説明

富士電機株式会社により出願された特許

2,141 - 2,150 / 3,146


【課題】半導体パワーモジュールにおける、主として30MHz以下の伝導性ノイズを低減できるようにする。
【解決手段】整流回路7とインバータ回路8とを一体的にパッケージ化した半導体パワーモジュール2に対し、金属ベース板10a,10bおよび冷却体5a,5bのように分離して構成するとともに、冷却体5a,5b間をインピーダンス素子15を介して接続することにより、特に周波数が30MHz以下の伝導ノイズを効率よく低減させる。 (もっと読む)


【課題】冷却に要するコストを削減し、メタン発酵廃液の活性汚泥処理を安定して行うことができるメタン発酵処理方法を提供する。
【解決手段】有機性廃棄物をスラリー調整槽10に供給してスラリー化し、前記スラリー調整槽10内のスラリーをメタン発酵槽20に投入してメタン発酵処理し、メタン発酵処理後のメタン発酵廃液を廃液処理槽40内に投入して、前記メタン発酵廃液を活性汚泥処理するメタン発酵処理方法において、前記スラリー調整槽10及び/又は前記メタン発酵槽20に供給する希釈水とメタン発酵槽20から排出される前記メタン発酵廃液とを熱交換し、熱交換処理後の希釈水を前記スラリー調整槽10及び/又は前記メタン発酵槽20に供給する。 (もっと読む)


【課題】配線部材を二つの部品に分けて半導体チップと絶縁基板の間に接合する際に、配線部材の接合部に集中する残留歪みを避けて高い信頼性が確保できるように配線構造を改良する。
【解決手段】配線部材をヒートスプレッダとして機能する電極板7と、リードフレーム8との二部品に分け、リードフレーム8との非接合状態で電極板7を半導体チップ3の主面に7をろう付けした上で、該電極板7の周縁から側方に延在する延長部にリードフレーム8の接合端部を重ね合わせ、レーザ溶接,電子ビーム溶接法などにより局所加熱してスポット状に融接接合する。 (もっと読む)


【課題】試料由来の定量阻害成分、特に不溶性の蛋白成分を有効に除去することができる、微生物数測定のための試料の前処理方法を提供すること。
【解決手段】試料に混在する蛋白質をアルカリ性緩衝溶液で溶解し、溶解した蛋白質を前記試料から除去した後に、該試料を微生物数の迅速測定に供する。 (もっと読む)


【課題】有機EL層からの発光を効率よく外部へと放出するためのパターン化された高屈折率層を有する有機EL発光装置の製造方法の提供。
【解決手段】支持体上に、有機EL素子、蒸着法による色変換層、およびバリア層を形成し、バリア層をエッチストップ層とするドライエッチングにより、バリア層上にパターン化高屈折率層を形成し、カラーフィルタと貼り合わせることを特徴とする有機EL発光装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】コストアップを抑制しつつ、電力変換や電動機制御などの制御演算を高速に実行することが可能な制御用プロセッサを提供する。
【解決手段】算術論理演算部20には、入力用セレクタ11、12および出力レジスタ30を専用に設け、乗算器21には、入力用セレクタ13、14および出力レジスタ31を専用に設け、バレルシブタ22には、入力用セレクタ15および出力レジスタ32を専用に設け、RAM23には、入力用セレクタ16および出力レジスタ33を専用に設け、符号拡張部24には、入力用セレクタ17および出力レジスタ34を専用に設け、制御部10は、入力セレクタ11〜17を介して出力レジスタ30〜34に格納されたいずれかのデータを選択して、算術論理演算部20、乗算器21、バレルシブタ22、RAM23のいずれかに入力させる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成でソフトウェア化に適した整流回路の制御装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の動作により、N相(Nは2以上の自然数)の交流入力電圧を二つのコンデンサC,Cを介して直流電圧に変換する整流回路を制御するための制御装置において、各相の交流入力電圧検出値とコンデンサC,Cの直流電圧指令値とから通流率補償量を演算する補償量演算手段としての補償器21と、前記通流率補償量をP調節器161,161Raの出力に加算する加算器とを備え、これらの加算器の出力を用いてスイッチング素子SR1,SR2の駆動信号を生成する。 (もっと読む)


【課題】大型設備であっても、絶縁構造体の変形、破損の発生を見ることなく、長期間に亘って絶縁性及び気密性を良好に保持することが可能なプラズマ処理装置の絶縁構造を提供する。
【解決手段】真空容器内の基板224に対向して配置される2つの電極222,223を備え、2つの電極222,223の間に電圧を印加しガスを流すことによって基板の表面にプラズマ処理を行うようにしたプラズマ処理装置において、2つの電極222,223を支持する電極支持枠体226,(222)の側面に角溝231a,231bをそれぞれ設け、上下面と角溝231a,231bとの間に隙間231c,231dを形成して各角溝231a,231bの底面に当接させ、電極支持枠体226,(222)にて絶縁枠230を挟持固定することにより、成膜室235を形成している。 (もっと読む)


【課題】半導体チップとその上面側主電極に接続する配線リード材との間に高い導電性と伝熱経路を確保しつつ、半導体チップと配線リード材との熱膨張差に起因する熱応力を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】放熱用金属ベース1と伝熱接合した絶縁基板2に半導体チップ3を搭載し、その上面主電極に接続する配線リード材4の脚部をマウントした半導体装置において、半導体チップ3と配線リード材4との間に、炭素基材または金属基材の焼結体に該基材よりも融点の低い低融点金属を浸透分散させた複合材で構成した熱応力緩衝部材9を介挿して半導体チップ,配線リード材との間を接合し、熱応力緩衝部材9は半導体チップ2の周域を包囲する箱型形状とし、周縁脚部を金属ベースに伝熱結合した絶縁基板に接合するともに、半導体チップとの接合面域には導体ポスト9aを形成して通電,伝熱路を確保し、さらに熱応力緩衝部材9の内方に封止樹脂12を充填した。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な管理によって、窒素含有廃液の硝化・脱窒処理を長期間安定して維持できる窒素含有廃液の処理方法を提供する。
【解決手段】アンモニア性窒素を含有する廃液を活性汚泥槽20に供給し、空気噴出装置21により前記廃液に対して空気曝気と曝気停止とを交互に繰り返し、空気曝気による好気工程と、曝気停止による嫌気工程とを1サイクルとした間欠曝気処理を行う窒素含有廃液の処理方法であって、pH計26により前記活性汚泥槽内のpHを経時的に測定し、前記間欠曝気処理の1サイクルにおけるpHの最大値と最小値との差分を求め、この差分が予め定めた値を下回った場合には、前記間欠曝気処理の1サイクル当たりの前記活性汚泥槽への廃液供給量を低下させる。 (もっと読む)


2,141 - 2,150 / 3,146