【課題】活性層の内部量子効率を向上させた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層および活性層と、を備え、バッファ層は、交互に積層された、Ｉｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０＜ｘ１≦１）の式で表わされる第１のバッファ層と、Ｉｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２＜１、ｘ２＜ｘ１）の式で表わされる第２のバッファ層と、を有しており、第１のバッファ層のＩｎ組成ｘ１は変化し、第１のバッファ層の少なくとも１層のＩｎ組成ｘ１が、活性層のＩｎ組成よりも大きい窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有する光電変換素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】光電変換素子は、少なくとも１つの光電変換層を備える。この光電変換層は、ｐ型微結晶半導体層、２層以上のｉ型半導体層、およびｎ型半導体層が順に積層されて構成されている。２層以上のｉ型半導体層のうちｐ型微結晶半導体層に接する第１のｉ型半導体層のバンドギャップエネルギーは、第１のｉ型半導体層以外のｉ型半導体層のバンドギャップエネルギーよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】クリーム半田塗布領域を拡げずに実装強度を確保できるリード付き部品の実装方法を提供する。
【解決手段】基板１には、本体部１１０のリード（図示せず）を挿入するメッキ付きのリード挿入孔１１１及びリード挿入孔１１２を備え、リード挿入孔１１１の周囲にはクリーム半田塗布領域１１３が設けられ、リード挿入孔１１２の周囲にはクリーム半田塗布領域１１４が設けられている。リード挿入孔１１１に隣接してメッキ無しの半田補充孔１１５ａ、半田補充孔１１５ｂ、及び半田補充孔１１５ｃが設けられ、リード挿入孔１１２に隣接してメッキ無しの半田補充孔１１６ａが設けられている。半田補充孔１１５ａ、半田補充孔１１５ｂ、及び半田補充孔１１５ｃの補充されたクリーム半田はリード挿入孔１１１に引き込まれ、半田補充孔１１６ａの補充されたクリーム半田はリード挿入孔１１２に引き込まれることで、リード付き部品１０が基板１に半田付けされる。 （もっと読む）

【課題】多接合型太陽電池におけるサブセルの短絡電流値を高め、よって、光電変換効率を向上させる。
【解決手段】基板を兼ねるボトムサブセル１０と、複数のサブセルとを備える。複数のサブセルのうちの少なくとも１つは、基板１０に格子整合されたｐ型半導体層２１およびｎ型半導体層２５と、ｐ型半導体層２１とｎ型半導体層２５との間に挟まれ量子層２３Ａと障壁層２３Ｂとが積層されて構成された超格子半導体層２３とを有する。 （もっと読む）

【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、光電変換部３を備える。光電変換部３は、ｐ型非晶質半導体層３１、バッファ層３２、ｉ型非晶質半導体層３３およびｎ型非晶質半導体層３４を積層した構造からなる。バッファ層３２における炭素原子の含有量は、基準値よりも少なく、基準値は、３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．２×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲、または３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．４×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲からなる。 （もっと読む）

【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、光電変換部３を備える。光電変換部３は、ｐ型非晶質半導体層３１、バッファ層３２、シリコン薄膜３３、ｉ型非晶質半導体層３４およびｎ型非晶質半導体層３５を積層した構造からなる。バッファ層３２は、１．９８〜２．０ｅＶの光学バンドギャップを有し、シリコン薄膜３３は、１．８８〜１．８９ｅＶの光学バンドギャップを有し、ｉ型非晶質半導体層３４は、１．８５ｅＶの光学バンドギャップを有する。その結果、バッファ層３２とｉ型非晶質半導体層３４との間のバンド不連続が小さくなる。また、ｉ型非晶質半導体層３４をプラズマＣＶＤ法によって形成するときに、ｐ型非晶質半導体層３１中のドーパント（ボロン）のｉ型非晶質半導体層３４中への拡散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】光劣化率を低減可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、光電変換部３を備える。光電変換部３は、ｐ型非晶質半導体層３１、バッファ層３２、シリコン薄膜３３、ｉ型非晶質半導体層３４およびｎ型非晶質半導体層３５を積層した構造からなる。バッファ層３２における炭素原子の含有量は、基準値よりも少なく、基準値は、３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．２×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲、または３×１０^１４（個／ｃｍ^２）〜１．４×１０^１６（個／ｃｍ^２）の範囲からなる。また、シリコン薄膜３３は、バッファ層３２とｉ型非晶質半導体層３４との間に配置され、バッファ層３２の光学バンドギャップとｉ型非晶質半導体層３４の光学バンドギャップとの間の光学バンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】裏面パッシベーション型の光電変換素子において、裏面電極のまわりに均質にＢＳＦを形成し、変換効率を向上させる。
【解決手段】光電変換素子１は、片面にｎ型拡散層１１が形成され、前記片面と反対側の面に凹部１０ｂを有するｐ型結晶シリコン基板１０と、前記ｐ型結晶シリコン基板１０の前記片面と反対側の面に接して形成され、前記凹部１０ｂと対応する位置に開口部３０ｂを有するパッシベーション膜３０と、前記開口部３０ｂを介して前記凹部１０ｂと接するように形成されたアルミニウム電極４３とを備え、前記ｐ型結晶シリコン基板１０は、該ｐ型結晶シリコン基板１０よりもドーパント濃度の高い高濃度ｐ型拡散層１３を前記凹部１０ｂに有し、前記アルミニウム電極４３は、前記ｐ型結晶シリコン基板１０の凹部１０ｂに沿って窪んでいる。 （もっと読む）

【課題】裏面パッシベーション型の光電変換素子において、裏面電極のまわりに均質にＢＳＦを形成し、変換効率を向上させる。
【解決手段】光電変換素子１は、片面にｎ型拡散層１１が形成され、前記片面と反対側の面に凹部１０ｂを有するｐ型結晶シリコン基板１０と、ｐ型結晶シリコン基板１０の前記片面と反対側の面に接して形成され、凹部１０ｂと対応する位置に開口部３０ａを有するパッシベーション膜３０と、開口部３０ａを介して凹部１０ｂと接するように形成されたアルミニウム電極４１とを備える。ｐ型結晶シリコン基板１０は、ｐ型結晶シリコン基板１０よりもドーパント濃度の高い高濃度ｐ型拡散層１２を凹部１０ｂに有する。 （もっと読む）

【課題】構造の自由度を確保して分極を抑制可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１と、ｎ型非晶質膜２，２１〜２ｍと、ｉ型非晶質膜１１〜１ｎと、ｐ型非晶質膜３１〜３ｍ−１とを備える。ｎ型単結晶シリコン基板１は、リン（Ｐ）が拡散された拡散領域１０を含む。ｎ型非晶質膜２は、ｎ型ａ−Ｓｉからなり、ｎ型単結晶シリコン基板１の光入射側の表面に接して形成される。ｉ型非晶質膜１１〜１ｎは、ｉ型ａ−Ｓｉからなり、ｎ型単結晶シリコン基板１の光入射側と反対側の表面に接して形成される。ｎ型非晶質膜２１〜２ｍは、ｎ型ａ−Ｓｉからなり、それぞれ、ｉ型非晶質膜１１，１３，・・・，１ｎ−２，１ｎに接して形成される。ｐ型非晶質膜３１〜３ｍ−１は、ｐ型ａ−Ｓｉからなり、それぞれ、ｉ型非晶質膜１２，１４，・・・，１ｎ−１に接して形成される。 （もっと読む）