【課題】 高い破壊じん性を有すると共に、高い熱伝導率及び曲げ強度を達成した窒化アルミニウム焼結体を得ることが可能な新規な窒化アルミニウム粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 還元窒化法により得られ、１次粒子径について（１）０．１μｍ以上、１μｍ未満の１次粒子径の粒子の含有率が５〜８５質量％、（２）１μｍ以上、５μｍ未満の１次粒子径の粒子の含有率が０〜４０質量％、及び（３）５μｍ以上、１０μｍ以下の１次粒子径の粒子の含有率が１５〜９５質量％（但し、（１）〜（３）の粒子の含有率の合計は１００質量％である。）よりなる粒度分布を有し、且つ酸素含有率が０．４〜１．３質量％となるように表面酸化されたことを特徴とする窒化アルミニウム粉末である。 （もっと読む）

【課題】フッ化金属単結晶体の口径にかかわらず、単結晶体内部に存在する散乱体の数が極めて少ないフッ化金属単結晶体を製造することが容易な引上げ装置、および該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ化金属単結晶育成炉を形成するチャンバー内に、外坩堝と該外坩堝内に収納されてなる内坩堝とからなる二重構造坩堝が設けられてなり、該二重構造坩堝における外坩堝と内坩堝の両内空部は一部連通しており、さらに、該二重構造坩堝は外坩堝に対する内坩堝の収納深さを連続的に変化させることが可能な構造の引上げ装置において、該単結晶体の育成に伴う内坩堝内の原料溶融液の減少に応じて、外坩堝に対する内坩堝の収納深さを深くしていき、引上げの開始当初から終了までを、内坩堝内の原料溶融液の液量を一定範囲の浅い状態に維持して引上げをおこなう。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板に導電ペースト層を形成し、焼成することによってメタライズドセラミック基板を製造する方法において、導電ペーストが流れたりにじんだりすることを防止すること。
【解決手段】メタライズドセラミック基板の製造方法は、表面に導電層又は導体ペースト層を有していてもよいセラミック基板からなる原料基板を準備する工程（Ａ）と、該原料基板上にセラミックペースト層を形成する工程と、該セラミックペースト層上に導電ペースト層を形成する工程と、を含むメタライズドセラミック基板前駆体調製工程（Ｂ）と、前記工程によって得られたメタライズドセラミック基板前駆体を焼成する工程（Ｃ）と、を含むメタライズドセラミック基板の製造方法である。 本発明の工程（Ｂ）では、セラミック層の形成と導電ペースト層の形成を交互に複数回繰り返してもよい。このようにすることにより導電層の多層化を容易に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 ガス吸着材、反応触媒、防錆材等として有用な金属イオンを坦持した粉末であり、活性炭のように黒色に限定されず、また水洗等により容易に活性成分である金属イオンが消失しない機能性材料を得る。
【解決手段】 スルホン酸基等の陽イオン交換基を有する架橋重合体（例えば、架橋ポリスチレンスルホン酸）で被覆されており、かつ陽イオン交換基における対イオンを多価金属イオンとした無機粒子からなる粉末。金属イオンは陽イオン交換基における対イオンとして固定されており、かつ架橋重合体でもあるため、多価金属イオンや重合体自体が水洗等によって粒子から失われる可能性がほとんど無い。陽イオン交換基を有する架橋重合体で被覆された無機粒子を、多価金属イオンを含有する溶液と接触させ、必要に応じて過剰の多価金属イオン等を水洗除去後、乾燥させることにより容易に製造できる。 （もっと読む）

【課題】 医薬中間体として有用な、３，４−ジヒドロ−８−ベンジルオキシ−３−ニトラト−２Ｈ−１−ベンゾピランのような下記式（１）で示される硝酸エステルを、その前駆体となるアルコールから効率良く製造する方法を提供する。
【化１】


（式中、R_１はベンジル基、エトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、メチル基またはエチル基である。）
【解決手段】 ３，４−ジヒドロ−８−ベンジルオキシ−３−ハイドロキシ−２Ｈ−１−ベンゾピランのような下記式（２）で示されるアルコールと硝酸アセチルとを、尿素の存在下、芳香族系有機溶媒中で反応させる。
【化２】


｛式中、R_１は、前記式（１）におけるR_１と同義である。｝ （もっと読む）

【課題】 半導体成長用基板とIII族窒化物半導体膜は製造条件または製造装置が異なる等の理由により、半導体成長用基板が大気中の酸素雰囲気に晒されるような場合においても、成長用基板表面の汚染、酸化、表面欠陥の発生を効果的に防止するための基板表面保護方法ならびに該基板表面上へIII族窒化物成長方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板表面に、基板より再蒸発温度が低いＡｌ_ＸＩｎ_ＹＧa_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）からなる表面保護膜を形成し、半導体成長前に当該表面保護膜を取り除いて半導体を基板上に成長させる。 （もっと読む）

【課題】発熱量が未知の複数種類の可燃物を、予めそれぞれの可燃物の発熱量を測定しなくとも、発熱量の変動が小さい可燃物として燃焼処理することができる可燃物の燃焼方法を提供する。
【解決手段】発熱量が未知の複数種類の可燃物を分別して貯留する貯留工程と、該貯留工程で分別して貯留したそれぞれの可燃物を複数の第１破砕機に分配して粗破砕を行う第１破砕工程と、該第１破砕工程で粗破砕された可燃物を複数の第２破砕機に分配して細破砕を行う第２破砕工程と、該第２破砕工程で細破砕された可燃物を混合する混合工程と、該混合工程で得られた可燃物を燃焼処理する燃焼処理工程とを含んでなることを特徴とする可燃物の燃焼方法である。 （もっと読む）

【課題】 シリコンの湿式異方性エッチング工程を含むマイクロマシン技術によりシリコンを微細加工して各種シリコンデバイスを製造する際に使用するエッチング液であって、毒性が低く取り扱いが容易で、マスク材料として安価なシリコン酸化膜を使用することができ、しかもエッチング速度が速いエッチング液を提供する。
【解決手段】 テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等の第４級アンモニウム塩からなる水溶液に、鉄、塩化鉄（ＩＩＩ）、水酸化鉄（ＩＩ）などの特定の化合物を添加した水溶液をエッチング液として使用する。 （もっと読む）

【課題】 例えばサブマウントのような素子搭載用基板の側面にメタライズ層が形成された半導体レーザー装置、ならびにその簡便な製法を提供すること。
【解決手段】 素子搭載用基板と、ハンダ層を介して素子搭載用基板上に接着された半導体レーザー素子とを含み、
半導体レーザー素子の発光面と、素子搭載用基板の上面前端とが同一平面上にあり、
素子搭載用基板の下面前端が、素子搭載用基板の上面前端よりも、レーザー光進行方向に、突出してあり、
素子搭載用基板の上面前端から下面前端方向に向けて素子搭載用基板の前側面の少なくとも一部に斜面が形成されてなり、
素子搭載用基板の前側面の斜面にメタライズ層が形成されてなる半導体レーザー装置 （もっと読む）

【課題】 高濃度アルカリ性試料中の微量塩素イオンについて精度よく分析が行え、故障の少ない装置とすることができる微量塩素イオン濃度分析方法を提供する。
【解決手段】 標準液４及び高濃度アルカリ性試料を滴定槽８にそれぞれ所定量採取し、中和用酸を添加して弱酸性とした後、銀電極１３を陽電極、金属電極１４を陰電極にして定電流を流して含有塩素イオンが消失するまで電解を行い、該電解に要した電気量から標準液４のみを電解したときの電気量を差し引いて、試料溶液中の塩素イオン量を算出する。 （もっと読む）