ＴＡＭＲヘッドおよびその製造方法
【課題】光源と光導波路との正確な位置合わせに好適なＴＡＭＲヘッドを提供する。
【解決手段】本発明のＴＡＭＲヘッドは、光源、主導波路、ＡＷＶＧ構造を備える。主導波路は、ＡＢＳに露出した端面を有する矩形状の第１の部分と、平面形状が台形状の第２の部分と、第３の部分とをＡＢＳの側から順に有する。ＡＷＶＧ構造は、主導波路に沿って延在し、主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含む。第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、ＡＢＳに近い位置から順にＡＢＳに露出して光を射出する端部第１のガイド領域部分と、第２のガイド領域部分と、第１の部分を通過する光の一部を受光する光結合部分とを有する。
【解決手段】本発明のＴＡＭＲヘッドは、光源、主導波路、ＡＷＶＧ構造を備える。主導波路は、ＡＢＳに露出した端面を有する矩形状の第１の部分と、平面形状が台形状の第２の部分と、第３の部分とをＡＢＳの側から順に有する。ＡＷＶＧ構造は、主導波路に沿って延在し、主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含む。第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、ＡＢＳに近い位置から順にＡＢＳに露出して光を射出する端部第１のガイド領域部分と、第２のガイド領域部分と、第１の部分を通過する光の一部を受光する光結合部分とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録（ＴＡＭＲ：thermally assisted magnetic recording）に基づく磁気再生／記録ヘッド（以下、単にＴＡＭＲヘッドという。）に関し、特に、主導波路の両側にアラインメント導波路（alignment waveguide）を設けることによって、光源からの光を主導波路（main waveguide）の中央に向け、それによって、アラインメント方法をより簡単にするとともに、光源における電力を減少させるＴＡＭＲヘッド、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＭＲは、次世代を担う磁気記録技術の１つとして期待されており、これを用いれば、１平方センチメートルあたり最大１〜１０テラビットのデータ密度での記録が可能となるであろう。ＴＡＭＲにおいては、磁気記録媒体の小さな領域の温度を、キュリー温度近くまで上昇させる。キュリー温度においては、保磁力および磁気異方性の双方が大幅に低下し、高記録密度スキームの微小な記録ヘッドにおいて特徴的にみられる弱い記録磁界によってでも、磁気記録をより容易に実現することができる。ＴＡＭＲでは、記録処理の際、光源からの光パワーを変換して、磁気記録媒体を局所的に加熱する。それにより、媒体粒子の磁化をスイッチングするのに必要となる記録磁界の強度を一時的に低下させる。このようにして、記録技術の現状を鑑みると、ＴＡＭＲ単独で作用する場合、または高磁界勾配とともに作用する場合における鋭い温度勾配によって、データ記録密度をより向上させることができる。
【０００３】
ＴＡＭＲヘッドは、従来の記録ヘッドの構成要素に加えて、通常、光導波路（ＷＧ：wave guide）と、プラズモンアンテナ（ＰＡ：plasmon antenna）またはプラズモンジェネレータ（ＰＧ：plasmon generator）とを備えている。ＷＧは中間経路として機能し、光源からのレーザ光を、ＰＡまたはＰＧへと導く。ＰＡまたはＰＧにおいて、光学モードは、ＰＡの局所的なプラズモンモード、またはＰＧの伝播プラズモンモードと結合する。光エネルギーがプラズモンエネルギーに変換されると、ＰＡにおける局所的なプラズモン励起、またはＰＧに沿ったエネルギー変換によって、プラズモンエネルギーは磁気記録媒体において加熱が必要な箇所に集中する。最適なＴＡＭＲ性能を実現するためには、記録ヘッドからの磁界によって、加熱スポットを正確に配向することが理想的である。
【０００４】
特許文献１に開示されているＴＡＭＲヘッド構造では、例えば図１Ａに示したように、光導波路と結合するエッジプラズモンモードを用いている。この従来の磁気記録構造の構成要素としては、主磁極１０１と、リターンポール１０３と、記録コイル１０５とが含まれ、これらは、エアベアリング面（ＡＢＳ：air bearing surface）１０８に沿って形成されている。光導波路１０４は、入力された光波１０６をＡＢＳ１０８へと導く。図１Ａの左側の平面図に示したように、ＰＧ１０２は一端面がＡＢＳ１０８に露出した三角柱状をなしている。また、図１Ａの左側の断面図（ＡＢＳと直交する断面図）に示したように、ＰＧ１０２は、ＡＢＳ１０８から一定の距離に亘って延在してＷＧ１０４とＹ軸方向に重なり合う位置まで達する。光波１０６は、励起されたエッジプラズモン（ＥＰ：edge plasmon）モード１０７と結合する。ＥＰモード１０７は励起され、ＷＧ１０４に隣接するＰＧ１０２の鋭利なエッジ１０９に沿って伝播する。ＥＰモード１０７は、さらに、ＡＢＳ１０８へと光パワーを移動させ、ＰＧ１０２の下方（Ｚ軸方向の延長上）に配置された磁気記録媒体（図示せず）を局所的に加熱する。ＰＧ１０２は、通常、Ａｇ（銀）およびＡｕ（金）などの貴金属からなる。これらの貴金属は、光学的に駆動される表面プラズモンモードを生じさせるのに優れているとされている。ＥＰモード１０７の局所的な閉じ込めは、ＰＧ１０２の三角形の尖端部（頂点）の角度および丸みの大きさによって決定される。図１Ｂに、傾斜１０を備える磁界プロファイル（上方の図）と、傾斜１３を備える加熱プロファイル（下方の図）とを示す。この磁界プロファイルと加熱プロファイルとは、破線で表す垂線１４−１４の位置において、わずかにオーバーラップしている。
【０００５】
ＴＡＭＲ記録においては、光源からの光を最大の光強度でＰＧへ送る必要がある。光源は、導波路に直接接続するレーザダイオード（ＬＤ：laser diode）であってもよいし、あるいは、レンズを用いて導波路の入り口に合焦される自由空間光線（free space light beam）であってもよい。クロストラック方向（トラック幅方向）における導波路の大きさは１μｍよりも小さいため、アラインメント精度は重要であり、アラインメントは動的な様式で行われることが好ましい。アラインメントを最適化すれば、ＡＢＳにおける一定のプラズモン波エネルギーを送るために必要な光源パワーは減少し、導波路における正確なモード励起が確実となる。よって、位置精度の最適化は重要である。ＬＤにおいては、使用する電力が少なければ、寿命が伸びるとともに、劣化を引き起こすおそれのある局所的加熱を減少させることができるという利点がある。また、低電力方式であれば、その分、使用するＬＤも小さいものでよく、ＬＤが小さければ、スライダの後端部の限られた空間にも簡単に収めることができる。
【０００６】
アラインメントは、通常、ヘッドの製造工程の非記録状態において、主導波路が近接場素子に光を送るために使用されていないときに行われる。注意しなければならないことは、ＴＡＭＲヘッド内に設けられたアラインメント部品は後続の記録工程において残っているであろうが、中央導波路における主伝送モードを妨げるものであってはならない。アラインメントはＬＤを導波路に物理的に取り付ける前に行うことが好ましく、１度の処理動作であるとされる。しかしながら、レンズまたは鏡を用いて送られ、合焦した光線においては、例えば、ＴＡＭＲヘッドの製造完了後の期間を含め、２度以上アラインメントを繰り返すことも考えられる。
【０００７】
従来技術に関して、所定の調査を行った結果、下記のような先行技術文献を得た。
【０００８】
特許文献２には、アラインメントのために、中央の導波路の両側に他の導波路が形成されている。他の導波路は、ＡＢＳからスライダの後端部へと延在し、中央の導波路全体に沿って、中央の導波路に対して平行となっている。他の導波路は、中央の導波路と比べて、ＡＢＳにおける断面積が大きく、実質的により高い光密度の光を送るものと考えられる。
【０００９】
特許文献３には、導波路のクラッドを通して射出された光の光路を、光シールドを用いて遮断することにより、導波路のコア内の光強度を測定する方法が示されている。
【００１０】
特許文献４には、光強度の測定に使用できる調節可能な強誘電体フォトニック素子を用いて光を操作する方法が開示されている。
【００１１】
特許文献５には、二重導波路構成が開示されており、この構造では、第１の導波路が、第２の導波路との界面にある焦点領域に光を伝える。第１の導波路はＴａ2Ｏ5などからなり、第２の導波路は、金属層と、焦点領域に隣接する傾斜した開口からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】米国特許出願公開２０１０／０１０３５５３号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開２００９／００５２０７７号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開２００９／０１６５２８５号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開２００８／００１９６４８号明細書
【特許文献５】米国特許第７７０６６５４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
最近では、光導波路と、それに対して光を入射する光源との相対位置が、より正確であることが要求されるようになっている。また、そのような相対位置の精度を向上させることができるような簡便な方法が望まれている。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、ＴＡＭＲにおける導波路構造のアラインメント方式を改善し、それにより、光源に必要な電力を減少させるとともに、プラズモンジェネレータなどの近接場素子に光を送る主導波路における励起モードを妨げないようにすることにある。
【００１５】
本発明の第２の目的は、第１の目的に係るアラインメント方式を、強度およびパターンの複雑な比較測定を含まない、単純な測定技術によるものとすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
これらの目的は本発明のＴＡＭＲヘッドおよびその製造方法によって達成される。
【００１７】
本発明の第１のＴＡＭＲヘッドは、（ａ）光を発する光源と、（ｂ）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、光源からの入射光をＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、（ｃ）ＡＷＶＧ構造とを備える。ここで、主導波路は、（１）ダウントラック方向から眺めた平面形状が矩形状であり、ＡＢＳに露出した第１の前方端面と、ＡＢＳから第１の距離に位置する第１の後方端面と、第１の前方端面と第１の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第１の部分と、（２）ダウントラック方向から眺めた平面形状が台形状であり、第１の後方端面と接する第２の前方端面と、第２の前方端面よりもトラック幅方向の寸法が大きい第２の後方端面とを含む第２の部分と、（３）第２の後方端面と接する第３の前方端面と、光源と対向する第３の後方端面と、第３の前方端面と第３の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第３の部分とを有する。ＡＷＶＧ構造は、主導波路に沿って延在し、主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含み、第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、ＡＢＳに近い位置から順に（１）主導波路と実質的に平行に延在し、ＡＢＳに露出して光を射出する第１の前方端部と、ＡＢＳと反対側の第１の後方端部とを含む第１のガイド領域部分と、（２）第１の後方端部と接続された第２の前方端部と、ＡＢＳと反対側に位置すると共に第２の前方端部よりも主導波路の近くに位置する第２の後方端部とを含む第２のガイド領域部分と、（３）主導波路と実質的に平行に延在し、主導波路の側面から第１の部分を通過する光の一部を受光する光結合部分とを有する。
【００１８】
本発明の第１のＴＡＭＲヘッドに対応した第１の形態としてのＴＡＭＲヘッドは、例えば以下のようなものである。すなわち、このＴＡＭＲヘッドは、光源から光を受光したのち、入力された光エネルギーの大部分をエッジプラズモンジェネレータ（ＥＰＧ：edge plasmon generator）などの近接場素子へと送る主導波路を備える。ＥＰＧは、光をプラズモン波へと変換し、ＡＢＳおよび記録媒体において近接場を生成する。主導波路は、ＡＢＳからスライダの後端部へと延在する縦方向の大きさを有し、第１の軸がクロストラック方向を表し、第２の軸がＡＢＳに対して垂直であるとともに素子の後端部に向かう方向を表す上面から見ると、３つの部分（セクション）によって構成されている。第１の部分は、矩形状をなし、ＡＢＳに露出した端部と、第１の平面に沿ってＡＢＳから第１の距離をもって形成された反対側の端部とを有する。また、クロストラック方向に幅を有する。２つの側面に沿った第１の距離は、実質的に幅よりも大きい。第２の部分は、台形状をなし、第１の平面において第１の部分の端部に隣接する第１の端部と、第１セクションの幅よりも実質的に大きい幅を有する第２の端部と、第２の部分の第１端部と第２端部とを接続する２つの側面とを有する。第３の部分は、第２の部分の第２の端部に隣接するとともに、スライダの後端部に向かって縦方向へ延在している。第３の部分の幅は、例えば、第２の部分の第２の端部の幅と等しい。ＥＰＧは、三角柱状をなし、頂点（先端部）において収束するプラズモン層によって構成された２つの側面を有してもよい。頂点（先端部）は、基本的に、主導波路の第１の部分上面または下面に面するエッジであるとともに、主導波路の第１の部分の上面または下面から所定の間隔を有するように離間している。ＥＰＧは、ＡＢＳから１μｍ以上２μｍ以下の距離をもって延在し、主導波路からダウントラック方向に位置していてもよい。
【００１９】
本発明の第２のＴＡＭＲヘッドは、（ａ）光を発する光源と、（ｂ）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、光源からの入射光をＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、（ｃ）ＡＷＶＧ構造とを備える。主導波路は、（１）ダウントラック方向から眺めた平面形状が矩形状であり、ＡＢＳに露出した第１の前方端面と、ＡＢＳから第１の距離に位置する第１の後方端面と、第１の前方端面と第１の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第１の部分と、（２）ダウントラック方向から眺めた平面形状が台形状であり、第１の後方端面と接する第２の前方端面と、第２の前方端面よりもトラック幅方向の寸法が大きい第２の後方端面とを含む第２の部分と、（３）第２の後方端面と接する第３の前方端面と、光源と対向する第３の後方端面と、第３の前方端面と第３の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第３の部分とを有する。ＡＷＶＧ構造は、主導波路に沿って延在し、主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含み、第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、（１）主導波路と実質的に平行に延在し、主導波路の側面から主導波路を通過する光の一部を受光する光結合部分と、（２）光結合部分と接続された第１の端面と、ＡＢＳもしくはＡＢＳと異なる面に露出する第２の端面とを含み、第２の端面から外部の光測定素子へ向けて光を射出することにより光源と主導波路とのアライメントを行うガイド領域部分とを有する。
【００２０】
本発明の第２のＴＡＭＲヘッドに対応した第２の形態としてのＴＡＭＲヘッドは、例えば以下のようなものである。すなわち、このＴＡＭＲヘッドは、２つのＡＷＶＧが、主導波路の第２または第３の部分の側面に対して平行に形成された光結合部分と、その光結合部分の端部と接続され、ＡＢＳ、またはスライダの側面もしくは後端面に露出した端面を有するガイド領域部分とによって構成されてもよい。例えば、２つのＡＷＶＧは、おおよそ直線形状の構造を有し、ＡＢＳから主導波路の第３の部分の側面に近接するとともにスライダの後方端面に向けて延在してもよい。本発明の第２のＴＡＭＲヘッドにおいて、光結合部分の後方端部とスライダの後方端面との間に光ブロック（light block）材料を形成することが好ましい。任意で、ガイド領域部分を湾曲させ、スライダの表面のうち最も近い側面において終了するようにしてもよい。あるいは、ガイド領域部分は、１８０度以上湾曲し、スライダの後方端部において終了してもよい。光結合部分の幅と、ガイド領域部分の幅とは等しいことが好ましい。
【００２１】
本発明における導波路構造の重要な特徴は、主導波路の両側にアラインメント導波路（ＡＷＶＧ：alignment waveguide）を追加する点である。本発明の第１の形態によれば、２つのＡＷＶＧは、上面から見ると、主導波路の中央に対して対称的な設計をなし、ＡＢＳから第１の距離をもって延在している。各ＡＷＶＧは、３つの部分によって構成され、そのうちの第１の部分は、矩形状をなし、ＡＢＳに露出した端部と、主導波路の第１の部分の側面に対して平行に形成された２つの側面とを有する。第１のガイド領域部分の側面は、主導波路に面し、主導波路から第２の距離をもって離間している。ＡＢＳとは反対側の第１のガイド領域部分の後方端部は、第２のガイド領域部分の前方端部に隣接している。第２のガイド領域部分は、主導波路の第１の部分に近づくように傾斜している。このため、主導波路から第２のガイド領域部分の後方端部までの距離（結合間隙距離（coupling gap distance））が第２の距離よりも短くなるようになっている。２つのＡＷＶＧにおける光結合部分は、矩形状をなし、第２のガイド領域部分の後方端部から所定の結合長距離（coupling length distance）を隔てて主導波路に対して平行に延在している。各ガイド領域部分のクロストラック方向における大きさ（幅）は同じ値であるとともに、主導波路の第１の部分の幅よりも小さいことが好ましい。任意で、ＡＷＶＧは、ＡＢＳと第１の部分の後方端面との間で終了してもよいし、あるいは、第１の部分の後方端面を越えて延在してもよい。その場合、光結合部分は、主導波路の第２の部分に対して平行に形成される。
【００２２】
本発明では、ＡＢＳに向かって主導波路を伝播する光の一部が、光結合部分の２つのＡＷＶＧに進路変更する（divert）ので、アラインメント性能が向上する。各ＡＷＶＧの出口（outlet）はＡＢＳに露出しており、それにより、各ＡＷＶＧによって受光された光線は、光検出器、または、ＣＣＤカメラへと導かれる。光検出器では光強度が測定される。また、ＣＣＤカメラでは画像が撮影され、その画像データがコンピュータへと送られ、２つのＡＷＶＧの各出口の光強度が計算される。光結合部分の結合長および幅、ならびに結合間隙距離を変化させることによって、各ＡＷＶＧによって受光される光強度を調整してもよい。ダウントラック方向における最適なアラインメントは、両方のＡＷＶＧの光強度の和が光源の所与のＬＤパワーにおいて最大となるときに実現する。また、クロストラック方向における最適なアラインメントは、２つのＡＷＶＧから射出される光強度の差｜ＩAWVG1−ＩAWVG2｜が最小となるときに達成される。したがって、従来のアラインメント方式とは異なり、主導波路からの光出力を観察しなくてもよい。ある態様においては、光結合セクションの幅を隣接する主導波路の第１セクションの幅よりも小さくすることによって、感度を上げ、アラインメント測定の精度を改善することができる。これは、通常、ＴＡＭＲ製造の際、ＬＤ光源を主導波路の端部に最終的に固定する前に行われる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１Ａ】従来のＴＡＭＲヘッドの構成を表す平面図および断面図である。
【図１Ｂ】従来のＴＡＭＲヘッドにおける磁界プロファイルおよび加熱プロファイルを表す特性図である。
【図２】本発明のＴＡＭＲヘッドと関連するＥＰＧ構造を説明するための断面図である。
【図３Ａ】第１の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示した導波路構造の要部を拡大して表す平面図である。
【図３Ｃ】図３Ａに示したＴＡＭＲヘッドの、ＡＢＳに露出した端面の構成を表す平面図である。
【図３Ｄ】図３Ａに示したＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための概念図である。
【図３Ｅ】図３Ａに示したＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための他の概念図である。
【図４】第２の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図５Ａ】第３の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示した導波路構造の要部を拡大して表す平面図である。
【図５Ｃ】図５Ａに示したＴＡＭＲヘッドの、ＡＢＳに露出した端面の構成を表す平面図である。
【図５Ｄ】図５Ａに示したＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための概念図である。
【図５Ｅ】図５Ａに示したＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための他の概念図である。
【図６】第４の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図７】第５の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図８】第６の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図９】本発明の実施例としてのＴＡＭＲヘッドにおいて、２つのＡＷＶＧおよび主導波路から射出された光を観察したものである。
【図１０】本発明の実施例としてのＴＡＭＲヘッドにおける、ＣＷＧおよびＡＷＶＧの光強度を表した特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の対象、特徴および長所は、以下に述べる実施の形態の記載により理解できる。
【００２５】
本発明は、エッジプラズモンジェネレータ（ＥＰＧ：edge plasmon gnenerator）などの近接場素子とともに用いる導波路構造を備えたＴＡＭＲヘッドであり、主として２つのアラインメント導波路によって、光源からの光を主導波路に向けるものである。主導波路は、また、中央導波路とも呼ばれ、通常、クラッド層に囲まれたコアを含む。アラインメント導波路（alignment waveguide）は以下ではＡＷＶＧと記す。なお、このＴＡＭＲヘッドは、再生／記録複合ヘッドの一部を構成するものであってもよい。さらに本発明は、主導波路の中央近くの光強度を最適化する方法に関するものであり、光源によって発せられたのち主導波路を透過する光の一部が、ＡＢＳ、または、スライダーの側面もしくは端部に出口（outlet）を有する２つの隣接するＡＷＶＧへと進路変更する方式を含む。また、光の一部が主導波路からＡＷＶＧへと移動（進路変更）することを、結合という。主導波路およびＡＷＶＧを含むＴＡＭＲ構成要素の上面および下面は、ダウントラック方向、またはダウントラック方向とは反対の方向のいずれかを向いている。
【００２６】
図２に、本出願人が以前出願したＥＰＧ構造を表す。このＥＰＧ構造は、その断面が三角形状をなすことによって、先端部２４ｔに集中されるエッジプラズモンモード２７と導波路２３からの入力光２６とを結合させる。導波路２３はＡＢＳからリセスしていてもよい。それまでのＴＡＭＲヘッドとは異なり、ＥＰＧ２２は磁性コア２１と、厚さｃを有し、導波路２３に面する先端部２４ｔにおいて収束する２つの側面を含むプラズモン層２４を有する。磁性コア２１および主磁極層（図示せず）は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，およびＢのうちの１以上の物質、またはこれらの合金によって構成されてもよい。ある態様において、主磁極と、磁性コア２１とは同じ構成であってもよい。プラズモン層２４は、厚さｃが約１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるＡｕ、Ａｇ、またはＡｕおよびＡｇからなることが好ましく、ＡＢＳに対して垂直であるｚ軸（縦）方向に延在する。ある実施の形態において、プラズモン層２４は、２つの側面を含み、それら２つの側面は、頂点または先端部２４ｔにおいて収束して「Ｖ」字型を形成し、ＥＰＧ２２の第３の側面を形成する磁性コア２１の上を覆う。なお、第３の側面２１ｓは、主磁極に隣接することが好ましく、主磁極層のリーディングサイドの一部としてもよい。当然ながら、記録処理の際、主磁極（およびＴＡＭＲヘッド）は、Ｙ方向、すなわちダウントラック方向とは反対方向に動く。Ｘ軸はクロストラック方向を表し、Ｚ軸は素子の後端部に向かう方向（ＡＢＳと直交する方向）を示している。なお、変形例として、側面２１ｓと主磁極との間に、分離層を含んでもよい。
【００２７】
プラズモンモードは、光レーザなどによって生成される光周波数の電磁放射との放射結合によって生成され、プラズモン層２４の内部をＡＢＳへ向かって送られる。一方、磁性コア２１は、磁束をＥＰＧの加熱点近くに集中させ、記録の際に、磁気媒体の加熱箇所における磁界（図示せず）を増強する。このようにして、ＥＰＧ２２は、効果的に磁極の延長となり、最大勾配が、プラズモン層２４内で生成されたエッジプラズモンによって加熱された磁気媒体領域にオーバーラップする磁界を生成する。接近したオーバーラップによって、記録磁極からの磁界は、より効果的に磁気媒体の局所的磁化を変化させることができるようになる。それにより、磁気記録は大幅に増強され、微小な表面領域に磁気記録を限定することができる。先端部２４ｔと導波路２３との間隙の距離ｖは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。また、その間隙を、酸化ケイ素、アルミナ、酸窒化ケイ素、またはＭｇＦ2によって埋めることによって、導波路２３とＥＰＧ２２との間の光移動を最適化することが好ましい。
【００２８】
［第１の実施の形態］
図３Ａは、本発明の第１の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。ここでは、本発明の特徴部分である導波路構造を表し、ＴＡＭＲヘッドを構成する他の構成要素（例えば主磁極やその周囲の層など）については図示しない。当然ながら、本実施の形態の導波路構造は、主磁極、近接場素子、または主導波路の詳細構造に関わらず、いかなるＴＡＭＲヘッドにも適用可能である。例えば、このＴＡＭＲヘッドは、書込対象とする磁気記録媒体上の所定領域を、主磁極、ＥＰＧ、導波路構造の順に通過するものでもよいし、あるいは、逆の順番で通過するものでもよい。また、このＴＡＭＲヘッドは、光源３０と共にスライダ（図示せず）に搭載されたものである。
【００２９】
図３Ａに示したように、本実施の形態のＴＡＭＲヘッドにおける主導波路４１は、第１から第３の部分４１ａ〜４１ｃを有している。図３Ｂに、第１の部分４１ａの近傍を拡大して表す。第１の部分４１ａは、ダウントラック方向（Ｙ軸方向）から眺めたときに、ＡＢＳ４０から＋Ｚ方向（後方という。）へ延在する矩形の平面形状を有している。なお、以下では、ある基準位置よりもＡＢＳ４０に近い位置、もしくはその基準位置からＡＢＳ４０に近づく方向（−Ｚ方向）を前方といい、ある基準位置よりもＡＢＳ４０から遠い位置、もしくはその基準位置からＡＢＳ４０から遠ざかる方向（＋Ｚ方向）を後方という。第１の部分４１ａは、ＡＢＳ４０に露出した前方端面４１ｅと、それと反対側に位置する後方端面と、それら前方端面４１ｅと後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含むものである。第１の部分４１ａの後方端面は、ＡＢＳ４０と平行である境界面４８において第２の部分４１ｂの前方端面と接続されている。また、第２の部分４１ｂの後方端面は、ＡＢＳ４０と平行である境界面４９において第３の部分４１ｃの前方端面と接続されている。第２の部分４１ｂは、台形の平面形状を有しており、互いに平行な前方端面および後方端面と、それらを繋ぐ一対の側面４１ｒ１，４１ｒ２とを含んでいる。第２の部分４１ｂでは、前方端面から後方端面へ＋Ｚ方向へ進むほど第２の部分４１ｂのトラック幅方向の寸法が拡大している。第３の部分４１ｃは、基本的に矩形の平面形状を有している。第３の部分４１ｃは、ＡＢＳ４０と反対側の端面が、スライダの一表面に設けられた光源３０と対向するようになっている。光源３０は、第３の部分４１ｃの後方端面に固定されてもよいし、あるいは、第３の部分４１ｃの後方端面から一定距離だけ離間していてもよい。
【００３０】
図３Ｃは、このＴＡＭＲヘッドの、ＡＢＳ４０に露出した端面の構成を表している。ＴＡＭＲ記録処理の際、主導波路４１によって受光された光の大部分は、第１の部分４１ａの前方端面４１ｅ近傍の近接場素子（図３Ｃ）に結合し、プラズモン波３１ｃ（図３Ｂ）に変換される。プラズモン波３１ｃは、ＡＢＳ４０へと送られ、ＡＢＳ４０およびＡＢＳ４０に近接する磁気記録媒体（図示せず）において近接場を生成する。好適な実施の形態において、本発明は、図２において既に説明したように、プラズモン層を備えた近接場素子としてＥＰＧ２２を用いる。ＥＰＧ２２は、ＡＢＳ４０に露出した一の端面を有し、例えば１μｍ以上２μｍ以下の長さを有するようにＺ軸方向へ延在している。
【００３１】
本実施の形態の重要な特徴は、２つのＡＷＶＧを含み、それを利用することで非記録状態時にアラインメント処理を行うことが可能である点にある。アラインメント処理は、主導波路４１の後方端部に光源３０を固定する直前に行われることが好ましい。光源３０は、一旦固定されると、その適切なアラインメント位置から動かしてはならない。よって、通常、アラインメント処理は一度だけ行う。本実施の形態によれば、図３Ａ，３Ｂに示したように、主導波路４１（第１の部分４１ａ）に沿って延在し、主導波路４１（第１の部分４１ａ）を挟んで対称に配置された一対のアラインメント導波路（以下、ＡＷＶＧ４２およびＡＷＶＧ４３とする）が設けられている。ＡＷＶＧ４２およびＡＷＶＧ４３は、Ｚ軸方向に沿って主導波路４１を２等分する仮想の平面４４に対して対称的に形成され、互いに鏡像の関係にあることが好ましい。このような対称的な構成により、光３１ａ（図３Ａおよび図３Ｄ）が最適に主導波路４１の第３の部分４１ｃの中央に向かっているとき、ＡＷＶＧ４２およびＡＷＶＧ４３において基本的に同一の光強度を測定するようなアラインメント方法を実現することができるという利点がある。
【００３２】
ＡＷＶＧ４２，４３は、それぞれ、ＡＢＳ４０の側からガイド領域部分４２ａ，４３ａと、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂと、光結合部分４２ｃ，４３ｃとを含んでなるものである。ガイド領域部分４２ａ，４３ａ、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂ、および光結合部分４２ｃ，４３ｃは、トラック幅方向において全て同じ幅ｗ１を有している。幅ｗ１は、例えば０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。
【００３３】
ガイド領域部分４２ａ，４３ａは、それぞれＡＢＳ４０に露出した端部４２ｅ，４３ｅを有し、ＡＢＳ４０から後方へ１μｍ以上５０μｍ以下の距離ｄ３に亘って延在している。ガイド領域部分４２ａ，４３ａは、第１の部分４１ａ（図３Ｂ）の側面４１ｓ１，４１ｓ２に対してそれぞれ平行に延在している。ガイド領域部分４２ａ，４３ａと第１の部分４１ａとは離間しており、トラック幅方向（Ｘ軸方向）におけるその距離ｗ３は、２μｍ以上２０μｍ以下である。ガイド領域部分４２ａ，４３ａはそれぞれ、ＡＢＳ４０と反対側の、ＡＢＳ４０に平行な平面４６に沿った後方端部を有している。この後方端部において、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂの前方端部と接合している。
【００３４】
ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂは、ガイド領域部分４２ａ，４３ａの後方端部と接続された前方端部よりも、平面４６と反対側の平面４７に位置する後方端部のほうが主導波路４１の近くに位置している。すなわち、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂは、ＡＢＳ４０から遠ざかるほど（平面４６から平面４７に近づくほど）主導波路４１に近づくように延在している。したがって、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂの側面４２ｓ，４３ｓは、第１の部分４１ａの側面４１ｓ１，４１ｓ２に対して傾斜した状態となっている。平面４６と平面４７との距離ｄ２は、距離ｗ３、およびガイド領域部分４２ａ，４２ｂとガイド領域部分４３ａ，４３ｂとによってそれぞれ形成される角度αによって決まる。角度αは、０度以上３０度以下であることが好ましい。変形例として、製造工程の性質によって、側面４２ｓ，４３ｓが一定量湾曲していてもよい。実際のところ、ガイド領域部分４２ａ，４３ａ、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂ、および、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂと光結合部分４２ｃ，４３ｃとの接合点は、湾曲したエッジの一部であるほうがよい可能性がある。そのような形状により、光損失を抑えることが可能な場合があるからである。例えば接合点が尖ったエッジ、「キンク」と呼ばれる形状を有する場合、光損失はより大きくなるおそれがある。
【００３５】
光結合部分４２ｃ，４３ｃの前方端部は、平面４７の位置においてガイド領域部分４２ｂ，４３ｂの後方端部と接続されている。光結合部分４２ｃ，４３ｃの後方端部４２ｆ，４３ｆは、平面４８に位置する。光結合部分４２ｃ，４３ｃは、主導波路４１の第１の部分４１ａと実質的に平行をなすように、距離ｄ１（結合長ｄ１ともいう。）に亘って延在している。距離ｄ１は、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。また、光結合部分４２ｃ，４３ｃと、主導波路４１の第１の部分４１ａとの間隔である距離ｗ２は、例えば０．１μｍ以上０．４μｍ以下である。光結合部分４２ｃ，４３ｃは、主導波路４１の側面４１ｓ１，４１ｓ２から第１の部分４１ａを通過する光の一部を受光する部分である。
【００３６】
図３Ｃに示したように、ＥＰＧ２２は、主導波路４１の第１の部分４１ａの上面４１Ｔに面する頂点２４ｔを有する。ＥＰＧ２２の上面２１ｓは、主磁極（図示せず）の表面に隣接していてもよい。頂点２４ｔは、ＡＢＳからＺ軸方向に延在するエッジであり、第１の部分４１ａから離間している。頂点２４ｔと第１の部分４１ａの上面４１Ｔとの距離ｖは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。また、ＡＷＶＧ４２，４３におけるガイド領域部分４２ａ，４３ａの厚さｔは、３５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることが好ましく、第１の部分４１ａの厚さと基本的に同じである。第１の部分４１ａおよびガイド領域部分４２ａ，４３ａの全てを同じ平面６０上に形成することによって、主導波路４１からＡＷＶＧ４２，４３への光結合効率が向上する。一方、ガイド領域部分４２ａ，４３ａの幅ｗ１を、第１の部分４１ａの幅ｍ（図３Ｃ）よりも小さくすることによって、光強度の測定感度を向上させ、それによりそのアラインメント精度を向上させるという利点が得られる。距離ｗ３を、２μｍ以上とすることにより、主導波路４１からの回折光の強度が、後述する光強度ＩAWVG1および光強度ＩAWVG2の両方の測定に含まれないようにする必要がある。幅ｗ３は、例えば２０μｍよりも小さくし、ＣＣＤカメラの標準的視野に収まるようにすることが好ましい。
【００３７】
次に、図３Ｄを参照する。図３Ｄは、本実施の形態のＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための概念図である。ＡＷＶＧ４２およびＡＷＶＧ４３は、本発明の重要な特徴であり、光源３０と主導波路４１との高精度のアラインメントを行うための重要な構成要素である。本実施の形態のＴＡＭＲヘッドでは、光源３０から発せられた光は、主導波路４１の第３の部分４１ｃに入射されたのち、ＡＢＳ４０へ向かう光３１ａとなる。この光３１ａの一部は、例えば光３１ａの０．５％以上１０％以下の強度の光３１ｂとしてＡＷＶＧ４２，４３へ流入する。ＡＷＶＧ４２，４３へと進路を変更された光３１ｂは、主導波路４１の内部をＡＢＳ４０へと伝播する光３１ａのうちの僅かな一部分である。そのため、熱アシスト磁気記録処理の際、主導波路４１における単一伝播モードの妨げとはならない。具体的には、結合長ｄ１、結合間隙の幅ｗ２、およびＡＷＶＧ４２，４３の幅ｗ１を調整することにより、ＡＷＶＧ４２，４３によって、光結合部分４２ｃ，４３ｃに沿ってそれぞれ受光された光３１ｂの強度を修正してもよい。当然ながら、下記の変更のうち１つまたは複数の変更を行うことによって、ＡＷＶＧ４２，４３に進路を変えた光強度を増加させることができる。ここでいう変更とは、（１）長さｄ１を増加させる、（２）幅ｗ１を増加させる、（３）幅ｗ２を減少させることである。さらに、上記のパラメータ（１）、（２）、および（３）は互いに独立しているわけではない。すなわち、長さｄ１，幅ｗ２および幅ｗ１のうちのいずれか１つのパラメータを調整すれば、他の２つのパラメータにも影響が及ぶということである。さらに、マルチモードビーティング（multimode beating）によるエネルギー転送によって、振動運動もまた結合効果に影響を与えることも考慮すべきである。
【００３８】
本実施の形態では、アライメント処理を行う際に、光３１ｂは、光結合部分４２ｃ，４３ｃによって受光されたのち、ＡＢＳ４０に位置する端部４２ｅ，４３ｅから射出され、光検出器（ＰＤ：photo detector）３３，３４へとそれぞれ送られる。この場合、最適なアラインメントを達成するために、光強度をＰＤ３３，３４から直接読み取ることができる。例えば、端部４２ｅにおいてＰＤ３３により検出された光強度をＩAWVG1とし、端部４３ｅにおいてＰＤ３４により検出された光強度をＩAWVG2とする。ここで、｜ＩAWVG1−ＩAWVG2｜が最小値となるとき、クロストラック方向におけるアラインメントが達成される。また、（ＩAWVG1＋ＩAWVG2）が最大値となるとき、ダウントラック方向においてアラインメントが実現される。それゆえ、アラインメント処理においては、光源３０を、主導波路４１のＡＢＳ４０とは反対側の端部においてＸ軸方向に沿って、｜ＩAWVG1−ＩAWVG2｜が最小値となるような一定の位置Ｘi（図示せず）まで移動させる。そののち、光源３０を、座標Ｘi（図示せず）においてＹ軸方向に沿って、（ＩAWVG1＋ＩAWVG2）が最大値に達するまで移動させる。あるいはその逆の順序で操作を行ってもよい。また、Ｘ軸方向の位置合わせと、Ｙ軸方向の位置合わせとを同時に並行して実施してもよい。なお、光３１ａのうち、ＡＷＶＧ４２，４３へと進路変更しない成分は、そのまま主導波路４１（第１の部分４１ａ）を通ってＡＢＳ４０へと伝播するが、アラインメント処理の際に測定はされない。
【００３９】
なお、ＰＤ３３，３４を用いる替わりに、視野が図３Ｄに示した幅ｋ以上であるＣＣＤカメラを用いてもよい。すなわち、そのようなＣＣＤカメラを用いて、端部４２ｅ，４３ｅの双方から射出される光３１ｂの光強度スポットを同一の画像内に収めるようにしてもよい。そのＣＣＤカメラはコンピュータに接続され、コンピュータでは、アルゴリズムを用いて、ＡＷＶＧ４２，４３それぞれからの光強度値を計算し、比較する。さらに、前述した、クロストラック方向（Ｘ軸方向）およびダウントラック方向（Ｙ軸方向）の両方における光源位置のアライメントに関する処理を行ってもよい。
【００４０】
当然ながら、アラインメント処理によって最適なアラインメントのための適切な（Ｘ，Ｙ）座標が特定された後、光源３０を、その座標において主導波路の端部に固定し、ＴＡＭＲヘッドの製造を完了に向けて継続する。
【００４１】
熱アシスト磁気記録処理を行う際には、図３Ｅに示したように、主導波路４１の端部４１ｅ付近に送られた光３１ａの大部分は、ＥＰＧ（図示せず）に結合され、プラズモン波３１ｃに変換される。プラズモン波３１ｃは、その後、磁気記録媒体３６の局所的なスポット（図示せず）へと送られる。そのスポットには、プラズモン波３１ｃが到達するタイミングで主磁極（図示せず）からの記録磁界も到達する。その際、ＡＷＶＧ４２，４３が主導波路４１を伝播する光の伝送モードの妨げとならないことが重要である。そのためには長さｄ１，幅ｗ１，および幅ｗ２を適切に選択することにより、ＡＷＶＧ４２，４３へと進路変更した光３１ｂの強度を維持する必要がある。加えて、平面４７における光結合部分４２ｃ，４３ｃを、最も近いＥＰＧの端部（図示せず）から１μｍ以上離す必要がある。こうすることにより、主導波路４１の第１の部分４１ａでの伝送モードが、ＡＷＶＧ４２，４３と結合したのちＥＰＧと結合する前に回復するための時間が生じる。阻害されたコアモードは回復しないが、励起したクラッドモードは低減する。すなわち、平面４７とＥＰＧとの間で、光３１ａを複数の波長に分離する必要がある。それにより、主導波路４１を伝播する光３１ａの一部が進路変更しても、プラズモン波生成効果はそれほど低下しなくなる。
【００４２】
［第２の実施の形態］
図４は、本発明の第２の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図であり、上記第１の実施の形態における図３Ａに対応するものである。図３Ａでは、特徴部分である導波路構造を表し、ＴＡＭＲヘッドを構成する他の構成要素（例えば主磁極、ＥＰＧおよびその周囲の絶縁層など）については図示しない。本実施の形態の導波路構造では、上記第１の実施の形態における導波路構造と比較すると、Ｚ軸方向におけるＡＷＶＧ４２，４３の長さが短くなっている。すなわち、光結合部分４２ｃ，４３ｃの後方端部４２ｆ，４３ｆが、ＡＢＳ４０から平面４８に至る途中で終了している。このような構成は、例えば長さｄ３、幅ｗ２、および幅ｗ１は上記第１の実施の形態と同様としつつ、幅ｗ３，長さｄ２，および長さｄ１のうち１つまたは複数を第１の実施の形態よりも減少させることによって実現可能である。
【００４３】
［第３の実施の形態］
図５Ａは、本発明の第３の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図であり、上記第１の実施の形態における図３Ａに対応するものである。図５Ａでは、特徴部分である導波路構造を表し、ＴＡＭＲヘッドを構成する他の構成要素（例えば主磁極、ＥＰＧおよびその周囲の絶縁層など）については図示しない。第１〜第３の部分４１ａ，４１ｂ，４１ｃを含む主導波路４１の構造は第１の実施の形態と同様である。第３の部分４１ｃの端部は、光源３０から発せられた光３１を受光し、そのうちの一部の光３１ａをＡＢＳ５０へ向けて伝播させる。後述するように、第２の部分４１ｂを通過する光３１ａの一部は、２つのＡＷＶＧ５２，５３へと進路変更される（結合される）。光３１ａの大部分は、そのまま主導波路４１の内部をＡＢＳ５０へと向かい、前述のようにＥＰＧと結合することによって、ＡＢＳ５０に近接する磁気記録媒体上の局所的なスポットにおいて近接場光を生成する。本実施の形態においては、主導波路４１の端部４１ｅ（図５Ｂ）がＡＢＳ５０に位置する場合を例示するが、端部４１ｅがＡＢＳ５０から後方へ後退した位置となっていてもよい。
【００４４】
図５Ｂは、図５Ａに破線で示した領域Ｂにおける導波路構造の拡大図である。具体的には、ＡＷＶＧ５２，５３が、第１および第２の部分４１ａ，４１ｂの側面４１ｓ１，４１ｓ２に沿ってそれぞれ形成されている。ＡＷＶＧ５２とＡＷＶＧ５３とは、主導波路４１をＸ軸方向において２等分するＺ軸に平行な平面４４に対して対称的に、互いに鏡像となるように形成されていることが望ましい。このような対称的な構造は、図５Ｄに示したように光３１ａが主導波路４１の第３の部分４１ｃの中央に適切に向けられるとき、ＡＷＶＧ５２，５３において基本的に同一の光強度を測定するアラインメント方法を実現するのに有利である。
【００４５】
ＡＷＶＧ５２，５３は、それぞれ、ＡＢＳ５０の側からガイド領域部分５２ａ，５３ａと、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂと、光結合部分５２ｃ，５３ｃとを含んでなるものである。ガイド領域部分５２ａ，５３ａ、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂ、および光結合部分５２ｃ，５３ｃは、トラック幅方向において全て同じ幅ｗ１を有している。幅ｗ１は、例えば０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。
【００４６】
ガイド領域部分５２ａ，５３ａは、それぞれＡＢＳ５０に露出した端部５２ｅ，５３ｅを有し、ＡＢＳ５０から後方へ例えば１μｍ以上５０μｍ以下の長さｈ１に亘って延在している。ガイド領域部分５２ａ，５３ａは、第１の部分４１ａの側面４１ｓ１，４１ｓ２に対してそれぞれ平行に延在している。ガイド領域部分５２ａ，５３ａと第１の部分４１ａとは離間しており、トラック幅方向（Ｘ軸方向）におけるその距離ｗ３は、２μｍ以上２０μｍ以下である。ガイド領域部分５２ａ，５３ａはそれぞれ、ＡＢＳ５０と反対側の、ＡＢＳ５０に平行な平面５６に沿った後方端部を有している。この後方端部において、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂの前方端部と接合している。
【００４７】
ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂは、ガイド領域部分５２ａ，５３ａの後方端部と接続された前方端部よりも、平面５６と反対側の平面４８に位置する後方端部のほうが主導波路４１の近くに位置している。すなわち、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂは、ＡＢＳ５０から遠ざかるほど（平面５６から平面４８に近づくほど）主導波路４１に近づくように延在している。したがって、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂの側面５２ｓ，５３ｓは、第１の部分４１ａの側面４１ｓ１，４１ｓ２に対して傾斜した状態となっている。なお、平面４８は、主導波路４１における第１の部分４１ａと第２の部分４１ｂとの境界位置でもある。平面４８において、側面４１ｓ１とガイド領域部分５２ｂとは、距離ｗ４を隔てている。平面５６と平面４８との距離ｄ２は、距離ｗ３、およびガイド領域部分５２ａ，５２ｂとガイド領域部分５３ａ，５３ｂとによってそれぞれ形成される角度αによって決まる。角度αは、０度以上３０度以下であることが好ましい。変形例として、製造工程の性質によって、側面５２ｓ，５３ｓが一定量湾曲していてもよい。実際のところ、ガイド領域部分５２ａ，５３ａ、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂ、および、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂと光結合部分５２ｃ，５３ｃとの接合点は、湾曲したエッジの一部であるほうがよい可能性がある。そのような形状により、光損失を抑えることが可能な場合があるからである。例えば接合点が尖ったエッジ、「キンク」と呼ばれる形状を有する場合、光損失はより大きくなるおそれがある。
【００４８】
光結合部分５２ｃ，５３ｃの前方端部は、平面４８の位置においてガイド領域部分５２ｂ，５３ｂの後方端部と接続されている。光結合部分５２ｃ，５３ｃの後方端部は、平面５８に位置する。光結合部分５２ｃ，５３ｃは、主導波路４１の第２の部分４１ｂの側面と実質的に平行をなすように、距離ｈ３に亘って延在している。また、光結合部分５２ｃ，５３ｃと、主導波路４１の第２の部分４１ａとの間隔である距離ｗ４は、例えば０．１μｍ以上０．４μｍ以下である。このように、光結合部分５２ｃ，５３ｃは、ＡＢＳ５０から遠ざかるほど、互いの間隔が拡大するように形成されている。
【００４９】
図５Ｃは、このＴＡＭＲヘッドの、ＡＢＳ５０に露出した端面の構成を表している。図５Ｃに示したように、ＥＰＧ２２は、主導波路４１の第１の部分４１ａの上面４１Ｔに面する頂点２４ｔを有する。ＥＰＧ２２の上面２１ｓは、主磁極（図示せず）の表面に隣接していてもよい。頂点２４ｔは、ＡＢＳからＺ軸方向に延在するエッジであり、第１の部分４１ａから離間している。頂点２４ｔと第１の部分４１ａの上面４１Ｔとの距離ｖは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。また、ＡＷＶＧ５２，５３におけるガイド領域部分５２ａ，５３ａの厚さｔは、第１の部分４１ａの厚さと基本的に同じであることが望ましい。第１の部分４１ａおよびガイド領域部分５２ａ，５３ａの全てを同じ平面６１上に形成することによって、主導波路４１からＡＷＶＧ５２，５３への光結合効率が向上する。すなわち、第１の部分４１ａおよびガイド領域部分５２ａ，５３ａの全ての上面同士および下面同士が同一平面に位置することが望ましい。一方、ガイド領域部分５２ａ，５３ａの幅ｗ１を、第１の部分４１ａの幅ｍよりも小さくすることによって、光強度の測定感度を向上させ、それによりそのアラインメント精度を向上させるという利点が得られる。
【００５０】
本実施の形態が、第１の実施の形態よりも優れていると考えられる点は、主導波路４１の第１の部分４１ａよりも第２の部分４１ｂからのほうが自然に生じる光漏れの量が多いという点である。これは、すなわち、アラインメントに十分な強い信号をＰＤ３３，３４に生じさせるために、ＡＷＶＧ５２，５３へと意図的に進路変更させる追加の光の量が、第１の実施の形態のＡＷＶＧ４２，４３へと進路変更させる光の量よりも少ないということである。したがって、熱アシスト磁気記録処理の際、第１の実施の形態において第１の部分４１ａからＡＷＶＧ４２，４３へと進路変更する光３１ｂよりも、本実施の形態においてＡＷＶＧ５２，５３へと進路変更する光３１ｂのほうが、ＡＢＳに向かう光３１ａの主伝送モードをより妨げないと考えられる。
【００５１】
次に、図５Ｄを参照する。図５Ｄは、本実施の形態のＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための概念図である。第１の実施の形態におけるＡＷＶＧ４２，４３と同様に、ＡＷＶＧ５２，５３は本実施の形態における重要な特徴であり、それを利用することで非記録状態時にアラインメント処理を行うことが可能である点にある。本実施の形態のＴＡＭＲヘッドでは、光源３０から発せられた光は、主導波路４１の第３の部分４１ｃに入射されたのち、ＡＢＳ４０へ向かう光３１ａとなる。この光３１ａの一部は、例えば光３１ａの０．５％以上１０％以下の強度の光３１ｂとしてＡＷＶＧ５２，５３へ流入する。ＡＷＶＧ５２，５３へと進路を変更された光３１ｂは、主導波路４１の内部をＡＢＳ５０へと伝播する光３１ａのうちの僅かな一部分である。そのため、熱アシスト磁気記録処理の際、主導波路４１における単一伝播モードの妨げとはならない。具体的には、結合長ｈ３、結合間隙の幅ｗ４、およびＡＷＶＧ５２，５３の幅ｗ１を調整することにより、ＡＷＶＧ５２，５３によって、光結合部分５２ｃ，５３ｃに沿ってそれぞれ受光された光３１ｂの強度を修正してもよい。下記の変更のうち１つまたは複数の変更を行うことによって、ＡＷＶＧ５２，５３に進路を変えた光強度を増加させることができる可能性がある。ここでいう変更とは、（１）長さｈ３を増加させる、（２）幅ｗ１を増加させる、（３）幅ｗ４を減少させることである。さらに、上記のパラメータ（１）、（２）、および（３）は互いに独立しているわけではない。すなわち、長さｈ１，幅ｗ１および幅ｗ４のうちのいずれか１つのパラメータを調整すれば、他の２つのパラメータにも影響が及ぶということである。さらに、主導波路４１の内部での光３１ａの振動運動も、結合効果に影響を与える可能性がある。
【００５２】
本実施の形態では、アライメント処理を行う際に、光３１ｂは、光結合部分５２ｃ，５３ｃによって受光されたのち、ＡＢＳ５０に位置する端部５２ｅ，４３ｅから射出され、光検出器３３，３４へとそれぞれ到達し、検出される。例えば、端部５２ｅにおいてＰＤ３３により検出された光強度をＩAWVG1とし、端部５３ｅにおいてＰＤ３４により検出された光強度をＩAWVG2とする。すると、光源３０の最適なアラインメントは、前述のように、｜ＩAWCG1−ＩAWVG2｜が一定のクロストラック位置において最小値に至り、かつ（ＩAWCG1＋ＩAWVG2）が、一定のダウントラック位置において最大値に至るときに実現される。なお、光３１ａのうち、ＡＷＶＧ５２，５３へと進路変更しない成分は、そのまま主導波路４１（第１の部分４１ａ）を通ってＡＢＳ５０へと伝播するが、アラインメント処理の際に測定はされない。しかしながら、図５Ｅに示したように、熱アシスト磁気記録処理の際には、光３１ａはＥＰＧ（図示せず）と結合し、プラズモン波３１ｃに変換される。プラズモン波３１ｃは、端部４１ｅから出て、その後、磁気記録媒体３６の局所的なスポットに送られる。同時に、記録処理の際、磁気記録媒体３６に対して主磁極から記録磁界が向けられる。
【００５３】
［第４の実施の形態］
図６は、本発明の第４の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。図６では、特徴部分である導波路構造を表し、ＴＡＭＲヘッドを構成する他の構成要素（例えば主磁極、ＥＰＧおよびその周囲の絶縁層など）については図示しない。
【００５４】
図６に示したように、本実施の形態では、ＡＷＶＧ５２，５３それぞれがＡＢＳとは反対側のスライダ９０の後端面９０ｂに端面５２ｅ，５３ｅを有する。この場合、光結合部分５２ｃ、５３ｃは、第３の実施の形態と同様であるが、ＡＷＶＧ５２，５３それぞれのガイド領域部分は、湾曲した部分を含むガイド領域部分５２ｄ，５３ｄによってそれぞれ置き換えられている。湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄは、平面６３において光結合部分５２ｃ、５３ｃの一端と接続され、その接続された箇所から１８０°以上湾曲し、スライダ９０の後端面９０ｂにおける端面５２ｅ，５３ｅに至るまで延在している。ガイド領域部分５２ｄ，５３ｄの幅はそれぞれ、光結合部分５２ｃ，５３ｃの幅と同じであることが好ましい。端面５２ｅ，５３ｅは、光３１ｂを、それぞれＰＤ３３，３４に、または、一のＣＣＤカメラに向ける。また、図６には、スライダ９０の側面９０ｓを示す。なお、光結合部分５２ｃ（または５３ｃ）の端部は、必ずしも、第３の実施の形態のように平面４８に隣接しなくてもよい。このように、光３１ａの一部は主導波路４１の第２の部分４１ｂから光結合部分５２ｃ，５３ｃへと進路を変更し、光３１ｂの光強度が、アラインメント処理において、ＰＤ３３，３４によって測定される。熱アシスト磁気記録処理の際には、前述したように、光３１ａの大部分はプラズモン波３１ｃに変換され、進路を変更した光３１ｂはいずれの目的のためにも使用されない。
【００５５】
なお、上記実施の形態においては、湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄは複数の直線的なセグメントからなるようにしたが、平面６３と端面５２ｅ，５３ｅとの間のガイド領域部分５２ｄ，５３ｄが連続的に湾曲するものであってもよい。
【００５６】
＜変形例１＞
本実施の形態では、以下のような変形例も考えられる。その変形例とは、光結合部分５２ｃ，５３ｃが平面４８に端部を有し、ガイド領域部分５２ｄ，５３ｄの一部がスライダ９０の後端面９０ｂに至る手前で途切れるようにしたものである。
【００５７】
＜変形例２＞
本実施の形態の他の変形例として、光結合部分５２ｃ，５３ｃは、湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄとそれぞれ接続する前に、主導波路４１の第３の部分４１ｃの側面に対して平行に形成され、後端面９０ｂにおいて終了するようにしてもよい。アラインメント処理の際には、光３１ａの一部は主導波路４１の第３の部分から進路を変更する。
【００５８】
［第５の実施の形態］
図７は、本発明の第５の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図であり、上記第４の実施の形態における図６に対応するものである。本実施の形態は、第４の実施の形態と比較してＡＷＶＧ５２，５３の構成が異なっている。すなわち、本実施の形態では、ＡＷＶＧ５２，５３は、スライダ９０の側面９０ｓに端面５２ｅ，５３ｅを有する。この場合、光結合部分５２ｃ，５３ｃは上記第４の実施の形態と同様であるが、平面６３に位置する光結合部分５２ｃ，５３ｃの端部とそれぞれ接続された湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄは、１８０°未満の角度で湾曲し、最も近いスライダ９０の側面９０ｓに至るまで延在している。本実施の形態では、光結合部分５２ｃ，５３ｃの端部は、ＡＢＳ５０に対して平行である平面６３に位置し、湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄの端部にそれぞれ隣接する。あるいは、光結合部分５２ｃ，５３ｃは、主導波路４１の第２の部分４１ｂに対して平行に延在してもよい。このような構造において、アラインメント処理の際、光３１ａの一部は、主導波路４１の第２の部分４１ｂからＡＷＶＧ５２，５３へと進路を変更する。
【００５９】
なお、変形例として、光結合部分５２ｃ，５３ｃは、それぞれ、ガイド領域部分５２ｄ，５３ｄと接続する前に、主導波路４１の第３の部分４１ｃの側面に対して平行に形成されていてもよい。その場合、光３１ａの一部は、主導波路４１の第２の部分４１ｂからではなく、第３の部分４１ｃから進路を変更する。当然ながら、湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄは、平面６３と側面９０ｓとの間の領域において、複数の直線的なセグメント、または連続的な湾曲によって構成されてもよい。
【００６０】
図８に、本発明の第６の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す。本実施の形態では、ＡＷＶＧ５２，５３はそれぞれ直線形の構造をしており、ＡＢＳ５０からＺ軸方向に沿って、平面４９を越えて、端面５２ｆ，５３ｆに至るまでそれぞれ延在している。平面４９は、主導波路４１の第２の部分４１ｂと、第３の部分４１ｃとが接合される位置である。具体的には、ＡＷＶＧ５２，５３は、ガイド領域部分５２ａ，５３ａと、光結合部分５２ｃ，５３ｃとをそれぞれ備える。光結合部分５２ｃ，５３ｃはそれぞれ、平面４９に沿った端部を有し、主導波路４１の第３の部分４１ｃに対して平行に延在し、第３の部分４１ｃから結合間隙距離ｗ２だけ離間している。結合間隙長はｄ４である。光結合部分５２ｃ，５３ｃは、それぞれ端面５２ｆ，５３ｆを有する。端面５２ｆ，５３ｆは、それぞれ光ブロック６５，６６にそれぞれ隣接する。光ブロック６５，６６は、光源３０からの光を、直接、光結合部分５２ｃ，５３ｃへ入射させるのではなく、まず、主導波路４１の第３の部分４１ｃを通過させるようにするために用いるものである。光ブロック６５，６６は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｒｕ，またはＴａなどの不透明材料からなり、その幅は、ＡＷＶＧ５２，５３の幅ｗ１よりもクロストラック方向において大きいことが好ましい。各ＡＷＶＧは全体にわたって、幅が均一であることが好ましい。
【００６１】
図９は、アラインメント処理の際、２つのＡＷＶＧおよび主導波路（ＣＷＧ：center waveguide）から射出された光を観察したものであり、ＡＢＳに配置された、１００倍の対物レンズを備えたＣＣＤカメラから撮ったサンプル画像である。この例において、ｗ３は１５μｍ、結合間隙距離ｗ２は０．２μｍ、結合長ｄ１は８μｍ、ＡＷＶＧの幅ｗ１は６００μｍ、ＣＷＧの幅は６００μｍである。
【００６２】
図１０は、本発明の実施の形態に係る、ＣＷＧおよびＡＷＶＧにおける光強度を、モデリングデータを用いて表したグラフである。Ｚ座標＝６０μｍは、グラフにおけるＡＢＳの位置を表し、Ｘ軸はクロストラック方向である。この場合、結合間隙距離は０．２５μｍ、結合長は５μｍ、ＡＷＶＧとＣＷＧとの間の距離ｗ３は６μｍである。ＡＢＳにおいてＰＤまたはＣＣＤカメラによって測定した光強度については、ピーク８１，８２がＡＷＶＧのものであり、ピーク８３がＣＷＧのものである。この構成では、２％の光だけが各ＡＷＶＧへと進路を変更し、９６％はＣＷＧにとどまる。
【００６３】
このように、全ての実施の形態において、中央導波路（主導波路）の両側に対称的に形成された２つのＡＷＶＧを備える。各ＡＷＶＧは、主導波路から送られる光の０．５％以上１０％以下を、ＡＢＳ、またはスライダの側面もしくは後端部における出口へと進路変更する。２つの出口における光強度は、主導波路の後端部の複数の光源位置において、ＩAWCG1およびＩAWVG2として測定される。アラインメントは、光源の（Ｘ，Ｙ）座標が、｜ＩAWCG1−ＩAWVG2｜が最小値となること、および（ＩAWCG1＋ＩAWVG2）が最大値となること、を同時に満たす場合に達成される。アラインメントは、通常、ＴＡＭＲヘッドの製造において、最終的に光源を導波路に取り付ける直前に行われる。しかしながら、ＴＡＭＲ製造工程完了後に自由空間光線が１度または複数回向けられる際にも本技術を用いることができると考えられる。このように、本発明は、光源が、レンズまたは他の光学素子を介してＴＡＭＲヘッドの主導波路に合焦される自由空間光線である実施の形態において、ここに説明したアラインメント処理を複数回施すことも含む。
【００６４】
本発明が従来技術よりも優れている点は、本発明によれば、２つのＡＷＶＧの出口から正確に光強度を読み取り、２つの測定値の和と差を容易に求め、計算することによって、従来のアラインメント方法のようなより複雑な強度およびパターン測定をすることなく、最適なアラインメントを求めることができる点である。より正確にアラインメントを行うことにより、光源に設けられる所要電力が減少し、光源の寿命が延びる。さらに、ＴＡＭＲ設計においては、通常、スライダの後端部において使用可能な空間が限られているため、電源が大きいことは好ましくないが、本発明によれば、そのような電源を用いる必要がなくなる。ＡＷＶＧは、主導波路の製造と同じ処理工程において形成してもよい。特に、実施の形態例に示したように、ＡＷＶＧの下面と主導波路の下面とが同一平面上に形成され、その厚さが基本的に等しい実施の形態においてそのようにしてもよい。したがって、本発明のアラインメント構造の製造にあたり、道具や処理ステップを追加する必要はない。
【００６５】
本発明を、その好適な実施の形態を挙げて具体的に示し、説明したが、当業者によって理解されるように、本発明においては、その精神と範囲とを外れない限りにおいて、様式や細部について種々の変更を加えてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
３０…光源、４１…主導波路、４１ａ〜４１ｃ…第１〜第３の部分、４２，４３，５２，５３…ＡＷＶＧ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録（ＴＡＭＲ：thermally assisted magnetic recording）に基づく磁気再生／記録ヘッド（以下、単にＴＡＭＲヘッドという。）に関し、特に、主導波路の両側にアラインメント導波路（alignment waveguide）を設けることによって、光源からの光を主導波路（main waveguide）の中央に向け、それによって、アラインメント方法をより簡単にするとともに、光源における電力を減少させるＴＡＭＲヘッド、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＭＲは、次世代を担う磁気記録技術の１つとして期待されており、これを用いれば、１平方センチメートルあたり最大１〜１０テラビットのデータ密度での記録が可能となるであろう。ＴＡＭＲにおいては、磁気記録媒体の小さな領域の温度を、キュリー温度近くまで上昇させる。キュリー温度においては、保磁力および磁気異方性の双方が大幅に低下し、高記録密度スキームの微小な記録ヘッドにおいて特徴的にみられる弱い記録磁界によってでも、磁気記録をより容易に実現することができる。ＴＡＭＲでは、記録処理の際、光源からの光パワーを変換して、磁気記録媒体を局所的に加熱する。それにより、媒体粒子の磁化をスイッチングするのに必要となる記録磁界の強度を一時的に低下させる。このようにして、記録技術の現状を鑑みると、ＴＡＭＲ単独で作用する場合、または高磁界勾配とともに作用する場合における鋭い温度勾配によって、データ記録密度をより向上させることができる。
【０００３】
ＴＡＭＲヘッドは、従来の記録ヘッドの構成要素に加えて、通常、光導波路（ＷＧ：wave guide）と、プラズモンアンテナ（ＰＡ：plasmon antenna）またはプラズモンジェネレータ（ＰＧ：plasmon generator）とを備えている。ＷＧは中間経路として機能し、光源からのレーザ光を、ＰＡまたはＰＧへと導く。ＰＡまたはＰＧにおいて、光学モードは、ＰＡの局所的なプラズモンモード、またはＰＧの伝播プラズモンモードと結合する。光エネルギーがプラズモンエネルギーに変換されると、ＰＡにおける局所的なプラズモン励起、またはＰＧに沿ったエネルギー変換によって、プラズモンエネルギーは磁気記録媒体において加熱が必要な箇所に集中する。最適なＴＡＭＲ性能を実現するためには、記録ヘッドからの磁界によって、加熱スポットを正確に配向することが理想的である。
【０００４】
特許文献１に開示されているＴＡＭＲヘッド構造では、例えば図１Ａに示したように、光導波路と結合するエッジプラズモンモードを用いている。この従来の磁気記録構造の構成要素としては、主磁極１０１と、リターンポール１０３と、記録コイル１０５とが含まれ、これらは、エアベアリング面（ＡＢＳ：air bearing surface）１０８に沿って形成されている。光導波路１０４は、入力された光波１０６をＡＢＳ１０８へと導く。図１Ａの左側の平面図に示したように、ＰＧ１０２は一端面がＡＢＳ１０８に露出した三角柱状をなしている。また、図１Ａの左側の断面図（ＡＢＳと直交する断面図）に示したように、ＰＧ１０２は、ＡＢＳ１０８から一定の距離に亘って延在してＷＧ１０４とＹ軸方向に重なり合う位置まで達する。光波１０６は、励起されたエッジプラズモン（ＥＰ：edge plasmon）モード１０７と結合する。ＥＰモード１０７は励起され、ＷＧ１０４に隣接するＰＧ１０２の鋭利なエッジ１０９に沿って伝播する。ＥＰモード１０７は、さらに、ＡＢＳ１０８へと光パワーを移動させ、ＰＧ１０２の下方（Ｚ軸方向の延長上）に配置された磁気記録媒体（図示せず）を局所的に加熱する。ＰＧ１０２は、通常、Ａｇ（銀）およびＡｕ（金）などの貴金属からなる。これらの貴金属は、光学的に駆動される表面プラズモンモードを生じさせるのに優れているとされている。ＥＰモード１０７の局所的な閉じ込めは、ＰＧ１０２の三角形の尖端部（頂点）の角度および丸みの大きさによって決定される。図１Ｂに、傾斜１０を備える磁界プロファイル（上方の図）と、傾斜１３を備える加熱プロファイル（下方の図）とを示す。この磁界プロファイルと加熱プロファイルとは、破線で表す垂線１４−１４の位置において、わずかにオーバーラップしている。
【０００５】
ＴＡＭＲ記録においては、光源からの光を最大の光強度でＰＧへ送る必要がある。光源は、導波路に直接接続するレーザダイオード（ＬＤ：laser diode）であってもよいし、あるいは、レンズを用いて導波路の入り口に合焦される自由空間光線（free space light beam）であってもよい。クロストラック方向（トラック幅方向）における導波路の大きさは１μｍよりも小さいため、アラインメント精度は重要であり、アラインメントは動的な様式で行われることが好ましい。アラインメントを最適化すれば、ＡＢＳにおける一定のプラズモン波エネルギーを送るために必要な光源パワーは減少し、導波路における正確なモード励起が確実となる。よって、位置精度の最適化は重要である。ＬＤにおいては、使用する電力が少なければ、寿命が伸びるとともに、劣化を引き起こすおそれのある局所的加熱を減少させることができるという利点がある。また、低電力方式であれば、その分、使用するＬＤも小さいものでよく、ＬＤが小さければ、スライダの後端部の限られた空間にも簡単に収めることができる。
【０００６】
アラインメントは、通常、ヘッドの製造工程の非記録状態において、主導波路が近接場素子に光を送るために使用されていないときに行われる。注意しなければならないことは、ＴＡＭＲヘッド内に設けられたアラインメント部品は後続の記録工程において残っているであろうが、中央導波路における主伝送モードを妨げるものであってはならない。アラインメントはＬＤを導波路に物理的に取り付ける前に行うことが好ましく、１度の処理動作であるとされる。しかしながら、レンズまたは鏡を用いて送られ、合焦した光線においては、例えば、ＴＡＭＲヘッドの製造完了後の期間を含め、２度以上アラインメントを繰り返すことも考えられる。
【０００７】
従来技術に関して、所定の調査を行った結果、下記のような先行技術文献を得た。
【０００８】
特許文献２には、アラインメントのために、中央の導波路の両側に他の導波路が形成されている。他の導波路は、ＡＢＳからスライダの後端部へと延在し、中央の導波路全体に沿って、中央の導波路に対して平行となっている。他の導波路は、中央の導波路と比べて、ＡＢＳにおける断面積が大きく、実質的により高い光密度の光を送るものと考えられる。
【０００９】
特許文献３には、導波路のクラッドを通して射出された光の光路を、光シールドを用いて遮断することにより、導波路のコア内の光強度を測定する方法が示されている。
【００１０】
特許文献４には、光強度の測定に使用できる調節可能な強誘電体フォトニック素子を用いて光を操作する方法が開示されている。
【００１１】
特許文献５には、二重導波路構成が開示されており、この構造では、第１の導波路が、第２の導波路との界面にある焦点領域に光を伝える。第１の導波路はＴａ2Ｏ5などからなり、第２の導波路は、金属層と、焦点領域に隣接する傾斜した開口からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】米国特許出願公開２０１０／０１０３５５３号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開２００９／００５２０７７号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開２００９／０１６５２８５号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開２００８／００１９６４８号明細書
【特許文献５】米国特許第７７０６６５４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
最近では、光導波路と、それに対して光を入射する光源との相対位置が、より正確であることが要求されるようになっている。また、そのような相対位置の精度を向上させることができるような簡便な方法が望まれている。
【００１４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、ＴＡＭＲにおける導波路構造のアラインメント方式を改善し、それにより、光源に必要な電力を減少させるとともに、プラズモンジェネレータなどの近接場素子に光を送る主導波路における励起モードを妨げないようにすることにある。
【００１５】
本発明の第２の目的は、第１の目的に係るアラインメント方式を、強度およびパターンの複雑な比較測定を含まない、単純な測定技術によるものとすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
これらの目的は本発明のＴＡＭＲヘッドおよびその製造方法によって達成される。
【００１７】
本発明の第１のＴＡＭＲヘッドは、（ａ）光を発する光源と、（ｂ）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、光源からの入射光をＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、（ｃ）ＡＷＶＧ構造とを備える。ここで、主導波路は、（１）ダウントラック方向から眺めた平面形状が矩形状であり、ＡＢＳに露出した第１の前方端面と、ＡＢＳから第１の距離に位置する第１の後方端面と、第１の前方端面と第１の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第１の部分と、（２）ダウントラック方向から眺めた平面形状が台形状であり、第１の後方端面と接する第２の前方端面と、第２の前方端面よりもトラック幅方向の寸法が大きい第２の後方端面とを含む第２の部分と、（３）第２の後方端面と接する第３の前方端面と、光源と対向する第３の後方端面と、第３の前方端面と第３の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第３の部分とを有する。ＡＷＶＧ構造は、主導波路に沿って延在し、主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含み、第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、ＡＢＳに近い位置から順に（１）主導波路と実質的に平行に延在し、ＡＢＳに露出して光を射出する第１の前方端部と、ＡＢＳと反対側の第１の後方端部とを含む第１のガイド領域部分と、（２）第１の後方端部と接続された第２の前方端部と、ＡＢＳと反対側に位置すると共に第２の前方端部よりも主導波路の近くに位置する第２の後方端部とを含む第２のガイド領域部分と、（３）主導波路と実質的に平行に延在し、主導波路の側面から第１の部分を通過する光の一部を受光する光結合部分とを有する。
【００１８】
本発明の第１のＴＡＭＲヘッドに対応した第１の形態としてのＴＡＭＲヘッドは、例えば以下のようなものである。すなわち、このＴＡＭＲヘッドは、光源から光を受光したのち、入力された光エネルギーの大部分をエッジプラズモンジェネレータ（ＥＰＧ：edge plasmon generator）などの近接場素子へと送る主導波路を備える。ＥＰＧは、光をプラズモン波へと変換し、ＡＢＳおよび記録媒体において近接場を生成する。主導波路は、ＡＢＳからスライダの後端部へと延在する縦方向の大きさを有し、第１の軸がクロストラック方向を表し、第２の軸がＡＢＳに対して垂直であるとともに素子の後端部に向かう方向を表す上面から見ると、３つの部分（セクション）によって構成されている。第１の部分は、矩形状をなし、ＡＢＳに露出した端部と、第１の平面に沿ってＡＢＳから第１の距離をもって形成された反対側の端部とを有する。また、クロストラック方向に幅を有する。２つの側面に沿った第１の距離は、実質的に幅よりも大きい。第２の部分は、台形状をなし、第１の平面において第１の部分の端部に隣接する第１の端部と、第１セクションの幅よりも実質的に大きい幅を有する第２の端部と、第２の部分の第１端部と第２端部とを接続する２つの側面とを有する。第３の部分は、第２の部分の第２の端部に隣接するとともに、スライダの後端部に向かって縦方向へ延在している。第３の部分の幅は、例えば、第２の部分の第２の端部の幅と等しい。ＥＰＧは、三角柱状をなし、頂点（先端部）において収束するプラズモン層によって構成された２つの側面を有してもよい。頂点（先端部）は、基本的に、主導波路の第１の部分上面または下面に面するエッジであるとともに、主導波路の第１の部分の上面または下面から所定の間隔を有するように離間している。ＥＰＧは、ＡＢＳから１μｍ以上２μｍ以下の距離をもって延在し、主導波路からダウントラック方向に位置していてもよい。
【００１９】
本発明の第２のＴＡＭＲヘッドは、（ａ）光を発する光源と、（ｂ）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、光源からの入射光をＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、（ｃ）ＡＷＶＧ構造とを備える。主導波路は、（１）ダウントラック方向から眺めた平面形状が矩形状であり、ＡＢＳに露出した第１の前方端面と、ＡＢＳから第１の距離に位置する第１の後方端面と、第１の前方端面と第１の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第１の部分と、（２）ダウントラック方向から眺めた平面形状が台形状であり、第１の後方端面と接する第２の前方端面と、第２の前方端面よりもトラック幅方向の寸法が大きい第２の後方端面とを含む第２の部分と、（３）第２の後方端面と接する第３の前方端面と、光源と対向する第３の後方端面と、第３の前方端面と第３の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第３の部分とを有する。ＡＷＶＧ構造は、主導波路に沿って延在し、主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含み、第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、（１）主導波路と実質的に平行に延在し、主導波路の側面から主導波路を通過する光の一部を受光する光結合部分と、（２）光結合部分と接続された第１の端面と、ＡＢＳもしくはＡＢＳと異なる面に露出する第２の端面とを含み、第２の端面から外部の光測定素子へ向けて光を射出することにより光源と主導波路とのアライメントを行うガイド領域部分とを有する。
【００２０】
本発明の第２のＴＡＭＲヘッドに対応した第２の形態としてのＴＡＭＲヘッドは、例えば以下のようなものである。すなわち、このＴＡＭＲヘッドは、２つのＡＷＶＧが、主導波路の第２または第３の部分の側面に対して平行に形成された光結合部分と、その光結合部分の端部と接続され、ＡＢＳ、またはスライダの側面もしくは後端面に露出した端面を有するガイド領域部分とによって構成されてもよい。例えば、２つのＡＷＶＧは、おおよそ直線形状の構造を有し、ＡＢＳから主導波路の第３の部分の側面に近接するとともにスライダの後方端面に向けて延在してもよい。本発明の第２のＴＡＭＲヘッドにおいて、光結合部分の後方端部とスライダの後方端面との間に光ブロック（light block）材料を形成することが好ましい。任意で、ガイド領域部分を湾曲させ、スライダの表面のうち最も近い側面において終了するようにしてもよい。あるいは、ガイド領域部分は、１８０度以上湾曲し、スライダの後方端部において終了してもよい。光結合部分の幅と、ガイド領域部分の幅とは等しいことが好ましい。
【００２１】
本発明における導波路構造の重要な特徴は、主導波路の両側にアラインメント導波路（ＡＷＶＧ：alignment waveguide）を追加する点である。本発明の第１の形態によれば、２つのＡＷＶＧは、上面から見ると、主導波路の中央に対して対称的な設計をなし、ＡＢＳから第１の距離をもって延在している。各ＡＷＶＧは、３つの部分によって構成され、そのうちの第１の部分は、矩形状をなし、ＡＢＳに露出した端部と、主導波路の第１の部分の側面に対して平行に形成された２つの側面とを有する。第１のガイド領域部分の側面は、主導波路に面し、主導波路から第２の距離をもって離間している。ＡＢＳとは反対側の第１のガイド領域部分の後方端部は、第２のガイド領域部分の前方端部に隣接している。第２のガイド領域部分は、主導波路の第１の部分に近づくように傾斜している。このため、主導波路から第２のガイド領域部分の後方端部までの距離（結合間隙距離（coupling gap distance））が第２の距離よりも短くなるようになっている。２つのＡＷＶＧにおける光結合部分は、矩形状をなし、第２のガイド領域部分の後方端部から所定の結合長距離（coupling length distance）を隔てて主導波路に対して平行に延在している。各ガイド領域部分のクロストラック方向における大きさ（幅）は同じ値であるとともに、主導波路の第１の部分の幅よりも小さいことが好ましい。任意で、ＡＷＶＧは、ＡＢＳと第１の部分の後方端面との間で終了してもよいし、あるいは、第１の部分の後方端面を越えて延在してもよい。その場合、光結合部分は、主導波路の第２の部分に対して平行に形成される。
【００２２】
本発明では、ＡＢＳに向かって主導波路を伝播する光の一部が、光結合部分の２つのＡＷＶＧに進路変更する（divert）ので、アラインメント性能が向上する。各ＡＷＶＧの出口（outlet）はＡＢＳに露出しており、それにより、各ＡＷＶＧによって受光された光線は、光検出器、または、ＣＣＤカメラへと導かれる。光検出器では光強度が測定される。また、ＣＣＤカメラでは画像が撮影され、その画像データがコンピュータへと送られ、２つのＡＷＶＧの各出口の光強度が計算される。光結合部分の結合長および幅、ならびに結合間隙距離を変化させることによって、各ＡＷＶＧによって受光される光強度を調整してもよい。ダウントラック方向における最適なアラインメントは、両方のＡＷＶＧの光強度の和が光源の所与のＬＤパワーにおいて最大となるときに実現する。また、クロストラック方向における最適なアラインメントは、２つのＡＷＶＧから射出される光強度の差｜ＩAWVG1−ＩAWVG2｜が最小となるときに達成される。したがって、従来のアラインメント方式とは異なり、主導波路からの光出力を観察しなくてもよい。ある態様においては、光結合セクションの幅を隣接する主導波路の第１セクションの幅よりも小さくすることによって、感度を上げ、アラインメント測定の精度を改善することができる。これは、通常、ＴＡＭＲ製造の際、ＬＤ光源を主導波路の端部に最終的に固定する前に行われる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１Ａ】従来のＴＡＭＲヘッドの構成を表す平面図および断面図である。
【図１Ｂ】従来のＴＡＭＲヘッドにおける磁界プロファイルおよび加熱プロファイルを表す特性図である。
【図２】本発明のＴＡＭＲヘッドと関連するＥＰＧ構造を説明するための断面図である。
【図３Ａ】第１の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示した導波路構造の要部を拡大して表す平面図である。
【図３Ｃ】図３Ａに示したＴＡＭＲヘッドの、ＡＢＳに露出した端面の構成を表す平面図である。
【図３Ｄ】図３Ａに示したＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための概念図である。
【図３Ｅ】図３Ａに示したＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための他の概念図である。
【図４】第２の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図５Ａ】第３の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示した導波路構造の要部を拡大して表す平面図である。
【図５Ｃ】図５Ａに示したＴＡＭＲヘッドの、ＡＢＳに露出した端面の構成を表す平面図である。
【図５Ｄ】図５Ａに示したＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための概念図である。
【図５Ｅ】図５Ａに示したＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための他の概念図である。
【図６】第４の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図７】第５の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図８】第６の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。
【図９】本発明の実施例としてのＴＡＭＲヘッドにおいて、２つのＡＷＶＧおよび主導波路から射出された光を観察したものである。
【図１０】本発明の実施例としてのＴＡＭＲヘッドにおける、ＣＷＧおよびＡＷＶＧの光強度を表した特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の対象、特徴および長所は、以下に述べる実施の形態の記載により理解できる。
【００２５】
本発明は、エッジプラズモンジェネレータ（ＥＰＧ：edge plasmon gnenerator）などの近接場素子とともに用いる導波路構造を備えたＴＡＭＲヘッドであり、主として２つのアラインメント導波路によって、光源からの光を主導波路に向けるものである。主導波路は、また、中央導波路とも呼ばれ、通常、クラッド層に囲まれたコアを含む。アラインメント導波路（alignment waveguide）は以下ではＡＷＶＧと記す。なお、このＴＡＭＲヘッドは、再生／記録複合ヘッドの一部を構成するものであってもよい。さらに本発明は、主導波路の中央近くの光強度を最適化する方法に関するものであり、光源によって発せられたのち主導波路を透過する光の一部が、ＡＢＳ、または、スライダーの側面もしくは端部に出口（outlet）を有する２つの隣接するＡＷＶＧへと進路変更する方式を含む。また、光の一部が主導波路からＡＷＶＧへと移動（進路変更）することを、結合という。主導波路およびＡＷＶＧを含むＴＡＭＲ構成要素の上面および下面は、ダウントラック方向、またはダウントラック方向とは反対の方向のいずれかを向いている。
【００２６】
図２に、本出願人が以前出願したＥＰＧ構造を表す。このＥＰＧ構造は、その断面が三角形状をなすことによって、先端部２４ｔに集中されるエッジプラズモンモード２７と導波路２３からの入力光２６とを結合させる。導波路２３はＡＢＳからリセスしていてもよい。それまでのＴＡＭＲヘッドとは異なり、ＥＰＧ２２は磁性コア２１と、厚さｃを有し、導波路２３に面する先端部２４ｔにおいて収束する２つの側面を含むプラズモン層２４を有する。磁性コア２１および主磁極層（図示せず）は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，およびＢのうちの１以上の物質、またはこれらの合金によって構成されてもよい。ある態様において、主磁極と、磁性コア２１とは同じ構成であってもよい。プラズモン層２４は、厚さｃが約１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるＡｕ、Ａｇ、またはＡｕおよびＡｇからなることが好ましく、ＡＢＳに対して垂直であるｚ軸（縦）方向に延在する。ある実施の形態において、プラズモン層２４は、２つの側面を含み、それら２つの側面は、頂点または先端部２４ｔにおいて収束して「Ｖ」字型を形成し、ＥＰＧ２２の第３の側面を形成する磁性コア２１の上を覆う。なお、第３の側面２１ｓは、主磁極に隣接することが好ましく、主磁極層のリーディングサイドの一部としてもよい。当然ながら、記録処理の際、主磁極（およびＴＡＭＲヘッド）は、Ｙ方向、すなわちダウントラック方向とは反対方向に動く。Ｘ軸はクロストラック方向を表し、Ｚ軸は素子の後端部に向かう方向（ＡＢＳと直交する方向）を示している。なお、変形例として、側面２１ｓと主磁極との間に、分離層を含んでもよい。
【００２７】
プラズモンモードは、光レーザなどによって生成される光周波数の電磁放射との放射結合によって生成され、プラズモン層２４の内部をＡＢＳへ向かって送られる。一方、磁性コア２１は、磁束をＥＰＧの加熱点近くに集中させ、記録の際に、磁気媒体の加熱箇所における磁界（図示せず）を増強する。このようにして、ＥＰＧ２２は、効果的に磁極の延長となり、最大勾配が、プラズモン層２４内で生成されたエッジプラズモンによって加熱された磁気媒体領域にオーバーラップする磁界を生成する。接近したオーバーラップによって、記録磁極からの磁界は、より効果的に磁気媒体の局所的磁化を変化させることができるようになる。それにより、磁気記録は大幅に増強され、微小な表面領域に磁気記録を限定することができる。先端部２４ｔと導波路２３との間隙の距離ｖは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。また、その間隙を、酸化ケイ素、アルミナ、酸窒化ケイ素、またはＭｇＦ2によって埋めることによって、導波路２３とＥＰＧ２２との間の光移動を最適化することが好ましい。
【００２８】
［第１の実施の形態］
図３Ａは、本発明の第１の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。ここでは、本発明の特徴部分である導波路構造を表し、ＴＡＭＲヘッドを構成する他の構成要素（例えば主磁極やその周囲の層など）については図示しない。当然ながら、本実施の形態の導波路構造は、主磁極、近接場素子、または主導波路の詳細構造に関わらず、いかなるＴＡＭＲヘッドにも適用可能である。例えば、このＴＡＭＲヘッドは、書込対象とする磁気記録媒体上の所定領域を、主磁極、ＥＰＧ、導波路構造の順に通過するものでもよいし、あるいは、逆の順番で通過するものでもよい。また、このＴＡＭＲヘッドは、光源３０と共にスライダ（図示せず）に搭載されたものである。
【００２９】
図３Ａに示したように、本実施の形態のＴＡＭＲヘッドにおける主導波路４１は、第１から第３の部分４１ａ〜４１ｃを有している。図３Ｂに、第１の部分４１ａの近傍を拡大して表す。第１の部分４１ａは、ダウントラック方向（Ｙ軸方向）から眺めたときに、ＡＢＳ４０から＋Ｚ方向（後方という。）へ延在する矩形の平面形状を有している。なお、以下では、ある基準位置よりもＡＢＳ４０に近い位置、もしくはその基準位置からＡＢＳ４０に近づく方向（−Ｚ方向）を前方といい、ある基準位置よりもＡＢＳ４０から遠い位置、もしくはその基準位置からＡＢＳ４０から遠ざかる方向（＋Ｚ方向）を後方という。第１の部分４１ａは、ＡＢＳ４０に露出した前方端面４１ｅと、それと反対側に位置する後方端面と、それら前方端面４１ｅと後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含むものである。第１の部分４１ａの後方端面は、ＡＢＳ４０と平行である境界面４８において第２の部分４１ｂの前方端面と接続されている。また、第２の部分４１ｂの後方端面は、ＡＢＳ４０と平行である境界面４９において第３の部分４１ｃの前方端面と接続されている。第２の部分４１ｂは、台形の平面形状を有しており、互いに平行な前方端面および後方端面と、それらを繋ぐ一対の側面４１ｒ１，４１ｒ２とを含んでいる。第２の部分４１ｂでは、前方端面から後方端面へ＋Ｚ方向へ進むほど第２の部分４１ｂのトラック幅方向の寸法が拡大している。第３の部分４１ｃは、基本的に矩形の平面形状を有している。第３の部分４１ｃは、ＡＢＳ４０と反対側の端面が、スライダの一表面に設けられた光源３０と対向するようになっている。光源３０は、第３の部分４１ｃの後方端面に固定されてもよいし、あるいは、第３の部分４１ｃの後方端面から一定距離だけ離間していてもよい。
【００３０】
図３Ｃは、このＴＡＭＲヘッドの、ＡＢＳ４０に露出した端面の構成を表している。ＴＡＭＲ記録処理の際、主導波路４１によって受光された光の大部分は、第１の部分４１ａの前方端面４１ｅ近傍の近接場素子（図３Ｃ）に結合し、プラズモン波３１ｃ（図３Ｂ）に変換される。プラズモン波３１ｃは、ＡＢＳ４０へと送られ、ＡＢＳ４０およびＡＢＳ４０に近接する磁気記録媒体（図示せず）において近接場を生成する。好適な実施の形態において、本発明は、図２において既に説明したように、プラズモン層を備えた近接場素子としてＥＰＧ２２を用いる。ＥＰＧ２２は、ＡＢＳ４０に露出した一の端面を有し、例えば１μｍ以上２μｍ以下の長さを有するようにＺ軸方向へ延在している。
【００３１】
本実施の形態の重要な特徴は、２つのＡＷＶＧを含み、それを利用することで非記録状態時にアラインメント処理を行うことが可能である点にある。アラインメント処理は、主導波路４１の後方端部に光源３０を固定する直前に行われることが好ましい。光源３０は、一旦固定されると、その適切なアラインメント位置から動かしてはならない。よって、通常、アラインメント処理は一度だけ行う。本実施の形態によれば、図３Ａ，３Ｂに示したように、主導波路４１（第１の部分４１ａ）に沿って延在し、主導波路４１（第１の部分４１ａ）を挟んで対称に配置された一対のアラインメント導波路（以下、ＡＷＶＧ４２およびＡＷＶＧ４３とする）が設けられている。ＡＷＶＧ４２およびＡＷＶＧ４３は、Ｚ軸方向に沿って主導波路４１を２等分する仮想の平面４４に対して対称的に形成され、互いに鏡像の関係にあることが好ましい。このような対称的な構成により、光３１ａ（図３Ａおよび図３Ｄ）が最適に主導波路４１の第３の部分４１ｃの中央に向かっているとき、ＡＷＶＧ４２およびＡＷＶＧ４３において基本的に同一の光強度を測定するようなアラインメント方法を実現することができるという利点がある。
【００３２】
ＡＷＶＧ４２，４３は、それぞれ、ＡＢＳ４０の側からガイド領域部分４２ａ，４３ａと、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂと、光結合部分４２ｃ，４３ｃとを含んでなるものである。ガイド領域部分４２ａ，４３ａ、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂ、および光結合部分４２ｃ，４３ｃは、トラック幅方向において全て同じ幅ｗ１を有している。幅ｗ１は、例えば０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。
【００３３】
ガイド領域部分４２ａ，４３ａは、それぞれＡＢＳ４０に露出した端部４２ｅ，４３ｅを有し、ＡＢＳ４０から後方へ１μｍ以上５０μｍ以下の距離ｄ３に亘って延在している。ガイド領域部分４２ａ，４３ａは、第１の部分４１ａ（図３Ｂ）の側面４１ｓ１，４１ｓ２に対してそれぞれ平行に延在している。ガイド領域部分４２ａ，４３ａと第１の部分４１ａとは離間しており、トラック幅方向（Ｘ軸方向）におけるその距離ｗ３は、２μｍ以上２０μｍ以下である。ガイド領域部分４２ａ，４３ａはそれぞれ、ＡＢＳ４０と反対側の、ＡＢＳ４０に平行な平面４６に沿った後方端部を有している。この後方端部において、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂの前方端部と接合している。
【００３４】
ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂは、ガイド領域部分４２ａ，４３ａの後方端部と接続された前方端部よりも、平面４６と反対側の平面４７に位置する後方端部のほうが主導波路４１の近くに位置している。すなわち、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂは、ＡＢＳ４０から遠ざかるほど（平面４６から平面４７に近づくほど）主導波路４１に近づくように延在している。したがって、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂの側面４２ｓ，４３ｓは、第１の部分４１ａの側面４１ｓ１，４１ｓ２に対して傾斜した状態となっている。平面４６と平面４７との距離ｄ２は、距離ｗ３、およびガイド領域部分４２ａ，４２ｂとガイド領域部分４３ａ，４３ｂとによってそれぞれ形成される角度αによって決まる。角度αは、０度以上３０度以下であることが好ましい。変形例として、製造工程の性質によって、側面４２ｓ，４３ｓが一定量湾曲していてもよい。実際のところ、ガイド領域部分４２ａ，４３ａ、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂ、および、ガイド領域部分４２ｂ，４３ｂと光結合部分４２ｃ，４３ｃとの接合点は、湾曲したエッジの一部であるほうがよい可能性がある。そのような形状により、光損失を抑えることが可能な場合があるからである。例えば接合点が尖ったエッジ、「キンク」と呼ばれる形状を有する場合、光損失はより大きくなるおそれがある。
【００３５】
光結合部分４２ｃ，４３ｃの前方端部は、平面４７の位置においてガイド領域部分４２ｂ，４３ｂの後方端部と接続されている。光結合部分４２ｃ，４３ｃの後方端部４２ｆ，４３ｆは、平面４８に位置する。光結合部分４２ｃ，４３ｃは、主導波路４１の第１の部分４１ａと実質的に平行をなすように、距離ｄ１（結合長ｄ１ともいう。）に亘って延在している。距離ｄ１は、例えば１μｍ以上２０μｍ以下である。また、光結合部分４２ｃ，４３ｃと、主導波路４１の第１の部分４１ａとの間隔である距離ｗ２は、例えば０．１μｍ以上０．４μｍ以下である。光結合部分４２ｃ，４３ｃは、主導波路４１の側面４１ｓ１，４１ｓ２から第１の部分４１ａを通過する光の一部を受光する部分である。
【００３６】
図３Ｃに示したように、ＥＰＧ２２は、主導波路４１の第１の部分４１ａの上面４１Ｔに面する頂点２４ｔを有する。ＥＰＧ２２の上面２１ｓは、主磁極（図示せず）の表面に隣接していてもよい。頂点２４ｔは、ＡＢＳからＺ軸方向に延在するエッジであり、第１の部分４１ａから離間している。頂点２４ｔと第１の部分４１ａの上面４１Ｔとの距離ｖは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。また、ＡＷＶＧ４２，４３におけるガイド領域部分４２ａ，４３ａの厚さｔは、３５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることが好ましく、第１の部分４１ａの厚さと基本的に同じである。第１の部分４１ａおよびガイド領域部分４２ａ，４３ａの全てを同じ平面６０上に形成することによって、主導波路４１からＡＷＶＧ４２，４３への光結合効率が向上する。一方、ガイド領域部分４２ａ，４３ａの幅ｗ１を、第１の部分４１ａの幅ｍ（図３Ｃ）よりも小さくすることによって、光強度の測定感度を向上させ、それによりそのアラインメント精度を向上させるという利点が得られる。距離ｗ３を、２μｍ以上とすることにより、主導波路４１からの回折光の強度が、後述する光強度ＩAWVG1および光強度ＩAWVG2の両方の測定に含まれないようにする必要がある。幅ｗ３は、例えば２０μｍよりも小さくし、ＣＣＤカメラの標準的視野に収まるようにすることが好ましい。
【００３７】
次に、図３Ｄを参照する。図３Ｄは、本実施の形態のＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための概念図である。ＡＷＶＧ４２およびＡＷＶＧ４３は、本発明の重要な特徴であり、光源３０と主導波路４１との高精度のアラインメントを行うための重要な構成要素である。本実施の形態のＴＡＭＲヘッドでは、光源３０から発せられた光は、主導波路４１の第３の部分４１ｃに入射されたのち、ＡＢＳ４０へ向かう光３１ａとなる。この光３１ａの一部は、例えば光３１ａの０．５％以上１０％以下の強度の光３１ｂとしてＡＷＶＧ４２，４３へ流入する。ＡＷＶＧ４２，４３へと進路を変更された光３１ｂは、主導波路４１の内部をＡＢＳ４０へと伝播する光３１ａのうちの僅かな一部分である。そのため、熱アシスト磁気記録処理の際、主導波路４１における単一伝播モードの妨げとはならない。具体的には、結合長ｄ１、結合間隙の幅ｗ２、およびＡＷＶＧ４２，４３の幅ｗ１を調整することにより、ＡＷＶＧ４２，４３によって、光結合部分４２ｃ，４３ｃに沿ってそれぞれ受光された光３１ｂの強度を修正してもよい。当然ながら、下記の変更のうち１つまたは複数の変更を行うことによって、ＡＷＶＧ４２，４３に進路を変えた光強度を増加させることができる。ここでいう変更とは、（１）長さｄ１を増加させる、（２）幅ｗ１を増加させる、（３）幅ｗ２を減少させることである。さらに、上記のパラメータ（１）、（２）、および（３）は互いに独立しているわけではない。すなわち、長さｄ１，幅ｗ２および幅ｗ１のうちのいずれか１つのパラメータを調整すれば、他の２つのパラメータにも影響が及ぶということである。さらに、マルチモードビーティング（multimode beating）によるエネルギー転送によって、振動運動もまた結合効果に影響を与えることも考慮すべきである。
【００３８】
本実施の形態では、アライメント処理を行う際に、光３１ｂは、光結合部分４２ｃ，４３ｃによって受光されたのち、ＡＢＳ４０に位置する端部４２ｅ，４３ｅから射出され、光検出器（ＰＤ：photo detector）３３，３４へとそれぞれ送られる。この場合、最適なアラインメントを達成するために、光強度をＰＤ３３，３４から直接読み取ることができる。例えば、端部４２ｅにおいてＰＤ３３により検出された光強度をＩAWVG1とし、端部４３ｅにおいてＰＤ３４により検出された光強度をＩAWVG2とする。ここで、｜ＩAWVG1−ＩAWVG2｜が最小値となるとき、クロストラック方向におけるアラインメントが達成される。また、（ＩAWVG1＋ＩAWVG2）が最大値となるとき、ダウントラック方向においてアラインメントが実現される。それゆえ、アラインメント処理においては、光源３０を、主導波路４１のＡＢＳ４０とは反対側の端部においてＸ軸方向に沿って、｜ＩAWVG1−ＩAWVG2｜が最小値となるような一定の位置Ｘi（図示せず）まで移動させる。そののち、光源３０を、座標Ｘi（図示せず）においてＹ軸方向に沿って、（ＩAWVG1＋ＩAWVG2）が最大値に達するまで移動させる。あるいはその逆の順序で操作を行ってもよい。また、Ｘ軸方向の位置合わせと、Ｙ軸方向の位置合わせとを同時に並行して実施してもよい。なお、光３１ａのうち、ＡＷＶＧ４２，４３へと進路変更しない成分は、そのまま主導波路４１（第１の部分４１ａ）を通ってＡＢＳ４０へと伝播するが、アラインメント処理の際に測定はされない。
【００３９】
なお、ＰＤ３３，３４を用いる替わりに、視野が図３Ｄに示した幅ｋ以上であるＣＣＤカメラを用いてもよい。すなわち、そのようなＣＣＤカメラを用いて、端部４２ｅ，４３ｅの双方から射出される光３１ｂの光強度スポットを同一の画像内に収めるようにしてもよい。そのＣＣＤカメラはコンピュータに接続され、コンピュータでは、アルゴリズムを用いて、ＡＷＶＧ４２，４３それぞれからの光強度値を計算し、比較する。さらに、前述した、クロストラック方向（Ｘ軸方向）およびダウントラック方向（Ｙ軸方向）の両方における光源位置のアライメントに関する処理を行ってもよい。
【００４０】
当然ながら、アラインメント処理によって最適なアラインメントのための適切な（Ｘ，Ｙ）座標が特定された後、光源３０を、その座標において主導波路の端部に固定し、ＴＡＭＲヘッドの製造を完了に向けて継続する。
【００４１】
熱アシスト磁気記録処理を行う際には、図３Ｅに示したように、主導波路４１の端部４１ｅ付近に送られた光３１ａの大部分は、ＥＰＧ（図示せず）に結合され、プラズモン波３１ｃに変換される。プラズモン波３１ｃは、その後、磁気記録媒体３６の局所的なスポット（図示せず）へと送られる。そのスポットには、プラズモン波３１ｃが到達するタイミングで主磁極（図示せず）からの記録磁界も到達する。その際、ＡＷＶＧ４２，４３が主導波路４１を伝播する光の伝送モードの妨げとならないことが重要である。そのためには長さｄ１，幅ｗ１，および幅ｗ２を適切に選択することにより、ＡＷＶＧ４２，４３へと進路変更した光３１ｂの強度を維持する必要がある。加えて、平面４７における光結合部分４２ｃ，４３ｃを、最も近いＥＰＧの端部（図示せず）から１μｍ以上離す必要がある。こうすることにより、主導波路４１の第１の部分４１ａでの伝送モードが、ＡＷＶＧ４２，４３と結合したのちＥＰＧと結合する前に回復するための時間が生じる。阻害されたコアモードは回復しないが、励起したクラッドモードは低減する。すなわち、平面４７とＥＰＧとの間で、光３１ａを複数の波長に分離する必要がある。それにより、主導波路４１を伝播する光３１ａの一部が進路変更しても、プラズモン波生成効果はそれほど低下しなくなる。
【００４２】
［第２の実施の形態］
図４は、本発明の第２の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図であり、上記第１の実施の形態における図３Ａに対応するものである。図３Ａでは、特徴部分である導波路構造を表し、ＴＡＭＲヘッドを構成する他の構成要素（例えば主磁極、ＥＰＧおよびその周囲の絶縁層など）については図示しない。本実施の形態の導波路構造では、上記第１の実施の形態における導波路構造と比較すると、Ｚ軸方向におけるＡＷＶＧ４２，４３の長さが短くなっている。すなわち、光結合部分４２ｃ，４３ｃの後方端部４２ｆ，４３ｆが、ＡＢＳ４０から平面４８に至る途中で終了している。このような構成は、例えば長さｄ３、幅ｗ２、および幅ｗ１は上記第１の実施の形態と同様としつつ、幅ｗ３，長さｄ２，および長さｄ１のうち１つまたは複数を第１の実施の形態よりも減少させることによって実現可能である。
【００４３】
［第３の実施の形態］
図５Ａは、本発明の第３の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図であり、上記第１の実施の形態における図３Ａに対応するものである。図５Ａでは、特徴部分である導波路構造を表し、ＴＡＭＲヘッドを構成する他の構成要素（例えば主磁極、ＥＰＧおよびその周囲の絶縁層など）については図示しない。第１〜第３の部分４１ａ，４１ｂ，４１ｃを含む主導波路４１の構造は第１の実施の形態と同様である。第３の部分４１ｃの端部は、光源３０から発せられた光３１を受光し、そのうちの一部の光３１ａをＡＢＳ５０へ向けて伝播させる。後述するように、第２の部分４１ｂを通過する光３１ａの一部は、２つのＡＷＶＧ５２，５３へと進路変更される（結合される）。光３１ａの大部分は、そのまま主導波路４１の内部をＡＢＳ５０へと向かい、前述のようにＥＰＧと結合することによって、ＡＢＳ５０に近接する磁気記録媒体上の局所的なスポットにおいて近接場光を生成する。本実施の形態においては、主導波路４１の端部４１ｅ（図５Ｂ）がＡＢＳ５０に位置する場合を例示するが、端部４１ｅがＡＢＳ５０から後方へ後退した位置となっていてもよい。
【００４４】
図５Ｂは、図５Ａに破線で示した領域Ｂにおける導波路構造の拡大図である。具体的には、ＡＷＶＧ５２，５３が、第１および第２の部分４１ａ，４１ｂの側面４１ｓ１，４１ｓ２に沿ってそれぞれ形成されている。ＡＷＶＧ５２とＡＷＶＧ５３とは、主導波路４１をＸ軸方向において２等分するＺ軸に平行な平面４４に対して対称的に、互いに鏡像となるように形成されていることが望ましい。このような対称的な構造は、図５Ｄに示したように光３１ａが主導波路４１の第３の部分４１ｃの中央に適切に向けられるとき、ＡＷＶＧ５２，５３において基本的に同一の光強度を測定するアラインメント方法を実現するのに有利である。
【００４５】
ＡＷＶＧ５２，５３は、それぞれ、ＡＢＳ５０の側からガイド領域部分５２ａ，５３ａと、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂと、光結合部分５２ｃ，５３ｃとを含んでなるものである。ガイド領域部分５２ａ，５３ａ、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂ、および光結合部分５２ｃ，５３ｃは、トラック幅方向において全て同じ幅ｗ１を有している。幅ｗ１は、例えば０．４μｍ以上０．８μｍ以下である。
【００４６】
ガイド領域部分５２ａ，５３ａは、それぞれＡＢＳ５０に露出した端部５２ｅ，５３ｅを有し、ＡＢＳ５０から後方へ例えば１μｍ以上５０μｍ以下の長さｈ１に亘って延在している。ガイド領域部分５２ａ，５３ａは、第１の部分４１ａの側面４１ｓ１，４１ｓ２に対してそれぞれ平行に延在している。ガイド領域部分５２ａ，５３ａと第１の部分４１ａとは離間しており、トラック幅方向（Ｘ軸方向）におけるその距離ｗ３は、２μｍ以上２０μｍ以下である。ガイド領域部分５２ａ，５３ａはそれぞれ、ＡＢＳ５０と反対側の、ＡＢＳ５０に平行な平面５６に沿った後方端部を有している。この後方端部において、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂの前方端部と接合している。
【００４７】
ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂは、ガイド領域部分５２ａ，５３ａの後方端部と接続された前方端部よりも、平面５６と反対側の平面４８に位置する後方端部のほうが主導波路４１の近くに位置している。すなわち、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂは、ＡＢＳ５０から遠ざかるほど（平面５６から平面４８に近づくほど）主導波路４１に近づくように延在している。したがって、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂの側面５２ｓ，５３ｓは、第１の部分４１ａの側面４１ｓ１，４１ｓ２に対して傾斜した状態となっている。なお、平面４８は、主導波路４１における第１の部分４１ａと第２の部分４１ｂとの境界位置でもある。平面４８において、側面４１ｓ１とガイド領域部分５２ｂとは、距離ｗ４を隔てている。平面５６と平面４８との距離ｄ２は、距離ｗ３、およびガイド領域部分５２ａ，５２ｂとガイド領域部分５３ａ，５３ｂとによってそれぞれ形成される角度αによって決まる。角度αは、０度以上３０度以下であることが好ましい。変形例として、製造工程の性質によって、側面５２ｓ，５３ｓが一定量湾曲していてもよい。実際のところ、ガイド領域部分５２ａ，５３ａ、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂ、および、ガイド領域部分５２ｂ，５３ｂと光結合部分５２ｃ，５３ｃとの接合点は、湾曲したエッジの一部であるほうがよい可能性がある。そのような形状により、光損失を抑えることが可能な場合があるからである。例えば接合点が尖ったエッジ、「キンク」と呼ばれる形状を有する場合、光損失はより大きくなるおそれがある。
【００４８】
光結合部分５２ｃ，５３ｃの前方端部は、平面４８の位置においてガイド領域部分５２ｂ，５３ｂの後方端部と接続されている。光結合部分５２ｃ，５３ｃの後方端部は、平面５８に位置する。光結合部分５２ｃ，５３ｃは、主導波路４１の第２の部分４１ｂの側面と実質的に平行をなすように、距離ｈ３に亘って延在している。また、光結合部分５２ｃ，５３ｃと、主導波路４１の第２の部分４１ａとの間隔である距離ｗ４は、例えば０．１μｍ以上０．４μｍ以下である。このように、光結合部分５２ｃ，５３ｃは、ＡＢＳ５０から遠ざかるほど、互いの間隔が拡大するように形成されている。
【００４９】
図５Ｃは、このＴＡＭＲヘッドの、ＡＢＳ５０に露出した端面の構成を表している。図５Ｃに示したように、ＥＰＧ２２は、主導波路４１の第１の部分４１ａの上面４１Ｔに面する頂点２４ｔを有する。ＥＰＧ２２の上面２１ｓは、主磁極（図示せず）の表面に隣接していてもよい。頂点２４ｔは、ＡＢＳからＺ軸方向に延在するエッジであり、第１の部分４１ａから離間している。頂点２４ｔと第１の部分４１ａの上面４１Ｔとの距離ｖは、例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。また、ＡＷＶＧ５２，５３におけるガイド領域部分５２ａ，５３ａの厚さｔは、第１の部分４１ａの厚さと基本的に同じであることが望ましい。第１の部分４１ａおよびガイド領域部分５２ａ，５３ａの全てを同じ平面６１上に形成することによって、主導波路４１からＡＷＶＧ５２，５３への光結合効率が向上する。すなわち、第１の部分４１ａおよびガイド領域部分５２ａ，５３ａの全ての上面同士および下面同士が同一平面に位置することが望ましい。一方、ガイド領域部分５２ａ，５３ａの幅ｗ１を、第１の部分４１ａの幅ｍよりも小さくすることによって、光強度の測定感度を向上させ、それによりそのアラインメント精度を向上させるという利点が得られる。
【００５０】
本実施の形態が、第１の実施の形態よりも優れていると考えられる点は、主導波路４１の第１の部分４１ａよりも第２の部分４１ｂからのほうが自然に生じる光漏れの量が多いという点である。これは、すなわち、アラインメントに十分な強い信号をＰＤ３３，３４に生じさせるために、ＡＷＶＧ５２，５３へと意図的に進路変更させる追加の光の量が、第１の実施の形態のＡＷＶＧ４２，４３へと進路変更させる光の量よりも少ないということである。したがって、熱アシスト磁気記録処理の際、第１の実施の形態において第１の部分４１ａからＡＷＶＧ４２，４３へと進路変更する光３１ｂよりも、本実施の形態においてＡＷＶＧ５２，５３へと進路変更する光３１ｂのほうが、ＡＢＳに向かう光３１ａの主伝送モードをより妨げないと考えられる。
【００５１】
次に、図５Ｄを参照する。図５Ｄは、本実施の形態のＴＡＭＲヘッドの作用を説明するための概念図である。第１の実施の形態におけるＡＷＶＧ４２，４３と同様に、ＡＷＶＧ５２，５３は本実施の形態における重要な特徴であり、それを利用することで非記録状態時にアラインメント処理を行うことが可能である点にある。本実施の形態のＴＡＭＲヘッドでは、光源３０から発せられた光は、主導波路４１の第３の部分４１ｃに入射されたのち、ＡＢＳ４０へ向かう光３１ａとなる。この光３１ａの一部は、例えば光３１ａの０．５％以上１０％以下の強度の光３１ｂとしてＡＷＶＧ５２，５３へ流入する。ＡＷＶＧ５２，５３へと進路を変更された光３１ｂは、主導波路４１の内部をＡＢＳ５０へと伝播する光３１ａのうちの僅かな一部分である。そのため、熱アシスト磁気記録処理の際、主導波路４１における単一伝播モードの妨げとはならない。具体的には、結合長ｈ３、結合間隙の幅ｗ４、およびＡＷＶＧ５２，５３の幅ｗ１を調整することにより、ＡＷＶＧ５２，５３によって、光結合部分５２ｃ，５３ｃに沿ってそれぞれ受光された光３１ｂの強度を修正してもよい。下記の変更のうち１つまたは複数の変更を行うことによって、ＡＷＶＧ５２，５３に進路を変えた光強度を増加させることができる可能性がある。ここでいう変更とは、（１）長さｈ３を増加させる、（２）幅ｗ１を増加させる、（３）幅ｗ４を減少させることである。さらに、上記のパラメータ（１）、（２）、および（３）は互いに独立しているわけではない。すなわち、長さｈ１，幅ｗ１および幅ｗ４のうちのいずれか１つのパラメータを調整すれば、他の２つのパラメータにも影響が及ぶということである。さらに、主導波路４１の内部での光３１ａの振動運動も、結合効果に影響を与える可能性がある。
【００５２】
本実施の形態では、アライメント処理を行う際に、光３１ｂは、光結合部分５２ｃ，５３ｃによって受光されたのち、ＡＢＳ５０に位置する端部５２ｅ，４３ｅから射出され、光検出器３３，３４へとそれぞれ到達し、検出される。例えば、端部５２ｅにおいてＰＤ３３により検出された光強度をＩAWVG1とし、端部５３ｅにおいてＰＤ３４により検出された光強度をＩAWVG2とする。すると、光源３０の最適なアラインメントは、前述のように、｜ＩAWCG1−ＩAWVG2｜が一定のクロストラック位置において最小値に至り、かつ（ＩAWCG1＋ＩAWVG2）が、一定のダウントラック位置において最大値に至るときに実現される。なお、光３１ａのうち、ＡＷＶＧ５２，５３へと進路変更しない成分は、そのまま主導波路４１（第１の部分４１ａ）を通ってＡＢＳ５０へと伝播するが、アラインメント処理の際に測定はされない。しかしながら、図５Ｅに示したように、熱アシスト磁気記録処理の際には、光３１ａはＥＰＧ（図示せず）と結合し、プラズモン波３１ｃに変換される。プラズモン波３１ｃは、端部４１ｅから出て、その後、磁気記録媒体３６の局所的なスポットに送られる。同時に、記録処理の際、磁気記録媒体３６に対して主磁極から記録磁界が向けられる。
【００５３】
［第４の実施の形態］
図６は、本発明の第４の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図である。図６では、特徴部分である導波路構造を表し、ＴＡＭＲヘッドを構成する他の構成要素（例えば主磁極、ＥＰＧおよびその周囲の絶縁層など）については図示しない。
【００５４】
図６に示したように、本実施の形態では、ＡＷＶＧ５２，５３それぞれがＡＢＳとは反対側のスライダ９０の後端面９０ｂに端面５２ｅ，５３ｅを有する。この場合、光結合部分５２ｃ、５３ｃは、第３の実施の形態と同様であるが、ＡＷＶＧ５２，５３それぞれのガイド領域部分は、湾曲した部分を含むガイド領域部分５２ｄ，５３ｄによってそれぞれ置き換えられている。湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄは、平面６３において光結合部分５２ｃ、５３ｃの一端と接続され、その接続された箇所から１８０°以上湾曲し、スライダ９０の後端面９０ｂにおける端面５２ｅ，５３ｅに至るまで延在している。ガイド領域部分５２ｄ，５３ｄの幅はそれぞれ、光結合部分５２ｃ，５３ｃの幅と同じであることが好ましい。端面５２ｅ，５３ｅは、光３１ｂを、それぞれＰＤ３３，３４に、または、一のＣＣＤカメラに向ける。また、図６には、スライダ９０の側面９０ｓを示す。なお、光結合部分５２ｃ（または５３ｃ）の端部は、必ずしも、第３の実施の形態のように平面４８に隣接しなくてもよい。このように、光３１ａの一部は主導波路４１の第２の部分４１ｂから光結合部分５２ｃ，５３ｃへと進路を変更し、光３１ｂの光強度が、アラインメント処理において、ＰＤ３３，３４によって測定される。熱アシスト磁気記録処理の際には、前述したように、光３１ａの大部分はプラズモン波３１ｃに変換され、進路を変更した光３１ｂはいずれの目的のためにも使用されない。
【００５５】
なお、上記実施の形態においては、湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄは複数の直線的なセグメントからなるようにしたが、平面６３と端面５２ｅ，５３ｅとの間のガイド領域部分５２ｄ，５３ｄが連続的に湾曲するものであってもよい。
【００５６】
＜変形例１＞
本実施の形態では、以下のような変形例も考えられる。その変形例とは、光結合部分５２ｃ，５３ｃが平面４８に端部を有し、ガイド領域部分５２ｄ，５３ｄの一部がスライダ９０の後端面９０ｂに至る手前で途切れるようにしたものである。
【００５７】
＜変形例２＞
本実施の形態の他の変形例として、光結合部分５２ｃ，５３ｃは、湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄとそれぞれ接続する前に、主導波路４１の第３の部分４１ｃの側面に対して平行に形成され、後端面９０ｂにおいて終了するようにしてもよい。アラインメント処理の際には、光３１ａの一部は主導波路４１の第３の部分から進路を変更する。
【００５８】
［第５の実施の形態］
図７は、本発明の第５の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す平面図であり、上記第４の実施の形態における図６に対応するものである。本実施の形態は、第４の実施の形態と比較してＡＷＶＧ５２，５３の構成が異なっている。すなわち、本実施の形態では、ＡＷＶＧ５２，５３は、スライダ９０の側面９０ｓに端面５２ｅ，５３ｅを有する。この場合、光結合部分５２ｃ，５３ｃは上記第４の実施の形態と同様であるが、平面６３に位置する光結合部分５２ｃ，５３ｃの端部とそれぞれ接続された湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄは、１８０°未満の角度で湾曲し、最も近いスライダ９０の側面９０ｓに至るまで延在している。本実施の形態では、光結合部分５２ｃ，５３ｃの端部は、ＡＢＳ５０に対して平行である平面６３に位置し、湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄの端部にそれぞれ隣接する。あるいは、光結合部分５２ｃ，５３ｃは、主導波路４１の第２の部分４１ｂに対して平行に延在してもよい。このような構造において、アラインメント処理の際、光３１ａの一部は、主導波路４１の第２の部分４１ｂからＡＷＶＧ５２，５３へと進路を変更する。
【００５９】
なお、変形例として、光結合部分５２ｃ，５３ｃは、それぞれ、ガイド領域部分５２ｄ，５３ｄと接続する前に、主導波路４１の第３の部分４１ｃの側面に対して平行に形成されていてもよい。その場合、光３１ａの一部は、主導波路４１の第２の部分４１ｂからではなく、第３の部分４１ｃから進路を変更する。当然ながら、湾曲したガイド領域部分５２ｄ，５３ｄは、平面６３と側面９０ｓとの間の領域において、複数の直線的なセグメント、または連続的な湾曲によって構成されてもよい。
【００６０】
図８に、本発明の第６の実施の形態としてのＴＡＭＲヘッドの要部構成を表す。本実施の形態では、ＡＷＶＧ５２，５３はそれぞれ直線形の構造をしており、ＡＢＳ５０からＺ軸方向に沿って、平面４９を越えて、端面５２ｆ，５３ｆに至るまでそれぞれ延在している。平面４９は、主導波路４１の第２の部分４１ｂと、第３の部分４１ｃとが接合される位置である。具体的には、ＡＷＶＧ５２，５３は、ガイド領域部分５２ａ，５３ａと、光結合部分５２ｃ，５３ｃとをそれぞれ備える。光結合部分５２ｃ，５３ｃはそれぞれ、平面４９に沿った端部を有し、主導波路４１の第３の部分４１ｃに対して平行に延在し、第３の部分４１ｃから結合間隙距離ｗ２だけ離間している。結合間隙長はｄ４である。光結合部分５２ｃ，５３ｃは、それぞれ端面５２ｆ，５３ｆを有する。端面５２ｆ，５３ｆは、それぞれ光ブロック６５，６６にそれぞれ隣接する。光ブロック６５，６６は、光源３０からの光を、直接、光結合部分５２ｃ，５３ｃへ入射させるのではなく、まず、主導波路４１の第３の部分４１ｃを通過させるようにするために用いるものである。光ブロック６５，６６は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｒｕ，またはＴａなどの不透明材料からなり、その幅は、ＡＷＶＧ５２，５３の幅ｗ１よりもクロストラック方向において大きいことが好ましい。各ＡＷＶＧは全体にわたって、幅が均一であることが好ましい。
【００６１】
図９は、アラインメント処理の際、２つのＡＷＶＧおよび主導波路（ＣＷＧ：center waveguide）から射出された光を観察したものであり、ＡＢＳに配置された、１００倍の対物レンズを備えたＣＣＤカメラから撮ったサンプル画像である。この例において、ｗ３は１５μｍ、結合間隙距離ｗ２は０．２μｍ、結合長ｄ１は８μｍ、ＡＷＶＧの幅ｗ１は６００μｍ、ＣＷＧの幅は６００μｍである。
【００６２】
図１０は、本発明の実施の形態に係る、ＣＷＧおよびＡＷＶＧにおける光強度を、モデリングデータを用いて表したグラフである。Ｚ座標＝６０μｍは、グラフにおけるＡＢＳの位置を表し、Ｘ軸はクロストラック方向である。この場合、結合間隙距離は０．２５μｍ、結合長は５μｍ、ＡＷＶＧとＣＷＧとの間の距離ｗ３は６μｍである。ＡＢＳにおいてＰＤまたはＣＣＤカメラによって測定した光強度については、ピーク８１，８２がＡＷＶＧのものであり、ピーク８３がＣＷＧのものである。この構成では、２％の光だけが各ＡＷＶＧへと進路を変更し、９６％はＣＷＧにとどまる。
【００６３】
このように、全ての実施の形態において、中央導波路（主導波路）の両側に対称的に形成された２つのＡＷＶＧを備える。各ＡＷＶＧは、主導波路から送られる光の０．５％以上１０％以下を、ＡＢＳ、またはスライダの側面もしくは後端部における出口へと進路変更する。２つの出口における光強度は、主導波路の後端部の複数の光源位置において、ＩAWCG1およびＩAWVG2として測定される。アラインメントは、光源の（Ｘ，Ｙ）座標が、｜ＩAWCG1−ＩAWVG2｜が最小値となること、および（ＩAWCG1＋ＩAWVG2）が最大値となること、を同時に満たす場合に達成される。アラインメントは、通常、ＴＡＭＲヘッドの製造において、最終的に光源を導波路に取り付ける直前に行われる。しかしながら、ＴＡＭＲ製造工程完了後に自由空間光線が１度または複数回向けられる際にも本技術を用いることができると考えられる。このように、本発明は、光源が、レンズまたは他の光学素子を介してＴＡＭＲヘッドの主導波路に合焦される自由空間光線である実施の形態において、ここに説明したアラインメント処理を複数回施すことも含む。
【００６４】
本発明が従来技術よりも優れている点は、本発明によれば、２つのＡＷＶＧの出口から正確に光強度を読み取り、２つの測定値の和と差を容易に求め、計算することによって、従来のアラインメント方法のようなより複雑な強度およびパターン測定をすることなく、最適なアラインメントを求めることができる点である。より正確にアラインメントを行うことにより、光源に設けられる所要電力が減少し、光源の寿命が延びる。さらに、ＴＡＭＲ設計においては、通常、スライダの後端部において使用可能な空間が限られているため、電源が大きいことは好ましくないが、本発明によれば、そのような電源を用いる必要がなくなる。ＡＷＶＧは、主導波路の製造と同じ処理工程において形成してもよい。特に、実施の形態例に示したように、ＡＷＶＧの下面と主導波路の下面とが同一平面上に形成され、その厚さが基本的に等しい実施の形態においてそのようにしてもよい。したがって、本発明のアラインメント構造の製造にあたり、道具や処理ステップを追加する必要はない。
【００６５】
本発明を、その好適な実施の形態を挙げて具体的に示し、説明したが、当業者によって理解されるように、本発明においては、その精神と範囲とを外れない限りにおいて、様式や細部について種々の変更を加えてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
３０…光源、４１…主導波路、４１ａ〜４１ｃ…第１〜第３の部分、４２，４３，５２，５３…ＡＷＶＧ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）光を発する光源と、
（ｂ）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、前記光源からの入射光を前記ＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、
（ｃ）ＡＷＶＧ構造と
を備え、
前記主導波路は、
（１）ダウントラック方向から眺めた平面形状が矩形状であり、前記ＡＢＳに露出した第１の前方端面と、前記ＡＢＳから第１の距離に位置する第１の後方端面と、前記第１の前方端面と前記第１の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第１の部分と、
（２）ダウントラック方向から眺めた平面形状が台形状であり、前記第１の後方端面と接する第２の前方端面と、前記第２の前方端面よりもトラック幅方向の寸法が大きい第２の後方端面とを含む第２の部分と、
（３）前記第２の後方端面と接する第３の前方端面と、前記光源と対向する第３の後方端面と、前記第３の前方端面と前記第３の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第３の部分と
を有し、
前記ＡＷＶＧ構造は、
前記主導波路に沿って延在し、前記主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含み、
前記第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、前記ＡＢＳに近い位置から順に
（１）前記主導波路と実質的に平行に延在し、前記ＡＢＳに露出して光を射出する第１の前方端部と、前記ＡＢＳと反対側の第１の後方端部とを含む第１のガイド領域部分と、
（２）前記第１の後方端部と接続された第２の前方端部と、前記ＡＢＳと反対側に位置すると共に前記第２の前方端部よりも前記主導波路の近くに位置する第２の後方端部とを含む第２のガイド領域部分と、
（３）前記主導波路と実質的に平行に延在し、前記主導波路の側面から前記第１の部分を通過する光の一部を受光する光結合部分と
を有する
ＴＡＭＲヘッド。
【請求項２】
前記光結合部分は、前記第１の部分と実質的に平行に延在している
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項３】
前記光結合部分は、前記第２の部分と実質的に平行に延在している
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項４】
前記第１および第２のＡＷＶＧの前記光結合部分において受光される光は、前記主導波路を通過する光の０．５％以上１０％以下であり、
前記受光される光の強度は、前記光結合部分と前記主導波路との距離、前記光結合部分と前記主導波路との結合長、および前記光結合部分の幅のうちの少なくとも１つに依存する
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項５】
前記ＡＷＶＧ構造において、
前記第１のガイド領域部分、第２のガイド領域部分および光結合部分は、０．４μｍ以上０．８μｍ以下の範囲で互いに等しい幅を有する
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項６】
前記光結合部分の端部は、前記ＡＢＳと前記第１の後方端面との間、もしくは前記第１の後方端面に位置する
請求項２記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項７】
前記ＡＢＳにおいて、前記第１のガイド領域部分と前記主導波路との距離は２μｍ以上２０μｍ以下である
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項８】
前記光結合部分と前記主導波路との距離は０．１μｍ以上０．４μｍ以下であり、
前記光結合部分と前記主導波路とが並走する長さは１μｍ以上２０μｍ以下である
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項９】
（ａ）光を発する光源と、
（ｂ）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、前記光源からの入射光を前記ＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、
（ｃ）ＡＷＶＧ構造と
を備え、
前記主導波路は、
（１）ダウントラック方向から眺めた平面形状が矩形状であり、前記ＡＢＳに露出した第１の前方端面と、前記ＡＢＳから第１の距離に位置する第１の後方端面と、前記第１の前方端面と前記第１の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第１の部分と、
（２）ダウントラック方向から眺めた平面形状が台形状であり、前記第１の後方端面と接する第２の前方端面と、前記第２の前方端面よりもトラック幅方向の寸法が大きい第２の後方端面とを含む第２の部分と、
（３）前記第２の後方端面と接する第３の前方端面と、前記光源と対向する第３の後方端面と、前記第３の前方端面と前記第３の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第３の部分と
を有し、
前記ＡＷＶＧ構造は、
前記主導波路に沿って延在し、前記主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含み、
前記第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、
（１）前記主導波路と実質的に平行に延在し、前記主導波路の側面から前記主導波路を通過する光の一部を受光する光結合部分と、
（２）前記光結合部分と接続された第１の端面と、前記ＡＢＳもしくは前記ＡＢＳと異なる面に露出する第２の端面とを含み、前記第２の端面から外部の光測定素子へ向けて光を射出することにより前記光源と前記主導波路とのアライメントを行うガイド領域部分と
を有する
ＴＡＭＲヘッド。
【請求項１０】
前記ＡＢＳにおいて、前記ガイド領域部分と前記主導波路との距離は２μｍ以上２０μｍ以下である
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１１】
前記主導波路およびＡＷＶＧ構造はスライダに設けられており、
前記第１および第２のＡＷＶＧの前記第２の端面は、前記スライダにおける、前記ＡＢＳと交差する側面もしくは前記スライダの後方端面に位置する
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１２】
前記第１および第２のＡＷＶＧの前記光結合部分において受光される光は、前記主導波路を通過する光の０．５％以上１０％以下であり、
前記受光される光の強度は、前記光結合部分と前記主導波路との距離、前記光結合部分と前記主導波路との結合長、および前記光結合部分の幅のうちの少なくとも１つに依存する
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１３】
前記光結合部分は、前記第２の部分の側面に沿って延在している
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１４】
前記光結合部分は、前記第３の部分の側面に沿って延在している
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１５】
前記光結合部分と前記光源との間に、光ブロックが設けられている
請求項１４記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１６】
前記第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、前記ＡＢＳと直交する方向へ伸びる直線状をなしている
請求項１５記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１７】
前記光結合部分と前記主導波路との距離は０．１μｍ以上０．４μｍ以下であり、
前記光結合部分と前記主導波路とが並走する長さは１μｍ以上２０μｍ以下である
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１８】
前記ガイド領域部分および光結合部分は、０．４μｍ以上０．８μｍ以下の範囲で互いに等しい幅を有する
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１９】
（ａ）スライダを用意したのち、そのスライダにＴＡＭＲヘッド部を設けるステップと、
（ｂ）光源から前記スライダの後方端面に位置する主導波路の後方端面へ光を入射し、光強度を測定しながら、前記光源と前記ＴＡＭＲヘッド部との位置合わせを行うステップと、
（ｃ）位置合わせをした状態を維持しつつ、前記スライダに前記光源を固定するステップと
を含み、
前記ＴＡＭＲヘッド部として、
（１）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、前記光源からの入射光を前記ＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、
（２）前記主導波路に沿って延在し、前記主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含むＡＷＶＧ構造と
を備えたものを設け、
前記第１および第２のＡＷＶＧとして、それぞれ、
前記主導波路と実質的に平行に延在し、前記主導波路の側面から前記主導波路を通過する光の一部を受光する光結合部分と、
前記光結合部分と接続された第１の端面と、前記ＡＢＳもしくは前記ＡＢＳと異なる面に露出する第２の端面とを含み、前記第２の端面から外部の光測定素子へ向けて光を射出することにより前記光源と前記主導波路とのアライメントを行うガイド領域部分と
を有するものを設け、
前記スライダと前記光源との固定を、
前記第１のＡＷＶＧのガイド領域部分における前記第２の端面からの第１の光強度と、前記第２のＡＷＶＧのガイド領域部分における前記第２の端面からの第２の光強度とを測定し、前記第１および第２の光強度の和が最大値となり、かつ、前記第１および第２の光強度の差が最小値となる位置で行う
ＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記光測定素子は、光検出器、または画像を光強度値に変換するコンピュータに接続された電荷結合素子を搭載したカメラであり、
前記カメラは、
前記第１および第２のＡＷＶＧの双方における前記第２の端面から射出される光を同時に検出するものである
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記光結合部分を、前記主導波路を通過する光のうちの０．５％以上１０％以下の光を受光するように形成する
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記ＡＢＳにおいて、前記ガイド領域部分と前記主導波路との距離を２μｍ以上２０μｍ以下とする
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２３】
前記第１および第２のＡＷＶＧを、その前記第２の端面が、前記スライダにおける前記ＡＢＳと交差する側面もしくは前記スライダの後方端面に位置するように形成する
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２４】
前記光結合部分と前記主導波路との距離を０．１μｍ以上０．４μｍ以下とし、
前記光結合部分と前記主導波路とが並走する長さを１μｍ以上２０μｍ以下とする
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項１】
（ａ）光を発する光源と、
（ｂ）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、前記光源からの入射光を前記ＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、
（ｃ）ＡＷＶＧ構造と
を備え、
前記主導波路は、
（１）ダウントラック方向から眺めた平面形状が矩形状であり、前記ＡＢＳに露出した第１の前方端面と、前記ＡＢＳから第１の距離に位置する第１の後方端面と、前記第１の前方端面と前記第１の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第１の部分と、
（２）ダウントラック方向から眺めた平面形状が台形状であり、前記第１の後方端面と接する第２の前方端面と、前記第２の前方端面よりもトラック幅方向の寸法が大きい第２の後方端面とを含む第２の部分と、
（３）前記第２の後方端面と接する第３の前方端面と、前記光源と対向する第３の後方端面と、前記第３の前方端面と前記第３の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第３の部分と
を有し、
前記ＡＷＶＧ構造は、
前記主導波路に沿って延在し、前記主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含み、
前記第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、前記ＡＢＳに近い位置から順に
（１）前記主導波路と実質的に平行に延在し、前記ＡＢＳに露出して光を射出する第１の前方端部と、前記ＡＢＳと反対側の第１の後方端部とを含む第１のガイド領域部分と、
（２）前記第１の後方端部と接続された第２の前方端部と、前記ＡＢＳと反対側に位置すると共に前記第２の前方端部よりも前記主導波路の近くに位置する第２の後方端部とを含む第２のガイド領域部分と、
（３）前記主導波路と実質的に平行に延在し、前記主導波路の側面から前記第１の部分を通過する光の一部を受光する光結合部分と
を有する
ＴＡＭＲヘッド。
【請求項２】
前記光結合部分は、前記第１の部分と実質的に平行に延在している
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項３】
前記光結合部分は、前記第２の部分と実質的に平行に延在している
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項４】
前記第１および第２のＡＷＶＧの前記光結合部分において受光される光は、前記主導波路を通過する光の０．５％以上１０％以下であり、
前記受光される光の強度は、前記光結合部分と前記主導波路との距離、前記光結合部分と前記主導波路との結合長、および前記光結合部分の幅のうちの少なくとも１つに依存する
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項５】
前記ＡＷＶＧ構造において、
前記第１のガイド領域部分、第２のガイド領域部分および光結合部分は、０．４μｍ以上０．８μｍ以下の範囲で互いに等しい幅を有する
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項６】
前記光結合部分の端部は、前記ＡＢＳと前記第１の後方端面との間、もしくは前記第１の後方端面に位置する
請求項２記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項７】
前記ＡＢＳにおいて、前記第１のガイド領域部分と前記主導波路との距離は２μｍ以上２０μｍ以下である
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項８】
前記光結合部分と前記主導波路との距離は０．１μｍ以上０．４μｍ以下であり、
前記光結合部分と前記主導波路とが並走する長さは１μｍ以上２０μｍ以下である
請求項１記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項９】
（ａ）光を発する光源と、
（ｂ）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、前記光源からの入射光を前記ＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、
（ｃ）ＡＷＶＧ構造と
を備え、
前記主導波路は、
（１）ダウントラック方向から眺めた平面形状が矩形状であり、前記ＡＢＳに露出した第１の前方端面と、前記ＡＢＳから第１の距離に位置する第１の後方端面と、前記第１の前方端面と前記第１の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第１の部分と、
（２）ダウントラック方向から眺めた平面形状が台形状であり、前記第１の後方端面と接する第２の前方端面と、前記第２の前方端面よりもトラック幅方向の寸法が大きい第２の後方端面とを含む第２の部分と、
（３）前記第２の後方端面と接する第３の前方端面と、前記光源と対向する第３の後方端面と、前記第３の前方端面と前記第３の後方端面とをそれぞれ繋ぐ一対の平行な側面とを含む第３の部分と
を有し、
前記ＡＷＶＧ構造は、
前記主導波路に沿って延在し、前記主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含み、
前記第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、
（１）前記主導波路と実質的に平行に延在し、前記主導波路の側面から前記主導波路を通過する光の一部を受光する光結合部分と、
（２）前記光結合部分と接続された第１の端面と、前記ＡＢＳもしくは前記ＡＢＳと異なる面に露出する第２の端面とを含み、前記第２の端面から外部の光測定素子へ向けて光を射出することにより前記光源と前記主導波路とのアライメントを行うガイド領域部分と
を有する
ＴＡＭＲヘッド。
【請求項１０】
前記ＡＢＳにおいて、前記ガイド領域部分と前記主導波路との距離は２μｍ以上２０μｍ以下である
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１１】
前記主導波路およびＡＷＶＧ構造はスライダに設けられており、
前記第１および第２のＡＷＶＧの前記第２の端面は、前記スライダにおける、前記ＡＢＳと交差する側面もしくは前記スライダの後方端面に位置する
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１２】
前記第１および第２のＡＷＶＧの前記光結合部分において受光される光は、前記主導波路を通過する光の０．５％以上１０％以下であり、
前記受光される光の強度は、前記光結合部分と前記主導波路との距離、前記光結合部分と前記主導波路との結合長、および前記光結合部分の幅のうちの少なくとも１つに依存する
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１３】
前記光結合部分は、前記第２の部分の側面に沿って延在している
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１４】
前記光結合部分は、前記第３の部分の側面に沿って延在している
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１５】
前記光結合部分と前記光源との間に、光ブロックが設けられている
請求項１４記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１６】
前記第１および第２のＡＷＶＧは、それぞれ、前記ＡＢＳと直交する方向へ伸びる直線状をなしている
請求項１５記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１７】
前記光結合部分と前記主導波路との距離は０．１μｍ以上０．４μｍ以下であり、
前記光結合部分と前記主導波路とが並走する長さは１μｍ以上２０μｍ以下である
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１８】
前記ガイド領域部分および光結合部分は、０．４μｍ以上０．８μｍ以下の範囲で互いに等しい幅を有する
請求項９記載のＴＡＭＲヘッド。
【請求項１９】
（ａ）スライダを用意したのち、そのスライダにＴＡＭＲヘッド部を設けるステップと、
（ｂ）光源から前記スライダの後方端面に位置する主導波路の後方端面へ光を入射し、光強度を測定しながら、前記光源と前記ＴＡＭＲヘッド部との位置合わせを行うステップと、
（ｃ）位置合わせをした状態を維持しつつ、前記スライダに前記光源を固定するステップと
を含み、
前記ＴＡＭＲヘッド部として、
（１）ＡＢＳと直交する方向へ延在し、前記光源からの入射光を前記ＡＢＳに露出した近接場素子へ送る主導波路と、
（２）前記主導波路に沿って延在し、前記主導波路を挟んで対称に配置された第１および第２のＡＷＶＧを含むＡＷＶＧ構造と
を備えたものを設け、
前記第１および第２のＡＷＶＧとして、それぞれ、
前記主導波路と実質的に平行に延在し、前記主導波路の側面から前記主導波路を通過する光の一部を受光する光結合部分と、
前記光結合部分と接続された第１の端面と、前記ＡＢＳもしくは前記ＡＢＳと異なる面に露出する第２の端面とを含み、前記第２の端面から外部の光測定素子へ向けて光を射出することにより前記光源と前記主導波路とのアライメントを行うガイド領域部分と
を有するものを設け、
前記スライダと前記光源との固定を、
前記第１のＡＷＶＧのガイド領域部分における前記第２の端面からの第１の光強度と、前記第２のＡＷＶＧのガイド領域部分における前記第２の端面からの第２の光強度とを測定し、前記第１および第２の光強度の和が最大値となり、かつ、前記第１および第２の光強度の差が最小値となる位置で行う
ＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記光測定素子は、光検出器、または画像を光強度値に変換するコンピュータに接続された電荷結合素子を搭載したカメラであり、
前記カメラは、
前記第１および第２のＡＷＶＧの双方における前記第２の端面から射出される光を同時に検出するものである
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記光結合部分を、前記主導波路を通過する光のうちの０．５％以上１０％以下の光を受光するように形成する
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記ＡＢＳにおいて、前記ガイド領域部分と前記主導波路との距離を２μｍ以上２０μｍ以下とする
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２３】
前記第１および第２のＡＷＶＧを、その前記第２の端面が、前記スライダにおける前記ＡＢＳと交差する側面もしくは前記スライダの後方端面に位置するように形成する
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【請求項２４】
前記光結合部分と前記主導波路との距離を０．１μｍ以上０．４μｍ以下とし、
前記光結合部分と前記主導波路とが並走する長さを１μｍ以上２０μｍ以下とする
請求項１９に記載のＴＡＭＲヘッドの製造方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図３Ｄ】
【図３Ｅ】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図５Ｅ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−８９２３０（Ｐ２０１２−８９２３０Ａ）
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２９２８２（Ｐ２０１１−２２９２８２）
【出願日】平成２３年１０月１８日（２０１１．１０．１８）
【出願人】（５００４７５６４９）ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド (251)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月１０日（２０１２．５．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１８日（２０１１．１０．１８）
【出願人】（５００４７５６４９）ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド (251)
【Ｆターム（参考）】
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