【目的】 上位装置と下位装置間におけるデータの転送を制御する記憶制御装置に関し、自己診断を繰り返し行うことによってエラー修復に必要なデータ量を増やし、以てエラー修復に要する時間を短縮することを目的とする。
【構成】 データが転送中か否かを示す識別子を記憶する制御レジスタ15と、自己診断を行う制御部11を備え、該制御部11はデータ転送中か否かを該制御レジスタ15内の識別子により判断しデータ転送中でない場合に自己診断を行うように構成する。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、現用装置と予備装置により構成される二重化システムの各々に接続されて、システムデータの収集および監視等を行なうデータ収集用インタフェース装置に関し、プロセッサにかかる負担を軽減させ、データ収集用インタフェース装置の処理能力の低減を防ぎ、現用装置および予備装置の両方からのメモリアクセスデータが大量に発生した場合においても、プロセッサ処理の輻輳を避け、正常な処理を行なえるようにすることを目的とする。
【構成】 データ収集処理を施すデータ処理部２と、現用装置３，予備装置４とデータ処理部２との間に介装され現用装置３および予備装置４からのアドレス／データ／制御信号とメモリアクセス時に有効となるＲＵＮ信号とを受け、ＲＵＮ信号から先着のＲＵＮ信号系の装置を現用系とみなして現用系のメモリアクセスデータのみを識別して選択する現用系識別部１とを設けるように構成する。 （もっと読む）

【目的】冷却モジュールの搭載構造に係り、特に基板上に実装された発熱部品を液状冷媒を用いて伝導冷却を行う冷却モジュールの搭載構造に関し、Ｉ／Ｏピンとコネクタの接続を確実なものとし、且つ作業性を向上させることを目的とする。
【構成】基板１上に実装された発熱部品を冷却するコールドプレート３とから構成された冷却モジュールを、該基板１の背面から突出する接続ピン５と嵌合される小径を有するコネクタ４に接続すると共に、当該コールドプレート３にカプラを介して冷媒の供給が行われる冷却モジュールの搭載構造において、前記コネクタ４が設けられた搭載フレーム１１に第１のカプラ８ｂを設けると共に、前記コールドプレート３に該第１のカプラ８ｂと接続される第２のカプラ８ａを設け、当該コネクタ４に嵌合される前記接続ピン５の嵌合方向と、接続される該第１のカプラ８ｂと該第２のカプラ８ａとの嵌合方向とを同一にするよう構成する。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、曲線の実数座標値から整数座標値を求めて直線近似する直線近似方式に関し、曲線の実数座標値から整数座標値に変換した後、元の曲線の実数座標値とこの整数座標値との誤差を求め、誤差が小さい整数座標値のみを取り出してこれらを結んで近似直線を求め、拡大時の品質低下を防止した曲線に近い高品質な近似直線を生成することを目的とする。
【構成】 曲線の実数座標値から整数座標値を算出する整数座標算出部２と、元の曲線の実数座標値とこの算出した整数座標値との誤差を求め、この誤差が所定閾値以下の整数座標値を選択する座標選択部３とを備え、選択した整数座標値を直線で結んで直線近似するように構成する。 （もっと読む）

【目的】本発明は半導体集積回路装置に内蔵されたメモリの動作試験の精度を向上させることを目的とする。
【構成】同一チップ１１上にメモリ４と論理回路１２とが形成され、前記チップ１１の試験専用端子Ｔi から入力されるアドレス信号ＡＤに基づいて前記メモリ４の動作試験が行われる。そして、前記試験専用端子Ｔi から入力される多ビットのアドレス信号ＡＤに基づいて該アドレス信号ＡＤがメモリ４の入力ポートＰi に入力された後に前記アドレス信号ＡＤに基づいて所定のパルス幅の書き込み制御信号ＷＥを該メモリに出力するメモリ試験回路１３が備えられる。 （もっと読む）

【目的】冷媒供給システムに係り、特に基板に実装された発熱部品を伝導冷却する際に用いられる冷媒を供給する冷媒供給システムに関し、発熱部品を含む基板の冷却を行う冷媒の供給システムを小型化することを目的とする。
【構成】基板１に実装された発熱部品４を冷却する冷媒を供給する冷媒供給システムにおいて、前記基板１と接合し、前記発熱部品４との熱交換を行うコールドプレート２と、前記冷媒を貯蓄するタンク５と、該冷媒を定量吐出するポンプ１０と、該発熱部品４を冷却することでその温度が上昇した冷媒を放熱する水路７を有するパネル状の放熱プレート６と、該タンク５と該ポンプ１０および該放熱プレート６そして該コールドプレート２をそれぞれ接続する配管３とから構成される。 （もっと読む）

【目的】 本発明は垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置に用いる軟磁性膜上に垂直記録膜を積層した二層膜構造の垂直磁気記録媒体とその製造方法に関し、軟磁性膜の透磁率を高めると共に、浮遊磁界による軟磁性膜の磁壁の移動を抑制して、再生出力の変動と垂直記録膜の情報磁化の減磁や消磁の発生を防止することを目的とする。
【構成】 非磁性基板21上に、該非磁性基板21の半径方向、若しくは円周方向に磁場を印加した状態で Co-Niからなる硬磁性下地膜22を設け、その非磁性基板21の半径方向、若しくは円周方向に残留磁化が付与された該硬磁性下地膜22上に高透磁率な軟磁性膜12と Co-Crからなる垂直記録膜13を順に積層上に形成した構成とする。 （もっと読む）

【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いられる磁気記録媒体の製造方法に関し、磁気記録媒体の磁性記録膜を被覆保護するフェニル系炭化水素をモノマーとして成膜するプラズマ重合膜からなる保護膜を10nm程度に薄膜化しても高い耐久性が得られる方法を目的とする。
【構成】 磁性記録膜13の表面にプラズマＣＶＤ法により、フェニル系炭化水素をモノマーとしたプラズマ重合保護膜22を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記プラズマ重合保護膜22の形成時の反応ガスの圧力を、10Pa〜16Paとして構成する。 （もっと読む）