説明

紫外線吸収能を有するポリカーボネート樹脂

【課題】新規な低揮発性紫外線吸収性ポリカーボネート樹脂を含有する熱可塑性組成物に関する。本発明の樹脂組成物は紫外線カット能をもつ光学材料として有効に活用される。
【解決手段】一般式(1)の末端基を少なくとも1つ有するポリカーボネート樹脂。
【化1】


(式中R1〜R9は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基を表す。X1は、直接結合またはアルキレン基を表す。)

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、紫外線吸収能を有する熱可塑性樹脂組成物に関する。更に詳しくは熱可塑性樹脂に新規な低揮散性の紫外線吸収性ポリカーボネート樹脂を添加することにより得られる、400nm以下の紫外線カット能をもつ光学材料に関する。
【背景技術】
【0002】
カメラ用の紫外線カットフィルターは、可視光の光やレンズの色特性に全く影響を与えることなく、紫外線だけを遮断しようとするものである。したがって可視光と紫外線の境界領域において、急に変化する透過特性(シャープカット性)が要求される。また、可視光における透過特性がフラットであり、縁色性にも優れていることが望まれる。
【0003】
紫外線を吸収/遮断するガラスとしては、酸化セリウムを含むガラスが知られている(特許文献1)。酸化セリウムは310nm付近に強い吸収があるが、350nm以上の波長の光も吸収するガラスを得るためには、多量の酸化セリウムが必要になる。しかし、酸化セリウムをガラスに多量に含有させると、可視光域まで吸収が及びガラスが黄色または茶色に着色する。このようなガラスは紫外線のみならず可視光までも遮断するため、紫外線のみ選択的に遮断する性質に劣るものであった。
【0004】
そのため、プラスチック材料で代替することも考えられる。プラスチック材料で紫外線をカットするには、たとえば樹脂材料にベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン系、サリチル酸系の有機系紫外線吸収剤を添加する方法が知られている(特許文献2参照)。しかし低分子系紫外線吸収剤を添加した熱可塑性材料は多くの場合高温で行われる成形加工時に揮発してモールドデポジットの問題を引き起こす。
【0005】
さらに従来のUVカット材料は可視光と紫外線の境界領域において、透過特性の変化にシャープさがかけるという問題点があった。また、従来のUVカットフィルターは、レンズ厚がそれほど薄くないので、可視光での透過率は必ずしも十分とはいえず、しかも可視光における透過特性が必ずしもフラットではなく、縁色性が十分ではないという問題点もあった。
【0006】
また、ポリカーボネート樹脂にジヒドロアントラセン化合物を配合し流動性を改良する方法が提案されている(特許文献3)。しかし吸光度分布などの光学特性は述べられていない。またアントラセン骨格を主鎖にもつポリカーボネート樹脂も提案されているが(特許文献4)、耐光性に乏しく光学材料として使用に耐えるものではない。
【特許文献1】特許第3017468号公報
【特許文献2】特公昭57−45259号公報
【特許文献3】特開2004−174946号公報
【特許文献4】特開昭60−179420号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、400nm以下の紫外線を完全にカットし、縁色性にも優れるUVカット材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
そこで、本発明者らは上述の問題に臨み、紫外線域においてより低濃度で、シャープなカット性を有する紫外線カット材料を提供すべき鋭意検討した結果本発明を完成させるに至った。すなわち本発明は、一般式(1)の末端基を少なくとも1つ有するポリカーボネート樹脂に関するものである。
【0009】
【化1】


(式中R1〜R9は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基を表す。X1は、直接結合またはアルキレン基を表す。)
【発明の効果】
【0010】
本発明の紫外線吸収能をもつポリカーボネートは熱可塑性材料が紫外線にさらされる場合に、紫外線吸収性のそれらの材料の配合において広い用途が見出せる。カメラ用の紫外線カットフィルターのほかに、太陽エネルギー収集器、重合体コーティング、透明プラスチックフィルム、蛍光散乱器、包装材料、ビニル窓被覆、自動車塗料およびインテリア被覆、エポキシ類、ガラス繊維構造物など多くの用途において有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
本発明に用いるポリカーボネート樹脂を得るためには、ビスフェノール類あるいはジオールとビスアリールカーボネートとのエステル交換反応(エステル交換法)においてアントラセンモノオールを反応させることにより得られる。
【0012】
炭酸エステル形成化合物としては、例えばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−p−トリルカーボネート、フェニル−p−トリルカーボネート、ジ−p−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネートなどのビスアリルカーボネートが挙げられる。これらの化合物は2種類以上併用することも可能である。
【0013】
この場合、ビスフェノール類とビスアリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応させる。反応温度は通常150〜350℃、好ましくは200〜300℃の範囲の温度において行われ、また減圧度は最終で好ましくは133Pa以下にして、エステル交換反応により生成した該ビスアリールカーボネートから由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常1〜4時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。また、反応の過程で分岐が生じていてもよい。さらに、所望に応じ、さらに分子量調節剤、酸化防止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
【0014】
本反応において用いられる塩基性化合物触媒としては、特にアルカリ金属化合物および/またはアルカリ土類金属化合物、含窒素化合物等があげられる。このような化合物としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属化合物等の有機酸塩、無機塩、酸化物、水酸化物、水素化物あるいはアルコキシド、4級アンモニウムヒドロキシドおよびそれらの塩、アミン類等が好ましく用いられ、これらの化合物は単独もしくは組み合わせて用いることができる。これらの触媒は、ジヒドロキシ化合物の合計1モルに対して、10−9〜10−3モルの比率で、好ましくは10−7〜10−4モルの比率で用いられる。
【0015】
本発明で使用されるアントラセンモノオールとして、9−(ヒドロキシメチル)アントラセン、2−クロロ−9−(ヒドロキシメチル)アントラセン、10−ブロモ−9−(ヒドロキシメチル)アントラセン、9−ヒドロキシメチル−1−メチルアントラセン、9−ヒドロキシメチル−2−メチルアントラセン、2−エチル−9−ヒドロキシメチルアントラセン、9−ヒドロキシアントラセン、などが好適に使用され、特に9−(ヒドロキシメチル)アントラセンが好ましい。
【0016】
本発明で使用されるアントラセンモノオールは重合反応においてモノマーであるジオール、ビスフェノールの総モル数に対し、0.001モル%から0.495モル%まで使用することが出来る。より好ましくは0.005モル%から0.40モル%まで使用することが出来る。さらにより好ましくは0.025モル%から0.25モル%まで使用することが出来る
【0017】
本発明に使用されるポリカーボネート樹脂を誘導するビスフェノール化合物としては、具体的には、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、α,α’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−α,α,α’,α’−テトラメチル−m−キシレン、α,α’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−α,α,α’,α’−テトラメチル−p−キシレン等が例示される。
【0018】
本発明に使用されるポリカーボネート樹脂を誘導するジヒドロキシ化合物としては、具体的には、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンジメタノール、シクロヘキサン−1,4−ジメタノール、デカリン−2,6−ジメタノール、ノルボルナンジメタノール、ペンタシクロペンタデカンジメタノール、シクロペンタン−1,3−ジメタノール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、1,9−ノナンジオール等ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]ペンタデカンジメタノール、ペンタシクロ[9.2.1.14,7.02,10.03,8]ペンタデカンジメタノール、デカリンジメタノール、シクロヘキサンジメタノール、3,9−ビス(1,1−ジメチル−2−ヒドロキシエチル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン、イソソルビド。9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−tert−ブチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−イソプロピルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−シクロヘキシルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)−3−フェニルフェニル)フルオレンが例示される。
【0019】
本発明におけるポリカーボネート樹脂のガラス転移温度は95〜165℃であることが好ましく、より好ましくは105〜165℃である。ガラス転移温度が95℃より低いと耐熱性が悪くなり、使用環境が限定されるため好ましくない。また、ガラス転移温度が165℃より高いと、流動性が悪くなり、成形条件が厳しくなるため好ましくなく、また、流動性を確保するために低分子量に抑えると脆くなるため好ましくない。
【0020】
本発明に用いられるポリカーボネート樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量は20,000〜200,000であることが好ましく、更に好ましくは35,000〜100,000である。ポリスチレン換算重量平均分子量が20,000以下では機械強度が低下し、200,000以上では流動性が悪くなり成形条件が厳しくなるため好ましくない。
【0021】
本発明に用いるポリカーボネート樹脂(A)は、異物含有量が極力少ないことが望まれ、溶融原料の濾過、触媒液の濾過が好適に実施される。フィルターのメッシュは0.01〜5μmであることが好ましく、より好ましくは0.1〜1μmである。さらに、生成するポリカーボネート樹脂のポリマーフィルターによる濾過が好適に実施される。ポリマーフィルターのメッシュは0.5〜100μmであることが好ましく、より好ましくは1〜30μmである。また、樹脂ペレットを採取する工程は当然低ダスト環境でなければならず、クラス1000以下であることが好ましく、より好ましくはクラス100以下である。なお、ここでいうクラスXとは、0.5μm以上の粒子を基準とし、1立法フィート中の粒子数がX個であることを意味する。
【0022】
本発明のポリカーボネート樹脂は、触媒を除去または失活させることにより、優れた熱安定性、および加水分解安定性が得られる。一般的には、公知の酸性物質の添加によりアルカリ金属化合物あるいはアルカリ土類金属化合物等のエステル交換触媒を中和する方法が好適に実施される。これらの物質として具体的には、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、フェニルリン酸、フェニルホスフィン、フェニルホスフィン酸、フェニルホスホン酸、ジフェニルホスフェート、ジフェニルホスファイト、ジフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィンオキシド、ジフェニルホスフィン酸、モノメチルアシッドホスフェート、モノメチルアシッドホスファイト、ジメチルアシッドホスフェート、ジメチルアシッドホスファイト、モノブチルアシッドホスフェート、モノブチルアシッドホスファイト、ジブチルアシッドホスフェート、ジブチルアシッドホスファイト、モノステアリルアシッドホスフェート、ジステアリルアシッドホスフェート等のリン含有酸性化合物、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸メチル、p−トルエンスルホン酸エチル、p−トルエンスルホン酸プロピル、p−トルエンスルホン酸ブチル、p−トルエンスルホン酸ペンチル、p−トルエンスルホン酸ヘキシル、p−トルエンスルホン酸オクチル、p−トルエンスルホン酸フェニル、p−トルエンスルホン酸フェネチル、p−トルエンスルホン酸ナフチル等の芳香族スルホン酸化合物が挙げられる。
【0023】
このリン含有酸性化合物、芳香族スルホン酸化合物の添加量は、アルカリ金属化合物及び/またはアルカリ土類金属化合物触媒に対して中和当量の1/5〜20倍量、好ましくは1/2〜10倍量であり、これより少ないと所望の効果が得られず、過剰では耐熱物性、機械的物性が低下し適当ではない。
【0024】
上記以外の触媒の失活剤として、芳香族スルホン酸ホスホニウム塩も好適に用いることができる。例えば、ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、p−トルエンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ブチルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、オクチルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラメチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラエチルホスホニウム塩、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラヘキシルホスホニウム塩等が挙げられる。
【0025】
この芳香族スルホン酸ホスホニウム塩の添加量は、芳香族−脂肪族共重合ポリカーボネート樹脂に対して1〜300ppm、好ましくは10〜100ppmであり、これより少ないと所望の効果が得られず、過剰では耐熱物性、機械的物性が低下し適当ではない。
【0026】
本発明の紫外線吸収ポリカーボネート樹脂を添加する合成樹脂としては、特に限定はなく従来公知のものを広く用いることが出来る。熱可塑性樹脂としては例えばポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリエステル、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン(ABS)樹脂、熱可塑性ポリウレタン樹脂、塩化ビニル-塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−スチレン(AS)樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー等を上げることが出来る。この中でも、例えばポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリエステル、ABS樹脂、熱可塑性ポリウレタン樹脂等を好ましく使用できる。さらにより好ましくは相溶性にすぐれるポリカーボネート、ポリエステルが用いられる。本発明ではこれら合成樹脂を単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。
【0027】
本発明の紫外線吸収ポリカーボネート樹脂の配合割合としては、特に制限がなく広い範囲内から適宜選択できるが、重量比で40:60〜0.005:99.995好ましくは30:70〜0.05:99.95となるように配合するのがよい。
【0028】
本発明の紫外線吸収ポリカーボネート樹脂を含む組成物に、その物性を損なわない範囲で目的に応じ、各種公知の添加剤を加えることが望ましい。
【0029】
酸化防止剤としては、例えば、トリフェニルホスファイト、トリス(4−メチルフェニル)ホスファイト、トリス(4−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(モノノニルフェニル)ホスファイト、トリス(2−メチル−4−エチルフェニル)ホスファイト、トリス(2−メチル−4−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,6−ジ−−t−ブチルフェニル)ホスファイト、トリス(2,4−ジ−t−ブチル−5−メチルフェニル)ホスファイト、トリス(モノ,ジノニルフェニル)ホスファイト、ビス(モノノニルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、ビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、ビス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、ビス(2,4,6−トリ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、ビス(2,4−ジ−t−ブチル−5−メチルフェニル)ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジメチルフェニル)オクチルホスファイト、2,2−メチレンビス(4−t−ブチル−6−メチルフェニル)オクチルホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジメチルフェニル)ヘキシルホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニル)ヘキシルホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェニル)ステアリルホスファイト等のホスファイト化合物;ペンタエリスリチル−テトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、トリエチレングリコール−ビス[3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、3,9−ビス{2−[3−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ]−1,1−ジメチルエチル}−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン、1,1,3−トリス[2−メチル−4−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオニルオキシ)−5−t−ブチルフェニル]ブタン等のヒンダードフェノール系化合物;5,7−ジ−t−ブチル−3−(3,4−ジメチルフェニル)−3H−ベンゾフラン−2−オン等が挙げられる。これらは、単独、あるいは2種以上併用して用いてもよい。
【0030】
これらの酸化防止剤の添加量は、芳香族−脂肪族共重合ポリカーボネート樹脂100重量%に対して0.005〜0.1重量%、好ましくは、0.01〜0.08重量%、さらに好ましくは、0.01〜0.05重量%であり、これより少ないと所望の効果が得られず、過剰では耐熱物性、機械的物性が低下し適当ではない。
【0031】
離型剤としては、一般的に使用されているものでよく、例えば、天然、合成パラフィン類、シリコーンオイル、ポリエチレンワックス類、蜜蝋、ステアリン酸、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸ステアリル、パルミチン酸モノグリセリド、ベヘニン酸ベヘニン、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレート等の脂肪酸エステル等が挙げられ、これらは、単独、あるいは2種以上併用して用いてもよい。
【0032】
その他難燃剤、帯電防止剤、顔料、染料等必要に応じて単独または組み合わせて用いることができる。
【0033】
これらの添加剤の添加として、例えば、重縮合反応の終了後樹脂が溶融状態にあるうちに添加する方法、あるいは一端冷却ペレット化した後に再溶融混合するなどの方法が挙げられるが、重縮合反応の終了後樹脂が溶融状態にあるうちに添加する方法が熱履歴を低減でき好ましい。また、添加方法にも制限はなく、例えば、重合器に直接投入混合する方法、単軸、あるいは2軸押出機等を用い混練する方法などが挙げられる。添加の形態としては、希釈せずにそのまま添加する方法、可溶性溶媒に希釈し添加する方法、マスターバッチの形態で添加する方法などが挙げられるが特に制限はない。添加の時期についても特に制限はないが、触媒失活剤と同時、或いは触媒失活剤添加後に添加するのが好ましい。押出機を使用する場合、特に純水や溶剤を低分子量化合物の脱揮助剤として用いる場合は、使用する添加剤によっては加水分解、或いは脱揮助剤と共に添加剤も除去されてしまうため、脱揮処理後に添加するのが望ましい。また、比較的耐熱性の低い添加剤を用いる場合は、高温下における熱履歴を低減するためできるだけ押出機の末端部で添加することが有効である。
【実施例】
【0034】
以下に本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に何らの制限を受けるものではない。なお、実施例中の測定値は以下の方法あるいは装置を用いて測定した。
1)射出成型機:住友重機械工業(株)製SH50を用いた。
2)吸光度:下記実施例で得られた射出成形片(厚み;3mm)について自記分光器日立U3500により測定した。
【0035】
実施例1
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン2.286kg(10.01モル)、ジフェニルカーボネート9.893kg(46.19モル)、および炭酸水素ナトリウム0.02225g(2.650×10−4モル)および9−アントラセンメタノール33.83g(0.1620モル)を攪拌機および留出装置付きの50リットル反応器に入れ、窒素雰囲気101kPaの下1時間かけて215℃に加熱し撹拌した。
【0036】
その後、15分かけて減圧度を20kPaに調整し、215℃、20kPaの条件下で20分間保持しエステル交換反応を行った。さらに37.5℃/hrの速度で240℃まで昇温し、240℃、20kPaで10分間保持した。その後、10分かけて16kPaに調整し、240℃、16kPaで70分間保持した。その後、10分かけて13.3kPaに調整し、240℃、13.3kPaで10分間保持した。更に40分かけて0.1kPa以下とし、240℃、0.1kPa以下の条件下で10分間撹拌下重合反応を行った。反応終了後、反応器内に窒素を吹き込み加圧にし、生成したポリカーボネート樹脂をペレタイズしながら抜き出した。得られたポリカーボネート樹脂のMw=38000、Tg=142℃であった。このポリカーボネート樹脂10.0kgを100℃で24時間真空乾燥し、樹脂に対して、亜リン酸を1.5ppm、亜リン酸ジフェニルを50ppm、アデカスタブPEP−36(ADEKA社製)を500pm、IRGANOX1010(チバ社製)を200ppm、グリセリンモノステアレートを300ppm添加して押出機(アイペック(株)IPT型35mm同方向二軸押出し機)により260℃で混練してペレタイズしペレットを得た。このペレットのMw=42,100であった。
【0037】
該ペレットを100℃で5時間真空乾燥した後、シリンダー温度250℃、金型温度100℃で射出成型し、直径が70mm、厚み:3.0mmの無色透明の射出成形板を得た。この試料の吸光度を測ったところ、400nm以下の紫外線をカットしていた。また、同材料を連続3000ショット成形したところ、金型上にモールドデポジットは発生しなかった。
【0038】
実施例2
ビスフェノールAを原料とするポリカーボネート樹脂(商品名:ユーピロンH−4000、三菱エンジニアリングプラスチックス(株)製)20.0kgと、合成例1で製造した樹脂5.0kgを押出機(アイペック(株)IPT型35mm同方向二軸押出し機)にて255℃にて練り合わせ、ペレタイズして樹脂組成物のペレットを得た。
実施例1と同様に射出成型板を得て、この試料の吸光度を測ったところ、300〜400nmの紫外線をカットしていた。また、同材料を連続3000ショット成形したところ、金型上にモールドデポジットは発生しなかった。
【0039】
比較例1
ビスフェノールAを原料とするポリカーボネート樹脂(商品名:ユーピロンH−4000、三菱エンジニアリングプラスチックス(株)製)を100℃で5時間真空乾燥した後、シリンダー温度250℃、金型温度100℃で射出成型し、直径が70mm、厚み:3.0mmの無色透明の射出成形板を得た。この試料の吸光度を測ったところ、400nm以下の紫外線をカット(400nmの透過率87.0%)していなかった。
【0040】
比較例2、3
紫外線吸収剤として2,2‘−ジヒドロキシ−4,4‘−ジメトキシベンゾフェノンを0.8wt%(比較例2)あるいは2.0wt%(比較例3)を、ビスフェノールAを原料とするポリカーボネート樹脂(商品名:ユーピロンH−4000、三菱エンジニアリングプラスチックス(株)製)を添加して実施例1と同様に3mm厚試験片を作成し、透過光分布を測定した。この試料の吸光度を測ったところ、400nm以下の紫外線をカットしていたが、黄色みがでやすいことがわかった。
また、比較例2、3の材料を連続3000ショット成形したところ、いずれも金型上に褐色のモールドデポジットが付着した。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
一般式(1)の末端基を少なくとも1つ有するポリカーボネート樹脂。
【化1】


(式中R1〜R9は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基を表す。X1は、直接結合またはアルキレン基を表す。)
【請求項2】
構造単位が2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン由来である請求項1記載のポリカーボネート樹脂。
【請求項3】
一般式(1)において、R1〜R9=H、X1=CH2−である請求項1、2記載のポリカーボネート樹脂。
【請求項4】
エステル交換法により製造される請求項1記載のポリカーボネート樹脂。
【請求項5】
請求項1〜4記載のポリカーボネート樹脂を含有する樹脂組成物。
【請求項6】
請求項1〜4記載のポリカーボネート樹脂または請求項5記載の樹脂組成物からなる光学材料。

【公開番号】特開2009−263572(P2009−263572A)
【公開日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−117388(P2008−117388)
【出願日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【出願人】(000004466)三菱瓦斯化学株式会社 (1,281)
【Fターム(参考)】