【課題】 製造工程および製造後において特性が劣化しにくく、かつ信頼性の高い強誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる強誘電体メモリ１０００の製造方法は、（ａ）基体１０の上方に下部電極層２０、強誘電体層３０、および第１の上部電極層４０を順次積層することにより強誘電体積層体を形成する工程と、（ｂ）前記強誘電体積層体にアニール処理を行う工程と、（ｃ）前記強誘電体積層体を所定の形状にパターニングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光素子の温度変動に伴う光出力の低下を補う駆動回路の過度な動作を抑制し、発光素子の最適な駆動状態を維持するようにして経年変化による劣化を未然に回避できる発光素子駆動回路の提供。
【解決手段】最大駆動電流設定回路１６は、発光素子１１の検出温度に基づいてその発光素子１１に流す最大駆動電流を設定する。制限値設定回路１７は、光出力自動制御回路１５が発光素子１１の発光量を制御する際に、発光素子１１の電流が最大駆動電流設定回路１６で設定された最大駆動電流になるようにするための制限電圧を、その設定された最大駆動電流に基づいて求め、この求めた制限電圧を光出力自動制御回路１５が制御する際の電流制限電圧として光出力自動制御回路１５に設定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップと配線との接続について、その強度向上と低抵抗化を可能にし、これによって接続信頼性を向上した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ２と、半導体チップ２の端子４に接続する配線６とを備えた半導体装置である。半導体チップ２として、端子４の最上層４ｃが金、銀、銅、スズ、インジウムのうちのいずれか一種からなり、配線６が、金、銀、銅のうちのいずれか一種からなる金属微粒子の焼結体によって形成され、配線６と端子４との間の接続部の少なくとも一部が、エピタキシャル成長している。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップと配線との接続について、その強度向上と低抵抗化を可能にし、これによって接続信頼性を向上した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ２と、半導体チップ２の端子４に接続する配線６とを備えた半導体装置である。半導体チップ２の端子４の最上層４ｃが、厚さ０．１μｍ以上１．０μｍ以下の金属層によって形成され、配線６が、金属微粒子の焼結体によって形成され、配線６と端子４との間の接続部が、配線６の一部が端子４の最上層４ｃ中に固相拡散した状態に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 バンプ接続の信頼性を高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、能動面１２１ａ上に、電極パッド２４と、該電極パッド２４に導電接続されたバンプ電極１０とを備えている。バンプ電極１０は、能動面１２１ａに形成された樹脂突起１２と、電極パッド２４から樹脂突起１２の表面にかけて配設された導電膜２０とを備えており、この導電膜２０と樹脂突起１２とは非密着に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＩＭＯＸ法を用いることなく、膜厚が互いに異なるＢＯＸ層を同一基板に形成する。
【解決手段】支持体絶縁膜５に形成された開口面を介してエッチングガスまたはエッチング液を第１半導体層および第２半導体層３に接触させることにより、第１半導体層３をエッチング除去し、半導体基板１と第２半導体層３との間に空洞部６を形成するとともに、第２半導体層３の両端部を薄膜化し、半導体基板１および第２半導体層３の熱酸化を行うことにより、半導体基板１と第２半導体層３との間の空洞部６が埋め込まれるように半導体基板１上に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】線幅が互いに異なる導線の結合部における応力緩和効果を向上させる。
【解決手段】インナーリードＲＩおよびアウターリードＲＯが回路基板に形成され、３箇所以上の屈曲部Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が設けられた結合部ＫＢを介してインナーリードＲＩおよびアウターリードＲＯを互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】プローブカード寿命が延び、安定した探針の針先状態を有して、高信頼性のプロービングが行えるプローバー装置及び探針メンテナンス方法、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷＦを支持し位置検出すると共に移動制御可能なウェハステージ１２と、所定部から複数の探針１４１が伸長する回路基板を有し、探針１４１それぞれが半導体ウェハＷＦにおけるＩＣチップ領域の各電極端子に接触することにより信号の授受を行うプローブカード１４と、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸方向移動が独立に制御されるメンテナンス用のステージ１５１を有し、ステージ１５１が研磨部材１５２を配備して所定回避領域からプローブカード１４の探針１４１の配列直下に移動し研磨動作することにより探針１４１それぞれをより正常な状態に近付けるメンテナンス機構と、研磨動作を信号制御する制御部１６とを含む。 （もっと読む）

【課題】個々のプローブカードにおいてカードメンテナンスのタイミングの最適化が図れるプローブカード及びプローバー装置、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プローブカード１０は、開口部１２の周辺部から中心方向に向って複数のプローブ針１３が伸長している。プローブ針１３は回路基板１１の周辺部に配列された図示しない端子と配線を介して接続されている。回路基板１１の所定領域上にデータ蓄積部１４を有する。データ蓄積部１４は少なくともこのプローブカード１０の使用履歴やそれに伴う各プローブ針１３の状態に関する情報が記憶されている。データ蓄積部１４は、少なくとも初期状態の各プローブ針１３の先端径及び長さ、かつ累積するコンタクト回数、カードメンテナンスの時期と回数、それに応じて変化する前記各プローブ針の先端径及び長さの情報が保持される。 （もっと読む）

【課題】 不純物が拡散されたポリシリコンが電極として用いられるキャパシタを含む半導体装置において、容量値の電圧依存性を改善する。
【解決手段】 この半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板上に絶縁膜１１を介してポリシリコンによって形成され不純物がドープされた下部電極１２ａと絶縁膜１３ａを介してポリシリコンによって形成され不純物がドープされた上部電極１４ａとを含むキャパシタＡと、半導体基板上に絶縁膜１１を介してポリシリコンによって形成され不純物がドープされた下部電極１２ａと絶縁膜１３ｂを介してポリシリコンによって形成され不純物がドープされた上部電極１４ｂとを含むキャパシタＢと、キャパシタＡの下部電極とキャパシタＢの上部電極とを電気的に接続する配線１６ｂと、キャパシタＡの上部電極とキャパシタＢの下部電極とを電気的に接続する配線１６ａとを具備する。 （もっと読む）