【課題】エピタキシャル結晶成長時に反応炉の導入配管内に残留したＳｅの影響を受けないIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明に係るIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、反応炉５内に配置した基板上にＳｅを含むIII−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル結晶を層成長させた後、次回のエピタキシャル結晶成長を行う前に、反応炉５の導入配管３に有機金属ガス２のみを流し、導入配管３内に残留したＳｅを取り除くものである。 （もっと読む）

【課題】加工・組立コストの低廉化を図ることができるとともに、センサ全体の良好な組立性を得ることができるトルクセンサを提供する。
【解決手段】トルク検出対象としての軸体２を構成する２つの軸部３，４（入力軸３と出力軸４）を同軸上で連結する弾性体５の捩れ角度を検出することにより、軸体２に作用するトルクを検出するトルクセンサ１用の一体化部品であって、硬磁性体６と、硬磁性体６に隣接した第１軟磁性体７と、軸体２に固定される円筒状部材１７とを備え、硬磁性体６および第１軟磁性体７は、円筒状部材１７の外周面に組付けられ一体化されている。 （もっと読む）

【課題】ネットワーク構築時に必要な通信装置の種類、台数を減らし、無駄な高速・短距離ポートを減らすスイッチ機能付通信モジュールを提供する。
【解決手段】接続される複数個の定格通信モジュール１３より所定の通信速度で送受信される通信信号を処理する複数個の装置側信号処理回路１４ａ〜１４ｄと、通信信号の送信先を切り替えるスイッチＬＳＩ１５とを備えた通信装置１１に装着されると共に、上記各定格通信モジュール１３に接続され、これら各定格通信モジュール１３や複数個の外部装置と送受信するための通信モジュール１であって、各定格通信モジュール１３の通信速度で送受信される通信信号を複数の通信信号に分け、あるいは各外部装置の通信速度で送受信される通信信号をまとめるスイッチ機能を有するスイッチ部２と、複数個のポート３を有し、スイッチ部２と接続されるコネクタ４とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時又はＬＥＤ通電時のｐ型ドーパントの活性層への拡散を抑制することが可能なエピタキシャルウェハ及びそのウェハを用いた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓバッファ層１２、Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１３、アンドープＡｌＧａＩｎＰ活性層１４、Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１５、第一のＧａＰ電流分散層１７ａ(膜厚４μｍ、キャリア濃度４．０×１０^１８／ｃｍ^３、炭素濃度１．０×１０^１７ｃｍ^−３)、第二のＧａＰ電流分散層１７ｂ(膜厚８μｍ、キャリア濃度４．０×１０^１８／ｃｍ^３、炭素濃度１．０×１０^１８ｃｍ^−３) を順次積層成長させた。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を低コストで実現することのできる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ＤＢＲ光反射層６に凹凸が形成されているため、ＤＢＲ光反射層６で反射された光は、反射角が変わり、臨界角以下の方向に反射される可能性が生じ光を取り出すことができるようになる。また、この凹凸を形成した基板上にエピ層が形成されているため、エピ層表面にも凹凸部が形成されることになり、表面に向かった光も光取り出し効率が高くなるとともに、また表面で反射する光も反射方向が変えられるという効果もある。 （もっと読む）

【課題】高精度な構造設計と、その成長条件への正確なフィードバックを可能にすることにより、垂直放射角などの光学特性が非常に安定で、かつバラツキが少ないＬＤを作製できる半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にエピタキシャル層を複数層を成長させて作製する半導体デバイス用エピタキシャルウエハの製造方法において、予め作製した複数層のエピタキシャル層におけるＡｌ組成の深さ方向プロファイルを、２次イオン質量分析法により直接求め、求めたＡｌ組成の深さ方向プロファイルデータを基に、上記Ａｌ組成が深さ方向で所定のプロファイルとなるように成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】 配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって作製される高密度な半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１の裏面から表面まで、その絶縁基板１を貫通するように開口４を設ける。そしてその開口４を通して裏面側に露出されるめっき用給電線３を、エッチングによって除去する。そしてそのめっき用給電線３を除去した後、金めっき層１０の表面に貼り付けられた粘着フィルム１１を引き剥がすことで、その粘着フィルム１１と共に金めっき層１０およびニッケルめっき層９を確実に除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電磁波特性に優れ、透明性（無視認性）を有し、かつ、一定の機械的強度を維持しつつ、軽量化を実現できる電磁波シールドフィルターを提供することを目的とする。
【解決手段】２枚の透明基板間に複数の線材を組み合わせてなる導電性メッシュを介在させて、接着樹脂で接合一体化してなる電磁波シールドフィルターにおいて、前記導電性メッシュを構成する線材は、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｉｎ合金又はＣｕ−Ａｇ合金からなることを特徴とする電磁波シールドフィルター。 （もっと読む）

【課題】半田を使用しない小型のアイリス用のホールセンサ搭載基板を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓからなるホール素子ベアチップ３を直接フレキシブル基板１に搭載して、そのホール素子ベアチップ３をシリコーンゴム６などで樹脂封止したものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁性及び耐熱老化性等に優れた環境配慮型の難燃性樹脂組成物及び電線・ケーブルを提供する。
【解決手段】ハロゲン系ポリマ１００重量部に対し、水浸液導電率が５μＳ／ｃｍ以下であり、鉛化合物、クロム化合物、水銀化合物、カドミウム化合物、砒素化合物、鉄化合物及び銅化合物などの不純物金属の合計含有量が、金属換算で１００ｐｐｍ以下である三酸化アンチモンを０．５〜３０重量部配合することで、環境に配慮するとともに、絶縁性及び耐熱老化性等に優れた難燃性樹脂組成物が得られる。 （もっと読む）