【課題】リーク電流及び電子トラッピング現象を同時に抑制できる半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】基板(1)上に形成された核生成層(2)と、核生成層(2)上に形成された第一の
窒化物半導体層(3)と、第一の窒化物半導体層(3)上に形成され、かつ第一の窒化物半導体層(3)よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層(4)と、を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、第一の窒化物半導体層(3)中のシリコン濃度が、１×１０^１４ｃｍ
^−３から５×１０^１６ｃｍ^−３の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】高効率で大電流の通電が可能な発光ダイオードを提供する。
【解決手段】活性層１４と、この活性層１４を両側から挟む下部クラッド層１３及び上部クラッド層１５からなるＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の上側には、円形状のワイヤボンディング用電極１９と、これに接続された十字形の電流分散用枝状電極１８が設けられ、電流分散用枝状電極１８には電流注入用コンタクト電極１７が接続され、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層の下側には、電流注入用界面コンタクト電極１２が設けられ、電流注入用界面コンタクト電極１２の下面には光反射ミラー層１０が設けられている。電流注入用界面コンタクト電極１２は、ワイヤボンディング用電極１９の直下の外周部又はその近傍の領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ断面形状の幾何学構造や光ファイバの設置形状を最適化することなく、励起光を利得コア中に効率的に結合できる光ファイバを提供する。
【解決手段】利得媒質となる希土類が添加されたコア２と、コア２の外周に形成されたクラッド３とを備え、クラッド３を伝搬する励起光をコア２中に結合させる光ファイバ１において、クラッド３が、クラッド３の長手方向に沿って凹凸形状を有するものである。 （もっと読む）

【課題】低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III-V族窒化物系半導体結晶の成長の初期又は途中の段階では結晶成長界面に複数の凹凸を出しながら結晶成長を行い、次いで前記凹凸を埋めるように結晶成長を行って前記結晶成長界面を平坦化し、さらに平坦化した結晶成長界面の形状を保ったまま10μm以上の厚さにわたって結晶成長を継続するIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法自立したIII−V族窒化物系半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法によるエピタキシャルウエハの製造において、原料の利用効率を向上させ、成長時間を短縮することによる生産性の向上により、低コスト化が可能な化合物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の化合物半導体製造装置は、基板上に化合物半導体エピタキシャル層を成長させる有機金属気相成長装置であって、成長ガス流路を形成する上壁の一部として円板状のサセプタを有し、前記サセプタに対向して前記成長ガス流路の下壁を構成する対向板を有し、前記サセプタと同心円状に複数の前記基板を前記サセプタに配設し、かつ前記基板の成長面を前記成長ガス流路側に向けて支持し、前記対向板における前記サセプタ中心に対面する部分から成長ガスを導入し、前記サセプタの外側に向かって前記成長ガスを排気する構造において、
前記成長ガスの流量を15〜80 NL/minとし、前記成長ガス流路の高さを１〜30 mmに制御する構成とする。 （もっと読む）

【課題】製造設備の変更を要さず、軟化温度を低下させた銅荒引線の製造方法及び銅荒引線に冷間加工と熱処理を施し、最終導体の導電率が高い銅線を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る銅荒引線の製造方法は、不純物元素を含む銅の溶湯に鋳造処理を施して銅鋳塊にし、その銅鋳塊に熱間圧延加工を多段に施して銅荒引線を製造する方法において、上記鋳造処理を１１００℃以上１２００℃以下の鋳造温度で行い、上記熱間圧延加工の最終圧延を５００℃以上６００℃以下の圧延温度で行うものである。 （もっと読む）

【課題】気泡や空隙や歪み等のない均等な貼り合わせ（面的接合）を達成することのできる貼合基板の製造方法および貼合基板ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】二枚以上の基板１，２を重ね合わせて、可撓性を有する密封用容器３内に収容し、当該密封用容器３内を減圧して密封する工程と、重ね合わされた前記基板１，２が密封された前記密封用容器３を加圧容器５内に収容し、当該加圧容器５内の加圧用流体６を大気圧を超える圧力に加圧する工程と、前記加圧容器５内を５０℃以上に加熱する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 深さ方向の元素組成が均一であり優れた圧電特性を有するニオブ酸カリウムナトリウム薄膜を用いた圧電薄膜素子及び圧電薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に少なくとも下部電極、一般式（Ｋ_ｘＮａ_１−ｘ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造を有し、膜厚が０．２μｍ以上かつ１０μｍ以下である圧電薄膜、及び上部電極を配した構造を有する圧電薄膜素子であって、前記圧電薄膜の上部電極側から下部電極側の深さ方向組成プロファイルにおけるにおけるＮａの組成比１−ｘ＝Ｎａ／（Ｋ＋Ｎａ）の最大値と最小値の差が０．０５以下という関係を有する。 （もっと読む）

【課題】光ファイバ型部品で構成した光波長フィルタモジュールを提供することにある。
【解決手段】第１ポートに入射された光を第２ポートから出射すると共に、第２ポートに入射された光を第３ポートから出射する第１光サーキュレータ２Ａ及び第２光サーキュレータ２Ｂと、所定の波長の光を透過すると共に、他の波長の光を反射させるファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）部６ａ，６ｂが形成された分離用光ファイバ５と、他の波長の光を分波するファイバ型分波器４とを備え、第１光サーキュレータ２Ａの第３ポートと第２光サーキュレータ２Ｂの第１ポートとが接続され、第２光サーキュレータ２Ｂの第２ポートに分離用光ファイバ５が接続され、第２光サーキュレータ２Ｂの第３ポートにファイバ型分波器５が接続されたものである。 （もっと読む）

【課題】優れた圧電特性を有するニオブ酸カリウムナトリウム薄膜を用いた圧電薄膜素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に少なくとも白金等の下部電極２、一般式（Ｋ_ｘＮａ_１−ｘ）ＮｂＯ_３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造を有し、膜厚が０．２μｍ以上かつ１０μｍ以下である圧電薄膜３、及び白金等の上部電極４を配した構造を有する圧電薄膜素子８であって、前記圧電薄膜３におけるＫ、Ｎａ及びＮｂの組成が、１．１５＜（Ｋ＋Ｎａ）／Ｎｂ＜１．５０の関係を有する。 （もっと読む）