【課題】記憶部と記憶部の試験を行なう試験部とを備える集積回路の回路規模の増大又は製造コストの増加を低減させる。
【解決手段】記憶部３と、供給される一組のアドレス及びデータを含む試験情報に基づいて前記記憶部３に対する書込及び読出試験を行なう試験部４と、を備え、前記試験部４は、前記試験情報に基づき前記記憶部３への書き込みが行なわれた場合に当該書き込みに用いられた第１書込アドレス及びデータを保持する第１保持部５と、前記試験情報に基づく第２書込アドレス及びデータによる前記記憶部３への書き込みと同時に前記記憶部３の第１読出アドレスから第１読出データを読み出す同時読出に用いる前記第１読出アドレスを、前記第１保持部５に保持された前記第１書込アドレスに基づいて生成する第１生成部６と、前記第１読出データの期待値を、前記第１保持部５に保持された前記第１書込データに基づいて生成する第２生成部７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】貫通ビアを用いた実装における端子間のショートや実装精度の低下を防止する。
【解決手段】半導体チップ８８の貫通ビア８６の上に、他の半導体チップ１０１を実装する。半導体チップ１０１のバンプ１０３は、４つの貫通ビア８６で囲まれた領域に導かれて接合される。各貫通ビア８６は、バンプ１０３に面する側面及び上面の保護膜３１がエッチングによって除去されており、バンプ１０３のハンダ材料への濡れ性が保護膜３１で覆われた領域よりも良好になっている。このために、ハンダ材料のはみ出しによる他の電極との間のショートが防止される。さらに、１つのバンプ１０３に複数の貫通ビア８６からなる接続端子を配置するので、バンプ１０３に確実に接合できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、半導体装置を効率的に冷却すること。
【解決手段】積層された複数の半導体チップ５と、複数の半導体チップ５のいずれかの間に設けられ、冷媒が流れる複数の流路Cを備えたインターポーザ４とを有し、インターポーザ４は、一方の主面同士が互いに接合された第１の基板２１と第２の基板３１とを備え、第１の基板２１と第２の基板３１の少なくとも一方の表面により流路Cが画定された半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】回路基板の信号伝送特性を向上させる。
【解決手段】回路基板１０は、絶縁層６内に設けられた配線層２、配線層４、及び貫通ビアホール７を含む。配線層２は、貫通ビアホール７が接続されたランド部２ａと、そのランド部２ａに接続された配線部２ｂとを有し、ランド部２ａが、配線部２ｂよりも、上層の配線層４から離れる方向に薄くなっている。ランド部２ａを薄くすることで、信号伝送時の、貫通ビアホール７との接続部におけるインピーダンスの低下を抑え、伝送損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】発熱素子とヒートシンクの間に挿入して使用するカーボンナノチューブを使用した放熱シートの熱伝導性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１の上にカーボンナノチューブ４を成長させて形成したカーボンナノチューブの束の上に、ナノシリカ１１を８〜７０ｗｔ％で含有させたシート状の樹脂６を置き、これを加熱してカーボンナノチューブ４の隙間に含浸させた後に硬化してシート状のカーボンナノチューブ４０を形成し、カーボンナノチューブ４０の表面をアルカリ処理して樹脂６の表面にあるナノシリカ１１を溶出させ、樹脂６の表面に現れた空孔１２内にカーボンナノチューブ４の先端部を露出させることにより、カーボンナノチューブ４と発熱体との間の熱伝導性を良くした放熱シートである。 （もっと読む）

【課題】配線基板が周囲の湿度の影響を受け難くする。
【解決手段】プローブカード１は、プリント基板２１を積層したプローブカード基板２を有する。プローブカード基板２の側面には、調湿層３が設けられている。調湿層３は、プローブカード基板２側から順番に、接着層３１と、調湿材層３２と、保護層３３との積層構造を有する。調湿材層３２には、ケイ酸カルシウム水和物からなるトバモライトが用いられている。周囲の湿度が高いときには、水分が調湿材層３２に吸収され、プローブカード基板２の膨張が抑制される。周囲の湿度が低いときには、水分が調湿材層３２からプローブカード基板２に供給され、プローブカード基板２の収縮が抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと高調波発生素子とを用いて倍周波数のレーザ光を出力する発光装置に関し、出力特性の劣化を抑制しうる発光装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】単一縦モード発振する半導体レーザと、半導体レーザの温度を制御する第１のヒータと、半導体レーザから出力された光を増幅して出力する利得部と、利得部の温度を制御する第２のヒータと、利得部から出力された光を二次高調波に変換して出力する第二高調波発生素子と、環境温度及び前記利得部を駆動するための入力信号に基づいて第１のヒータを制御する制御装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】 無機フィラーを多く含む支持ベースにドリルを用いて貫通孔を形成すると、ドリル先端部の摩耗が避けられない。
【解決手段】 半導体チップ、及び該半導体チップに固定され、該半導体チップの縁よりも外方まで配置された絶縁性の樹脂からなる支持ベースにより再構築ウエハが構成される。再構築ウエハの一方の表面である第１の表面に、再配線層が形成されている。再配線層は、絶縁性樹脂からなる絶縁膜、絶縁膜内に配置された複数の配線、絶縁膜内であって半導体チップとは重ならない位置に配置された金属製の複数の第１のパッド、及び絶縁膜の表面に露出する金属製の複数の第２のパッドを含む。再構築ウエハの第１の表面とは反対側の第２の表面から、支持ベースを貫通して第１のパッドまで達するスルーホールが形成されている。スルーホール内に、第１のパッドに接続された導電ビアが形成されている。 （もっと読む）

【課題】チップ表面と樹脂層表面との段差を抑制すること。
【解決手段】支持体１０上に、フィルム１２上に金属膜１４が形成され前記金属膜上にカップリング剤１６が形成された前記フィルムを貼り付ける工程と、前記カップリング剤を介し前記金属膜上にチップ２０を仮固定する工程と、前記金属膜上に前記チップを覆うように樹脂層３２を形成する工程と、前記金属膜と前記カップリング剤との間を剥離することにより、前記支持体を前記チップおよび樹脂層から剥離する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴを実現する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上に化合物半導体積層構造２を備えたＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴにおいて、３層のキャップ層２ｅを用いることに加え、キャップ層２ｅのドレイン電極５の近傍（ゲート電極６とドレイン電極５との間で、ドレイン電極５の隣接箇所）に高濃度ｎ型部位２ｅＡを形成し、高濃度ｎ型部位２ｅＡでは、そのキャリア濃度が電子供給層２ｄのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。 （もっと読む）