電子部品素子
【課題】透明導電膜を保護し、さらに透明導電膜の保護だけでなく、透明導電膜を保護することで新たに発生した不具合も防止する。
【解決手段】電子部品素子１では、基板２と、この基板２上に形成されたＩＴＯ膜３と、このＩＴＯ膜３上に形成され前記ＩＴＯ膜３の表面を保護する保護膜４とが設けられている。保護膜４は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜４１と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜１２とからなり、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されて構成される。
【解決手段】電子部品素子１では、基板２と、この基板２上に形成されたＩＴＯ膜３と、このＩＴＯ膜３上に形成され前記ＩＴＯ膜３の表面を保護する保護膜４とが設けられている。保護膜４は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜４１と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜１２とからなり、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されて構成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に透明導電膜を形成した電子部品素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に透明導電膜を形成した電子部品素子の従来技術に、基板の両面にＳｉＯ2膜を形成し、基板の一表面に形成したＳｉＯ2膜上に透明導電膜を形成するものがある（例えば、特許文献参照）。
【０００３】
この特許文献に記載の電子部品素子は、ディスプレイの表示部に用いられ、特許文献によれば、基板上に形成したＳｉＯ2膜上に透明導電膜を形成することで、反射防止効果を有する高透過率の電子部品素子が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１９４７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した特許文献では、透明導電膜が最上位層となり露出した状態となるため、透明導電膜にキズがついたりする。
【０００６】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、透明導電膜を保護し、さらに透明導電膜の保護だけでなく、透明導電膜を保護することで新たに発生する不具合も防止する電子部品素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品素子は、基板と、この基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成され前記透明導電膜の表面を保護する保護膜とが設けられ、前記保護膜は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜とからなり、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されて構成されることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、前記基板と前記透明導電膜と前記保護膜とが設けられ、前記保護膜は、少なくとも前記ＳｉＯｘ膜と前記ＳｉＮ膜とからなり、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されて構成されるので、前記透明導電膜を保護し、さらに前記透明導電膜の保護だけでなく、前記透明導電膜を保護することで新たに発生した不具合も防止することが可能となる。
【０００９】
具体的に、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に形成されるので、前記保護膜により前記透明導電膜を保護するとともに、前記ＳｉＮ膜により前記透明導電膜と前記ＳｉＯｘ膜との密着強度を高めることが可能となる。また、透過率などの光学特性も劣化しない。さらに、本発明によれば、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜を介在させて前記ＳｉＯｘ膜が形成されるので、当該電子部品素子の耐摩耗性や耐食性を向上させることが可能となる。特に、前記基板に前記透明導電膜と前記保護膜を形成した後に当該電子部品素子をアルコール洗浄した場合であっても、前記透明導電膜から前記保護膜が剥がれ難くなる。
【００１０】
前記構成において、前記ＳｉＯｘ膜は、ＳｉＯ2からなり、前記ＳｉＮ膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4のいずれかからなってもよい。
【００１１】
この場合、前記ＳｉＮ膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4のいずれかからなっても、色度に影響をしない膜構成とすることが可能となる。これは、ＳｉＯ2からなる前記ＳｉＯｘ膜を前記透明導電膜に密着強度良くさせるためであっても薄膜の前記ＳｉＮ膜で足りるためである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、透明導電膜を保護し、さらに透明導電膜の保護だけでなく、透明導電膜を保護することで新たに発生した不具合も防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本実施の形態にかかる電子部品素子の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
本発明の実施の形態にかかる電子部品素子１は、ディスプレイの電子部品素子のディスプレイ部に用いられる。
【００１６】
具体的に、この電子部品素子１では、図１に示すように、ガラス基板からなる基板２の一表面２１上に、無機材料の導電膜であるＩＴＯ膜３と、このＩＴＯ膜３の表面を保護する保護膜４とが順に積層されている。なお、本実施の形態では、導電膜として透明導電膜であるＩＴＯ膜３を用いている。
【００１７】
また、基板２の他表面２２上に、透明導電膜であるＩＴＯ膜３が形成され、このＩＴＯ膜３上に、電極となるメタル部５（図１の記号Ｍ参照）と、ＩＴＯ膜３およびメタル部５の一部の表面を保護する保護膜４とが積層形成されている。
【００１８】
保護膜４は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜４１と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜４２とから構成され、ＩＴＯ膜３の一表面２１上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されている。
【００１９】
具体的に、本実施の形態にかかる保護膜４では、ＳｉＯｘ膜４１はＳｉＯ2からなり、その膜厚は５０〜１００ｎｍに設定されている。また、ＳｉＮ膜４２はＳｉＮからなり、その膜厚は１〜５ｎｍに設定されている。なお、本実施の形態にかかるＳｉＮ膜４２の膜厚は、透過率を８５％以上に保つことができる設定となっている。また、透過率は９０％以上であることがより好ましい。
【００２０】
上記した構成からなる電子部品素子１では、基板２の両表面（一表面２１，他表面２２）に、プラズマを使ったスパッタリング法によりＩＴＯ膜３を形成する。ＩＴＯ膜３形成後、基板２の他表面２２にメタル部５を形成して電極のパターンニングを行い、電極を構成する。メタル部５の形成後、基板の両表面２１，２２のＩＴＯ膜３およびメタル部５上に、プラズマを使ったスパッタリング法により保護膜４のうち、ＳｉＮ膜４２を形成し、さらにＳｉＮ膜４２上にＳｉＯｘ膜４１を形成する。すなわち、基板の両表面２１，２２のＩＴＯ膜３およびメタル部５上に、ＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１を順に積層形成して、メタル部５の電極による配線パターンを形成した基板２を構成する。
【００２１】
上記したように、本実施の形態にかかる電子部品素子１によれば、基板２とＩＴＯ膜３と保護膜４とが設けられ、保護膜４はＳｉＯｘ膜４１とＳｉＮ膜４２とから構成され、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されるので、ＩＴＯ膜３を保護し、さらにＩＴＯ膜３の保護だけでなく、ＩＴＯ膜３を保護することで新たに発生した不具合も防止することができる。
【００２２】
具体的に、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に形成されるので、保護膜４によりＩＴＯ膜３を保護するとともに、ＳｉＮ膜４２によりＩＴＯ膜３とＳｉＯｘ膜４１との密着強度を高めることができる。また、透過率などの光学特性も劣化しない。さらに、本実施の形態によれば、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２を介在させてＳｉＯｘ膜４１が形成されるので、当該電子部品素子１の耐摩耗性や耐食性を向上させることができる。特に、基板２にＩＴＯ膜３と保護膜を形成した後に当該電子部品素子１をアルコール洗浄した場合であっても、ＩＴＯ膜３から保護膜４が剥がれ難くなる。
【００２３】
また、ＳｉＯｘ膜４１はＳｉＯ2からなり、ＳｉＮ膜４２はＳｉＮからなるので、色度に影響をしない膜構成とすることができる。これは、ＳｉＯ2からなるＳｉＯｘ膜４１をＩＴＯ膜３に密着強度良くさせるためであっても薄膜のＳｉＮ膜４２で足りるためである。
【００２４】
なお、本実施の形態では、基板２にガラス基板を用いているが、これに限定されるものではなく、セラミックなどの他の材料であってもよい。
【００２５】
また、本実施の形態では、基板２の一表面２１上に、ＩＴＯ膜３と保護膜４とが順に積層されているが、これに限定されるものではなく、基板２の他表面２２上にＩＴＯ膜３と保護膜４が積層形成されてもよい。
【００２６】
また、本実施の形態では、ディスプレイの電子部品素子のディスプレイ部に本発明を適用しているが、これに限定されるものではなく、配線パターンを形成する電子部品素子であれば他の形態ものであってもよい。例えば、他の電子回路に用いる半導体素子や、太陽電池モジュールなどの屋外で用いられる電子部品素子などであってもよい。
【００２７】
また、本実施の形態では、ＳｉＮ膜４２としてＳｉＮを材料としているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、Ｎを含むＳｉ化合物からなるものであれば、他にＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4であってもよい。なお、本実施の形態では、便宜上ＳｉＮ膜という用語を用いているが、これはＮを含むＳｉ化合物からなる膜のことをいう。
【００２８】
また、本実施の形態では、ＳｉＯｘ膜４１としてＳｉＯ2を材料としているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、ＳｉＯ3などの他のＳｉＯｘであってもよい。
【００２９】
また、本実施の形態では、保護膜４がＳｉＮ膜４２とＳｉＯｘ膜４１とを積層した構成からなるが、これに限定されるものではなく、ＳｉＯｘ膜４１に更に別の膜が積層形成されてもよい。すなわち、保護膜４は、少なくともＳｉＮ膜４２とＳｉＯｘ膜４１とが基板２上に順に積層されていれば、その上にさらに膜が積層されてもよい。
【００３０】
また、本実施の形態では、導電膜としてＩＴＯ膜３を用いているが、これに限定されるものではなく、無機材料の導電膜であってその上層に積層するＳｉＯｘ膜との密着性をＳｉＮ膜を介在させることで強めるＩＴＯ膜と同等の成分からなる材料であればよい。
【００３１】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明では、電子部品に用いられる電子部品素子（配線パターンを施した素子）に有用であり、具体的に、半導体素子やディスプレイ用素子、太陽電池モジュールなどの屋外で用いられる電子部品素子などが挙げられる。
【符号の説明】
【００３３】
１ 電子部品素子
２ 基板
２１ 一表面
２２ 他表面
３ ＩＴＯ膜
４ 保護膜
４１ ＳｉＯｘ膜
４２ ＳｉＮ膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に透明導電膜を形成した電子部品素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に透明導電膜を形成した電子部品素子の従来技術に、基板の両面にＳｉＯ2膜を形成し、基板の一表面に形成したＳｉＯ2膜上に透明導電膜を形成するものがある（例えば、特許文献参照）。
【０００３】
この特許文献に記載の電子部品素子は、ディスプレイの表示部に用いられ、特許文献によれば、基板上に形成したＳｉＯ2膜上に透明導電膜を形成することで、反射防止効果を有する高透過率の電子部品素子が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１９４７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した特許文献では、透明導電膜が最上位層となり露出した状態となるため、透明導電膜にキズがついたりする。
【０００６】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、透明導電膜を保護し、さらに透明導電膜の保護だけでなく、透明導電膜を保護することで新たに発生する不具合も防止する電子部品素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる電子部品素子は、基板と、この基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成され前記透明導電膜の表面を保護する保護膜とが設けられ、前記保護膜は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜とからなり、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されて構成されることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、前記基板と前記透明導電膜と前記保護膜とが設けられ、前記保護膜は、少なくとも前記ＳｉＯｘ膜と前記ＳｉＮ膜とからなり、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されて構成されるので、前記透明導電膜を保護し、さらに前記透明導電膜の保護だけでなく、前記透明導電膜を保護することで新たに発生した不具合も防止することが可能となる。
【０００９】
具体的に、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に形成されるので、前記保護膜により前記透明導電膜を保護するとともに、前記ＳｉＮ膜により前記透明導電膜と前記ＳｉＯｘ膜との密着強度を高めることが可能となる。また、透過率などの光学特性も劣化しない。さらに、本発明によれば、前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜を介在させて前記ＳｉＯｘ膜が形成されるので、当該電子部品素子の耐摩耗性や耐食性を向上させることが可能となる。特に、前記基板に前記透明導電膜と前記保護膜を形成した後に当該電子部品素子をアルコール洗浄した場合であっても、前記透明導電膜から前記保護膜が剥がれ難くなる。
【００１０】
前記構成において、前記ＳｉＯｘ膜は、ＳｉＯ2からなり、前記ＳｉＮ膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4のいずれかからなってもよい。
【００１１】
この場合、前記ＳｉＮ膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4のいずれかからなっても、色度に影響をしない膜構成とすることが可能となる。これは、ＳｉＯ2からなる前記ＳｉＯｘ膜を前記透明導電膜に密着強度良くさせるためであっても薄膜の前記ＳｉＮ膜で足りるためである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、透明導電膜を保護し、さらに透明導電膜の保護だけでなく、透明導電膜を保護することで新たに発生した不具合も防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本実施の形態にかかる電子部品素子の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
本発明の実施の形態にかかる電子部品素子１は、ディスプレイの電子部品素子のディスプレイ部に用いられる。
【００１６】
具体的に、この電子部品素子１では、図１に示すように、ガラス基板からなる基板２の一表面２１上に、無機材料の導電膜であるＩＴＯ膜３と、このＩＴＯ膜３の表面を保護する保護膜４とが順に積層されている。なお、本実施の形態では、導電膜として透明導電膜であるＩＴＯ膜３を用いている。
【００１７】
また、基板２の他表面２２上に、透明導電膜であるＩＴＯ膜３が形成され、このＩＴＯ膜３上に、電極となるメタル部５（図１の記号Ｍ参照）と、ＩＴＯ膜３およびメタル部５の一部の表面を保護する保護膜４とが積層形成されている。
【００１８】
保護膜４は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜４１と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜４２とから構成され、ＩＴＯ膜３の一表面２１上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されている。
【００１９】
具体的に、本実施の形態にかかる保護膜４では、ＳｉＯｘ膜４１はＳｉＯ2からなり、その膜厚は５０〜１００ｎｍに設定されている。また、ＳｉＮ膜４２はＳｉＮからなり、その膜厚は１〜５ｎｍに設定されている。なお、本実施の形態にかかるＳｉＮ膜４２の膜厚は、透過率を８５％以上に保つことができる設定となっている。また、透過率は９０％以上であることがより好ましい。
【００２０】
上記した構成からなる電子部品素子１では、基板２の両表面（一表面２１，他表面２２）に、プラズマを使ったスパッタリング法によりＩＴＯ膜３を形成する。ＩＴＯ膜３形成後、基板２の他表面２２にメタル部５を形成して電極のパターンニングを行い、電極を構成する。メタル部５の形成後、基板の両表面２１，２２のＩＴＯ膜３およびメタル部５上に、プラズマを使ったスパッタリング法により保護膜４のうち、ＳｉＮ膜４２を形成し、さらにＳｉＮ膜４２上にＳｉＯｘ膜４１を形成する。すなわち、基板の両表面２１，２２のＩＴＯ膜３およびメタル部５上に、ＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１を順に積層形成して、メタル部５の電極による配線パターンを形成した基板２を構成する。
【００２１】
上記したように、本実施の形態にかかる電子部品素子１によれば、基板２とＩＴＯ膜３と保護膜４とが設けられ、保護膜４はＳｉＯｘ膜４１とＳｉＮ膜４２とから構成され、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されるので、ＩＴＯ膜３を保護し、さらにＩＴＯ膜３の保護だけでなく、ＩＴＯ膜３を保護することで新たに発生した不具合も防止することができる。
【００２２】
具体的に、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に形成されるので、保護膜４によりＩＴＯ膜３を保護するとともに、ＳｉＮ膜４２によりＩＴＯ膜３とＳｉＯｘ膜４１との密着強度を高めることができる。また、透過率などの光学特性も劣化しない。さらに、本実施の形態によれば、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２を介在させてＳｉＯｘ膜４１が形成されるので、当該電子部品素子１の耐摩耗性や耐食性を向上させることができる。特に、基板２にＩＴＯ膜３と保護膜を形成した後に当該電子部品素子１をアルコール洗浄した場合であっても、ＩＴＯ膜３から保護膜４が剥がれ難くなる。
【００２３】
また、ＳｉＯｘ膜４１はＳｉＯ2からなり、ＳｉＮ膜４２はＳｉＮからなるので、色度に影響をしない膜構成とすることができる。これは、ＳｉＯ2からなるＳｉＯｘ膜４１をＩＴＯ膜３に密着強度良くさせるためであっても薄膜のＳｉＮ膜４２で足りるためである。
【００２４】
なお、本実施の形態では、基板２にガラス基板を用いているが、これに限定されるものではなく、セラミックなどの他の材料であってもよい。
【００２５】
また、本実施の形態では、基板２の一表面２１上に、ＩＴＯ膜３と保護膜４とが順に積層されているが、これに限定されるものではなく、基板２の他表面２２上にＩＴＯ膜３と保護膜４が積層形成されてもよい。
【００２６】
また、本実施の形態では、ディスプレイの電子部品素子のディスプレイ部に本発明を適用しているが、これに限定されるものではなく、配線パターンを形成する電子部品素子であれば他の形態ものであってもよい。例えば、他の電子回路に用いる半導体素子や、太陽電池モジュールなどの屋外で用いられる電子部品素子などであってもよい。
【００２７】
また、本実施の形態では、ＳｉＮ膜４２としてＳｉＮを材料としているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、Ｎを含むＳｉ化合物からなるものであれば、他にＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4であってもよい。なお、本実施の形態では、便宜上ＳｉＮ膜という用語を用いているが、これはＮを含むＳｉ化合物からなる膜のことをいう。
【００２８】
また、本実施の形態では、ＳｉＯｘ膜４１としてＳｉＯ2を材料としているが、これは好適な例であり、これに限定されるものではなく、ＳｉＯ3などの他のＳｉＯｘであってもよい。
【００２９】
また、本実施の形態では、保護膜４がＳｉＮ膜４２とＳｉＯｘ膜４１とを積層した構成からなるが、これに限定されるものではなく、ＳｉＯｘ膜４１に更に別の膜が積層形成されてもよい。すなわち、保護膜４は、少なくともＳｉＮ膜４２とＳｉＯｘ膜４１とが基板２上に順に積層されていれば、その上にさらに膜が積層されてもよい。
【００３０】
また、本実施の形態では、導電膜としてＩＴＯ膜３を用いているが、これに限定されるものではなく、無機材料の導電膜であってその上層に積層するＳｉＯｘ膜との密着性をＳｉＮ膜を介在させることで強めるＩＴＯ膜と同等の成分からなる材料であればよい。
【００３１】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明では、電子部品に用いられる電子部品素子（配線パターンを施した素子）に有用であり、具体的に、半導体素子やディスプレイ用素子、太陽電池モジュールなどの屋外で用いられる電子部品素子などが挙げられる。
【符号の説明】
【００３３】
１ 電子部品素子
２ 基板
２１ 一表面
２２ 他表面
３ ＩＴＯ膜
４ 保護膜
４１ ＳｉＯｘ膜
４２ ＳｉＮ膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品素子において、
基板と、この基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成され前記透明導電膜の表面を保護する保護膜とが設けられ、
前記保護膜は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜とから構成され、
前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されたことを特徴とする電子部品素子。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品素子において、
前記ＳｉＯｘ膜は、ＳｉＯ2からなり、
前記ＳｉＮ膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4のいずれかからなることを特徴とする電子部品素子。
【請求項１】
電子部品素子において、
基板と、この基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成され前記透明導電膜の表面を保護する保護膜とが設けられ、
前記保護膜は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜とから構成され、
前記透明導電膜上に前記ＳｉＮ膜、前記ＳｉＯｘ膜の順に積層形成されたことを特徴とする電子部品素子。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品素子において、
前記ＳｉＯｘ膜は、ＳｉＯ2からなり、
前記ＳｉＮ膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3Ｎ4のいずれかからなることを特徴とする電子部品素子。
【図１】
【公開番号】特開２０１２−１４８４０５（Ｐ２０１２−１４８４０５Ａ）
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２１２０５（Ｐ２００９−１２１２０５）
【出願日】平成２１年５月１９日（２００９．５．１９）
【出願人】（３９１００６４２９）三容真空工業株式会社 (13)
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月１９日（２００９．５．１９）
【出願人】（３９１００６４２９）三容真空工業株式会社 (13)
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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