【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 センサ素子において、今後のさらなる高出力化及び小型化を進められるように、複数の素子を限られた面積に形成し、素子が占める面積を縮小して集積することを課題とする。また、センサ素子の歩留まりを向上させるプロセスを提供することも課題としている。
【解決手段】 本発明は、絶縁表面を有する基板上にアモルファスシリコン膜を用いたセンサ素子と、薄膜トランジスタからなる出力増幅回路とを集積する。また、センサ素子の光電変換層のパターニングの際に、露出されている配線を保護するための金属層を光電変換層と薄膜トランジスタと接続する配線との間に設ける。 （もっと読む）

信号電圧の振幅が、電源電圧の振幅よりも小さくても、正常に動作する手段を有する半導体装置を提供するため、正常に動作をさせたいとするデジタル回路の前に、補正手段を設ける。補正手段が出力する信号は、対象となるデジタル回路の中のトランジスタがオフ状態にならければならないときには、補正手段から、それを満足するような信号つまり、第１の電源電位が出力される。そのとき、前記トランジスタは、オフする。一方、前記トランジスタをオンさせたいときは、補正手段から、第１の入力電位が出力される。その結果、対象となるデジタル回路は、オフ状態にならなければならないときには、オフになり、オン状態にならなければならないときには、オンする。よって、対象となるデジタル回路は、正常に動作することが可能となる。
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【課題】 フィルム状表示装置を効率よく生産し、また大型のフィルム状の表示装置の形成が可能となる作製方法およびフィルム状の表示装置を作製するための装置の提供を課題とする。
【解決手段】フィルム状表示装置の製造装置に、表示装置を構成する集積回路が設けられた基板を搬送する搬送手段と、集積回路の一方の面を第１のシート材に接着させて、基板から集積回路を剥離する第１の剥離手段と、集積回路の他方の面を第２のシート材に接着させて、第１のシート材から集積回路を剥離する第２の剥離手段と、集積回路に導電膜と絶縁膜の一方または両方を形成する加工手段と、加工された集積回路を第２のシート材と第３のシート材で挟み込み封止する封止手段とを設ける。 （もっと読む）

両面表示が可能であり、かつ容積の小さい、モジュールとして用いることの可能な発光装置を提供することを課題とする。
ＥＬ素子等を代表とする発光素子を画素部に用い、１枚の発光装置に画素部を２箇所設ける。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とする。第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成とする。
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【課題】 無線チップは、アンテナ回路によって、その大きさが決まっていることが多く、無線チップに供給される電源電圧又は電力は、アンテナはサイズが大きいほうが確保しやすい。一方、無線チップの小型化への要望は強く、アンテナを小さくする必要がある。そこで本発明は、小型のアンテナであっても通信可能な無線チップ、つまり、通信可能距離を改善した小型の無線チップを実現することを課題とする。
【解決手段】 上記課題を鑑み本発明のＩＤチップが有する電源回路は、昇圧回路と整流回路を有する昇圧電源回路を用い、従来のＩＤチップ内部で生成される電源電圧よりも高い電源電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】フィラーの直下に存在することになる周辺駆動回路の薄膜トランジスタや配線にフィラーからの圧力が加わり、断線やコンタクト不良が発生し易くなる。
【解決手段】低濃度不純物領域を有するＮチャネル型の薄膜トランジスタと、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとを有する周辺駆動回路、及びアクティブマトリクス回路が第１の基板に形成され、シール材が前記周辺駆動回路の上方に配置され、前記第１の基板と第２の基板との基板の間隔を保持する、樹脂材料でなるスペーサーが前記周辺駆動回路の上方に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 無線通信によりデータの交信が可能なＩＤタグにおいて、ＩＤタグのサイズやＩＣチップのサイズを縮小し、チップ内の限られた面積の有効活用、消費電流の低減、通信距離の低下を防止すること課題とする。
【解決手段】集積回路と、共振容量部と、保持容量部とを備えたＩＣチップと、前記ＩＣチップ上に絶縁膜を介して少なくとも一部が重なるようにアンテナを設け、前記アンテナと前記絶縁膜と前記集積回路を形成する配線または半導体膜とからなる積層構造を設け、当該積層構造によって、共振容量部および保持容量部の一方または両方の容量素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】
結晶化と同時に触媒元素のゲッタリングを可能にし、熱処理行程を減少させることをことを課題とする。
【解決手段】
基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質半導体膜、１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を形成する。非晶質半導体膜及び１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を、島状非晶質半導体膜及び島状半導体膜からなる島状領域に形成し、島状領域上にソース電極又はドレイン電極を形成する。ソース電極又はドレイン電極をマスクとして、ソース電極又はドレイン電極に覆われていない島状半導体膜の除去、及び島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させ、また一部を露出させる。島状非晶質半導体膜の露出した領域に、結晶化を助長する触媒元素を導入し、加熱により島状非晶質半導体膜の結晶化及び触媒元素のゲッタリングを行う。 （もっと読む）