【課題】高純度の多価イオンを取り出すことができるイオン源を提供する。
【解決手段】イオン源１０は、レーザ１３が照射されると電子と陽イオンに電離したプラズマ１４を生成するターゲット１２と、このターゲット１２の電位を陽イオンの出射目標（加速チャンネル１８）よりも高く設定する第１電源（第１電圧Ｅ₁）と、この陽イオンがターゲット１２から出射目標（加速チャンネル１８）に至る経路上（フィルタ電極１５）の電位をターゲット１２の電位よりも高く設定する第２電源（第２電圧Ｅ₂）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】狭いベゼル幅を実現することのでき、かつ、照度ムラが少ないバックライト装置および表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、表示装置は、表示パネルと、第１の光源と、第１の導光手段と、第２の導光手段と、第１の照明手段と、を有する。前記第１の光源は、前記表示パネルと対向して配置され、前記表示パネルの方向へ光を照射する。前記第１の導光手段は、前記第１の光源から照射された光の少なくとも一部が入射し、これを所定の方向へ出射する。前記第２の導光手段は、前記表示パネルの第１の領域と対向して配置され、前記第１の導光手段から出射した光を導いて、前記第１の領域を照明する。前記第１の照明手段は、前記表示パネルの前記第１の領域とは異なる第２の領域を照明する。 （もっと読む）

【課題】適切に不快グレアを評価できる不快グレア評価方法及び不快グレア評価プログラムを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、情報入手工程と、算出工程と、を含む不快グレア評価方法が提供される。前記算出工程は、照明器具の発光部の平均輝度Ｌａに関する平均輝度情報と、前記発光部の輝度均斉度Ｕに関する輝度均斉度情報と、前記発光部の大きさωに関する発光部大きさ情報と、前記照明器具の背景輝度Ｌｂに関する背景輝度情報と、を入手する。前記算出工程は、前記情報入手工程で入手した前記平均輝度Ｌａと、前記輝度均斉度Ｕと、前記発光部大きさωと、前記背景輝度Ｌｂに基づいて、前記Ｌａに基づく値と、前記Ｕに基づく値と、前記ωに基づく値との積を、前記Ｌｂに基づく値で除した評価パラメータ値を算出する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクを用いた車両用半導体回路の冷却を行う上で、車両の停車時および低速走行時の冷却性能の低下を抑えることができる車両用半導体冷却装置を提供する。
【解決手段】車両用半導体冷却装置は、受熱ブロック群、複数の半導体素子、放熱フィン群、封止カバー４、通風路を有する。受熱ブロック群は受熱ブロック３を、上下に２列平行に、各列所定幅の隙間を空けて２つずつ配列させている。複数の半導体素子は受熱ブロック群の各受熱ブロックの互いに対向する第１の面に配設されている。放熱フィン群は受熱ブロック群の第１の面と反対側の第２の面に、平板状の放熱フィン２ａを所定間隔で複数配設されている。封止カバーは受熱ブロック群の外縁を構成する各受熱ブロックの上下の縁部の対向面間に介挿されている。通風路は配列された受熱ブロック間の隙間に封止カバーを上下に貫通するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】プロキシミティ露光の解像度を高めることができるリソグラフィ装置を提供すること。
【解決手段】実施形態のリソグラフィ装置は、プロキシミティ露光を行えるものであって、表面に感光性樹脂が形成された基板１が載置されるステージ２と、原版３を保持するための保持手段４とを具備する。実施形態のリソグラフィ装置は、さらに、ステージ２に載置された基板１と保持手段４により保持された原版３との間の距離を制御する距離制御手段７と、前記感光性樹脂層と原版３とが非接触の状態となるように、距離制御手段７により前記距離がゼロより大の一定値に制御された状態で、基板１と原版３との間に屈折率が１より大きい液体８を充填する液体充填手段９とを具備する。実施形態のリソグラフィ装置は、液体充填手段９により基板１と原版３との間が前記液体により充填された状態で、原版３を介して基板１上の前記感光性樹脂膜を光で露光するための光源１０を具備する。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で高いμ’と低いμ”を備え特性に優れた磁性材料を提供する。
【解決手段】実施の形態の磁性材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群から選ばれる少なくとも１つの磁性金属を含有し、粒径が１μｍ以上平均粒径が５μｍ以上５０μｍ以下の複数の第１の磁性粒子と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群から選ばれる少なくとも１つの磁性金属を含有し、粒径が１μｍ未満平均粒径が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の複数の第２の磁性粒子と、第１の磁性粒子および第２の磁性粒子間に存在する介在相と、を備える。 （もっと読む）

【課題】積層された半導体ウェハから製造することができる半導体チップの取り数を増やすことができ、且つ、半導体ウェハの加工費用を低減することができる半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体ウェハは、半導体基板と半導体基板上に形成された配線層とを有し、この半導体基板は、配線層に覆われた第１の領域と、半導体基板の外周部に形成され、且つ、配線層に覆われていない第２の領域とを有し、半導体基板の第２の領域に絶縁膜が形成され、配線層の上面と絶縁膜の上面とは略同一の面である。 （もっと読む）

【課題】インプリントに用いられるテンプレートの長寿命化を図る。
【解決手段】被転写基板としてのウェハ上のチップ領域と対応するＮ（Ｎは２以上の整数）個の転写領域に区画されたテンプレートＴＭからウェハＷへのパターン転写を複数回行う際、前記Ｎ個の転写領域のうちの一部と対応するウェハＷの周辺領域へ転写を行う場合に使用する１以上（Ｎ−１）個以下の転写領域を前記Ｎ個の転写領域の各転写回数が均一化されるように選択する転写位置選択部１１と、前記１以上（Ｎ−１）個以下の転写領域を選択した際に非選択とされた転写領域が前記ウェハＷ上の転写済領域と衝突しないように複数回のウェハＷへのパターン転写の転写順序を設定する転写順序設定部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子部品を回路基板により精度良く実装することが可能な電子機器、電子部品、および基板アセンブリの製造方法を得る。
【解決手段】実施形態にかかる電子機器では、接合部は、第一導体部と第二導体部との間に介在し、第一導体部と第二導体部とを電気的に接続した。封止部は、少なくとも第一面と第二面との間に介在し、酸化膜を還元する還元剤を含み、接合部を封止した。位置決め部は、第一面から突出し、その突出側の端部が第一面と第二面との間に位置され、第二面に封止部が塗布された電子部品が第一面に載せられる際に当該第一面に沿って移動しようとした場合にあっても封止部と接触することにより電子部品が第一導体部と第二導体部とが対向した位置から外れるのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】終端部の耐圧が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】セル部Ｃ及び終端部Ｓからなる半導体装置１において、半導体基板２、ドレイン電極３及びソース電極４を設ける。半導体基板２においては、ドレイン電極３に接続されたｎ型半導体層５と、スーパージャンクション構造をなすｐ型半導体ピラー層６及びｎ型半導体ピラー層７とを形成し、終端部Ｓにおける半導体基板２の上面に、ｐ型ベース層８に接続されたｐ型リサーフ層１３を形成する。そして、ｐ型リサーフ層１３に接続されるように、ｐ型リサーフ層１３上にｎ型リサーフ層１４を形成する。これにより、リサーフ層を確実に空乏化させることができる。 （もっと読む）