電極間に基板トレンチを有する制御可能な電気光学デバイス
【課題】実質的に低損失であり電圧低下を改善する、電気光学ニオブ酸リチウム基板を有する変調器を提供する。
【解決手段】本基板は、その表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを有する。第１および第２のリッジに沿って第１および第２の導波路が延びている。ＲＦ電極が第１の導波路の上を延び、第１のセクションを含むスロット付きの第２の電極が第２の導波路の上を延びている。かかるスロット付き電極の第２のセクションが、第３のリッジ上を第１のセクションに平行し隣接して延びている。要約すると、本発明は、スロットがスロット付き電極間の基板内に形成されたスロット付き接地電極を提供する。
【解決手段】本基板は、その表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを有する。第１および第２のリッジに沿って第１および第２の導波路が延びている。ＲＦ電極が第１の導波路の上を延び、第１のセクションを含むスロット付きの第２の電極が第２の導波路の上を延びている。かかるスロット付き電極の第２のセクションが、第３のリッジ上を第１のセクションに平行し隣接して延びている。要約すると、本発明は、スロットがスロット付き電極間の基板内に形成されたスロット付き接地電極を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、変調器などの電気光学デバイスの改良に関する。本発明の特定の態様は、電気光学変調器において十分な高速性能を確保しながら周囲温度および印加ＲＦ（無線周波数）信号に対するバイアス点感度を低下させる方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、進行波電極の組と共に、２つの経路４ａおよび４ｂに分岐し後で再結合される光導波路４で構成される従来技術のＺカット・ニオブ酸リチウム変調器２の上面図を示す。２つの導波路４ａおよび４ｂは、マッハ・ツェンダ干渉計のアームを形成している。この電極は、導波路４ａのうちの１つの上面の直上に配置される信号電極５ａと２つの接地電極５ｂ、５ｃからなり、接地電極の一方５ｂが第２の導波路４ｂの上にある。動作中、電極からの電界は、印加される電圧に応答してこの干渉計の２つのアーム間に光位相差をもたらす。２つの導波路中の光波間で強め合う干渉および弱め合う干渉が、電圧に応じた輝度変調をもたらす。通常動作中は、高速変調電圧と共に直流バイアス電圧が印加される。変調電圧がないときに、ゆっくり変化するバイアス電圧を用いて、干渉計を名目上電力半値点に設定する。このバイアス電圧は、干渉計を名目上電力半値点または中点に保持して、時間とともに起こる光位相差（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｈａｓｅ）の変化を追跡する。恐らくは周囲温度の変化に起因して光位相差の変化が大きい場合には、所要バイアス電圧Ｖｂが極めて大きくなり、デジタルまたはアナログ信号の伝送に障害または誤差をもたらす。Ｚカット変調器については、米国特許出願第１０／７２０７９６号に記載されており、これは参照により本明細書に組み込まれる。同様の開発分野における他の従来技術の特許としては、米国特許第５７９０７１９号、第６５４４４３１号、第６５８４２４０号、および第６７２１０８５号があり、これらも参照により本明細書に組み込まれる。
【０００３】
図２を参照すると、コプレーナ・ストリップ電極１０、１２および１４が単一の駆動電圧しか有していない、従来型マッハ・ツェンダ干渉計変調器の部分断面図が示されている。この外部変調システムは、Ｘ軸またはＸカット結晶方位を有する変調器に通常必要な駆動電圧よりも低い駆動電圧しか必要としないＺカットＬｉＮｂＯ３基板を備えている。このＺカットＬｉＮｂＯ３基板は、広帯域低駆動電圧変調器をもたらす電気光学効果を有する。上記電極は、導波路１５および１７の上に配置されるように示されている。Ｚカット・ニオブ酸リチウム変調器は、基板にスロットがない。バッファ層が、電極を基板から部分的に分離している。基板の誘電率が高いため、電極インピーダンスおよびマイクロ波速度が望ましくない低い値に低下してしまう。バッファ層の分離効果により、変調効果を犠牲にして所望のインピーダンスおよびマイクロ波速度が回復される。駆動回路から変調器へ電力を効率的に伝達するためには、４０〜５０オームのインピーダンスが望ましい。さらに、マイクロ波速度は一般に、選択された電極長に対してできるだけ広い帯域幅が得られるように、光速度と同じになるように設計されている。このバッファ層は、電極を導波路から光学的にも分離する。これらの電極が導波路の上面の直上に形成されていれば、導波路における光の損失は劇的に増大するはずである。
【０００４】
次に図３を参照すると、Ｋ．Ｎｏｇｕｃｈｉら、「Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−ｗａｖｅ ＴｉＬｉＮｂＯ３ ｏｐｔｉｃａｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ」、ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．４、１９９８年４月、６１５〜６１９頁に記載されている変調器と同様の従来技術の変調器が示されている。基板３０の表面は、導波路３２、３４が位置する場所以外のどこもエッチングまたは機械加工されている。基板を除去することにより、電極からの電束（ｆｉｅｌｄ ｆｌｕｘ）が導波路領域に閉じ込められ、それによって変調量を増大させる導波路３２、３４を含むリッジ３５ａ、３５ｂが形成される。これらのリッジ３５ａ、３５ｂは、インピーダンスおよび速度も増大させ、それによってより薄いバッファ層が可能になり、したがって駆動電圧がさらに低減される。最後に、リッジ３５ａ、３５ｂは、導波路内の光ビーム幅を狭くすることができ、変調効率がさらにいくらかずつ漸進的に改善される。本明細書で使用するリッジという語は、細長い隆起部または条線を意味する。本明細書によれば、リッジは、そのピーク部または台地部の下方に少なくとも１つの谷またはスロットを有する。いくつかの例では、リッジは、そのピーク部または頂部の両側にスロットまたは谷を有することもできる。たとえば、互いに隣接し平行に配置されている３つのリッジＲ１、Ｒ２およびＲ３が、Ｒ１ Ｖ１ Ｒ２ Ｖ２ Ｒ３のようにそれらの間に２つの谷Ｖ１、Ｖ２を有する。ただし、互いに隣接し平行に配置されている３つのリッジＲ１、Ｒ２およびＲ３は、Ｖ１ Ｒ１ Ｖ２ Ｒ２ Ｖ３ Ｒ３ Ｖ４のようにそれらに隣接する４つの谷を有してもよく、あるいは、Ｖ１ Ｒ１ Ｖ２ Ｒ２ Ｖ３ Ｒ３またはＲ１ Ｖ１ Ｒ２ Ｖ２ Ｒ３ Ｖ３のように３つの谷を有してもよい。
【０００５】
図３に示した導波路領域およびリッジは、基板の表面から突出しており、ウェハ加工中により損傷しやすくなる。さらに、幅の狭い信号電極３４ａは、左側の接地電極３４ｃよりも高くなっており、ウェハ加工中にこの電極はさらに損傷しやすくなる。信号電極３４ｃの高さを接地電極３４ｂまたは３４ｃよりも低くすることが望ましい。こうした場合、接地電極は細い信号電極３４ａの保護をもたらす。
【０００６】
図４は、ＪＤＳ Ｕｎｉｐｈａｓｅ社において開発された、変調駆動電圧を低下させるための、基板内に画定されたスロット４０ａ、４０ｂを有する別の従来技術の変調器を示す。これらのスロットは、信号電極４２と接地電極４４ａ、４４ｂとの間の電極間隙中にある。材料の除去またはエッチングによってスロットを形成するのは、リッジを設けるべき場所に電気光学材料を成長させることによってリッジを形成するよりも簡単なプロセスである。それにかかわらず、どちらの技法も本発明の範囲内にある。所与の電極インピーダンスおよびマイクロ波速度に対する駆動電圧の低下は、リッジがある場合とほぼ同じである。図４では、信号電極４２の高さが、常にグランド４４ａまたは４４ｂと同じか、それよりも低くなっており、ウェハ加工に対してより堅固な設計になっている。図５は、米国特許第６５４５７９１号に記載されている、変調電圧を低下させるように設計された、狭いスロット５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄを有する他の従来技術の変調器を示す。
【０００７】
図４に示した設計は、図５の設計よりも効率的であることが分かる。一般に、スロットをより深くし、スロット幅をより広くし、ニオブ酸リチウムをより多く除去するほど、大きな電圧低下が可能となる。しかし、これらのスロットの深さには製作上の限度がある。さらに、スロットおよび薄いバッファが存在すると、導波路の光損失が増大する。したがって、電圧改善と光損失増大との間にはトレードオフがある。
【特許文献１】米国特許第５７９０７１９号
【特許文献２】米国特許第６５４４４３１号
【特許文献３】米国特許第６５８４２４０号
【特許文献４】米国特許第６７２１０８５号
【特許文献５】米国特許第６５４５７９１号
【特許文献６】米国特許第６４４９０８０号
【非特許文献１】Ｋ． Ｎｏｇｕｃｈｉら、「Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−ｗａｖｅ ＴｉＬｉＮｂＯ３ ｏｐｔｉｃａｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ」、ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．４、１９９８年４月、６１５〜６１９頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、実質的に低損失であるとともに電圧低下を改善する変調器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを含む電気光学基板と、
第１および第２のリッジ内をそれぞれ延びる第１および第２の導波路と、
第１の導波路の上を延びる第１の電極と、
第２の導波路の上を延びる第１のセクションおよび第３のリッジ上を第１のセクションと平行し隣接して延び第１のセクションと電気的に結合される第２のセクションを含むスロット付きの第２の電極とを備える制御可能な光学デバイスが提供される。
【００１０】
本発明によれば、
表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを含むＺカット電気光学基板と、
第１および第２のリッジ内をそれぞれ延び、マッハ・ツェンダ干渉計として構成される第１および第２の導波路と、
第１の導波路の上を延びる第１の電極と、
第２の導波路の上を延びる第１のセクションおよび第３のリッジ上を第１のセクションと平行し隣接して延び第１のセクションと電気的に結合される第２のセクションを含むスロット付きの第２の電極とを備え、このスロット付きの第２の電極の第１のセクションと第２のセクションとの間に画定されたトレンチを複数の導電ブリッジがまたいでいる、電気光学変調器がさらに提供される。
【００１１】
本発明の非常に幅広い態様においては、分割接地電極が電気光学基板内で分割された電極間にスロットを有する、制御可能な導波路デバイスが示されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図６および図７はそれぞれ、本願と同じ発明者の米国特許出願第１０／７２０７９６号に記載のスロット付き接地電極６２ａ、６２ｂを備える変調器の断面および上面を示す。接地電極６２ａ、６２ｂには、周囲温度が変化したときに導波路が受ける機械的応力の様々な変化を軽減するために、スロットが設けられている。スロット付き接地電極については、ＪＤＳ Ｕｎｉｐｈａｓｅ社（サンノゼ、カリフォルニア州）に譲渡された、ＭｃＢｒｉｅｎら名義の米国特許第６４４９０８０号に記載されている。スロット付き電極は間隙で隔てられた２つの平行電極であり、これらの電極は、導電スパン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｓｐａｎｓ）が２つの分割電極を互いに断続的に接続して、所定の位置で電気的に橋絡することができる。それにかかわらず、１つの大きな間隙または複数の間隙が２つの電極間に存在し、それらの間にスロットを画定する。図６は、従来のスロット付き電極を例示したものである。図７は、２つの電極間の所定の位置にある短絡バー７７を示している。
【００１３】
図４および図６に示すように基板にスロットを設けることの一欠点は、温度による機械的応力の変化が２つの導波路の位置で異なることである。基板表面ならびにバッファおよびブリード層（ｂｌｅｅｄ ｌａｙｅｒ）のトポグラフィの非対称性が、応力変化の差（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｔｒｅｓｓ ｃｈａｎｇｅ）をもたらし、それによって光位相差が温度と共に変化するようになる。温度による位相差のこうした変化は、通常、温度によるバイアス点変化と呼ばれる。さらに、基板表面ならびにバッファおよびブリード層のトポグラフィの非対称性は、光損失の差（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｏｐｔｉｃａｌ ｌｏｓｓ）をもたらし、それによってデバイスの消光比が減少するようになる。
【００１４】
図８および図９はそれぞれ、本発明の好ましい実施形態による変調器の断面および上面を示す。これらの図は、原寸に比例して描かれていない。この基板には、接地電極内のスロット内の領域８７ａ、８７ｂにスロットが設けられている。図８の対称構造は、中央に配置されたホットＲＦ信号電極８２ａが、中に配置された導波路８３ａを備えるリッジ８４ａの上に載っている、あるいはリッジ８４ａによって支持されていることを示す。部分８２１ｂ、８２２ｂおよび８２１ｃ、８２２ｃをそれぞれ含む２つのスロット付き電極８２ｂおよび８２ｃが、基板に形成された４つのリッジ上に載っているのが示されている。したがって、隣接する各電極間に谷が形成される。スロット付き電極８２ｂおよび８２ｃ内に示されている谷またはスロット８７ａおよび８７ｂの幅は、２つの導波路８３ａと８３ｂの間に示されているスロットの幅の約１／４であるが、このスロット８７ａおよび８７ｂは、信号電極の両側にあるスロットの幅の１／２〜２倍の幅を有することが好ましい。従来技術に対するこの設計の利点は、温度による応力の変化が電極内でも基板内でも低減され、光損失の差が抑制または除去されることである。
【００１５】
図１０は、接地電極の下にある基板のスロット１０２がセグメント化されず連続的になっている、本発明の他の実施形態を示す。短絡バー１０４は、このスロットを横切り、このスロットの両端間で電気的導通を保持しなければならない。この設計は、図９の設計よりも製造が困難かもしれないが、連続的なスロットは、短絡バー１０４の下の非エッチング領域によってもたらされる基板内の応力をなくす。
【００１６】
図１１は、端部が先細になった、接地電極スロット内における基板内のエッチングされたスロット１１０を示す。先細にするのは、スロットの幅に対してでも、スロットの深さに対してでもよい。図１２ａのスロット１１２ａ、１１２ｂおよび１１２ｃの拡大図は、スロット幅に対して先細にした様々なタイプを示す。図１２ｂのスロットの側面１１４ａ、上面１１４ｂおよび端面１１４ｃの拡大図は、スロット深さに対して先細にしたもの示す。先細のスロットは、ブリード層がこのスロットの周辺付近で薄くなりすぎるのを妨げようとする。スロット１１４ａは、ブリードの連続性を促進するための浅い端面壁１１６を有している。それにかかわらず、この端面壁は、スロットの主要機能を損なうほど、すなわちスロットの長手方向に沿った機械的応力と平衡するほど浅くはなく、あるいは、ホット電極に隣接するトレンチの電圧Ｖｐｉを低下させる主要機能を損なうほど浅くはない。次に、端面図を参照すると、所与のトレンチ深さに対して十分な電圧（Ｖｉｐ）低下を実現するように、比較的急勾配のたとえば約７０度傾斜の側壁を有するスロット１１４ｃが示されている。
【００１７】
図１３の断面図および図１４の上面図は、第２の導波路１３２の近くの接地電極１３４だけにスロットが設けられている単一スロット設計を示す。単一スロット付き電極を１つだけ備えるこの実施形態によれば、接地電極１３４のスロットによって囲まれた領域にあるただ１組の応力緩和スロット１３６が基板内に含まれている。
【００１８】
図１５の断面図および図１６の上面図は、接地電極１５１ａ、１５１ｂのどちらにもスロットが設けられ、基板内で第２の導波路１５５の近傍に特別のスロット１５０が１つだけある、単一スロット設計を示す。基板に第２の特別のスロットを付加せずに、接地電極１５１ａ、１５１ｂの両方にスロットを設けるのが、できるだけ電気的対称性を保つために望ましいかもしれない。
【００１９】
全ての実施形態において、導波路を含む隆起部分の幅を同じにすることができるが、あるいは、他の実施形態においては異なっていてもよい。信号電極と接地電極の間の電極間隙は、Ｚカット・ニオブ酸リチウム変調器の場合、通常２０ミクロン以上である。これらの電極間隙内における基板のスロットの幅は、基板のスロットの上部および電極間隙の下部で測定すると、一般に２〜６ミクロン狭い。接地電極内のスロットの幅は、通常、約１０〜２０ミクロンである。グラウンドスロット内の基板の特別のスロットは、２ミクロン以上狭い。
【００２０】
一般に、最良の変調効率を得るには、信号電極と接地電極の間の谷またはトレンチをできるだけ幅広くすべきであるが、これは主として、リッジ側に電極を置くことができる位置合せ誤差によって制限される。最良の機械的対称性を得るには、リッジ幅は互いにできるだけ近接しているべきであると考えられる。機械的対称性を保持すると、２つの導波路が受ける温度による応力変化を整合させ、それによって温度によるバイアス点ドリフトを低減させる助けとなる。
【００２１】
もちろん、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、多くの他の実施形態を想定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来技術のマッハ・ツェンダ干渉計の上面図である。
【図２】図１に示した従来技術の断面図である。
【図３】段付き接地電極を備えた従来技術の変調器の断面図である。
【図４】ピーク状または台地状の高い領域および谷状の低い領域を有する電気光学基板を備えた従来技術の変調器の断面図である。
【図５】基板内にスロットを有する従来技術の変調器の断面図である。
【図６】基板内にスロットを有しスロット付き電極を備える従来技術の変調器の断面図である。
【図７】図６の従来技術の上面図である。
【図８】スロット付き電極が設けられ、これらのスロット付き電極間の基板にスロットが設けられている、本発明によるマッハ・ツェンダ干渉計の断面図である。
【図９】図８の上面図である。
【図１０】接地電極下の基板のスロットが分割されず連続的になっている本発明の代替実施形態を示す図である。
【図１１】基板内で接地電極のスロット内のエッチングされたスロットが両端部で先細になっている本発明の代替実施形態を示す図である。
【図１２ａ】異なる端部形状を有する３つの先細のスロットの上面図である。
【図１２ｂ】本発明によるスロットの側面および上面図である。
【図１３】第２の導波路近くの接地電極だけにスロットが設けられた単一スロット設計の本発明の一実施形態の断面図である。
【図１４】第２の導波路近くの接地電極だけにスロットが設けられた単一スロット設計の本発明の一実施形態の上面図である。
【図１５】どちらの接地電極にもスロットが設けられ、基板内で第２の導波路の近傍に特別のスロットが１つだけ設けられた単一スロット設計の断面図である。
【図１６】どちらの接地電極にもスロットが設けられ、基板内で第２の導波路の近傍に特別のスロットが１つだけ設けられた単一スロット設計の上面図である。
【符号の説明】
【００２３】
８２ａ ＲＦ信号電極
８２ｂ スロット付き電極
８２ｃ スロット付き電極
８３ａ 導波路
８３ｂ 導波路
８４ａ リッジ
８７ａ 谷、スロット
８７ｂ 谷、スロット
８２１ｂ 部分
８２１ｃ 部分
８２２ｂ 部分
８２２ｃ 部分
１０２ スロット
１０４ 短絡バー
１１０ スロット
１１２ａ スロット
１１２ｂ スロット
１１２ｃ スロット
１１４ａ スロット側面
１１４ｂ スロット上面
１１４ｃ スロット端面
１３２ 第２の導波路
１３４ 接地電極
１３６ 応力緩和スロット
１５０ 特別スロット
１５１ａ 接地電極
１５１ｂ 接地電極
１５５ 第２の導波路
【技術分野】
【０００１】
本発明は、変調器などの電気光学デバイスの改良に関する。本発明の特定の態様は、電気光学変調器において十分な高速性能を確保しながら周囲温度および印加ＲＦ（無線周波数）信号に対するバイアス点感度を低下させる方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、進行波電極の組と共に、２つの経路４ａおよび４ｂに分岐し後で再結合される光導波路４で構成される従来技術のＺカット・ニオブ酸リチウム変調器２の上面図を示す。２つの導波路４ａおよび４ｂは、マッハ・ツェンダ干渉計のアームを形成している。この電極は、導波路４ａのうちの１つの上面の直上に配置される信号電極５ａと２つの接地電極５ｂ、５ｃからなり、接地電極の一方５ｂが第２の導波路４ｂの上にある。動作中、電極からの電界は、印加される電圧に応答してこの干渉計の２つのアーム間に光位相差をもたらす。２つの導波路中の光波間で強め合う干渉および弱め合う干渉が、電圧に応じた輝度変調をもたらす。通常動作中は、高速変調電圧と共に直流バイアス電圧が印加される。変調電圧がないときに、ゆっくり変化するバイアス電圧を用いて、干渉計を名目上電力半値点に設定する。このバイアス電圧は、干渉計を名目上電力半値点または中点に保持して、時間とともに起こる光位相差（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｈａｓｅ）の変化を追跡する。恐らくは周囲温度の変化に起因して光位相差の変化が大きい場合には、所要バイアス電圧Ｖｂが極めて大きくなり、デジタルまたはアナログ信号の伝送に障害または誤差をもたらす。Ｚカット変調器については、米国特許出願第１０／７２０７９６号に記載されており、これは参照により本明細書に組み込まれる。同様の開発分野における他の従来技術の特許としては、米国特許第５７９０７１９号、第６５４４４３１号、第６５８４２４０号、および第６７２１０８５号があり、これらも参照により本明細書に組み込まれる。
【０００３】
図２を参照すると、コプレーナ・ストリップ電極１０、１２および１４が単一の駆動電圧しか有していない、従来型マッハ・ツェンダ干渉計変調器の部分断面図が示されている。この外部変調システムは、Ｘ軸またはＸカット結晶方位を有する変調器に通常必要な駆動電圧よりも低い駆動電圧しか必要としないＺカットＬｉＮｂＯ３基板を備えている。このＺカットＬｉＮｂＯ３基板は、広帯域低駆動電圧変調器をもたらす電気光学効果を有する。上記電極は、導波路１５および１７の上に配置されるように示されている。Ｚカット・ニオブ酸リチウム変調器は、基板にスロットがない。バッファ層が、電極を基板から部分的に分離している。基板の誘電率が高いため、電極インピーダンスおよびマイクロ波速度が望ましくない低い値に低下してしまう。バッファ層の分離効果により、変調効果を犠牲にして所望のインピーダンスおよびマイクロ波速度が回復される。駆動回路から変調器へ電力を効率的に伝達するためには、４０〜５０オームのインピーダンスが望ましい。さらに、マイクロ波速度は一般に、選択された電極長に対してできるだけ広い帯域幅が得られるように、光速度と同じになるように設計されている。このバッファ層は、電極を導波路から光学的にも分離する。これらの電極が導波路の上面の直上に形成されていれば、導波路における光の損失は劇的に増大するはずである。
【０００４】
次に図３を参照すると、Ｋ．Ｎｏｇｕｃｈｉら、「Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−ｗａｖｅ ＴｉＬｉＮｂＯ３ ｏｐｔｉｃａｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ」、ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．４、１９９８年４月、６１５〜６１９頁に記載されている変調器と同様の従来技術の変調器が示されている。基板３０の表面は、導波路３２、３４が位置する場所以外のどこもエッチングまたは機械加工されている。基板を除去することにより、電極からの電束（ｆｉｅｌｄ ｆｌｕｘ）が導波路領域に閉じ込められ、それによって変調量を増大させる導波路３２、３４を含むリッジ３５ａ、３５ｂが形成される。これらのリッジ３５ａ、３５ｂは、インピーダンスおよび速度も増大させ、それによってより薄いバッファ層が可能になり、したがって駆動電圧がさらに低減される。最後に、リッジ３５ａ、３５ｂは、導波路内の光ビーム幅を狭くすることができ、変調効率がさらにいくらかずつ漸進的に改善される。本明細書で使用するリッジという語は、細長い隆起部または条線を意味する。本明細書によれば、リッジは、そのピーク部または台地部の下方に少なくとも１つの谷またはスロットを有する。いくつかの例では、リッジは、そのピーク部または頂部の両側にスロットまたは谷を有することもできる。たとえば、互いに隣接し平行に配置されている３つのリッジＲ１、Ｒ２およびＲ３が、Ｒ１ Ｖ１ Ｒ２ Ｖ２ Ｒ３のようにそれらの間に２つの谷Ｖ１、Ｖ２を有する。ただし、互いに隣接し平行に配置されている３つのリッジＲ１、Ｒ２およびＲ３は、Ｖ１ Ｒ１ Ｖ２ Ｒ２ Ｖ３ Ｒ３ Ｖ４のようにそれらに隣接する４つの谷を有してもよく、あるいは、Ｖ１ Ｒ１ Ｖ２ Ｒ２ Ｖ３ Ｒ３またはＲ１ Ｖ１ Ｒ２ Ｖ２ Ｒ３ Ｖ３のように３つの谷を有してもよい。
【０００５】
図３に示した導波路領域およびリッジは、基板の表面から突出しており、ウェハ加工中により損傷しやすくなる。さらに、幅の狭い信号電極３４ａは、左側の接地電極３４ｃよりも高くなっており、ウェハ加工中にこの電極はさらに損傷しやすくなる。信号電極３４ｃの高さを接地電極３４ｂまたは３４ｃよりも低くすることが望ましい。こうした場合、接地電極は細い信号電極３４ａの保護をもたらす。
【０００６】
図４は、ＪＤＳ Ｕｎｉｐｈａｓｅ社において開発された、変調駆動電圧を低下させるための、基板内に画定されたスロット４０ａ、４０ｂを有する別の従来技術の変調器を示す。これらのスロットは、信号電極４２と接地電極４４ａ、４４ｂとの間の電極間隙中にある。材料の除去またはエッチングによってスロットを形成するのは、リッジを設けるべき場所に電気光学材料を成長させることによってリッジを形成するよりも簡単なプロセスである。それにかかわらず、どちらの技法も本発明の範囲内にある。所与の電極インピーダンスおよびマイクロ波速度に対する駆動電圧の低下は、リッジがある場合とほぼ同じである。図４では、信号電極４２の高さが、常にグランド４４ａまたは４４ｂと同じか、それよりも低くなっており、ウェハ加工に対してより堅固な設計になっている。図５は、米国特許第６５４５７９１号に記載されている、変調電圧を低下させるように設計された、狭いスロット５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄを有する他の従来技術の変調器を示す。
【０００７】
図４に示した設計は、図５の設計よりも効率的であることが分かる。一般に、スロットをより深くし、スロット幅をより広くし、ニオブ酸リチウムをより多く除去するほど、大きな電圧低下が可能となる。しかし、これらのスロットの深さには製作上の限度がある。さらに、スロットおよび薄いバッファが存在すると、導波路の光損失が増大する。したがって、電圧改善と光損失増大との間にはトレードオフがある。
【特許文献１】米国特許第５７９０７１９号
【特許文献２】米国特許第６５４４４３１号
【特許文献３】米国特許第６５８４２４０号
【特許文献４】米国特許第６７２１０８５号
【特許文献５】米国特許第６５４５７９１号
【特許文献６】米国特許第６４４９０８０号
【非特許文献１】Ｋ． Ｎｏｇｕｃｈｉら、「Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒ−ｗａｖｅ ＴｉＬｉＮｂＯ３ ｏｐｔｉｃａｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ」、ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．４、１９９８年４月、６１５〜６１９頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、実質的に低損失であるとともに電圧低下を改善する変調器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを含む電気光学基板と、
第１および第２のリッジ内をそれぞれ延びる第１および第２の導波路と、
第１の導波路の上を延びる第１の電極と、
第２の導波路の上を延びる第１のセクションおよび第３のリッジ上を第１のセクションと平行し隣接して延び第１のセクションと電気的に結合される第２のセクションを含むスロット付きの第２の電極とを備える制御可能な光学デバイスが提供される。
【００１０】
本発明によれば、
表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを含むＺカット電気光学基板と、
第１および第２のリッジ内をそれぞれ延び、マッハ・ツェンダ干渉計として構成される第１および第２の導波路と、
第１の導波路の上を延びる第１の電極と、
第２の導波路の上を延びる第１のセクションおよび第３のリッジ上を第１のセクションと平行し隣接して延び第１のセクションと電気的に結合される第２のセクションを含むスロット付きの第２の電極とを備え、このスロット付きの第２の電極の第１のセクションと第２のセクションとの間に画定されたトレンチを複数の導電ブリッジがまたいでいる、電気光学変調器がさらに提供される。
【００１１】
本発明の非常に幅広い態様においては、分割接地電極が電気光学基板内で分割された電極間にスロットを有する、制御可能な導波路デバイスが示されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図６および図７はそれぞれ、本願と同じ発明者の米国特許出願第１０／７２０７９６号に記載のスロット付き接地電極６２ａ、６２ｂを備える変調器の断面および上面を示す。接地電極６２ａ、６２ｂには、周囲温度が変化したときに導波路が受ける機械的応力の様々な変化を軽減するために、スロットが設けられている。スロット付き接地電極については、ＪＤＳ Ｕｎｉｐｈａｓｅ社（サンノゼ、カリフォルニア州）に譲渡された、ＭｃＢｒｉｅｎら名義の米国特許第６４４９０８０号に記載されている。スロット付き電極は間隙で隔てられた２つの平行電極であり、これらの電極は、導電スパン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｓｐａｎｓ）が２つの分割電極を互いに断続的に接続して、所定の位置で電気的に橋絡することができる。それにかかわらず、１つの大きな間隙または複数の間隙が２つの電極間に存在し、それらの間にスロットを画定する。図６は、従来のスロット付き電極を例示したものである。図７は、２つの電極間の所定の位置にある短絡バー７７を示している。
【００１３】
図４および図６に示すように基板にスロットを設けることの一欠点は、温度による機械的応力の変化が２つの導波路の位置で異なることである。基板表面ならびにバッファおよびブリード層（ｂｌｅｅｄ ｌａｙｅｒ）のトポグラフィの非対称性が、応力変化の差（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｔｒｅｓｓ ｃｈａｎｇｅ）をもたらし、それによって光位相差が温度と共に変化するようになる。温度による位相差のこうした変化は、通常、温度によるバイアス点変化と呼ばれる。さらに、基板表面ならびにバッファおよびブリード層のトポグラフィの非対称性は、光損失の差（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｏｐｔｉｃａｌ ｌｏｓｓ）をもたらし、それによってデバイスの消光比が減少するようになる。
【００１４】
図８および図９はそれぞれ、本発明の好ましい実施形態による変調器の断面および上面を示す。これらの図は、原寸に比例して描かれていない。この基板には、接地電極内のスロット内の領域８７ａ、８７ｂにスロットが設けられている。図８の対称構造は、中央に配置されたホットＲＦ信号電極８２ａが、中に配置された導波路８３ａを備えるリッジ８４ａの上に載っている、あるいはリッジ８４ａによって支持されていることを示す。部分８２１ｂ、８２２ｂおよび８２１ｃ、８２２ｃをそれぞれ含む２つのスロット付き電極８２ｂおよび８２ｃが、基板に形成された４つのリッジ上に載っているのが示されている。したがって、隣接する各電極間に谷が形成される。スロット付き電極８２ｂおよび８２ｃ内に示されている谷またはスロット８７ａおよび８７ｂの幅は、２つの導波路８３ａと８３ｂの間に示されているスロットの幅の約１／４であるが、このスロット８７ａおよび８７ｂは、信号電極の両側にあるスロットの幅の１／２〜２倍の幅を有することが好ましい。従来技術に対するこの設計の利点は、温度による応力の変化が電極内でも基板内でも低減され、光損失の差が抑制または除去されることである。
【００１５】
図１０は、接地電極の下にある基板のスロット１０２がセグメント化されず連続的になっている、本発明の他の実施形態を示す。短絡バー１０４は、このスロットを横切り、このスロットの両端間で電気的導通を保持しなければならない。この設計は、図９の設計よりも製造が困難かもしれないが、連続的なスロットは、短絡バー１０４の下の非エッチング領域によってもたらされる基板内の応力をなくす。
【００１６】
図１１は、端部が先細になった、接地電極スロット内における基板内のエッチングされたスロット１１０を示す。先細にするのは、スロットの幅に対してでも、スロットの深さに対してでもよい。図１２ａのスロット１１２ａ、１１２ｂおよび１１２ｃの拡大図は、スロット幅に対して先細にした様々なタイプを示す。図１２ｂのスロットの側面１１４ａ、上面１１４ｂおよび端面１１４ｃの拡大図は、スロット深さに対して先細にしたもの示す。先細のスロットは、ブリード層がこのスロットの周辺付近で薄くなりすぎるのを妨げようとする。スロット１１４ａは、ブリードの連続性を促進するための浅い端面壁１１６を有している。それにかかわらず、この端面壁は、スロットの主要機能を損なうほど、すなわちスロットの長手方向に沿った機械的応力と平衡するほど浅くはなく、あるいは、ホット電極に隣接するトレンチの電圧Ｖｐｉを低下させる主要機能を損なうほど浅くはない。次に、端面図を参照すると、所与のトレンチ深さに対して十分な電圧（Ｖｉｐ）低下を実現するように、比較的急勾配のたとえば約７０度傾斜の側壁を有するスロット１１４ｃが示されている。
【００１７】
図１３の断面図および図１４の上面図は、第２の導波路１３２の近くの接地電極１３４だけにスロットが設けられている単一スロット設計を示す。単一スロット付き電極を１つだけ備えるこの実施形態によれば、接地電極１３４のスロットによって囲まれた領域にあるただ１組の応力緩和スロット１３６が基板内に含まれている。
【００１８】
図１５の断面図および図１６の上面図は、接地電極１５１ａ、１５１ｂのどちらにもスロットが設けられ、基板内で第２の導波路１５５の近傍に特別のスロット１５０が１つだけある、単一スロット設計を示す。基板に第２の特別のスロットを付加せずに、接地電極１５１ａ、１５１ｂの両方にスロットを設けるのが、できるだけ電気的対称性を保つために望ましいかもしれない。
【００１９】
全ての実施形態において、導波路を含む隆起部分の幅を同じにすることができるが、あるいは、他の実施形態においては異なっていてもよい。信号電極と接地電極の間の電極間隙は、Ｚカット・ニオブ酸リチウム変調器の場合、通常２０ミクロン以上である。これらの電極間隙内における基板のスロットの幅は、基板のスロットの上部および電極間隙の下部で測定すると、一般に２〜６ミクロン狭い。接地電極内のスロットの幅は、通常、約１０〜２０ミクロンである。グラウンドスロット内の基板の特別のスロットは、２ミクロン以上狭い。
【００２０】
一般に、最良の変調効率を得るには、信号電極と接地電極の間の谷またはトレンチをできるだけ幅広くすべきであるが、これは主として、リッジ側に電極を置くことができる位置合せ誤差によって制限される。最良の機械的対称性を得るには、リッジ幅は互いにできるだけ近接しているべきであると考えられる。機械的対称性を保持すると、２つの導波路が受ける温度による応力変化を整合させ、それによって温度によるバイアス点ドリフトを低減させる助けとなる。
【００２１】
もちろん、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、多くの他の実施形態を想定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来技術のマッハ・ツェンダ干渉計の上面図である。
【図２】図１に示した従来技術の断面図である。
【図３】段付き接地電極を備えた従来技術の変調器の断面図である。
【図４】ピーク状または台地状の高い領域および谷状の低い領域を有する電気光学基板を備えた従来技術の変調器の断面図である。
【図５】基板内にスロットを有する従来技術の変調器の断面図である。
【図６】基板内にスロットを有しスロット付き電極を備える従来技術の変調器の断面図である。
【図７】図６の従来技術の上面図である。
【図８】スロット付き電極が設けられ、これらのスロット付き電極間の基板にスロットが設けられている、本発明によるマッハ・ツェンダ干渉計の断面図である。
【図９】図８の上面図である。
【図１０】接地電極下の基板のスロットが分割されず連続的になっている本発明の代替実施形態を示す図である。
【図１１】基板内で接地電極のスロット内のエッチングされたスロットが両端部で先細になっている本発明の代替実施形態を示す図である。
【図１２ａ】異なる端部形状を有する３つの先細のスロットの上面図である。
【図１２ｂ】本発明によるスロットの側面および上面図である。
【図１３】第２の導波路近くの接地電極だけにスロットが設けられた単一スロット設計の本発明の一実施形態の断面図である。
【図１４】第２の導波路近くの接地電極だけにスロットが設けられた単一スロット設計の本発明の一実施形態の上面図である。
【図１５】どちらの接地電極にもスロットが設けられ、基板内で第２の導波路の近傍に特別のスロットが１つだけ設けられた単一スロット設計の断面図である。
【図１６】どちらの接地電極にもスロットが設けられ、基板内で第２の導波路の近傍に特別のスロットが１つだけ設けられた単一スロット設計の上面図である。
【符号の説明】
【００２３】
８２ａ ＲＦ信号電極
８２ｂ スロット付き電極
８２ｃ スロット付き電極
８３ａ 導波路
８３ｂ 導波路
８４ａ リッジ
８７ａ 谷、スロット
８７ｂ 谷、スロット
８２１ｂ 部分
８２１ｃ 部分
８２２ｂ 部分
８２２ｃ 部分
１０２ スロット
１０４ 短絡バー
１１０ スロット
１１２ａ スロット
１１２ｂ スロット
１１２ｃ スロット
１１４ａ スロット側面
１１４ｂ スロット上面
１１４ｃ スロット端面
１３２ 第２の導波路
１３４ 接地電極
１３６ 応力緩和スロット
１５０ 特別スロット
１５１ａ 接地電極
１５１ｂ 接地電極
１５５ 第２の導波路
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを含む電気光学基板と、
前記第１および第２のリッジ内をそれぞれ延びる第１および第２の導波路と、
前記第１の導波路の上を延びる第１の電極と、
前記第２の導波路の上を延びる第１のセクションおよび前記第３のリッジ上を前記第１のセクションと平行し隣接して延びる第２のセクションを含むスロット付きの第２の電極とを備える制御可能な光学デバイス。
【請求項２】
スロットが前記基板内で前記スロット付きの第２の電極の前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間に画定され、前記第２のセクションが動作中に前記第１のセクションに高い周波数で電気的に結合される、請求項１に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項３】
前記第１のセクションと前記第２のセクションが共に前記第１の導波路の同じ側に配置される、請求項１に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項４】
前記第１の電極が信号電極であり、前記スロット付きの第２の電極が接地電極を形成し、前記接地電極が２つの電気的に結合された導体を有し、前記導体の一部が互いに平行する、請求項１に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項５】
前記第１の電極と少なくともその一部が平行する第３の電極を含み、前記第１の電極が前記第２の電極と前記第３の電極との間に配置される、請求項１に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項６】
前記第３の電極が、スロット付き電極であり、第４のリッジの上に延びる第１のセクションおよび第５のリッジの上に延びる平行な第２のセクションを有する、請求項５に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項７】
スロットが隣接するリッジ間に画定され、前記デバイスが、Ｚカットニオブ酸リチウム変調器であり、マッハ・ツェンダ干渉計を形成するように構成される、請求項２に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項８】
前記スロットが、電気光学基板をエッチングして電気光学材料を除去することによって形成される、請求項７に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項９】
隣接するリッジ間で前記基板内に画定された前記スロットが、実質的に均一な高さをもつ隣接するリッジに対して実質的に均一な深さをもつ、請求項８に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項１０】
少なくとも前記スロットの一部が、ブリードの連続性を促進するための浅い端面壁を有し、十分な電圧低下を達成するための急勾配の側壁を有し、そのため前記側壁が前記端面壁よりも実質的に急勾配となる、請求項７に記載の制御可能なマッハ・ツェンダ干渉計。
【請求項１１】
表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを含むＺカット・ニオブ酸リチウム電気光学基板と、
前記第１および第２のリッジ内をそれぞれ延び、マッハ・ツェンダ干渉計として構成される第１および第２の導波路と、
前記第１の導波路の上を延びる第１の電極と、
前記第２の導波路の上を延びる第１のセクションおよび前記第３のリッジ上を前記第１のセクションと平行し隣接して延びる第２のセクションを含むスロット付きの第２の電極とを備え、前記スロット付きの第２の電極の前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間に画定されたトレンチを複数の導電ブリッジがまたいでいる、電気光学変調器。
【請求項１２】
前記基板から電気光学材料を除去することによって、谷が、前記第１、第２および第３のリッジに隣接しそれらの間に画定される、請求項１１に記載の電気光学変調器。
【請求項１３】
スロット付きの第３の電極をさらに備え、前記第１の電極が前記スロット付きの第３の電極と前記スロット付きの第２の電極との間に配置され、前記第２のセクションが動作中に前記第１のセクションに高い周波数で電気的に結合される、請求項１２に記載の電気光学変調器。
【請求項１４】
前記第３の電極が、スロット付き電極であり、第４のリッジの上を延びる第１のセクションおよび第５のリッジの上を延びる平行な第２のセクションを有する、請求項１３に記載の電気光学変調器。
【請求項１５】
前記第１、第２および第３のリッジが前記基板内でそれらの間に画定されたスロットを有し、前記スロットの一部が幅Ｗを有し、他のスロットが幅Ｗｏを有し、Ｗｏが２Ｗ以下であり、かつＷｏが１／２Ｗ以上である、請求項１１に記載の電気光学変調器。
【請求項１６】
前記第１の導波路の上を延びる前記第１の電極がＲＦ電極であり、前記スロット付きの第２の電極が接地電極である、請求項１１に記載の電気光学変調器。
【請求項１７】
前記第２のセクションが動作中に前記第１のセクションに高い周波数で電気的に結合され、前記第１および第２のセクションが直流で電気的に分離される、請求項１１に記載の電気光学変調器。
【請求項１８】
前記スロット付きの第３の電極が、前記スロット付きの第３の電極のスロット付き電極部分間の前記基板内に画定されたスロットを有する、請求項１３に記載の電気光学変調器。
【請求項１】
表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを含む電気光学基板と、
前記第１および第２のリッジ内をそれぞれ延びる第１および第２の導波路と、
前記第１の導波路の上を延びる第１の電極と、
前記第２の導波路の上を延びる第１のセクションおよび前記第３のリッジ上を前記第１のセクションと平行し隣接して延びる第２のセクションを含むスロット付きの第２の電極とを備える制御可能な光学デバイス。
【請求項２】
スロットが前記基板内で前記スロット付きの第２の電極の前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間に画定され、前記第２のセクションが動作中に前記第１のセクションに高い周波数で電気的に結合される、請求項１に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項３】
前記第１のセクションと前記第２のセクションが共に前記第１の導波路の同じ側に配置される、請求項１に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項４】
前記第１の電極が信号電極であり、前記スロット付きの第２の電極が接地電極を形成し、前記接地電極が２つの電気的に結合された導体を有し、前記導体の一部が互いに平行する、請求項１に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項５】
前記第１の電極と少なくともその一部が平行する第３の電極を含み、前記第１の電極が前記第２の電極と前記第３の電極との間に配置される、請求項１に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項６】
前記第３の電極が、スロット付き電極であり、第４のリッジの上に延びる第１のセクションおよび第５のリッジの上に延びる平行な第２のセクションを有する、請求項５に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項７】
スロットが隣接するリッジ間に画定され、前記デバイスが、Ｚカットニオブ酸リチウム変調器であり、マッハ・ツェンダ干渉計を形成するように構成される、請求項２に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項８】
前記スロットが、電気光学基板をエッチングして電気光学材料を除去することによって形成される、請求項７に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項９】
隣接するリッジ間で前記基板内に画定された前記スロットが、実質的に均一な高さをもつ隣接するリッジに対して実質的に均一な深さをもつ、請求項８に記載の制御可能な光学デバイス。
【請求項１０】
少なくとも前記スロットの一部が、ブリードの連続性を促進するための浅い端面壁を有し、十分な電圧低下を達成するための急勾配の側壁を有し、そのため前記側壁が前記端面壁よりも実質的に急勾配となる、請求項７に記載の制御可能なマッハ・ツェンダ干渉計。
【請求項１１】
表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを含むＺカット・ニオブ酸リチウム電気光学基板と、
前記第１および第２のリッジ内をそれぞれ延び、マッハ・ツェンダ干渉計として構成される第１および第２の導波路と、
前記第１の導波路の上を延びる第１の電極と、
前記第２の導波路の上を延びる第１のセクションおよび前記第３のリッジ上を前記第１のセクションと平行し隣接して延びる第２のセクションを含むスロット付きの第２の電極とを備え、前記スロット付きの第２の電極の前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間に画定されたトレンチを複数の導電ブリッジがまたいでいる、電気光学変調器。
【請求項１２】
前記基板から電気光学材料を除去することによって、谷が、前記第１、第２および第３のリッジに隣接しそれらの間に画定される、請求項１１に記載の電気光学変調器。
【請求項１３】
スロット付きの第３の電極をさらに備え、前記第１の電極が前記スロット付きの第３の電極と前記スロット付きの第２の電極との間に配置され、前記第２のセクションが動作中に前記第１のセクションに高い周波数で電気的に結合される、請求項１２に記載の電気光学変調器。
【請求項１４】
前記第３の電極が、スロット付き電極であり、第４のリッジの上を延びる第１のセクションおよび第５のリッジの上を延びる平行な第２のセクションを有する、請求項１３に記載の電気光学変調器。
【請求項１５】
前記第１、第２および第３のリッジが前記基板内でそれらの間に画定されたスロットを有し、前記スロットの一部が幅Ｗを有し、他のスロットが幅Ｗｏを有し、Ｗｏが２Ｗ以下であり、かつＷｏが１／２Ｗ以上である、請求項１１に記載の電気光学変調器。
【請求項１６】
前記第１の導波路の上を延びる前記第１の電極がＲＦ電極であり、前記スロット付きの第２の電極が接地電極である、請求項１１に記載の電気光学変調器。
【請求項１７】
前記第２のセクションが動作中に前記第１のセクションに高い周波数で電気的に結合され、前記第１および第２のセクションが直流で電気的に分離される、請求項１１に記載の電気光学変調器。
【請求項１８】
前記スロット付きの第３の電極が、前記スロット付きの第３の電極のスロット付き電極部分間の前記基板内に画定されたスロットを有する、請求項１３に記載の電気光学変調器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２ａ】
【図１２ｂ】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２ａ】
【図１２ｂ】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００６−１５４８３１（Ｐ２００６−１５４８３１Ａ）
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３４５１９９（Ｐ２００５−３４５１９９）
【出願日】平成１７年１１月３０日（２００５．１１．３０）
【出願人】（５０２１５１８２０）ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーション (90)
【氏名又は名称原語表記】ＪＤＳ Ｕｎｉｐｈａｓｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
【住所又は居所原語表記】１７６８ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｐａｒｋｗａｙ，Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，ＵＳＡ，９５１３１
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月３０日（２００５．１１．３０）
【出願人】（５０２１５１８２０）ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーション (90)
【氏名又は名称原語表記】ＪＤＳ Ｕｎｉｐｈａｓｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
【住所又は居所原語表記】１７６８ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｐａｒｋｗａｙ，Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，ＵＳＡ，９５１３１
【Ｆターム（参考）】
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