説明

タテホ化学工業株式会社により出願された特許

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【課題】 電子ビーム蒸着法等により蒸着した際に、成膜速度を低減することなくスプラッシュの発生を防止しうる酸化マグネシウム(MgO)単結晶蒸着材を得るためのMgO単結晶、並びに、例えば超伝導特性に優れた超伝導体薄膜を形成しうるMgO単結晶基板を得るためのMgO単結晶を提供すること。
【解決手段】 カルシウム含有量が150×10-6〜1000×10-6kg/kg、ケイ素含有量が、10×10-6kg/kg以下のMgO単結晶であって、MgO単結晶の研磨面をTOF−SIMSにより分析したときのカルシウムフラグメントイオン検出量の変動がCV値で30%以下であるMgO単結晶である。また、このMgO単結晶から得られるMgO単結晶蒸着材及び薄膜形成用MgO単結晶基板である。 (もっと読む)


【課題】 各種水槽、クーリングタワーの貯水槽等において、藻類、アオコ等の発生を長期にわたり防止し、かつ、生物に対して安全な防藻組成物を提供すること。
【解決手段】 亜鉛化合物と有機酸との混合物を含む成形体よりなる防藻組成物である。 (もっと読む)


【課題】 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にMgO膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶MgO蒸着材であって、蒸着時の成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止し、優れた膜特性例えばPDP用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。
【解決手段】 酸化マグネシウム単結晶よりなる蒸着材であって、前記蒸着材の最大投影面の円相当径をD(m)、前記最大投影面に垂直方向の厚みをt(m)、蒸着材の体積をV(m)としたときに、D/tが4以上、tが0.4×10−3m以上、Vが5×10−9以上であり、かつ、前記最大投影面の合計面積の90%以上が、(100)面、(110)面、及び(111)面の少なくとも1種で構成されたものである。 (もっと読む)


【課題】 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にMgO膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶MgO蒸着材であって、蒸着時の成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止し、優れた膜特性例えばPDP用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。
【解決手段】 酸化マグネシウム(200)面のロッキングカーブの半価幅が、0.005〜0.025degreeである酸化マグネシウム単結晶蒸着材、及び、酸化マグネシウム単結晶を解砕する工程を含む酸化マグネシウム単結晶蒸着材の製造方法であって、前記解砕工程が、酸化マグネシウム(100)面方位に対し、−5〜+5degreeの範囲内の角度で刃形状の衝撃体を衝突させることにより劈開する工程を含む方法。 (もっと読む)


【課題】特にアーク電融法を使用して製造されたMgO単結晶の基板上に形成された超伝導体薄膜の超伝導特性を向上させることが可能な結晶性制御MgO単結晶の製造方法及びその基板を提供する。
【解決手段】亜粒界を有し、且つ、同一亜粒界における逆格子マップ測定による回折線位置の変動幅が、Δω座標の変動幅として、1×10−3〜2×10−2degree、且つ、2θ座標の変動幅として4×10−4〜5×10−3degreeであることを特徴とする結晶性制御酸化マグネシウム単結晶を製造した後、2613K以上の温度まで昇温加熱した後、直ちに、もしくは、その温度で所定時間保持した後、50〜300K/hrの冷却速度で2473Kまで冷却する工程を含み、更に昇温と冷却に要した時間を含め、2613K以上の温度範囲に保持する合計時間を10800秒以下とする熱処理を行うことを特徴とする結晶性制御酸化マグネシウム単結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 非常に優れた耐水性を有するリン含有被覆MgO粉末およびその製造方法を提供すること。また、そのリン含有被覆MgO粉末を含む、耐水性に優れた樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 表面に複酸化物よりなる被覆層を有する被覆酸化マグネシウム粉末の、前記表面の少なくとも一部に、リン酸マグネシウム系化合物よりなる被覆層をさらに有し、かつ、前記被覆酸化マグネシウム粉末に対する前記リン酸マグネシウム系化合物の含有量が、リンに換算して全体の0.1〜10質量%であることを特徴とするリン含有被覆酸化マグネシウム粉末、及び、表面に複酸化物の被覆層を有する被覆酸化マグネシウム粉末を、リン化合物で処理したのち、300℃以上で焼成することにより前記被覆酸化マグネシウム粉末の表面の少なくとも一部にリン酸マグネシウム系化合物を形成することを特徴とする、リン含有被覆酸化マグネシウム粉末の製造方法、並びに、その粉末を含有する樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にMgO膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶MgO焼結体であって、得られたMgO膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性、例えば、PDP用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶MgO焼結体をターゲット材として得られたPDP用保護膜を提供することである。
【解決手段】 粒径200μm以上の粒子を含有するとともに、X線回折法により測定した(200)面のX線強度及び(111)面のX線強度を、それぞれaカウント毎秒及びbカウント毎秒としたとき、20<a/b<300であることを特徴とする単結晶MgO焼結体、及び、この単結晶MgO焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したPDP用保護膜である。 (もっと読む)


【課題】 電子ビーム法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にMgO膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶MgO焼結体であって、得られたMgO膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性例えばPDP用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶MgO焼結体の製造方法、ならびに、その単結晶MgO焼結体をターゲット材として得られたPDP用保護膜を提供することである。
【解決手段】 MgOに対するSi及びCaの含有率が、SiO及びCaO換算でそれぞれ0.01〜3.0質量%であり、かつ、Mg100質量部に対する前記Siの含有量をx質量部、前記Caの含有量をy質量部としたときに、0.01≦y/x≦1.5であることを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 (もっと読む)


【課題】 電子ビーム蒸着法を使用して基板上にMgO膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶MgO焼結体であって、得られたMgO膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性例えばPDP保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶MgO焼結体の製造方法、ならびに、その単結晶MgO焼結体をターゲット材として得られたPDP保護膜を提供することである。
【解決手段】 焼結体の相対密度が50%以上90%未満であり、酸化マグネシウム純度が97質量%以上であり、かつ、粒径200μm以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 (もっと読む)


【課題】樹脂に混練等した際の流動性や加工性等を向上させた金属水酸化物固溶体および金属酸化物固溶体を提供する。
【解決手段】下記の式(1)を満足し、かつ、結晶外形が、平行な上下2面の基底面と外周6面の角錐面とからなり上記角錐面が上向き傾斜面と下向き傾斜面とが交互に配設された8面体形状を呈し、基底面の長軸径と上下の基底面間の厚みとの比率(長軸径/厚み)が1〜9となるようにした。
Mg1-x 2+x (OH)2 …(1)
(式中M2+は、Mn2+,Fe2+,Co2+,Ni2+,Cu2+およびZn2+から選ばれた少なくとも一種の二価金属イオンを示し、xは0.01≦x<0.5の範囲の数を示す) (もっと読む)


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