【課題】高性能、高信頼性で安価な光送受信器を提供することにある。
【解決手段】情報システム機器と電気的に接続する接続端子５を有する回路基板２と、送受信用光ファイバに接続する光コネクタ１４と、回路基板２に搭載され、回路基板２からの電気信号を光信号に変換する発光素子を有する光送信アセンブリ３と、その光送信アセンブリ３に一端が接続され、光コネクタ１４に他端が接続される内部送信用テープファイバ１３ｔと、光コネクタ１４に一端が接続される内部受信用テープファイバ１３ｒと、回路基板２に搭載され、受信用光ファイバ１３ｒからの光信号を電気信号に変換する受光素子を有し、内部受信用テープファイバ１３ｒの他端が接続される光受信アセンブリ４とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】センシング部の応答距離を維持したまま、温度や歪み等の物理量の測定精度を向上させることができる光ファイバセンサを提供する。
【解決手段】温度、歪み、圧力等の物理量を測定する光ファイバからなるセンシング部１１と、センシング部１１において物理量を光学的に測定するための光源１３と、センシング部１１からの後方散乱光を検出する光検出器とを備えた光ファイバセンサにおいて、センシング部１１は、複数本の光ファイバ２１を近接して並列に設けると共に、それら複数本の光ファイバ２１を一本の光伝送路として光学的に接続した。 （もっと読む）

【課題】従来からバッキング・プレートに望まれている特性（例えば、熱伝導性、機械的強度、および耐熱性）に加えて、特に、バッキング・プレートの大型化要求に対応した耐酸化性に優れた特性および良好な切削加工性を兼ね備えた銅合金製バッキング・プレートおよびバッキング・プレート用銅合金の製造方法を提供する。
【解決手段】バッキング・プレート用銅合金は、Ｆｅを０．１〜３．０質量％、Ｐを０．００１〜０．１質量％、Ｚｎを０．０１〜１．０質量％、Ｓｉを０．００５〜０．２質量％含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる銅合金鋳塊を鋳造し、所定の条件のもとで熱間圧延を施し、４００〜６５０℃、３０〜６００分間の熱処理による時効熱処理を行った後、所定の条件のもとで冷間圧延を行う。これにより、良好な熱伝導性，機械的強度，耐熱性に加えて、耐酸化性および切削加工性に優れたバッキング・プレート用銅合金を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系の構成にあって、発光輝度の低下が少なく、低消費電力化が可能で、かつ高信頼が得られる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。発光部４の各層に含まれる水素の濃度を２×１０^１７ｃｍ^−３以下、炭素の濃度を２×１０^１６ｃｍ^−３以下、及び酸素の濃度を２×１０^１６ｃｍ^−３以下とし、更に、電流拡散層６の一部または全ての領域における水素の濃度を５×１０^１７ｃｍ^−３以下、炭素の濃度を５×１０^１７ｃｍ^−３以下、及び酸素の濃度を２×１０^１６ｃｍ^−３以下とする。 （もっと読む）

【課題】比較的容易な製造方法で樹脂シートとの接着性に優れた粗面を有する圧延銅箔及びその製造方法並びに圧延銅箔を用いたフレキシブルプリント基板を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る圧延銅箔は、フレキシブルプリント基板の基板回路に使用され、銅箔をロール圧延してなるものであり、圧延銅箔１の圧延面４の表面粗さＲａを、電解銅箔と同等の０．２５〜０．３５としたものである。 （もっと読む）

【課題】高い放電容量を有しながら充放電を繰り返しても集電体である銅箔から活物質が剥離、脱落することなく、サイクル特性に優れたリチウムイオン二次電池用負極を提供する。
【解決手段】銅細線１２で編んだクロス状のメッシュ１１にＳｎもしくはＳｎ合金（Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｆｅ、Ｓｎ−Ｃｏ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｓｂなど）めっきを施した。 （もっと読む）

【課題】多機能を有するスペーサにより光モジュールの組み立て作業性を向上し、接続信頼性をアップさせた光モジュールを提供する。
【解決手段】回路基板１１と、その回路基板１１に搭載され、電気信号を光信号に、または光信号を電気信号に変換する複数個の光素子を有すると共に、その各光素子の光信号を波長多重する光合波器、または各光素子に入力される光信号を波長分離する光分波器を有する光アセンブリ１２と、その光アセンブリ１２に接続されて光合波器からの光信号、または光分波器への光信号を伝送する光ファイバ１７とを備えた光モジュール１において、回路基板１１と光アセンブリ１２間に介在され、光アセンブリ１２を載置する構造である光アセンブリ用スペーサ１を備え、回路基板１１の側部にスリット４１を形成し、そのスリット４１上に光アセンブリ用スペーサ１を介して光アセンブリ１２を搭載したものである。 （もっと読む）

【課題】温度特性を向上させると共に回転角度依存性を抑制する基板コイル型磁歪トルクセンサのオフセット電圧低減方法及びその基板コイル型磁歪トルクセンサを提供する。
【解決手段】磁歪特性を有する回転軸と磁心との間に回転軸に対して＋４５度傾斜させた複数のコイルを有する配線層２，４と−４５度傾斜した複数のコイルを有する配線層３，５とをそれぞれ２層有する４層フレキシブル基板１が配置されており、２つの配線層のそれぞれ半数のコイルを直列接続して形成される２つの＋４５度検出コイル回路２２，２３及び２つの−４５度検出コイル回路２４，２５でブリッジ回路が組まれている。 （もっと読む）

【課題】従来のＨＶＰＥ装置の欠点を解決したIII族窒化物半導体の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】成長炉３内に原料となるIII族ガスｇ３とＶ族ガスｇ５を供給し、これらガスｇ３，ｇ５で基板２上にIII族窒化物半導体結晶Ｃを成長させるIII族窒化物半導体の製造装置１において、成長炉３は、隔壁４で相互に分離されたIII族ガスｇ３が供給されるＡ室５ａと、Ｖ族ガスｇ５が供給されるＢ室５ｂとの少なくとも２室を備え、Ａ室５ａおよびＢ室５ｂの両ガス出口７，９を隣接させ、これら両ガス出口７，９近傍に基板２を配置したものである。 （もっと読む）

【課題】ＴＡＢテープにおけるインナーリードのクラックや形状不良等の発生を解消する。
【解決手段】この半導体装置用ＴＡＢテープの製造方法は、ボンディング用窓３が穿設された絶縁性基板１の表面に銅箔４を貼り合せる工程と、銅箔４の表面にドライフィルム５を貼り合わせ、そのドライフィルム５をパターニングする工程と、パターニングされたドライフィルム５をエッチングレジストとして用いて、エッチング法により銅箔４をパターン加工して、ノッチ部を有すると共にボンディング用窓３に架け渡された形状のインナーリード８を形成する工程と、インナーリード８をノッチ部にて切断し折り曲げ加工する工程とを含んでいる。 （もっと読む）