【課題】 ウェハもウェハホルダも損傷しないウェハホルダを提供する。
【解決手段】 オリエンテーションフラット１を有するウェハ２を載置するための水平な底部３の周囲に前記ウェハ２の移動を規制するための壁４が形成され、前記ウェハ２の法線に平行な公転軸の周りに前記ウェハ２を公転させるウェハホルダ１０において、前記壁４のうち前記オリエンテーションフラット１に対向する部分（対向部）５が前記オリエンテーションフラット１に向かって曲線状に膨らんでいる。オリエンテーションフラット１の角が対向部５に接触することがないので、ウェハ２もウェハホルダも損傷しない。 （もっと読む）

【課題】 回折格子に反射膜を形成しなくとも光損失を低減する。
【解決手段】 光信号を入射する複数の光入射部と、光入射部から入射した上記光信号を反射、回折する回折格子と、回折した上記光信号を導入して出射する光出射部とを備える光合波器において、回折格子へ入射した光信号が反射するように、光信号の波長をλ、回折格子の格子周期をｄ、光信号の回折格子への入射角度をｉ（ｉ＞０）、回折格子の入射側の屈折率をｎ₁ 、回折格子の外側の屈折率をｎ２としたとき、
ｎ₁＞ｎ₂ かつ、
【数１】


を満たして回折格子を形成した。 （もっと読む）

【課題】プレーナドープＨＥＭＴのシートキャリア濃度の面内バラツキを抑えることができる気相成長方法を提供すること。
【解決手段】半導体結晶を成長させる基板３をサセプタ１に保持し、該基板３をサセプタ１に対して自転させ、サセプタ１を加熱し、加熱された基板３上に原料ガス及び希釈用ガスを供給して、プレーナドープ層を有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶を成長する気相成長方法において、成長中断を行い不純物単原子をドーピングするプレーナドープ層の成長時間を、基板３が自転で１回転する時間ｔの整数倍とする。 （もっと読む）

【課題】 回転体の回転角度、特にその絶対角度の検出をコンパクトな機構によって簡単、かつ高精度に計測する。
【解決手段】 第一の歯２ａを有し、上面に螺旋状の溝部２ｂが形成された回転体２と、前記回転体の溝部２ｂに沿って移動する移動体４と、前記回転体２が回転したとき前記移動体４の移動角度を検出する回転体用角度センサ６と、前記回転体４の第一の歯２ａと噛合する第二の歯７ａを有し、前記回転体２の回転に伴って回転する歯車７と、前記歯車７の回転角度を検出する歯車用角度センサ８と、前記回転体用角度センサ６と前記歯車用角度センサ８の両出力信号に基づいて前記回転体２の回転角度を検出する演算部９を備えた。 （もっと読む）

【課題】ウェハを差し込もうとする一対の相対向する溝を容易に識別でき、ウェハの差込みミスを防止できるようにする。
【解決手段】相対向する一対の側壁部材（１、２）の対向面に、ウェハ（Ｗ）の縁辺を案内する対向溝（３）が所定ピッチで互いに平行に複数設けられてなるウェハ用キャリアにおいて、上記各対向溝（３）を、上記一対の側壁部材（１、２）の内面に交互に配置されたウェハ差込側端部のテーパー角度（α、β）が異なる第一の凸部（５）と第二の凸部（６）とにより形成するようにする。その場合、上記一対の側壁部材（１、２）のうちの一方の側壁部材（１）の第一の凸部（５）と他方の側壁部材（２）の第一の凸部（５）とを互いに対向する同一位置に設け、同様に、一方の側壁部材（１）の第二の凸部（６）と他方の側壁部材（２）の第二の凸部（６）を互いに対向する同一位置に設けるようにする。 （もっと読む）

【課題】 払い出される有機金属の量を安定させる有機金属原料供給方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 冷媒４を満たした恒温槽５内に浸漬した容器１中に液体または固体の有機金属３を収納し、前記容器１内にガスを導入することでそのガスと共に前記有機金属３を蒸気として前記容器１から払い出す有機金属供給方法において、前記容器１に振動を与えて前記有機金属の析出を防止することで、払い出される有機金属の量を安定させる。 （もっと読む）

【課題】 転写フィルム上に形成した配線導体の封止樹脂への転写を容易にする半導体装置用転写フィルム基板を提供する。
【解決手段】 転写フィルム２上に配線導体５を形成する半導体装置用転写フィルム基板１において、導電性金属テープ５ｔをプレス打ち抜きして配線導体５を形成し、その配線導体５を転写フィルム２上に仮圧着したものである。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長させる基板に熱を均一に伝え、基板の裏面への原料ガスの回り込みを防止する気相エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】 基板３を結晶成長用治具４の収容穴４ｈに固定用爪１１にて保持すると共に、基板３の裏面３ｒに均熱板２を配置し、基板３表面３ｆに気相エピタキシャル成長させるための気相エピタキシャル成長装置１において、基板３の外周に位置した結晶成長用治具４或いは均熱板２に原料ガスＧの基板３の裏面３ｒへの回り込みを防ぐべく原料ガスＧを排気する逃がし溝５を形成した気相エピタキシャル成長装置１である。 （もっと読む）

【課題】 紙汚染性のない導電性ゴム材料により形成された導電性紙送りローラ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 体積抵抗率が１Ω・ｃｍ以下の第１のカーボンブラックと、表面積が１００ｍ²／ｇ以下の第２のカーボンブラックとを、塩素化ポリエチレンに添加し加熱・混練１０２した後、これをエチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体ゴムに添加・混練１０６して架橋化した導電性ゴム材料とし、この導電性ゴム材料を用いて紙送りローラを成形する導電性紙送りローラ及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 半田接続信頼性を向上させ、製造コストの安価なコアレス基板を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ステンレス合金などめっき密着力の弱い金属仮基板上１１に、半導体パッケージの埋め込みめっき外部接続端子２１を形成する凹部１２を設け、その金属仮基板１１上に、フォトレジスト１３とめっき１４により半導体素子２搭載のためのダイパット２ｂ、配線パターン８、９、１０ｂを形成すると共に、上記凹部１２に配線パターン８、９、１０ｂに接続する埋め込みめっき外部接続端子２１を形成し、その後ダイパット２ｂに半導体素子２を搭載すると共に、その半導体素子２と上記配線パターン８、９、１０ｂとを接続し、さらに金属仮基板１１上の半導体素子２を樹脂５により封止して金属仮基板１１上に半導体パッケージを形成し、しかる後半導体パッケージから金属仮基板１１を剥離した半導体装置である。 （もっと読む）