【課題】取扱い性に優れ、かつ、所望の耐熱性及び耐食性を有するろう付け用複合材及びそれを用いたろう付け製品を提供するものである。
【解決手段】本発明に係るろう付け用複合材は、ろう材の一成分である金属Ａの層１と、ろう材のもう一方の成分であり、少なくとも一種の金属からなる金属Ｂの層２を積層、複合一体化してなり、それらの積層体の層構造を対称構造としたものである。 （もっと読む）

【課題】通常のバルク結晶の測定で得られる、平均化された電気特性の値通りの性能を得ることが可能なIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びIII−Ｖ族窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】基板面内の任意の場所でｎ型不純物濃度の最小値が５×１０^１７ｃｍ^−３以上としたIII−Ｖ族窒化物系半導体基板とする。また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 （もっと読む）

【課題】反りの小さい自立したIII−Ｖ族窒化物系半導体基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板３１上に、ＧａＮ低温バッファ層３２を介してＧａＮ層３３をエピタキシャル成長させる。次いでこの基板を反応管から取り出し、サファイア基板３１、ＧａＮ低温バッファ層３２およびＧａＮ層３３の一部を除去することにより自立ＧａＮ基板３５を得る。その後、この自立ＧａＮ基板３５を電気炉に入れ、ＮＨ_３雰囲気で１２００℃で２４時間熱処理を行う。以上のようにして、表面転位密度４×１０^７ｃｍ^−２、裏面転位密度８×１０^５ｃｍ^−２、転位密度比５０の自立ＧａＮ基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの接着性の向上を図った発光ダイオードアレイおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の発光ダイオードと、これら発光ダイオードに電気を供給するための第１の電極用及び第２の電極用のボンディングパッドとを備えた発光ダイオードアレイにおいて、前記ボンディングパッドが、下部金属層４１と、前記下部金属層４１を覆う絶縁膜に形成されたコンタクト孔４０を介して前記下部金属層４１に接触している上部金属層４２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】表面粗さの値が低くかつ微細クラックの少ない表面特性を有する、めっき性に優れた銅または銅合金材およびその製造方法、並びにこれをリードフレーム材として備える半導体パッケージを提供する。
【解決手段】表面粗さが算術平均粗さ(Ｒａ)で０．１μｍ以下、かつ最大高さ(Ｒｍａｘ)で１μｍ以下であり、さらに材料表面の微細クラックが当該表面の任意の１００μｍ角あたり１０個以下である銅または銅合金材を、仕上げ前圧延として、ショットブラスト処理した、Ｒａで０．１〜１μｍの表面粗さを有するロールを用いて圧延を行い、仕上げ圧延として、Ｒａで０．１μｍ未満の表面粗さを有するブライトロールを用いて、トータル圧延量を１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲で圧延を行い、製造する。 （もっと読む）

【課題】アンモニアと有機窒素原料とを混合して供給し、混合して排気処理できる半導体結晶成長装置を提供する。
【解決手段】アンモニアと有機窒素原料ｘを反応炉２に供給して窒化物半導体の気相成長を行う半導体結晶成長装置１において、上記反応炉２をバイパスさせて排気処理される有機窒素原料ｘをあらかじめ熱処理する熱処理部３を備えた。 （もっと読む）

【課題】高速のデジタル信号を２本のペアとなる信号線路で伝送する場合において、レシーバ回路の直前での同相雑音印加にも強い差動信号伝送システムを提供することにある。
【解決手段】本発明は、差動信号を送信するドライバ回路１０と前記差動信号を受信するレシーバ回路４０とを設け、前記ドライバ回路から送信される差動信号と前記レシーバ回路で受信される差動信号とを少なくとも２つの信号線路３０を用いて接続して構成した差動信号伝送システムであって、前記ドライバ回路において、前記差動信号の一方の信号と他方の信号との間に任意の時間差をつけて送信するように構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】夜間もしくは暗所において残光輝度による識別が可能なケーブルにおいて、蓄光材料を含んだプラスチックの蓄光性成形層の劣化による、ケーブルのプラスチック層の絶縁耐力の低下や機械強度の低下、さらには耐候性の低下、また蓄光性成形層の剥がれによる残光輝度の低下を防止するケーブルを提供する。
【解決手段】ケーブル１２の表面の長手方向に突起４を設け、その一部に蓄光性成形層３を設けた。 （もっと読む）

【課題】電流利得βの向上が図れる半導体装置用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(1)上に、少なくともIII−Ｖ族化合物半導体からなるコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)が積層形成された半導体装置用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層(4)中のＣ濃度分布が、エミッタ層(5)との界面近傍において低濃度になっている。 （もっと読む）

【課題】光路長誤差を正確にかつ容易に測定し高分解能かつ低クロストーク特性を有するアレイ導波路回折格子を提供すること。
【解決手段】回折格子は、第１ブロック１０１及び第２ブロック１０２を備える。第１ブロック１０１は、複数の入力導波路１０３、スラブ導波路１０４、遅延導波路アレイ１０５、及び樹脂が充填された細溝１０６から構成され、第２ブロック１０２は、複数の入力導波路１０７、スラブ導波路１０８、及び複数の出力導波路１０９から構成される。アレイ導波路の途中で回路を切断しているため、相対位相の測定が容易にできる。樹脂は屈折率調整されていて、位相誤差を補償する。 （もっと読む）