【目的】 シェルフに配列収容する回路基板に実装された半導体装置などの発熱部品の放熱構造に関し、シェルフ内部の温度上昇を抑え、発熱部品の放熱効率を改善することを目的とする。
【構成】 発熱部品12を実装して回路基板11に取着した放熱補助金具13と前記回路基板に間隔部材15で回路基板に対し平行に離隔固設する放熱体４との間に、熱伝導ばね部材16を介在し、前記放熱体に埋設した複数のヒートパイプ4aをバックボード10に貫通させシェルフ外部に導出し、放熱体に伝わる熱を外部に放熱するように構成する。 （もっと読む）

【目的】 半導体チップを表面実装する回路基板に係わり、特に電源パターンの配線構造に関し、半導体チップに供給する電源電圧のばらつきが小さいことを目的とする。
【構成】 パッド30と電源電極２にボンディングするパッド30と、パターンを介してパッド30に接続された第１のパッド31、表面電源パターン35を介して第１のパッド31に接続された第２のパッド32が、回路基板10の表面に形成され、表面電源パターン35に平行するバイパス電源パターン45が、回路基板10の内層に形成され、バイパス電源パターン45の一方の端末が、所望の抵抗値の第１のビアホール41を介して第１のパッド31に接続され、バイパス電源パターン45の他方の端末が、所望の抵抗値の第２のビアホール42を介して第２のパッド32に接続されてなる構成とする。 （もっと読む）

【目的】 配線接続用スルーホールの形成方法に関し、スルーホール開口時にスルーホール側壁面及び底面に残留する有機ポリマーの除去を完全にして、配線層間接続のコンタクト抵抗の経時劣化を防止することをを目的とする。
【構成】 配線金属膜３上に設けられた絶縁膜４に該配線金属膜３面を表出するスルーホール７を形成するに際して、レジスト６をマスクにし、該絶縁膜に対し活性なエッチングガスによるドライエッチング手段により該絶縁膜４に該配線金属膜３面を表出するスルーホール７を形成する工程と、該レジスト６を、該配線金属３に対し活性なガスを含む酸素ガスによるプラズマエッチング手段により除去する工程を有するように構成する。 （もっと読む）

【目的】 セルフアライン構造を有するバイポーラトランジスタを含む半導体装置とその製造方法に関し、作成プロセスにおける制限が少なく、高性能を実現しやすいバイポーラトランジスタを含む半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】 シリコン基板に形成し、バイポーラトランジスタを有する半導体装置であって、第１の導電型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域内に形成した第２の導電型のベース領域と、前記ベース領域上に形成した第１の導電型のサイドウォール多結晶シリコン層とそこから不純物を拡散させることにより形成した第１の導電型のエミッタ領域とを含む。 （もっと読む）

【目的】 例えばドーナッツ型開口部を有するパターンに導電性高分子膜を成長させることができ、しかも１μｍ以下のような微細パターンの形成を有機高分子膜の選択的成長により可能にする。
【構成】 所定のパターニングを有するフォトレジスト上に触媒を適用し、そのフォトレジストと接触する部分の触媒を失活させ、フォトレジストと非接触の触媒適用部分のみに高分子膜を選択的に成長させる。 （もっと読む）

【目的】半導体集積回路の配線レイアウトのエディタに関し、ルール上のエラー発生の防止を目的とする。
【構成】既存の図形データを記憶する図形データ記憶手段と、既存の図形データの図形に合わせて配線のレイアウトデータを入力するためのデータ入力手段と、データ入力手段によって新たに入力された配線のレイアウトデータを一時的に記憶する一時記憶手段と、配線のレイアウトデータの検証のための基準ルールが格納されたルールデータを出力するルールデータ出力手段と、一時記憶手段に記憶された配線のレイアウトデータと既存の図形データとの整合性を基準ルールを介して検証するレイアウト検証手段と、一時記憶手段に記憶された配線のレイアウトを前記検証の結果に従って既存の図形データに組み込むデータ組込み手段とを備えるように構成する。 （もっと読む）

【目的】 顧客媒体に記載されたデータの一部をイメージデータとして読み取って暗号化してジャーナルに記録することができるイメージデータ記録装置に関し、顧客媒体を傷めることなく、また用紙の補充やランニングコストを不要とし、認証性及び機密性を確保することができるイメージデータ記録装置を提供することを目的とする。
【構成】 顧客固有データを有する媒体１から読取手段８によって読み取った顧客固有データのイメージデータを暗号化手段14によって暗号化し、暗号化したイメージデータにデータ付加手段15によりイメージデータの検索に必要な日付及び装置番号を含む検索情報を付加して、一回だけ書込み可能な記憶手段16に書き込む構成とする。 （もっと読む）

【目的】 パッケージのメタルウォールを貫通してメタルウォール内外に連なる信号線路であって、５０〜６０ＧＨｚ等の超高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることのできる信号線路を備えた高周波素子用パッケージを得る。
【構成】 高周波素子搭載用のメタルベース１０上面に、セラミック枠体２０を介して、キャップ封着用のメタルフレーム３０を気密に接合する。メタルフレーム３０下端縁には切欠き３２を設ける。セラミック枠体２０上面には、切欠き３２を貫通してメタルフレーム３０内外に延出するセラミック枠体２０上面に連なる信号線路４０を備える。信号線路４０周囲の切欠き３２には、誘電体５０を充填して、その誘電体５０で切欠き３２を気密に封ずる。 （もっと読む）

【目的】 複数の電子部品を実装する電子回路実装基板、特に、その電源供給手段に特徴を有する電子回路実装基板に関し、大電流を供給することができ、かつ、実装密度を高くして小型化し、信号の伝播速度を高速化する。
【構成】 支持基板１上に、複数の電源用配線層３と複数の信号用配線層４が互いに絶縁層２によって絶縁された多層配線構造体が形成され、その上に複数の電子部品８が実装され、この電源用配線層３および信号用配線層４と電子部品８の間が必要に応じてＶｉａ５によって接続された電子回路実装基板において、支持基板１自体を導電体とし、電源用配線層３の背面から電源を供給することを可能とした。また、この支持基板１自体を電源用配線層の一つに兼用して配線層数を低減する。 （もっと読む）

【目的】 半導体レーザを用いた光セレクタに関し、他チャンネル信号の漏洩による干渉、信号レベルの低下による信号対雑音比の低下を伴わず、かつ信号の切替えに柔軟性がある光セレクタを提供することを目的とする。
【構成】 光多重信号の分岐回路（１０）と光多重信号の結合回路（２０）との間にそれぞれ固有の発振波長を有する半導体レーザーダイオードを挿入してなる選択増幅部（Ａ）を構成する。また、選択増幅部（Ａ）の半導体レーザーダイオードを選択的に励起状態にする為の制御部（Ｂ）を設ける。本構成によれば、制御部（Ｂ）から、切替えを希望する任意の光信号に対応する半導体レーザーダイオードのみに適当なバイアス電流を供給することにより、任意の光信号を選択して増幅・出力することができる。この場合、光多重信号のうちの特定の１波長を切替え情報用に割り当てて、遠隔切替えを行う構成とすることも可能である。 （もっと読む）