転写用原盤及びその製造技術
【課題】 転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤の製造技術を提供する。
【解決手段】 平坦基板２０へのレジスト３１の塗布、露光及び現像により、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンを有するレジストパターンＲ１を形成する工程（Ａ）と、レジストパターンＲ１のパターン線幅を径方向位置の異なるｎ箇所（ｎ≧２）で測定し、個々の測定線幅Ｗｘについて所望線幅とのずれＤｘを求め（ｘ＝１〜ｎ）、すべての測定箇所のずれＤｘの平均値Ｄａｖｅを求める工程（Ｂ）と、レジストパターンＲ１に対して、パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチングを実施し、レジストパターンＲ２とする工程（Ｃ）と、レジストパターンＲ２をマスクとして平坦基板２０をエッチングする工程（Ｄ）とを順次実施して、転写用原盤基板の型４０を製造する。
【解決手段】 平坦基板２０へのレジスト３１の塗布、露光及び現像により、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンを有するレジストパターンＲ１を形成する工程（Ａ）と、レジストパターンＲ１のパターン線幅を径方向位置の異なるｎ箇所（ｎ≧２）で測定し、個々の測定線幅Ｗｘについて所望線幅とのずれＤｘを求め（ｘ＝１〜ｎ）、すべての測定箇所のずれＤｘの平均値Ｄａｖｅを求める工程（Ｂ）と、レジストパターンＲ１に対して、パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチングを実施し、レジストパターンＲ２とする工程（Ｃ）と、レジストパターンＲ２をマスクとして平坦基板２０をエッチングする工程（Ｄ）とを順次実施して、転写用原盤基板の型４０を製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用される転写用原盤とその製造技術に係り、特に転写用原盤基板の型の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の製造技術として、所定の表面凹凸パターン（転写パターン）を有し少なくとも表面が磁性を有する転写用原盤（マスタ担体）を用い、該転写用原盤の表面に被転写体（スレーブ媒体）を密着させて、被転写体に転写用原盤の表面凹凸パターンに応じた信号パターンを磁気転写する技術がある。転写用原盤としては、表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板（マスタ基板）に磁性層が成膜されたものが広く使用されている。
【０００３】
転写用原盤基板は、転写用原盤基板の反転パターンを有する型を用いて効率よく製造される。特許文献１には、転写用原盤基板の型の製造方法として、平坦基板の表面にレジストの塗布・露光・現像を実施してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして平坦基板をエッチングし、さらに残存レジストを除去して、エッチング部分を凹部とする反転パターンを有する型を製造する方法が開示されている。同文献には、得られた型を用いて電鋳により転写用原盤基板を成形し、転写用原盤基板に磁性層を成膜して転写用原盤を製造する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁気記録媒体に対するさらなる高密度記録化の要求は高く、その製造に用いる転写用原盤には転写パターンの高精細化と高精細転写パターンの高精度転写がより一層求められるようになってきている。
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤の製造技術、及び該製造技術により製造される転写用原盤を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は上記課題を解決するべく検討し、転写用原盤基板の型の製造に際しては、平坦基板をエッチングする際のマスクであるレジストパターンのパターン線幅が製造ごとに僅かながらもばらつき、これによって製造される型のパターン線幅が製造ごとに僅かながらもばらつくことを知見した。このことは、転写用原盤の表面凹凸パターンのパターン線幅が型によって僅かながらもばらつくことを意味する。
【０００７】
現状の磁気転写では転写用原盤の上記パターン線幅のばらつきが磁気転写に与える影響は特にないが、本発明者は、今後さらなる転写パターンの高精細化（パターン線幅の狭小化等）が進めば、パターン線幅のばらつきが無視できなくなり、磁気転写精度への影響が懸念されることに想到した。
【０００８】
転写用原盤の表面凹凸パターンは、パターン線幅及びパターンピッチが転写用原盤の表面全体で一様ではなく、径方向視、内周側から外周側に向けてパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなるパターンである。すなわち、転写用原盤の表面凹凸パターンは異なるパターン線幅の複数の周方向凹凸パターンからなり、上記レジストパターンもそれに対応したものとなっている。本発明者は、レジストパターンが異なるパターン線幅及びパターンピッチの複数の周方向凹凸パターンからなることを考慮してさらに検討を続け、エッチング工程においてマスクとして機能するレジストパターンのパターン線幅が製造ごとにばらつかないよう制御する手段を見出し、本発明を完成した。
【０００９】
本発明の転写用原盤基板の型の製造方法は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなるディスク状の転写用原盤の前記転写用原盤基板を成形する型の製造方法において、
平坦基板へのレジストの塗布、露光及び現像を実施して、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターン（周方向凹凸パターン）を有するレジストパターンを形成する工程（Ａ）と、
前記レジストパターンのパターン線幅を、径方向位置の異なるｎ箇所（ｎは２以上の整数）で測定し、個々の測定線幅ＷｘについてＷｘより小さい所望線幅ＷｄｘとのずれＤｘ＝（Ｗｘ−Ｗｄｘ）を求め（ｘは測定箇所の番号を示す整数、ｘ＝１〜ｎ）、すべての測定箇所のずれＤｘ（ｘ＝１〜ｎ）の平均値Ｄａｖｅ＝ΣＤｘ／ｎを求める工程（Ｂ）と、
前記レジストパターンに対して、前記パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチングを実施する工程（Ｃ）と、
前記レジストパターンをマスクとして前記平坦基板をエッチングし、エッチング部分を凹部とする、前記表面凹凸パターンと補完的な反転パターンを形成する工程（Ｄ）とを順次有することを特徴とするものである。
【００１０】
本明細書において、「反転パターン」とは、信号パターンに応じた表面凹凸パターンの凸部に対応する部分が凹部、同表面凹凸パターンの凹部に対応する部分が凸部のパターンである。
【００１１】
レジストパターンをなす凸部の側壁は垂直状の場合もあるしテーパ状の場合もあるが、「パターン線幅」は凸部の最大幅と定義する。
【００１２】
前記工程（Ｂ）においては、前記レジストパターンに対して、少なくとも径方向位置が最内端、最外端、及び該最内端と該最外端との中心である３箇所について前記パターン線幅の測定を実施することが好ましい。
【００１３】
本発明の転写用原盤基板の型の製造方法においては、前記レジストパターンの選択的エッチング条件によるパターン線幅の減少量のデータをあらかじめ取得しておき、該データに基づいて、前記工程（Ｃ）の前記選択的エッチング条件を決定することが好ましい。
【００１４】
本発明の転写用原盤の製造方法は、上記の本発明の転写用原盤基板の型の製造方法により製造された型を用いて転写用原盤基板を成形し、該転写用原盤基板の表面に少なくとも磁性層を積層することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の転写用原盤は、上記の本発明の転写用原盤の製造方法により製造されたものであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の転写用原盤基板の型の製造方法では、平坦基板へのレジストの塗布、露光及び現像を実施してレジストパターンを形成し（工程（Ａ））、このレジストパターンのパターン線幅を径方向位置の異なる複数の箇所で測定し、個々の測定線幅について所望線幅とのずれを求め、すべての測定箇所のずれの平均値を求め（工程（Ｂ））、レジストパターンに対して、パターン線幅がずれの平均値分細くなる条件で選択的エッチングを実施し（工程（Ｃ））、その後レジストパターンをマスクとして平坦基板をエッチングする（工程（Ｄ））構成としている。
【００１７】
かかる構成では、レジストの塗布、露光及び現像の条件が製造ごとに多少ばらついても、エッチング工程（Ｄ）においてマスクとして機能するレジストパターン全体のパターン線幅を、常に所望線幅又はそれに近いものとすることができる。エッチング工程（Ｄ）においてマスクとして機能するレジストパターンのパターン線幅の製造ごとのばらつきが抑えられるので、転写用原盤基板の型のパターン線幅の製造ごとのばらつきが抑えられる。
【００１８】
本発明の製造方法により製造される転写用原盤基板の型を用いることで、転写用原盤の表面凹凸パターンのパターン線幅が型によってばらつくことが抑えられ、転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤を安定的に提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、図面を参照して本発明に係る実施形態について説明する。各図においては、視認しやすくするため実際のものとは縮尺やパターンを異ならせてある。
【００２０】
「転写用原盤、磁気転写方法」
本発明は特に転写用原盤基板の型の製造方法が特徴的であるが、はじめに、転写用原盤基板の型を用いて製造される転写用原盤の一例、及びこれを用いた磁気転写方法について簡単に説明する。図１は転写用原盤の平面図、図２は転写用原盤等の周方向（トラック方向）厚み断面図である。
【００２１】
図１に示す如く、転写用原盤１０は平面視、中心部に開口部を有するディスク状物であり、被転写体１３に転写する信号パターンに応じた微細な表面凹凸パターンを有する複数の信号転写領域１５と、隣接する信号転写領域１５の間に位置し表面凹凸パターンを有しない非信号転写領域１６とを有するものである。複数の信号転写領域１５は中心側から放射状に延び、隣接する信号転写領域１５の間に略扇形の非信号転写領域１６がある。転写用原盤１０全体の表面凹凸パターンに符号ＰＳを付してある。
【００２２】
転写用原盤１０は、周方向視、信号転写領域１５と非信号転写領域１６とを繰り返し有するものであり、表面凹凸パターンＰＳは径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンＸ（以下、「周方向凹凸パターンＸ」と言う。）を有している。複数の周方向凹凸パターンＸはパターン線幅及びパターンピッチが一様なものではなく、内周側から外周側に向けて周方向凹凸パターンＸのパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなっている。
【００２３】
非信号転写領域１６には表面凹凸パターンがないので、本明細書で言う「パターン線幅及びパターンピッチ」は信号転写領域１５のパターン線幅及びパターンピッチである。
【００２４】
図２（ｂ）に示す如く、転写用原盤１０の信号転写領域１５は周方向断面視、被転写体１３に転写する信号パターンに対応した表面凹凸パターンＰ１を有する金属製の転写用原盤基板（マスタ基板）１１と、その表面形状に沿って積層され、複数の周方向凹凸パターンＸからなる表面凹凸パターンＰＳを有する磁性層１２とから構成されている。
【００２５】
被転写体１３としては、片面又は両面に磁気記録層（図示略）を有するディスク状のスレーブ媒体が使用される。図２（ａ）に示すように、あらかじめ被転写体１３に対して周方向又は厚み方向に磁界Ｈｉｎを印加し、磁気記録層（図示略）を初期磁化させる（周方向に磁界Ｈｉｎを印加した場合について図示してある）。この状態で被転写体１３を転写用原盤１０の表面に供給し、両者を密着させる。次に、図２（ｂ）に示すように、密着させた転写用原盤１０及び被転写体１３に対して初期磁化方向と略反対方向に転写用磁界Ｈｄｕを印加する。この際、転写用磁界Ｈｄｕは、転写用原盤１０において、被転写体１３と密着した磁性層１２の凸部１２ａにのみ略選択的に吸い込まれる。その結果、面内記録の場合、被転写体１３の磁気記録層では、凸部１２ａに密着した部分の初期磁化は反転せずその他の部分の初期磁化が反転する。垂直記録の場合には逆に、被転写体１３の磁気記録層では、凸部１２ａに密着した部分の初期磁化が反転しその他の部分の初期磁化は反転しない。このようにして、転写用原盤１０の表面凹凸パターンＰＳに対応した磁化パターンが被転写体１３に磁気転写され、磁気記録媒体が製造される。
【００２６】
「転写用原盤基板の型の製造方法、転写用原盤の製造方法」
次に、図３に基づいて、上記転写用原盤１０を製造する場合を例として、本発明に係る実施形態の転写用原盤基板の型の製造方法、及び転写用原盤の製造方法について説明する。図３は図２と同様の周方向厚み断面図である。
【００２７】
（転写用原盤基板の型の製造方法）
＜工程（Ａ）＞
はじめに、図３（ａ）に示す如く、平坦基板２０を用意し、その表面全体にスピンコート法等によりポジ型又はネガ型のレジスト３１を塗布する。平坦基板２０としては制限されず、以下の工程において半導体技術で使用される装置をそのまま利用できることから、シリコンウエハが好ましく用いられる。
【００２８】
次に、レジスト３１の露光及び現像を実施し、転写用原盤基板１１に形成する表面凹凸パターンＰ１（転写用原盤１０の表面凹凸パターンＰＳ）に対応した図３（ｂ）に示すレジストパターンＲ１を形成する。レジストパターンＲ１は、径方向の異なる位置に、転写用原盤１０の周方向凹凸パターンＸに対応した複数の周方向凹凸パターン（図示略）を有するパターンであり、内周側から外周側に向けて周方向凹凸パターンのパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなるパターンである。本実施形態では、露光条件等を調整して、レジストパターンＲ１をなす各周方向凹凸パターンのパターン線幅が所望線幅より大きくなるよう、レジストパターンＲ１を形成する。
【００２９】
レジスト３１の露光は、平坦基板２０を回動させながらレジスト３１に対してレーザ光又は電子線を走査し照射することで、実施できる。レーザ光又は電子線は、用いるレジスト３１の種類に応じて、製造される転写用原盤基板１１の型において凸部となる部分にレジスト３１が残るよう照射する。露光後現像前には、必要に応じて熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を実施する。
【００３０】
レジスト３１としては制限されず、高感度かつ高解像度を有し高精細パターンを形成できることから、化学増幅型レジストが好ましく用いられる。化学増幅型レジストは、電子線等による露光で酸が発生し、露光後に熱処理（ＰＥＢ）することで発生した酸を触媒としてレジスト反応が進行するものである。
【００３１】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ａ）で形成されたレジストパターンＲ１のパターン線幅Ｗｘを、径方向位置の異なるｎ箇所（ｎは２以上の整数）で測定する。すなわち、レジストパターンＲ１をなすｎ個の周方向凹凸パターン（図示略、転写用原盤１０の周方向凹凸パターンＸに対応）のパターン線幅Ｗｘを求める。好ましくは、レジストパターンＲ１に対して、少なくとも径方向位置が最内端（パターン線幅最小）、最外端（パターン線幅最大）、及び最内端と最外端との中心である３箇所についてパターン線幅Ｗｘを測定する。パターン線幅Ｗｘは、臨界寸法（Critical dimension）を測定可能な走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）等を用いて測定することができる。
【００３２】
本実施形態では、工程（Ａ）において、レジストパターンＲ１をなす各周方向凹凸パターンのパターン線幅が所望線幅より大きくなるようレジストパターンＲ１を形成することを述べた。上記測定を実施した後、個々の測定線幅ＷｘについてＷｘより小さい所望線幅ＷｄｘとのずれＤｘ＝（Ｗｘ−Ｗｄｘ）を求め（ｘは測定箇所の番号を示す整数、ｘ＝１〜ｎ）、すべての測定箇所のずれＤｘ（ｘ＝１〜ｎ）の平均値Ｄａｖｅ＝ΣＤｘ／ｎを求める。
【００３３】
例えば、径方向位置が最内端（ｘ＝１）、最外端（ｘ＝２）、及び最内端と最外端との中心（ｘ＝３）の３箇所についてパターン線幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を測定する場合、個々の箇所における所望線幅とのずれ、すなわちＤ１＝（Ｗ１−Ｗｄ１）、Ｄ２＝（Ｗ２−Ｗｄ２）、Ｄ３＝（Ｗ３−Ｗｄ３）を求め、すべての測定箇所のずれの平均値Ｄａｖｅ＝（Ｄ１＋Ｄ２+Ｄ３）／３を求める。
【００３４】
＜工程（Ｃ）＞
次に、図３（ｃ）に示す如く、工程（Ａ）で形成したレジストパターンＲ１に対して、パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチング（トリミングやアッシング等）を実施し、レジストパターンＲ２とする。
【００３５】
パターン線幅の測定箇所ｘでは、パターン線幅Ｗｘが所望線幅Ｗｄｘ又はそれに近いものとなる。パターン線幅Ｗｘは複数箇所で測定しているので、レジストパターンＲ１全体のパターン線幅と所望線幅とのずれが良好に補正され、レジストパターンＲ２全体のパターン線幅が所望線幅又はそれに近いものとなる。
【００３６】
特に、少なくとも径方向位置が最内端（パターン線幅最小）、最外端（パターン線幅最大）、及び最内端と最外端との中心である３箇所についてパターン線幅Ｗｘを測定することで、レジストパターンＲ１の全体的なパターン線幅と所望線幅とのずれの傾向が補正に反映されることになり、レジストパターンＲ２全体のパターン線幅を所望線幅又はそれに極めて近いものとすることができる。
【００３７】
選択的エッチングは例えば、ＣＦ４、Ｏ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅ等のガスを用いた、後記エッチング工程（Ｄ）よりも低出力条件のプラズマドライエッチングにより実施できる。レジストパターンＲ１の選択的エッチングに際して、平坦基板２０は基本的にはエッチングされないが、後記凹部２１が形成されない範囲内で多少エッチングされることは差し支えない。
【００３８】
例えば、レジストパターンＲ１の選択的エッチング条件によるパターン線幅の減少量のデータをあらかじめ取得しておき、このデータに基づいて、レジストパターンＲ１の選択的エッチング条件を決定することで、パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ細くなるよう選択的エッチングを実施することができる。
【００３９】
＜工程（Ｄ）＞
次に、図３（ｄ）に示す如く、工程（Ｃ）で形成したレジストパターンＲ２をマスクとして平坦基板２０をエッチングし、平坦基板２０に凹部２１を形成する。凹部２１は製造される型を用いて得られる転写用原盤基板１１の凸部となる部分である。エッチング方法としては制限なく、高精細エッチングが可能なことからドライエッチングが好ましく、特にＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）等のプラズマドライエッチングが好ましい。
【００４０】
エッチング終了後、図３（ｅ）に示す如く、酸素プラズマアッシング等を実施して残存するレジスト３１を除去する。工程（Ｄ）終了後、表面凹凸パターンＰ１と補完的な反転パターンＰ２を有する型４０が製造される。反転パターンＰ２は、表面凹凸パターンＰ１の凸部に対応する部分が凹部２１、表面凹凸パターンＰ１の凹部に対応する部分が凸部２２のパターンである。
【００４１】
（転写用原盤の製造方法）
＜工程（Ｅ）＞
図３（ｆ）に示す如く、転写用原盤基板の型４０の上に転写用原盤基板１１を成形する。転写用原盤基板１１は、型４０の表面全体に金属スパッタリング等により導電層５１を成膜しその後電鋳を実施することで成形できる。導電層５１は、反転パターンＰ２が壊れないよう薄く成膜する。導電層５１は転写用原盤基板１１と同一材質（例えばニッケル）で成膜することが好ましい。導電層５１は電鋳により転写用原盤基板１１の一部となる。
【００４２】
＜工程（Ｆ）＞
次に、図３（ｇ）に示す如く、転写用原盤基板１１を型４０から剥離し、転写用原盤基板１１が製造される。
【００４３】
上記工程（Ｅ）と（Ｆ）を繰り返し実施することで、１つの型４０から複数の転写用原盤基板１１を簡易に効率よく製造できる。
【００４４】
＜工程（Ｇ）＞
成形された転写用原盤基板１１の表面に磁性材料をスパッタリングするなどして、転写用原盤基板１１の表面形状に沿って磁性層１２を積層し、図１及び図２（ｂ）に示した転写用原盤１０が完成する。磁性層１２は、少なくとも転写用原盤基板１１の表面凸部の上に成膜すればよい。転写用原盤１０の製造にあたっては、磁性層１２の他、必要に応じて他の層を成膜することができる。例えば、転写用原盤基板１１と磁性層１２との間に非磁性層を介在させたり、磁性層１２の上に保護層を設けることができる。
【００４５】
本実施形態の転写用原盤基板の型４０の製造方法では、平坦基板２０へのレジスト３１の塗布、露光及び現像を実施して、所望線幅より大きいパターン線幅のレジストパターンＲ１を形成し（工程（Ａ））、このレジストパターンＲ１のパターン線幅を径方向位置の異なるｎ箇所で測定し、個々の測定線幅Ｗｘについて所望線幅ＷｄｘとのずれＤｘを求め、すべての測定箇所のずれＤｘの平均値Ｄａｖｅを求め（工程（Ｂ））、レジストパターンＲ１に対して、パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチングを実施してレジストパターンＲ２とし（工程（Ｃ））、レジストパターンＲ２をマスクとして平坦基板２０をエッチングする（工程（Ｄ））構成としている。
【００４６】
かかる構成では、レジストパターンＲ１の形成条件（レジスト３１の塗布、露光、現像の条件）が製造ごとに多少ばらついても、エッチング工程（Ｄ）においてマスクとして機能するレジストパターンＲ２全体のパターン線幅を、常に所望線幅又はそれに近いものとすることができる。エッチング工程（Ｄ）においてマスクとして機能するレジストパターンＲ２のパターン線幅の製造ごとのばらつきが抑えられるので、平坦基板２０のエッチング幅の製造ごとのばらつきが抑えられ、転写用原盤基板の型４０のパターン線幅の製造ごとのばらつきが抑えられる。
【００４７】
本実施形態の製造方法により製造される転写用原盤基板の型４０を用いることで、転写用原盤１０の表面凹凸パターンＰＳのパターン線幅が型４０によってばらつくことが抑えられ、転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤１０を安定的に提供することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の技術は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用される転写用原盤に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】転写用原盤の平面図
【図２】（ａ）、（ｂ）は転写用原盤の周方向断面図と磁気転写方法を示す図
【図３】（ａ）〜（ｇ）は本発明に係る実施形態の転写用原盤基板の型の製造方法、及び転写用原盤の製造方法を示す工程図
【符号の説明】
【００５０】
１０ 転写用原盤
１１ 転写用原盤基板
１２ 磁性層
１３ 被転写体
２０ 平坦基板
２１ 凹部
３１ レジスト
４０ 転写用原盤基板の型
Ｐ１ 転写用原盤基板の表面凹凸パターン
Ｐ２ 反転パターン
ＰＳ 転写用原盤の表面凹凸パターン
Ｘ 転写用原盤の表面凹凸パターンをなす周方向凹凸パターン
Ｒ１ 工程（Ａ）後のレジストパターン
Ｒ２ 工程（Ｃ）後のレジストパターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用される転写用原盤とその製造技術に係り、特に転写用原盤基板の型の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の製造技術として、所定の表面凹凸パターン（転写パターン）を有し少なくとも表面が磁性を有する転写用原盤（マスタ担体）を用い、該転写用原盤の表面に被転写体（スレーブ媒体）を密着させて、被転写体に転写用原盤の表面凹凸パターンに応じた信号パターンを磁気転写する技術がある。転写用原盤としては、表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板（マスタ基板）に磁性層が成膜されたものが広く使用されている。
【０００３】
転写用原盤基板は、転写用原盤基板の反転パターンを有する型を用いて効率よく製造される。特許文献１には、転写用原盤基板の型の製造方法として、平坦基板の表面にレジストの塗布・露光・現像を実施してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして平坦基板をエッチングし、さらに残存レジストを除去して、エッチング部分を凹部とする反転パターンを有する型を製造する方法が開示されている。同文献には、得られた型を用いて電鋳により転写用原盤基板を成形し、転写用原盤基板に磁性層を成膜して転写用原盤を製造する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁気記録媒体に対するさらなる高密度記録化の要求は高く、その製造に用いる転写用原盤には転写パターンの高精細化と高精細転写パターンの高精度転写がより一層求められるようになってきている。
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤の製造技術、及び該製造技術により製造される転写用原盤を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は上記課題を解決するべく検討し、転写用原盤基板の型の製造に際しては、平坦基板をエッチングする際のマスクであるレジストパターンのパターン線幅が製造ごとに僅かながらもばらつき、これによって製造される型のパターン線幅が製造ごとに僅かながらもばらつくことを知見した。このことは、転写用原盤の表面凹凸パターンのパターン線幅が型によって僅かながらもばらつくことを意味する。
【０００７】
現状の磁気転写では転写用原盤の上記パターン線幅のばらつきが磁気転写に与える影響は特にないが、本発明者は、今後さらなる転写パターンの高精細化（パターン線幅の狭小化等）が進めば、パターン線幅のばらつきが無視できなくなり、磁気転写精度への影響が懸念されることに想到した。
【０００８】
転写用原盤の表面凹凸パターンは、パターン線幅及びパターンピッチが転写用原盤の表面全体で一様ではなく、径方向視、内周側から外周側に向けてパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなるパターンである。すなわち、転写用原盤の表面凹凸パターンは異なるパターン線幅の複数の周方向凹凸パターンからなり、上記レジストパターンもそれに対応したものとなっている。本発明者は、レジストパターンが異なるパターン線幅及びパターンピッチの複数の周方向凹凸パターンからなることを考慮してさらに検討を続け、エッチング工程においてマスクとして機能するレジストパターンのパターン線幅が製造ごとにばらつかないよう制御する手段を見出し、本発明を完成した。
【０００９】
本発明の転写用原盤基板の型の製造方法は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなるディスク状の転写用原盤の前記転写用原盤基板を成形する型の製造方法において、
平坦基板へのレジストの塗布、露光及び現像を実施して、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターン（周方向凹凸パターン）を有するレジストパターンを形成する工程（Ａ）と、
前記レジストパターンのパターン線幅を、径方向位置の異なるｎ箇所（ｎは２以上の整数）で測定し、個々の測定線幅ＷｘについてＷｘより小さい所望線幅ＷｄｘとのずれＤｘ＝（Ｗｘ−Ｗｄｘ）を求め（ｘは測定箇所の番号を示す整数、ｘ＝１〜ｎ）、すべての測定箇所のずれＤｘ（ｘ＝１〜ｎ）の平均値Ｄａｖｅ＝ΣＤｘ／ｎを求める工程（Ｂ）と、
前記レジストパターンに対して、前記パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチングを実施する工程（Ｃ）と、
前記レジストパターンをマスクとして前記平坦基板をエッチングし、エッチング部分を凹部とする、前記表面凹凸パターンと補完的な反転パターンを形成する工程（Ｄ）とを順次有することを特徴とするものである。
【００１０】
本明細書において、「反転パターン」とは、信号パターンに応じた表面凹凸パターンの凸部に対応する部分が凹部、同表面凹凸パターンの凹部に対応する部分が凸部のパターンである。
【００１１】
レジストパターンをなす凸部の側壁は垂直状の場合もあるしテーパ状の場合もあるが、「パターン線幅」は凸部の最大幅と定義する。
【００１２】
前記工程（Ｂ）においては、前記レジストパターンに対して、少なくとも径方向位置が最内端、最外端、及び該最内端と該最外端との中心である３箇所について前記パターン線幅の測定を実施することが好ましい。
【００１３】
本発明の転写用原盤基板の型の製造方法においては、前記レジストパターンの選択的エッチング条件によるパターン線幅の減少量のデータをあらかじめ取得しておき、該データに基づいて、前記工程（Ｃ）の前記選択的エッチング条件を決定することが好ましい。
【００１４】
本発明の転写用原盤の製造方法は、上記の本発明の転写用原盤基板の型の製造方法により製造された型を用いて転写用原盤基板を成形し、該転写用原盤基板の表面に少なくとも磁性層を積層することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の転写用原盤は、上記の本発明の転写用原盤の製造方法により製造されたものであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の転写用原盤基板の型の製造方法では、平坦基板へのレジストの塗布、露光及び現像を実施してレジストパターンを形成し（工程（Ａ））、このレジストパターンのパターン線幅を径方向位置の異なる複数の箇所で測定し、個々の測定線幅について所望線幅とのずれを求め、すべての測定箇所のずれの平均値を求め（工程（Ｂ））、レジストパターンに対して、パターン線幅がずれの平均値分細くなる条件で選択的エッチングを実施し（工程（Ｃ））、その後レジストパターンをマスクとして平坦基板をエッチングする（工程（Ｄ））構成としている。
【００１７】
かかる構成では、レジストの塗布、露光及び現像の条件が製造ごとに多少ばらついても、エッチング工程（Ｄ）においてマスクとして機能するレジストパターン全体のパターン線幅を、常に所望線幅又はそれに近いものとすることができる。エッチング工程（Ｄ）においてマスクとして機能するレジストパターンのパターン線幅の製造ごとのばらつきが抑えられるので、転写用原盤基板の型のパターン線幅の製造ごとのばらつきが抑えられる。
【００１８】
本発明の製造方法により製造される転写用原盤基板の型を用いることで、転写用原盤の表面凹凸パターンのパターン線幅が型によってばらつくことが抑えられ、転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤を安定的に提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、図面を参照して本発明に係る実施形態について説明する。各図においては、視認しやすくするため実際のものとは縮尺やパターンを異ならせてある。
【００２０】
「転写用原盤、磁気転写方法」
本発明は特に転写用原盤基板の型の製造方法が特徴的であるが、はじめに、転写用原盤基板の型を用いて製造される転写用原盤の一例、及びこれを用いた磁気転写方法について簡単に説明する。図１は転写用原盤の平面図、図２は転写用原盤等の周方向（トラック方向）厚み断面図である。
【００２１】
図１に示す如く、転写用原盤１０は平面視、中心部に開口部を有するディスク状物であり、被転写体１３に転写する信号パターンに応じた微細な表面凹凸パターンを有する複数の信号転写領域１５と、隣接する信号転写領域１５の間に位置し表面凹凸パターンを有しない非信号転写領域１６とを有するものである。複数の信号転写領域１５は中心側から放射状に延び、隣接する信号転写領域１５の間に略扇形の非信号転写領域１６がある。転写用原盤１０全体の表面凹凸パターンに符号ＰＳを付してある。
【００２２】
転写用原盤１０は、周方向視、信号転写領域１５と非信号転写領域１６とを繰り返し有するものであり、表面凹凸パターンＰＳは径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンＸ（以下、「周方向凹凸パターンＸ」と言う。）を有している。複数の周方向凹凸パターンＸはパターン線幅及びパターンピッチが一様なものではなく、内周側から外周側に向けて周方向凹凸パターンＸのパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなっている。
【００２３】
非信号転写領域１６には表面凹凸パターンがないので、本明細書で言う「パターン線幅及びパターンピッチ」は信号転写領域１５のパターン線幅及びパターンピッチである。
【００２４】
図２（ｂ）に示す如く、転写用原盤１０の信号転写領域１５は周方向断面視、被転写体１３に転写する信号パターンに対応した表面凹凸パターンＰ１を有する金属製の転写用原盤基板（マスタ基板）１１と、その表面形状に沿って積層され、複数の周方向凹凸パターンＸからなる表面凹凸パターンＰＳを有する磁性層１２とから構成されている。
【００２５】
被転写体１３としては、片面又は両面に磁気記録層（図示略）を有するディスク状のスレーブ媒体が使用される。図２（ａ）に示すように、あらかじめ被転写体１３に対して周方向又は厚み方向に磁界Ｈｉｎを印加し、磁気記録層（図示略）を初期磁化させる（周方向に磁界Ｈｉｎを印加した場合について図示してある）。この状態で被転写体１３を転写用原盤１０の表面に供給し、両者を密着させる。次に、図２（ｂ）に示すように、密着させた転写用原盤１０及び被転写体１３に対して初期磁化方向と略反対方向に転写用磁界Ｈｄｕを印加する。この際、転写用磁界Ｈｄｕは、転写用原盤１０において、被転写体１３と密着した磁性層１２の凸部１２ａにのみ略選択的に吸い込まれる。その結果、面内記録の場合、被転写体１３の磁気記録層では、凸部１２ａに密着した部分の初期磁化は反転せずその他の部分の初期磁化が反転する。垂直記録の場合には逆に、被転写体１３の磁気記録層では、凸部１２ａに密着した部分の初期磁化が反転しその他の部分の初期磁化は反転しない。このようにして、転写用原盤１０の表面凹凸パターンＰＳに対応した磁化パターンが被転写体１３に磁気転写され、磁気記録媒体が製造される。
【００２６】
「転写用原盤基板の型の製造方法、転写用原盤の製造方法」
次に、図３に基づいて、上記転写用原盤１０を製造する場合を例として、本発明に係る実施形態の転写用原盤基板の型の製造方法、及び転写用原盤の製造方法について説明する。図３は図２と同様の周方向厚み断面図である。
【００２７】
（転写用原盤基板の型の製造方法）
＜工程（Ａ）＞
はじめに、図３（ａ）に示す如く、平坦基板２０を用意し、その表面全体にスピンコート法等によりポジ型又はネガ型のレジスト３１を塗布する。平坦基板２０としては制限されず、以下の工程において半導体技術で使用される装置をそのまま利用できることから、シリコンウエハが好ましく用いられる。
【００２８】
次に、レジスト３１の露光及び現像を実施し、転写用原盤基板１１に形成する表面凹凸パターンＰ１（転写用原盤１０の表面凹凸パターンＰＳ）に対応した図３（ｂ）に示すレジストパターンＲ１を形成する。レジストパターンＲ１は、径方向の異なる位置に、転写用原盤１０の周方向凹凸パターンＸに対応した複数の周方向凹凸パターン（図示略）を有するパターンであり、内周側から外周側に向けて周方向凹凸パターンのパターン線幅及びパターンピッチが次第に大きくなるパターンである。本実施形態では、露光条件等を調整して、レジストパターンＲ１をなす各周方向凹凸パターンのパターン線幅が所望線幅より大きくなるよう、レジストパターンＲ１を形成する。
【００２９】
レジスト３１の露光は、平坦基板２０を回動させながらレジスト３１に対してレーザ光又は電子線を走査し照射することで、実施できる。レーザ光又は電子線は、用いるレジスト３１の種類に応じて、製造される転写用原盤基板１１の型において凸部となる部分にレジスト３１が残るよう照射する。露光後現像前には、必要に応じて熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を実施する。
【００３０】
レジスト３１としては制限されず、高感度かつ高解像度を有し高精細パターンを形成できることから、化学増幅型レジストが好ましく用いられる。化学増幅型レジストは、電子線等による露光で酸が発生し、露光後に熱処理（ＰＥＢ）することで発生した酸を触媒としてレジスト反応が進行するものである。
【００３１】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ａ）で形成されたレジストパターンＲ１のパターン線幅Ｗｘを、径方向位置の異なるｎ箇所（ｎは２以上の整数）で測定する。すなわち、レジストパターンＲ１をなすｎ個の周方向凹凸パターン（図示略、転写用原盤１０の周方向凹凸パターンＸに対応）のパターン線幅Ｗｘを求める。好ましくは、レジストパターンＲ１に対して、少なくとも径方向位置が最内端（パターン線幅最小）、最外端（パターン線幅最大）、及び最内端と最外端との中心である３箇所についてパターン線幅Ｗｘを測定する。パターン線幅Ｗｘは、臨界寸法（Critical dimension）を測定可能な走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）等を用いて測定することができる。
【００３２】
本実施形態では、工程（Ａ）において、レジストパターンＲ１をなす各周方向凹凸パターンのパターン線幅が所望線幅より大きくなるようレジストパターンＲ１を形成することを述べた。上記測定を実施した後、個々の測定線幅ＷｘについてＷｘより小さい所望線幅ＷｄｘとのずれＤｘ＝（Ｗｘ−Ｗｄｘ）を求め（ｘは測定箇所の番号を示す整数、ｘ＝１〜ｎ）、すべての測定箇所のずれＤｘ（ｘ＝１〜ｎ）の平均値Ｄａｖｅ＝ΣＤｘ／ｎを求める。
【００３３】
例えば、径方向位置が最内端（ｘ＝１）、最外端（ｘ＝２）、及び最内端と最外端との中心（ｘ＝３）の３箇所についてパターン線幅Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を測定する場合、個々の箇所における所望線幅とのずれ、すなわちＤ１＝（Ｗ１−Ｗｄ１）、Ｄ２＝（Ｗ２−Ｗｄ２）、Ｄ３＝（Ｗ３−Ｗｄ３）を求め、すべての測定箇所のずれの平均値Ｄａｖｅ＝（Ｄ１＋Ｄ２+Ｄ３）／３を求める。
【００３４】
＜工程（Ｃ）＞
次に、図３（ｃ）に示す如く、工程（Ａ）で形成したレジストパターンＲ１に対して、パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチング（トリミングやアッシング等）を実施し、レジストパターンＲ２とする。
【００３５】
パターン線幅の測定箇所ｘでは、パターン線幅Ｗｘが所望線幅Ｗｄｘ又はそれに近いものとなる。パターン線幅Ｗｘは複数箇所で測定しているので、レジストパターンＲ１全体のパターン線幅と所望線幅とのずれが良好に補正され、レジストパターンＲ２全体のパターン線幅が所望線幅又はそれに近いものとなる。
【００３６】
特に、少なくとも径方向位置が最内端（パターン線幅最小）、最外端（パターン線幅最大）、及び最内端と最外端との中心である３箇所についてパターン線幅Ｗｘを測定することで、レジストパターンＲ１の全体的なパターン線幅と所望線幅とのずれの傾向が補正に反映されることになり、レジストパターンＲ２全体のパターン線幅を所望線幅又はそれに極めて近いものとすることができる。
【００３７】
選択的エッチングは例えば、ＣＦ４、Ｏ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅ等のガスを用いた、後記エッチング工程（Ｄ）よりも低出力条件のプラズマドライエッチングにより実施できる。レジストパターンＲ１の選択的エッチングに際して、平坦基板２０は基本的にはエッチングされないが、後記凹部２１が形成されない範囲内で多少エッチングされることは差し支えない。
【００３８】
例えば、レジストパターンＲ１の選択的エッチング条件によるパターン線幅の減少量のデータをあらかじめ取得しておき、このデータに基づいて、レジストパターンＲ１の選択的エッチング条件を決定することで、パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ細くなるよう選択的エッチングを実施することができる。
【００３９】
＜工程（Ｄ）＞
次に、図３（ｄ）に示す如く、工程（Ｃ）で形成したレジストパターンＲ２をマスクとして平坦基板２０をエッチングし、平坦基板２０に凹部２１を形成する。凹部２１は製造される型を用いて得られる転写用原盤基板１１の凸部となる部分である。エッチング方法としては制限なく、高精細エッチングが可能なことからドライエッチングが好ましく、特にＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）等のプラズマドライエッチングが好ましい。
【００４０】
エッチング終了後、図３（ｅ）に示す如く、酸素プラズマアッシング等を実施して残存するレジスト３１を除去する。工程（Ｄ）終了後、表面凹凸パターンＰ１と補完的な反転パターンＰ２を有する型４０が製造される。反転パターンＰ２は、表面凹凸パターンＰ１の凸部に対応する部分が凹部２１、表面凹凸パターンＰ１の凹部に対応する部分が凸部２２のパターンである。
【００４１】
（転写用原盤の製造方法）
＜工程（Ｅ）＞
図３（ｆ）に示す如く、転写用原盤基板の型４０の上に転写用原盤基板１１を成形する。転写用原盤基板１１は、型４０の表面全体に金属スパッタリング等により導電層５１を成膜しその後電鋳を実施することで成形できる。導電層５１は、反転パターンＰ２が壊れないよう薄く成膜する。導電層５１は転写用原盤基板１１と同一材質（例えばニッケル）で成膜することが好ましい。導電層５１は電鋳により転写用原盤基板１１の一部となる。
【００４２】
＜工程（Ｆ）＞
次に、図３（ｇ）に示す如く、転写用原盤基板１１を型４０から剥離し、転写用原盤基板１１が製造される。
【００４３】
上記工程（Ｅ）と（Ｆ）を繰り返し実施することで、１つの型４０から複数の転写用原盤基板１１を簡易に効率よく製造できる。
【００４４】
＜工程（Ｇ）＞
成形された転写用原盤基板１１の表面に磁性材料をスパッタリングするなどして、転写用原盤基板１１の表面形状に沿って磁性層１２を積層し、図１及び図２（ｂ）に示した転写用原盤１０が完成する。磁性層１２は、少なくとも転写用原盤基板１１の表面凸部の上に成膜すればよい。転写用原盤１０の製造にあたっては、磁性層１２の他、必要に応じて他の層を成膜することができる。例えば、転写用原盤基板１１と磁性層１２との間に非磁性層を介在させたり、磁性層１２の上に保護層を設けることができる。
【００４５】
本実施形態の転写用原盤基板の型４０の製造方法では、平坦基板２０へのレジスト３１の塗布、露光及び現像を実施して、所望線幅より大きいパターン線幅のレジストパターンＲ１を形成し（工程（Ａ））、このレジストパターンＲ１のパターン線幅を径方向位置の異なるｎ箇所で測定し、個々の測定線幅Ｗｘについて所望線幅ＷｄｘとのずれＤｘを求め、すべての測定箇所のずれＤｘの平均値Ｄａｖｅを求め（工程（Ｂ））、レジストパターンＲ１に対して、パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチングを実施してレジストパターンＲ２とし（工程（Ｃ））、レジストパターンＲ２をマスクとして平坦基板２０をエッチングする（工程（Ｄ））構成としている。
【００４６】
かかる構成では、レジストパターンＲ１の形成条件（レジスト３１の塗布、露光、現像の条件）が製造ごとに多少ばらついても、エッチング工程（Ｄ）においてマスクとして機能するレジストパターンＲ２全体のパターン線幅を、常に所望線幅又はそれに近いものとすることができる。エッチング工程（Ｄ）においてマスクとして機能するレジストパターンＲ２のパターン線幅の製造ごとのばらつきが抑えられるので、平坦基板２０のエッチング幅の製造ごとのばらつきが抑えられ、転写用原盤基板の型４０のパターン線幅の製造ごとのばらつきが抑えられる。
【００４７】
本実施形態の製造方法により製造される転写用原盤基板の型４０を用いることで、転写用原盤１０の表面凹凸パターンＰＳのパターン線幅が型４０によってばらつくことが抑えられ、転写パターンのさらなる高精細化が進んでも高精度転写を実施可能な転写用原盤１０を安定的に提供することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の技術は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用される転写用原盤に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】転写用原盤の平面図
【図２】（ａ）、（ｂ）は転写用原盤の周方向断面図と磁気転写方法を示す図
【図３】（ａ）〜（ｇ）は本発明に係る実施形態の転写用原盤基板の型の製造方法、及び転写用原盤の製造方法を示す工程図
【符号の説明】
【００５０】
１０ 転写用原盤
１１ 転写用原盤基板
１２ 磁性層
１３ 被転写体
２０ 平坦基板
２１ 凹部
３１ レジスト
４０ 転写用原盤基板の型
Ｐ１ 転写用原盤基板の表面凹凸パターン
Ｐ２ 反転パターン
ＰＳ 転写用原盤の表面凹凸パターン
Ｘ 転写用原盤の表面凹凸パターンをなす周方向凹凸パターン
Ｒ１ 工程（Ａ）後のレジストパターン
Ｒ２ 工程（Ｃ）後のレジストパターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなるディスク状の転写用原盤の前記転写用原盤基板を成形する型の製造方法において、
平坦基板へのレジストの塗布、露光及び現像を実施して、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンを有するレジストパターンを形成する工程（Ａ）と、
前記レジストパターンのパターン線幅を、径方向位置の異なるｎ箇所（ｎは２以上の整数）で測定し、個々の測定線幅ＷｘについてＷｘより小さい所望線幅ＷｄｘとのずれＤｘ＝（Ｗｘ−Ｗｄｘ）を求め（ｘは測定箇所の番号を示す整数、ｘ＝１〜ｎ）、すべての測定箇所のずれＤｘ（ｘ＝１〜ｎ）の平均値Ｄａｖｅ＝ΣＤｘ／ｎを求める工程（Ｂ）と、
前記レジストパターンに対して、前記パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチングを実施する工程（Ｃ）と、
前記レジストパターンをマスクとして前記平坦基板をエッチングし、エッチング部分を凹部とする、前記表面凹凸パターンと補完的な反転パターンを形成する工程（Ｄ）とを順次有することを特徴とする転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ｂ）においては、前記レジストパターンに対して、少なくとも径方向位置が最内端、最外端、及び該最内端と該最外端との中心である３箇所について前記パターン線幅の測定を実施することを特徴とする請求項１に記載の転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項３】
前記レジストパターンの選択的エッチング条件によるパターン線幅の減少量のデータをあらかじめ取得しておき、該データに基づいて、前記工程（Ｃ）の前記選択的エッチング条件を決定することを特徴とする請求項１又は２に記載の転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の転写用原盤基板の型の製造方法により製造された型を用いて転写用原盤基板を成形し、該転写用原盤基板の表面に少なくとも磁性層を積層することを特徴とする転写用原盤の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の転写用原盤の製造方法により製造されたものであることを特徴とする
転写用原盤。
【請求項１】
被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなるディスク状の転写用原盤の前記転写用原盤基板を成形する型の製造方法において、
平坦基板へのレジストの塗布、露光及び現像を実施して、径方向の異なる位置に周方向に延びる複数の凹凸パターンを有するレジストパターンを形成する工程（Ａ）と、
前記レジストパターンのパターン線幅を、径方向位置の異なるｎ箇所（ｎは２以上の整数）で測定し、個々の測定線幅ＷｘについてＷｘより小さい所望線幅ＷｄｘとのずれＤｘ＝（Ｗｘ−Ｗｄｘ）を求め（ｘは測定箇所の番号を示す整数、ｘ＝１〜ｎ）、すべての測定箇所のずれＤｘ（ｘ＝１〜ｎ）の平均値Ｄａｖｅ＝ΣＤｘ／ｎを求める工程（Ｂ）と、
前記レジストパターンに対して、前記パターン線幅がずれの平均値Ｄａｖｅ分細くなる条件で選択的エッチングを実施する工程（Ｃ）と、
前記レジストパターンをマスクとして前記平坦基板をエッチングし、エッチング部分を凹部とする、前記表面凹凸パターンと補完的な反転パターンを形成する工程（Ｄ）とを順次有することを特徴とする転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ｂ）においては、前記レジストパターンに対して、少なくとも径方向位置が最内端、最外端、及び該最内端と該最外端との中心である３箇所について前記パターン線幅の測定を実施することを特徴とする請求項１に記載の転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項３】
前記レジストパターンの選択的エッチング条件によるパターン線幅の減少量のデータをあらかじめ取得しておき、該データに基づいて、前記工程（Ｃ）の前記選択的エッチング条件を決定することを特徴とする請求項１又は２に記載の転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の転写用原盤基板の型の製造方法により製造された型を用いて転写用原盤基板を成形し、該転写用原盤基板の表面に少なくとも磁性層を積層することを特徴とする転写用原盤の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の転写用原盤の製造方法により製造されたものであることを特徴とする
転写用原盤。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−２８６１２１（Ｐ２００６−２８６１２１Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１０６５４４（Ｐ２００５−１０６５４４）
【出願日】平成１７年４月１日（２００５．４．１）
【出願人】（０００００５２０１）富士写真フイルム株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月１日（２００５．４．１）
【出願人】（０００００５２０１）富士写真フイルム株式会社 (7,609)
【Ｆターム（参考）】
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