【目的】 フォトリソグラフィープロセスでのウェハのベーク処理において、プロキシミティベークでの温度安定性の向上を図る。
【構成】 ホットプレート２上にプロキシミティピン３を介して載置されたウェハ１の輻射熱をセンサ５で検出し、センサ５の出力信号に基いてウェハ１の表面温度を演算処理部６で演算し、その温度出力信号に基いてヒータ４の加熱によるウェハ表面温度が予め設定した温度になるようにヒータ４の出力を温度制御部７で制御する。 （もっと読む）

【構成】共通バス制御装置２が共通バス使用状態を監視し、バスタイムアウトエラーが発生するとタイムアウトの原因となったＩ／Ｏ制御装置４のチャネル番号を、共通バス制御装置２のもつ、切離しＩ／Ｏテーブル３に書き込み、中央処理装置１では共通バス制御装置２の切離しＩ／Ｏテーブル３を参照して書き込まれているＩ／Ｏ装置に対してはコマンドを切らないようにする。
【効果】バスタイムアウトの原因となったＩ／Ｏ制御装置に対して繰返しコマンドを送らないので、同装置によるバスタイムアウトエラーの再発を防ぐとともに、無駄なバスの使用をおさえ、全体の処理時間の高速化をはかり、他のＩ／Ｏ制御装置のオーバーラン等を防止する。 （もっと読む）

【目的】 出射端をなす光ファイバの出射端面におけるコアが高精度に整列され、しかも外形寸法の小さい光ファイバカプラの提供。
【構成】 光ファイバカプラ本体４は融着延伸型である。光ファイバカプラ本体４及び精密フェルール５はパイプ６に収められ、一体化されている。光ファイバカプラ出射端２００の出射端部ではＵＶ被覆が剥離され、クラッドが露出している。露出したクラッドは４本揃えられて精密フェルール５の円形貫通穴に密着して挿入されている。そのクラッドの出射端面は光軸に垂直に研磨されている。 （もっと読む）

【目的】 ３Ｒ機能を有する光中継器において識別位相の温度等によるずれを補正する。
【構成】 ３Ｒ中継器において、等化増幅された信号を整形するゲート回路４と識別回路２の両出力の排他的論理和をとり、この結果をＬＰＦ６にて平均直流電位に変換し、この電圧にて、識別回路２とタイミング回路３間に設置された位相制御回路７を制御する。 （もっと読む）

【目的】 同軸コネクタ同様の機能を有し、かつ従来コネクタと同様な寸法をもって構成されたコネクタを提供する。
【構成】 全壁面を導電性めっきを施した枠体２、６にそれぞれ一体形成された絶縁体３、７を収容する。絶縁体３、７の内部にはそれぞれ空間を有しコンタクトを収容保持する。プリント基板９、１０にコネクタを取り付けると共に枠体２、６をアース回路と接続する。 （もっと読む）

【目的】内部回路から発生する電源ノイズを低減するためのバイパスコンデンサを、半導体チップ内部に形成してシステムの小型化およびノイズ低減能力の向上を図る。
【構成】多層配線構造の半導体チップの外周に沿って、層間絶縁膜４の一部に薄い層間絶縁膜４ａを設けて、対向する下層配線３と上層配線６とをそれぞれ電源配線と接地電位配線として、バイパスキャパシタとする。
【効果】半導体チップの面積を増加することなく、電源ノイズを低減するための大きな容量値をもつバイパスキャパシタを形成することができる。従来半導体チップの外部に実装していたキャパシタを削減して、システムを小型化することができる。半導体チップ内部にバイパスコンデンサを形成することにより、電源ノイズ低減効果が向上するとともに、ＥＭＩ（電波雑音干渉）発生の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【目的】 配線の微細化に伴う配線間容量の増加の問題を緩和し、かつ接続孔の微細化が容易な多層配線を実現する。
【構成】 下地である２酸化シリコン１上に第１の配線２、その配線間を埋めるシロキサン変成ポリイミド３、窒化シリコン４、２酸化シリコン５からなる層間絶縁膜、さらにその上に形成した第２の配線７、第１の配線と第２の配線を接続するＷ接続柱６、表面を覆っている保護膜８で構成されている。 （もっと読む）

【目的】磁気テープの走行調整範囲を広くする。
【構成】Ｖ字位置決め部材５は高さ規制部材６に二ケ所でねじ止め固定され、一方のねじ穴が円弧状長穴で固定ねじ１１−２を緩めると水平面内で回転出来る。案内溝付き部材７に立設したポスト１２とＶ字位置決め部材５との間に引張ばね１３をかけ、Ｖ字位置決め部材５に固定ねじ１１−１を支軸とした反時計まわりのモーメントがかかる。案内溝付き部材７に固定された調整ねじ固定台８の調整ねじ９をＶ字位置決め部材５に圧接させ、ばね力に抗して締めたりすることにより、Ｖ字位置決め部材５を水平方向に移動させる。従って位置決め機構への進入完了後にも可動部材１は水平面内で移動する。その時鉛直方向からある角度傾いた傾斜ポスト４への磁気テープの巻き付き角度が変化し、磁気テープの走行状態を調整できる。 （もっと読む）

【目的】進行波管のヒータ加熱電力を省略し消費電力を低減することと、遅波回路の全長を短くすることにより小形軽量な進行波管を得ることを目的とする。
【構成】電界放射型冷陰極６を備え、冷陰極のゲート電極７にマイクロ波入力１３を印加することにより密度変調された電子ビームを取り出すことができるようにした。また、遅波回路はその電子銃側の端部を減衰器８により終端し減衰器８より電子銃よりの遅波回路部分を省略し遅波回路を短くした。 （もっと読む）