炭酸塩及び炭酸水素塩、例えばアルカリ金属炭酸塩及びアルカリ土類金属炭酸塩及びアルカリ金属炭酸水素塩及びアルカリ土類金属炭酸水素塩（例えば炭酸ナトリウム又は炭酸カリウム、又は炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウム）、アンモニア、アミン、金属水素化物、例えば水素化ナトリウム又は水素化カリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化アルミニウムリチウム、ブチルリチウム、フェノラート、例えばナトリウムフェノラート又はカリウムフェノラート、及びそのクラウンエーテル錯体、アミジン、アミド、例えばナトリウムアミド、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）又は１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ）が挙げられる。有利には強塩基として、アルカリのＣ１〜Ｃ６−アルキラート、例えばメチラート、エチラート、ｎ−ブチラート、ｓｅｃ−ブチラート、イソ−ブチラート、ｔｅｒｔ．−ブチラート、ペンチラート又はヘキシラートを使用する。とりわけ殊に有利には、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチラート、又はカリウム−ｔｅｒｔ．−ブチラートを使用する。
【００５９】
添加した強塩基のモル量は一般的には、１，３−置換イミダゾリウムカチオン（Ｉａ）のモル量に関して０．８〜５、有利には０．９〜３、殊に有利には１．０〜１．１である。
【００６０】
前記１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）と、前記強塩基とを、相応する１，３−置換イミダゾール−２−イリデンにするこの反応は、２０〜２５０℃、有利には２０〜２００℃、殊に有利には２５〜１５０℃の温度で行われる。一般的には、０．０００１〜０．１５ＭＰａ ａｂｓ、有利には０．０００１〜０．１ＭＰａ ａｂｓ、殊に有利には０．００５〜０．０５ＭＰａ ａｂｓの圧力の場合に前記反応を実施する。
【００６１】
前記反応は原則的に、前記の使用した１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）と、前記の強塩基との混合を可能にし、かつここから、この形成した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの留去を可能にする、全ての装置中で行ってよい。例として、撹拌槽、薄層蒸発装置、フラッシュ蒸発装置、及び蒸留塔が挙げられる。
【００６２】
本発明の核心は、この留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、かつ／又は前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態又は凝縮状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入する処置である。これによって方法全体において、前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデン、及び殊に液状の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの短い滞留時間が保証される。
【００６３】
有利な実施態様においては、前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、液体の、殊に有利には気体状態のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、この凝縮した、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離する。この接触は、例えば蒸留塔中で、又は有利には充填した滞留時間区域中で行われる。前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンと前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）とをこの際有利には向流において互いに接触させ、その際この形成した、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、その高い沸点のために凝縮し、かつ下方に運ばれ、従ってこの精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は直接的に所望の終生成物として入手可能である。このために適した反応装置として、２つの気流が混合するか又は接触することが可能である一般的な装置、例えば蒸留塔又は管状反応器が挙げられる。
【００６４】
その他の有利な実施態様においては、前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入し、ここから前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離する。適した装置として例えば、気体導入装置を有する撹拌槽、塔を有する撹拌槽、冷却器、及び受け器が挙げられる。一般的に、前記の装入したプロトン酸（ＩＩＩ）の蒸発に抗するために前記受け器を冷却することが有利である。前記の気体状態の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンは、例えば蒸留塔の気体状態の塔頂生成物、又は直接的には、前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの形成が行われる前記装置からの気流である。一般的には、前記プロトン酸（ＩＩＩ）を、前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデンに対して、化学量論量又は化学量論を超えた量で使用する。過剰のプロトン酸（ＩＩＩ）を次に、容易な方法で反応後に、留去又は液／液抽出によって除去し、従って前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、直接的に所望の終生成物として入手可能である。
【００６５】
更なる有利な実施態様において、前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを冷却器中で凝縮し、これを凝縮状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する蒸留受け器中に導入し、ここから前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離する。適した装置として、例えば導入装置を有する撹拌槽が挙げられる。一般的に、前記の装入したプロトン酸（ＩＩＩ）の蒸発に抗するために前記受け器を冷却することが有利である。一般的に、前記プロトン酸（ＩＩＩ）を、前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデンに対して、化学量論量又は化学量論を超えた量で使用する。過剰のプロトン酸（ＩＩＩ）を次に、容易な方法で反応後に、留去又は液／液抽出によって除去し、従って前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）は、直接的に所望の終生成物として入手可能である。
【００６６】
前記の本発明による方法によって、殊に高い純度で前記１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が製造可能である。前記塩化物塩、臭化物塩、及びヨウ化物塩が精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）として所望されていない場合には、塩化物イオン、臭化物イオン及びヨウ化物イオンに関するこの総濃度は、有利には≦１００質量ｐｐｍ、殊に有利には≦５０質量ｐｐｍ、とりわけ殊に有利には≦１０質量ｐｐｍ、特に≦５質量ｐｐｍである。金属含有アニオンを有する精製していない１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）が所望されている場合には、前記金属−総濃度は有利には≦１００質量ｐｐｍ、殊に有利には≦５０質量ｐｐｍ、とりわけ有利には≦１０質量ｐｐｍ、特に≦１質量ｐｐｍである。金属−総濃度とはこの場合、結合又は非結合状態で、中性又はイオン状態で、溶解又は懸濁して、溶融した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）中に存在する金属に関する総濃度であると理解される。
【００６７】
前記の本発明による方法は、イミダゾリウム−カチオンの置換基の選択及びアニオンの選択に関して大きな多様性及び柔軟性を有し、かつ技術的に容易な方法で高い収率でもって、純粋な１，３−置換イミダゾリウム塩から高純度な１，３−置換イミダゾリウム塩までを生じる、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法を可能にする。本発明による方法の際には、任意の方法で製造された１，３−置換イミダゾリウム塩が使用されてよい。これは、様々な不純物を含有してもよい。従って、本発明による方法は、この使用する１，３−置換イミダゾリウム塩の品質に関してはさして要求しない。前記気体状態の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを介した精製工程によって、前記受け器中に元から存在する不純物が残る。前記１，３−置換イミダゾール−２−イリデンと、前記の所望のプロトン酸との引き続く反応は従って、殊に純粋な生成物を生じ、前記生成物は例えば、適用のための更なる精製なしで電子分野に適する（「電子等級」）。前記気体状態の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンと前記所望のプロトン酸との直接的な反応、あるいは前記気体状態の又は凝縮した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの、前記プロトン酸を含有する受け器中への導入により、反応性の１，３−置換イミダゾール−２−イリデンから場合により生じる副生成物又は分解生成物の形成は妨げられるか、又は少なくとも著しく減少する。
【００６８】
実施例
比較例１
［ＢＭＩＭ］Ｃｌ ７ｇ（０．０４Ｍｏｌ）と、ナトリウムメチラート３．２４ｇ（０．０６Ｍｏｌ）とを混合すると、このバッチが薄く黄色に変色した。この形成した１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを引き続き真空中で、約７０℃の移行温度で留去し、かつ外部からドライアイスで冷却した蒸留受け器中で捕集した。この得られた蒸留物をすぐさま１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲ分光学的に分析した。この際、１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンは検出されなかった。この蒸留物はこれ以上同定されない分解生成物からなっていた。
【００６９】
実施例２（本発明による）
１−エチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド（以下［ＥＭＩＭ］Ｃｌと略称する）２２ｇ（０．１５Ｍｏｌ）とカリウム−ｔｅｒｔ．−ブチラート２５．２ｇ（０．２２５Ｍｏｌ）とを混合した。この形成した１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを引き続き真空中で４０Ｐａ ａｂｓの圧力及び５２〜５７℃の移行温度で留去し、氷酢酸（濃縮酢酸）９．０ｇ（０．１５Ｍｏｌ）で充填しかつ氷水で冷却した蒸留受け器中に導入した。この塔底温度は７２〜１００℃であった。前記の凝縮した１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンの、前記氷酢酸を含有する蒸留受け器への滴加の際に発熱反応が観察された。前記蒸留受け器中の混合物はこの場合、黄褐色に変色した。前記の装入した氷酢酸と共に、全部で蒸留物２１．７ｇが得られた。この得られた蒸留物を１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲ−分光学的に分析した。前記スペクトルは［ＥＭＩＭ］−酢酸並びに過剰な酢酸及びｔｅｒｔ．−ブタノールのシグナルを示した。前記の過剰な酢酸及びｔｅｒｔ．−ブタノールの分離後、８０℃で真空中でＥＭＩＭ−酢酸１５．６ｇを得た。これは、６１％の収率に相応する。
【００７０】
実施例３（本発明による）
融解した［ＥＭＩＭ］Ｃｌ ２２ｇ（０，１５Ｍｏｌ）と、カリウム−ｔｅｒｔ．−ブチラート２５．２ｇ（０．２２５Ｍｏｌ）とを混合した。この形成した１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを引き続き真空中で４０〜２００Ｐａ ａｂｓの圧力及び４７〜５２℃の移行温度で留去し、メタンスルホン酸１４．４ｇ（０．１５Ｍｏｌ）で充填しかつ氷水で冷却した蒸留受け器中に導入した。この塔底温度は７５〜１１０℃であった。前記の凝縮した１−エチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンの、前記メタンスルホン酸を含有する蒸留受け器への滴加の際に発熱反応が観察された。前記蒸留受け器中の混合物はこの場合、黄褐色に変色した。前記の装入したメタンスルホン酸と共に、全部で蒸留物２８．４ｇが得られた。この得られた蒸留物を１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲ−分光学的に分析した。ＮＭＲ−分析によれば、これは［ＥＭＩＭ］−メタンスルホン酸であった。この収率は、９１．８％であった。
【００７１】
比較例４
１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド（以下［ＢＭＩＭ］Ｃｌと略称する）２５ｇ（０．１４３Ｍｏｌ）と、カリウム−ｔｅｒｔ．−ブチラート２４．１ｇ（０．２１５Ｍｏｌ）とを混合すると、このバッチはすぐさま橙赤色に変色した。この形成された１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンを引き続き真空中で２０Ｐａ ａｂｓの圧力及び５８〜６６℃の移行温度で留去した。この塔底温度は８５〜９３℃であった。蒸留物１４．３４ｇを得、前記蒸留に引き続きすぐさまメタノールと混合した。前記混合物のｐＨ値は１２であった。この得られた混合物をすぐさま１Ｈ及び１３ＣＮＭＲ分光学的に分析した。この際、１−ブチル−３−メチルイミダゾール−２−イリデンも、前記１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムカチオンも検出されなかった。前記混合物の主成分は、これ以上同定されない分解生成物であった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
［前記式中、
＊前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は相互に独立して、炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基を表し、前記残基は１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよく、その際、このそれぞれ隣接した残基、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、並びにＲ３とＲ４はまた相互に結合していてよく、かつ前記残基Ｒ２とＲ３は更にまた相互に独立して、水素、ハロゲン又は官能基を表す；
かつ
＊Ａａ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ａは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩を製造するための、一般式（ＩＩ）
【化２】
［前記式中、前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は上述した意味を有し、かつ前記アニオンＹｙ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨｙＹ（ＩＶ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ｙは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の１，３−置換イミダゾリウム塩と強塩基との２０〜２５０℃の範囲にある温度での反応による、この生じた１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの留去下での製造方法であって、この留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、かつ／又はこの留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを、気体状態又は凝縮状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入することを特徴とする、一般式（Ｉ）の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法。
【請求項２】
前記残基Ｒ１及びＲ４が、相互に独立して、メチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、１−ペンチル、１−ヘキシル、１−ヘプチル、１−オクチル、１−ノニル、１−デシル、１−ドデシル、１−テトラデシル、１−ヘキサデシル、１−オクタデシル、１−（２−エチル）ヘキシル、ベンジル、３−フェニルプロピル、６−ヒドロキシヘキシル又はフェニルであり、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３が相互に独立して水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、１−ヘキシル、６−ヒドロキシヘキシル、フェニル又は塩素である場合に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を製造することを特徴とする、請求項１に記載した製造方法。
【請求項３】
前記アニオンＡａ−が、
フッ化物；ヘキサフルオロリン酸；ヘキサフルオロヒ酸；ヘキサフルオロアンチモン酸；トリフルオロヒ酸；亜硝酸；硝酸；硫酸：硫酸水素；炭酸；炭酸水素；リン酸；リン酸水素；リン酸二水素；ビニルホスホン酸；ジシアナミド；ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィン酸；トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸；トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロリン酸；ビス［オキサラト（２−）］ホウ酸；ビス［サリチラト（２−）］ホウ酸；ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ホウ酸；テトラシアノホウ酸；テトラカルボニルコバルト酸；
一般式（Ｖａ）［ＢＲａＲｂＲｃＲｄ］−［前記式中、Ｒａ〜Ｒｄは相互に独立して、フッ素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の四置換されたホウ酸であるか；
一般式（Ｖｂ）［Ｒｅ−ＳＯ３］−［前記式中、Ｒｅは炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の有機スルホン酸であるか；
一般式（Ｖｃ）［Ｒｆ−ＣＯＯ］−［前記式中、Ｒｆは水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のカルボン酸であるか；
一般式（Ｖｄ）［ＰＦｘ（ＣｙＦ２ｙ＋１−ｚＨｚ）６−ｘ］−［前記式中、１≦ｘ≦６、１≦ｙ≦８及び０≦ｚ≦２ｙ＋１］の（フルオロアルキル）フルオロリン酸；
一般式（Ｖｅ）［Ｒｇ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−Ｒｈ］−、（Ｖｆ）［Ｒｉ−ＳＯ２−Ｎ−ＣＯ−Ｒｊ］−、又は（ＩＶｇ）［Ｒｋ−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−Ｒｌ］−［前記式中、Ｒｇ〜Ｒｌは相互に独立して、水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のイミドであるか；
一般式（Ｖｈ）
【化３】
［前記式中、Ｒｍ〜Ｒｏは相互に独立して、水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のメチドであるか；
一般式（Ｖｉ）［ＲｐＯ−ＳＯ３］−［前記式中、Ｒｐは炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の有機硫酸であるか；又は
一般式（Ｖｊ）［ＭｑＨａｌｒ］ｓ−のハロメタラート［前記式中、Ｍは金属、及びＨａｌはフッ素、塩素、臭素又はヨウ素であり、ｑ及びｒは正の整数であってこの錯体の化学量論を示し、かつｓは正の整数であってこの錯体の電荷を示す］；
である場合に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を製造することを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記アニオンＡａ−が、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、ギ酸、酢酸、マンデル酸、硝酸、亜硝酸、トリフルオロ酢酸、硫酸、硫酸水素、メチル硫酸、エチル硫酸、プロピル硫酸、ブチル硫酸、ペンチル硫酸、ヘキシル硫酸、ヘプチル硫酸、オクチル硫酸、リン酸、リン酸二水素、リン酸水素、プロピオン酸、テトラクロロアルミン酸、Ａｌ２Ｃｌ７−、クロロ亜鉛酸、クロロ鉄酸、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド、トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド、ｐ−トリルスルホン酸、ビス［サリチラト（２−）］ホウ酸、テトラカルボニルコバルト酸、ジメチレングリコールモノメチルエーテル硫酸、オクチル硫酸、オレイン酸、ステアリル酸、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、コハク酸水素、ビニルホスホン酸、ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィン酸、ビス［オキサラト（２−）］ホウ酸、ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ホウ酸、ジシアナミド、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸、トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロリン酸、テトラシアノホウ酸、又はクロロコバルト酸である場合に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を製造することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）を使用し、その際前記アニオンＹｙ−は塩化物、臭化物、メタンスルホン酸、炭酸水素、炭酸、硫酸水素、ジエチルリン酸、トシル酸又はメチル硫酸であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、気体状態のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、この凝縮した精製１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入し、ここから前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを冷却器中で凝縮し、凝縮した状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する蒸留受け器中に導入し、ここから前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記留去を、０．０００１〜０．１５ＭＰａ ａｂｓの圧力で実施することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
［前記式中、
＊前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は相互に独立して、炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基を表し、前記残基は１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよく、その際、このそれぞれ隣接した残基、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、並びにＲ３とＲ４はまた相互に結合していてよく、かつ前記残基Ｒ２とＲ３は更にまた相互に独立して、水素、ハロゲン又は官能基を表す；
かつ
＊Ａａ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ａは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩を製造するための、一般式（ＩＩ）
【化２】
［前記式中、前記残基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は上述した意味を有し、かつ前記アニオンＹｙ−は、無機又は有機のプロトン酸ＨｙＹ（ＩＶ）の部分的に脱プロトンしたか又は完全に脱プロトンしたアニオンを示し、その際ｙは正の整数であってかつこのアニオンの荷電状態を示す］
の１，３−置換イミダゾリウム塩と強塩基との２０〜２５０℃の範囲にある温度での反応による、この生じた１，３−置換イミダゾール−２−イリデンの留去下での製造方法であって、この留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、かつ／又はこの留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを、気体状態又は凝縮状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入することを特徴とする、一般式（Ｉ）の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩の製造方法。
【請求項２】
前記残基Ｒ１及びＲ４が、相互に独立して、メチル、エチル、１−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、１−ペンチル、１−ヘキシル、１−ヘプチル、１−オクチル、１−ノニル、１−デシル、１−ドデシル、１−テトラデシル、１−ヘキサデシル、１−オクタデシル、１−（２−エチル）ヘキシル、ベンジル、３−フェニルプロピル、６−ヒドロキシヘキシル又はフェニルであり、かつ前記残基Ｒ２及びＲ３が相互に独立して水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、２−プロピル、１−ブチル、１−ヘキシル、６−ヒドロキシヘキシル、フェニル又は塩素である場合に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を製造することを特徴とする、請求項１に記載した製造方法。
【請求項３】
前記アニオンＡａ−が、
フッ化物；ヘキサフルオロリン酸；ヘキサフルオロヒ酸；ヘキサフルオロアンチモン酸；トリフルオロヒ酸；亜硝酸；硝酸；硫酸：硫酸水素；炭酸；炭酸水素；リン酸；リン酸水素；リン酸二水素；ビニルホスホン酸；ジシアナミド；ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィン酸；トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸；トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロリン酸；ビス［オキサラト（２−）］ホウ酸；ビス［サリチラト（２−）］ホウ酸；ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ホウ酸；テトラシアノホウ酸；テトラカルボニルコバルト酸；
一般式（Ｖａ）［ＢＲａＲｂＲｃＲｄ］−［前記式中、Ｒａ〜Ｒｄは相互に独立して、フッ素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の四置換されたホウ酸であるか；
一般式（Ｖｂ）［Ｒｅ−ＳＯ３］−［前記式中、Ｒｅは炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の有機スルホン酸であるか；
一般式（Ｖｃ）［Ｒｆ−ＣＯＯ］−［前記式中、Ｒｆは水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のカルボン酸であるか；
一般式（Ｖｄ）［ＰＦｘ（ＣｙＦ２ｙ＋１−ｚＨｚ）６−ｘ］−［前記式中、１≦ｘ≦６、１≦ｙ≦８及び０≦ｚ≦２ｙ＋１］の（フルオロアルキル）フルオロリン酸；
一般式（Ｖｅ）［Ｒｇ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２−Ｒｈ］−、（Ｖｆ）［Ｒｉ−ＳＯ２−Ｎ−ＣＯ−Ｒｊ］−、又は（ＩＶｇ）［Ｒｋ−ＣＯ−Ｎ−ＣＯ−Ｒｌ］−［前記式中、Ｒｇ〜Ｒｌは相互に独立して、水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のイミドであるか；
一般式（Ｖｈ）
【化３】
［前記式中、Ｒｍ〜Ｒｏは相互に独立して、水素、又は炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］のメチドであるか；
一般式（Ｖｉ）［ＲｐＯ−ＳＯ３］−［前記式中、Ｒｐは炭素を含有する有機の、飽和又は不飽和の、非環式又は環式の、脂肪族、芳香族、又はアラリファチックの、１〜３０つの炭素原子を有する残基であって、前記残基は、１つ又は複数のヘテロ原子を含有し、かつ／又は１つ又は複数の官能基又はハロゲンによって置換されていてよい］の有機硫酸であるか；又は
一般式（Ｖｊ）［ＭｑＨａｌｒ］ｓ−のハロメタラート［前記式中、Ｍは金属、及びＨａｌはフッ素、塩素、臭素又はヨウ素であり、ｑ及びｒは正の整数であってこの錯体の化学量論を示し、かつｓは正の整数であってこの錯体の電荷を示す］；
である場合に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を製造することを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記アニオンＡａ−が、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、メタンスルホン酸、ギ酸、酢酸、マンデル酸、硝酸、亜硝酸、トリフルオロ酢酸、硫酸、硫酸水素、メチル硫酸、エチル硫酸、プロピル硫酸、ブチル硫酸、ペンチル硫酸、ヘキシル硫酸、ヘプチル硫酸、オクチル硫酸、リン酸、リン酸二水素、リン酸水素、プロピオン酸、テトラクロロアルミン酸、Ａｌ２Ｃｌ７−、クロロ亜鉛酸、クロロ鉄酸、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）イミド、トリス（トリフルオロメチルスルホニル）メチド、ビス（ペンタフルオロエチルスルホニル）メチド、ｐ−トリルスルホン酸、ビス［サリチラト（２−）］ホウ酸、テトラカルボニルコバルト酸、ジメチレングリコールモノメチルエーテル硫酸、オクチル硫酸、オレイン酸、ステアリル酸、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、コハク酸水素、ビニルホスホン酸、ビス（ペンタフルオロエチル）ホスフィン酸、ビス［オキサラト（２−）］ホウ酸、ビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ′］ホウ酸、ジシアナミド、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロリン酸、トリス（ヘプタフルオロプロピル）トリフルオロリン酸、テトラシアノホウ酸、又はクロロコバルト酸である場合に、精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を製造することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
１，３−置換イミダゾリウム塩（ＩＩ）を使用し、その際前記アニオンＹｙ−は塩化物、臭化物、メタンスルホン酸、炭酸水素、炭酸、硫酸水素、ジエチルリン酸、トシル酸又はメチル硫酸であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、気体状態のプロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）と接触させ、この凝縮した精製１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを気体状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する受け器中に導入し、ここから前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記の留去した１，３−置換イミダゾール−２−イリデンを冷却器中で凝縮し、凝縮した状態で、前記プロトン酸ＨａＡ（ＩＩＩ）を含有する蒸留受け器中に導入し、ここから前記の精製した１，３−置換イミダゾリウム塩（Ｉ）を単離することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記留去を、０．０００１〜０．１５ＭＰａ ａｂｓの圧力で実施することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【公表番号】特表２００６−５２８１３９（Ｐ２００６−５２８１３９Ａ）
【公表日】平成１８年１２月１４日（２００６．１２．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５２０７０４（Ｐ２００６−５２０７０４）
【出願日】平成１６年６月３０日（２００４．６．３０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００４／００７０７６
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０１９１８３
【国際公開日】平成１７年３月３日（２００５．３．３）
【出願人】（５９５１２３０６９）ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト (847)
【氏名又は名称原語表記】ＢＡＳＦ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ
【住所又は居所原語表記】Ｄ−６７０５６ Ｌｕｄｗｉｇｓｈａｆｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【公表日】平成１８年１２月１４日（２００６．１２．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月３０日（２００４．６．３０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００４／００７０７６
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０１９１８３
【国際公開日】平成１７年３月３日（２００５．３．３）
【出願人】（５９５１２３０６９）ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト (847)
【氏名又は名称原語表記】ＢＡＳＦ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ
【住所又は居所原語表記】Ｄ−６７０５６ Ｌｕｄｗｉｇｓｈａｆｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
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