発光装置及び電子機器
両面表示が可能であり、かつ容積の小さい、モジュールとして用いることの可能な発光装置を提供することを課題とする。
ＥＬ素子等を代表とする発光素子を画素部に用い、１枚の発光装置に画素部を２箇所設ける。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とする。第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成とする。
ＥＬ素子等を代表とする発光素子を画素部に用い、１枚の発光装置に画素部を２箇所設ける。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とする。第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
本発明は、発光素子を備えた発光装置、特に、そのような発光装置を備えた携帯電話機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯情報端末に関する。
【背景技術】
近年、発光装置として、液晶素子を用いた画素を有する液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に代わり、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等を代表とする発光素子を用いた発光装置の研究開発が進められている。これらの発光装置は、発光型ゆえの高画質、広視野角、バックライトを必要としないことによる薄型、軽量等の利点を活かして、携帯電話機の表示画面やディスプレイ装置として幅広い利用が期待されている。
また、携帯情報端末においては、その使用目的の多角化によって高付加価値が求められ、最近では、通常の表示面の裏側にサブ表示面を設けたものが提供されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
本来の表示面に加え、サブ表示面を設けた携帯情報端末は、バックライト等を含むモジュールが占める容積に加え、それらを駆動するコントロールＩＣ等を実装した基板等が占める容積も無視できないものになる。特に最近提供されている携帯情報端末は、軽薄短小化が著しく、高付加価値化とのトレードオフとなっている。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、両面表示が可能であり、かつ容積の小さい、モジュールとして用いることの可能な発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するために、本発明においては以下のような手段を講じた。
ＥＬ素子等を代表とする発光素子を画素部に用い、１枚の発光装置に画素部を２箇所異なる位置に設ける。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とする。第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成とする。
使用者は通常、同時に両面を見ることはないため、用途に応じて表示面を選択出来るようにしても良い。例えば、発光素子に供給する電流経路のいずれかにスイッチ素子を設け、第１の画素部の発光を用いる際には、第２の画素部への電流の供給が遮断され、第２の画素部の発光を用いる際には、第１の画素部への電流の供給が遮断されるような構成としても良い。その場合には、第１の画素部を動作させる第１の駆動部と、第２の画素部を動作させる第２の駆動部と、第１の駆動部および第２の駆動部にそれぞれ信号および電圧を供給する配線とを有する発光装置において、第１の駆動部および第２の駆動部に信号および電圧を供給する配線の一部または全てを共通とし、前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を設けて、外部で切り替えるような構成にしてもよい。
本発明の構成を以下に記す。
本発明の発光装置は、
パネル基板上に複数の第１の画素がマトリクス状に配置された第１の画素部を有し、
前記パネル基板上に前記第１の画素部とは異なる位置に、複数の第２の画素がマトリクス状に配置された第２の画素部を有し、
前記第１の画素部は、前記パネル基板の裏面から前記基板の表面に向かう方向に、前記パネル基板の表面から光を発する第１の発光素子を有する前記複数の第１の画素を有し、
前記第２の画素部は、前記パネル基板の表面から前記パネル基板の裏面に向かう方向に、前記パネル基板の裏面から光を発する第２の発光素子を有する前記複数の第２の画素を有することを特徴としている。
本発明の発光装置において
前記第１の発光素子は第１の画素電極と、第１の電界発光層と、第１の対向電極を有し、
前記第１の画素部は前記第１の対向電極側から光を出射し
前記第２の発光素子は第２の画素電極と、第２の電界発光層と、第２の対向電極を有し、
前記第２の画素部は前記第２の画素電極側から光を出射することを特徴としている。
本発明の発光装置において
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子から出射する光の方向は、
反射膜の有無によって決定されることを特徴としている。
本発明の発光装置において
前記第１の画素部を動作させる第１の駆動部と、
前記第２の画素部を動作させる第２の駆動部と、
前記第１の駆動部及び前記第２の駆動部にそれぞれ信号および電圧を供給する配線の一部または全てを共通とし、
前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作する手段を有することを特徴としている。
本発明の発光装置において
前記発光装置を電子機器に用いることを特徴としている。
【発明の効果】
本発明は、上記構成によって、両面表示が可能であり、かつ薄型で軽量の発光装置を提供することが可能となる。また、動作する画素部によって駆動するのに必要な信号および電圧を切り替える、もしくは共有化することで、入力信号数を削減できる。
本発明は、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を用いた発光装置だけでなく、その他の発光装置などについても適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
図１は、実施形態１の発光装置の画素部の構成を示す断面図である。
図２は、実施形態２の発光装置の画素部の構成を示す断面図である。
図３は、実施形態３の発光装置の画素部の構成を示す断面図である。
図４は、実施形態４の発光装置の画素部の構成を示す断面図である。
図５は、発光装置の画素部の構成を示す回路図である。
図６は、実施例１に示す本発明の発光装置であるパネル基板の構成を示す図である。
図７は、実施例１に示す本発明の発光装置であるパネル基板を用いた携帯電話機の図である。
【発明を実施するための最良の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
（実施の形態１）
本発明の一実施形態を図１に示す。図１は画素部が２箇所設けられた１枚の発光装置の第１の画素部と第２の画素部の断面図である。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とし、第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成となっている。
図１（Ａ）は第１の画素部における１画素の断面図を、図１（Ｂ）は第２の画素部における１画素の断面図を表す。また第１の画素部および第２の画素部における１画素の回路図の１例を図５に表す。
なお、ここではスイッチ素子や駆動素子として、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ））を用いているが、特に限定はしない。例えば、ＭＯＳトランジスタ、有機トランジスタ、分子トランジスタ等が挙げられるが、いずれも同様に用いて良い。
図５において、９００は画素、９０１はスイッチングＴＦＴ、９０２は駆動ＴＦＴ、９０３は発光素子である。また、Ａはアノード線、Ｃはカソード線、Ｇはゲート線、Ｓはソース線である。
図１（Ａ）において、１０００は基板であり、点線枠１０１０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子１０１１に電流を供給する。発光素子１０１１は画素電極１０１２、電界発光層１００１、対向電極１００２が積層している個所であり、発光方向１０１４で表された向きに発光する。このとき画素電極１０１２はアルミニウム等の反射膜で形成されており、発光素子１０１１は発光方向１０１４とは逆の方向に光を発することはない。なお、画素電極１０１２は、反射膜および反射膜の上に透明導電膜を積層した構造にしてもよい。電界発光層１００１より上方に積層されている対向電極１００２はＩＴＯ等の透明導電膜、保護膜１００４は窒化炭素膜等の透過膜で形成されている。また１００３は有機樹脂膜である。
図１（Ｂ）において、点線枠１０２０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子１０２１に電流を供給する。発光素子１０２１は画素電極１０２２、電界発光層１００１、対向電極１００２が積層している個所であり、発光方向１０２４で表された向きに発光する。画素電極１０２２は、透明導電膜で形成されており、画素電極１０２２の下方に形成されている膜、および基板１０００は光を透過する材料で形成されている。また反射膜１００５は保護膜１００４の上に成膜されており、発光素子１０２１から発光方向１０２４とは逆の方向に発せられた光を反射する役割を果たす。また１００３は有機樹脂膜である。
図１（Ａ）および図１（Ｂ）において電界発光層１００１は同一層としたが、異なる材料で電界発光層を形成してもよいし、画素ごとに異なる材料で電界発光層を形成してもよい。
図１（Ａ）および図１（Ｂ）において保護膜１００４は同一層としたが、異なる材料で保護膜を形成してもよい。
また、電界発光層１００１としては、低分子材料、高分子材料、中分子材料のいずれの材料であってもよい。
なお、実際には図１まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
（実施の形態２）
本発明の一実施形態を図２に示す。図２は画素部が２箇所設けられた１枚の発光装置の第１の画素部と第２の画素部の断面図である。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とし、第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成となっている。
図２（Ａ）は第１の画素部における１画素の断面図を、図２（Ｂ）は第２の画素部における１画素の断面図を表す。また第１の画素部および第２の画素部における１画素の回路図の１例を図５に表す。
図５において、９００は画素、９０１はスイッチングＴＦＴ、９０２は駆動ＴＦＴ、９０３は発光素子である。また、Ａはアノード線、Ｃはカソード線、Ｇはゲート線、Ｓはソース線である。
図２（Ａ）において、２０００は基板であり、点線枠２０１０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子２０１１に電流を供給する。発光素子２０１１は画素電極２０１２、電界発光層２００１、対向電極２０１３が積層している個所であり、発光方向２０１４で表された向きに発光する。このとき画素電極２０１２はアルミニウム等の反射膜で形成されており、発光素子２０１１発光方向２０１４とは逆の方向に光を発することはない。なお、画素電極２０１２は、反射膜および反射膜の上に透明導電膜を積層した構造にしてもよい。また、電界発光層２００１より上方に積層されている対向電極２０１３は透明導電膜、保護膜２００４は窒化炭素膜等の透過膜で形成されている。また２００３は有機樹脂膜である。
図２（Ｂ）において、点線枠２０２０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子２０２１に電流を供給する。発光素子２０２１は画素電極２０２２、電界発光層２００１、対向電極２０２３が積層している個所であり、発光方向２０２４で表された向きに発光する。このとき対向電極２０２３はアルミニウム等の反射膜で形成されており、発光方向２０２４とは逆の方向に光を発することはない。また、画素電極２０２２は透明導電膜で形成されており、画素電極２０２２の下方に形成されている膜、および基板２０００は光を透過する材料で形成されている。また２００３は有機樹脂膜である。
図２（Ａ）および図２（Ｂ）において電界発光層２００１は同一層としたが、異なる材料で電界発光層を形成してもよいし、画素ごとに異なる材料で電界発光層を形成してもよい。
図２（Ａ）および図２（Ｂ）において保護膜２００４は同一層としたが、異なる材料で保護膜を形成してもよい。
図２（Ａ）および図２（Ｂ）において対向電極２０１３と対向電極２０２３は異なる層であるが、電気的に接続されていてもよい。
また、電界発光層２００３としては、低分子材料、高分子材料、中分子材料のいずれの材料であってもよい。
なお、実際には図２まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
（実施の形態３）
本発明の一実施形態を図３に示す。図３は画素部が２箇所設けられた１枚の発光装置の第１の画素部と第２の画素部の断面図である。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とし、第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成となっている。
図３（Ａ）は第１の画素部における１画素の断面図を、図３（Ｂ）は第２の画素部における１画素の断面図を表す。また第１の画素部および第２の画素部における１画素の回路図の１例を図５に表す。
図５において、９００は画素、９０１はスイッチングＴＦＴ、９０２は駆動ＴＦＴ、９０３は発光素子である。また、Ａはアノード線、Ｃはカソード線、Ｇはゲート線、Ｓはソース線である。
図３（Ａ）において、３０００は基板であり、点線枠３０１０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子３０１１に電流を供給する。発光素子３０１１は画素電極３０１２、電界発光層３００１、対向電極３００２が積層している個所であり、発光方向３０１４で表された向きに発光する。このとき画素電極３０１２はアルミニウム等の反射膜で形成されており、発光素子３０１１は発光方向３０１４とは逆の方向に光を発することはない。なお、画素電極３０１２は、反射膜および反射膜の上に透明導電膜を積層した構造にしてもよい。電界発光層３００１より上方に積層されている対向電極３００２は透明導電膜、保護膜３００４は窒化炭素膜等の透過膜、カラーフィルタ３００６はカラーレジスト等で形成されている。カラーフィルタ３００６の材料を画素ごと異なる材料を用いれば、画素ごとに異なる色で発光することが可能である。また３００３は有機樹脂膜である。
図３（Ｂ）において、点線枠３０２０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子３０２１に電流を供給する。なお図３（Ｂ）中の駆動ＴＦＴ３０２０はＬＤＤ領域を有している。発光素子３０２１は画素電極３０２２、電界発光層３００１、対向電極３００２が積層している個所であり、発光方向３０２４で表された向きに発光する。画素電極３０２２は透明導電膜で形成されており、画素電極３０２２の下方に形成されている膜、および基板３０００は光を透過する材料で形成されている。また反射膜３００５は保護膜３００４の上に成膜されており、発光素子３０２１から発光方向３０２４とは逆の方向に発せられた光を反射する役割を果たす。また３００３は有機樹脂膜である。
図３（Ａ）および図３（Ｂ）において保護膜３００４は同一層としたが、異なる材料で保護膜を形成してもよい。
図３（Ａ）および図３（Ｂ）において電界発光層３００１は同一層としたが、異なる材料で電界発光層を形成してもよいし、画素ごとに異なる材料で電界発光層を形成してもよい。
カラーフィルタ３００６は画素ごとに異なる材料を用いてもよい。
また、電界発光層３００１としては、低分子材料、高分子材料、中分子材料のいずれの材料であってもよい。
なお、実際には図３まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
（実施の形態４）
本発明の一実施形態を図４に示す。図４は画素部が２箇所設けられた１枚の発光装置の第１の画素部と第２の画素部の断面図である。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とし、第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成となっている。
図４（Ａ）は第１の画素部における１画素の断面図を、図４（Ｂ）は第２の画素部における１画素の断面図を表す。また第１の画素部および第２の画素部における１画素の回路図の１例を図５に表す。
なお、ここではスイッチ素子や駆動素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いているが、特に限定はしない。例えば、ＭＯＳトランジスタ、有機トランジスタ、分子トランジスタ等が挙げられるが、いずれも同様に用いて良い。
図５において、９００は画素、９０１はスイッチングＴＦＴ、９０２は駆動ＴＦＴ、９０３は発光素子である。また、Ａはアノード線、Ｃはカソード線、Ｇはゲート線、Ｓはソース線である。
図４（Ａ）において、４０００は基板であり、点線枠４０１０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子４０１１に電流を供給する。発光素子４０１１は画素電極４０１２、電界発光層４００１、対向電極４００２が積層している個所であり、発光方向４０１４で表された向きに発光する。このとき画素電極４０１２は透明導電膜で形成されているが、発光方向４０１４とは逆の方向に光を発しても、反射膜４０１５で反射するため、基板４０００の下側から光が出ることはない。また、電界発光層４００１より上方に積層されている対向電極４００２は透明導電膜、保護膜４００４は窒化炭素膜等の透過膜で形成されている。なお４００３は有機樹脂膜である。
図４（Ｂ）において、点線枠４０２０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子４０２１に電流を供給する。発光素子４０２１は画素電極４０２２、電界発光層４００１、対向電極４００２が積層している個所であり、発光方向４０２４で表された向きに発光する。画素電極４０２２は透明導電膜で形成されており、画素電極４０２２の下方に形成されている膜、および基板４０００は光を透過する材料で形成されている。また反射膜４０２５は保護膜４００４の上に成膜されており、発光素子４０２１から発光方向４０２４とは逆の方向に発せられた光を反射する役割を果たす。なお４００３は有機樹脂膜である。
図４（Ａ）および図４（Ｂ）において電界発光層４００１は同一層としたが、異なる材料で電界発光層を形成してもよいし、画素ごとに異なる材料で電界発光層を形成してもよい。
図４（Ａ）および図４（Ｂ）において保護膜４００４は同一層としたが、異なる材料で保護膜を形成してもよい。
また、電界発光層４００１としては、低分子材料、高分子材料、中分子材料のいずれの材料であってもよい。
なお、実際には図４まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
【実施例】
以下に、本発明の実施例について記載する。
【実施例１】
本発明の発光装置の一部であるパネル基板について説明する。
図６（Ａ）は、基板６０００を下側、対向基板６００２を上側にしたときのパネル基板の上面図であり、図６（Ｂ）はパネル基板を横から見たときの図である。基板６０００上に第１の画素部６０１０と、第１の画素部６０１０とは異なる位置に第２の画素部６０２０とが設けられている。第１の画素部６０１０の発光方向は６０１３、第２の画素部６０２０の発光方向は６０２３であり、発光方向が表裏逆となる構成とする。
第１の画素部６０１０には複数の第１の画素がマトリクス状に配置され、第２の画素部６０２０には複数の第２の画素がマトリクス状に配置されている。第１の画素及び第２の画素それぞれの構造は、実施の形態１〜４に示すとおりである。
ＦＰＣ６００３が接着されている部分を除き、基板６０００表面とシール材６００１と対向基板６００２とによって囲まれた空間は、充填材で密封されている。
第１の画素部６０１０には、ソース信号線駆動回路６０１１、ゲート信号線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂが接続されており、第１の画素部６０１０を発光させるのに必要な信号を供給している。
第２の画素部６０２０には、ソース信号線駆動回路６０２１、ゲート信号線駆動回路６０２２ａ、６０２２ｂが接続されており、第２の画素部６０２０を発光させるのに必要な信号を供給している。
本実施例では、第１の画素部６０１０および第２の画素部６０２０を動作させるため、それぞれにソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路を設けたが、第１の画素部６０１０および第２の画素部６０２０共通のソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路を設けてもよい。
パネル基板にはＦＰＣ６００３を通して、ソース信号線駆動回路６０１１、６０２１、およびゲート信号線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂ、６０２２ａ、６０２２ｂを駆動させるのに必要な信号および電圧・電流が供給される。ＦＰＣ６００３から、第１の画素部６０１０、第２の画素部６０２０、ソース信号線駆動回路６０１１、６０２１、ゲート線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂ、６０２２ａ、６０２２ｂに信号および電圧を供給する配線は、必要に応じて共有化することで、本数を削減できる。ここで、駆動回路に信号を供給する配線を信号線といい、駆動回路に電圧を供給する配線を電源線という。
第１の画素部６０１０を動作させるときのみ、ソース信号線駆動回路６０１１、およびゲート信号線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂを駆動させるのに必要な信号および電圧・電流が供給されればよいし、第２の画素部６０２０を動作させるときのみ、ソース信号線駆動回路６０２１、およびゲート信号線駆動回路６０２２ａ、６０２２ｂを駆動させるのに必要な信号および電圧・電流が供給されればよい。
第１の画素部６０１０と第２の画素部６０２０が同時に動作することがない構成とするならば、第１の画素部を動作させるソース信号線駆動回路６０１１および第２の画素部を動作させるソース信号線駆動回路６０２１に信号および電圧を供給する配線の一部もしくはすべてを共通のものとし、且つ前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を設けて、外部で切り替えるような構成にしてもよい。また第１の画素部を動作させるゲート信号線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂ、および第２の画素部を動作させるゲート信号線駆動回路６０２２ａおよび６０２２ｂに信号および電圧を供給する配線の一部もしくはすべてを共通のものとし、且つ前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を設けて、外部で切り替えるような構成にしてもよい。
また第１の画素部６０１０で表示される画像の一部を第２の画素部６０２０で表示する構成とするならば、映像信号を供給する配線をソース信号線駆動回路６０１１およびソース信号線駆動回路６０２１とで共通のものとしてもよい。
図７は本パネル基板を電子機器、例えば折り畳み式携帯電話機に使用した時の１例である。
図７の折り畳み式携帯電話機は、第１の筐体６１００と第２の筐体６２００から構成される。
第１の筐体６１００は、スピーカー６１０１、表示コントローラ６１０２、及び本実施例のパネル基板を有している。なお６０００は基板、６００２は対向基板を示している。
第２の筐体６２００は、アンテナ６２０１、マイクロホン６２０２、本体駆動用モジュール６２０３、操作ボタンモジュール６２０４およびバッテリー６２０５を有している。
図７（Ａ）は折り畳み式携帯電話機を開いた状態を表しており、使用者は第１の画素部６０１０に映し出された画像を見ることができる。
図７（Ｂ）は折り畳み式携帯電話機を閉じた状態を表しており、使用者は第２の画素部６０２０のに映し出された画像を見ることができる。このとき、第１の画素部６０１０を使用者は見ることができないので、第１の画素部６０１０に画像を表示する必要はない。
図７（Ｃ）は折り畳み式携帯電話機を開いた状態における断面図を表しており、第１の画素部６０１０の発光方向は６０１３、第２の画素部６０２０の発光方向は６０２３である。
【産業上の利用可能性】
以上のように、本発明によって、発光素子を備えた発光装置、特に、そのような発光装置を備えた携帯電話機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯情報端末について、両面表示が可能であり、かつ薄型で軽量の発光装置を提供することが可能となる。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【技術分野】
本発明は、発光素子を備えた発光装置、特に、そのような発光装置を備えた携帯電話機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯情報端末に関する。
【背景技術】
近年、発光装置として、液晶素子を用いた画素を有する液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に代わり、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子等を代表とする発光素子を用いた発光装置の研究開発が進められている。これらの発光装置は、発光型ゆえの高画質、広視野角、バックライトを必要としないことによる薄型、軽量等の利点を活かして、携帯電話機の表示画面やディスプレイ装置として幅広い利用が期待されている。
また、携帯情報端末においては、その使用目的の多角化によって高付加価値が求められ、最近では、通常の表示面の裏側にサブ表示面を設けたものが提供されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
本来の表示面に加え、サブ表示面を設けた携帯情報端末は、バックライト等を含むモジュールが占める容積に加え、それらを駆動するコントロールＩＣ等を実装した基板等が占める容積も無視できないものになる。特に最近提供されている携帯情報端末は、軽薄短小化が著しく、高付加価値化とのトレードオフとなっている。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、両面表示が可能であり、かつ容積の小さい、モジュールとして用いることの可能な発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するために、本発明においては以下のような手段を講じた。
ＥＬ素子等を代表とする発光素子を画素部に用い、１枚の発光装置に画素部を２箇所異なる位置に設ける。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とする。第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成とする。
使用者は通常、同時に両面を見ることはないため、用途に応じて表示面を選択出来るようにしても良い。例えば、発光素子に供給する電流経路のいずれかにスイッチ素子を設け、第１の画素部の発光を用いる際には、第２の画素部への電流の供給が遮断され、第２の画素部の発光を用いる際には、第１の画素部への電流の供給が遮断されるような構成としても良い。その場合には、第１の画素部を動作させる第１の駆動部と、第２の画素部を動作させる第２の駆動部と、第１の駆動部および第２の駆動部にそれぞれ信号および電圧を供給する配線とを有する発光装置において、第１の駆動部および第２の駆動部に信号および電圧を供給する配線の一部または全てを共通とし、前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を設けて、外部で切り替えるような構成にしてもよい。
本発明の構成を以下に記す。
本発明の発光装置は、
パネル基板上に複数の第１の画素がマトリクス状に配置された第１の画素部を有し、
前記パネル基板上に前記第１の画素部とは異なる位置に、複数の第２の画素がマトリクス状に配置された第２の画素部を有し、
前記第１の画素部は、前記パネル基板の裏面から前記基板の表面に向かう方向に、前記パネル基板の表面から光を発する第１の発光素子を有する前記複数の第１の画素を有し、
前記第２の画素部は、前記パネル基板の表面から前記パネル基板の裏面に向かう方向に、前記パネル基板の裏面から光を発する第２の発光素子を有する前記複数の第２の画素を有することを特徴としている。
本発明の発光装置において
前記第１の発光素子は第１の画素電極と、第１の電界発光層と、第１の対向電極を有し、
前記第１の画素部は前記第１の対向電極側から光を出射し
前記第２の発光素子は第２の画素電極と、第２の電界発光層と、第２の対向電極を有し、
前記第２の画素部は前記第２の画素電極側から光を出射することを特徴としている。
本発明の発光装置において
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子から出射する光の方向は、
反射膜の有無によって決定されることを特徴としている。
本発明の発光装置において
前記第１の画素部を動作させる第１の駆動部と、
前記第２の画素部を動作させる第２の駆動部と、
前記第１の駆動部及び前記第２の駆動部にそれぞれ信号および電圧を供給する配線の一部または全てを共通とし、
前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作する手段を有することを特徴としている。
本発明の発光装置において
前記発光装置を電子機器に用いることを特徴としている。
【発明の効果】
本発明は、上記構成によって、両面表示が可能であり、かつ薄型で軽量の発光装置を提供することが可能となる。また、動作する画素部によって駆動するのに必要な信号および電圧を切り替える、もしくは共有化することで、入力信号数を削減できる。
本発明は、発光素子としてエレクトロルミネッセンス素子を用いた発光装置だけでなく、その他の発光装置などについても適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
図１は、実施形態１の発光装置の画素部の構成を示す断面図である。
図２は、実施形態２の発光装置の画素部の構成を示す断面図である。
図３は、実施形態３の発光装置の画素部の構成を示す断面図である。
図４は、実施形態４の発光装置の画素部の構成を示す断面図である。
図５は、発光装置の画素部の構成を示す回路図である。
図６は、実施例１に示す本発明の発光装置であるパネル基板の構成を示す図である。
図７は、実施例１に示す本発明の発光装置であるパネル基板を用いた携帯電話機の図である。
【発明を実施するための最良の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
（実施の形態１）
本発明の一実施形態を図１に示す。図１は画素部が２箇所設けられた１枚の発光装置の第１の画素部と第２の画素部の断面図である。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とし、第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成となっている。
図１（Ａ）は第１の画素部における１画素の断面図を、図１（Ｂ）は第２の画素部における１画素の断面図を表す。また第１の画素部および第２の画素部における１画素の回路図の１例を図５に表す。
なお、ここではスイッチ素子や駆動素子として、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ））を用いているが、特に限定はしない。例えば、ＭＯＳトランジスタ、有機トランジスタ、分子トランジスタ等が挙げられるが、いずれも同様に用いて良い。
図５において、９００は画素、９０１はスイッチングＴＦＴ、９０２は駆動ＴＦＴ、９０３は発光素子である。また、Ａはアノード線、Ｃはカソード線、Ｇはゲート線、Ｓはソース線である。
図１（Ａ）において、１０００は基板であり、点線枠１０１０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子１０１１に電流を供給する。発光素子１０１１は画素電極１０１２、電界発光層１００１、対向電極１００２が積層している個所であり、発光方向１０１４で表された向きに発光する。このとき画素電極１０１２はアルミニウム等の反射膜で形成されており、発光素子１０１１は発光方向１０１４とは逆の方向に光を発することはない。なお、画素電極１０１２は、反射膜および反射膜の上に透明導電膜を積層した構造にしてもよい。電界発光層１００１より上方に積層されている対向電極１００２はＩＴＯ等の透明導電膜、保護膜１００４は窒化炭素膜等の透過膜で形成されている。また１００３は有機樹脂膜である。
図１（Ｂ）において、点線枠１０２０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子１０２１に電流を供給する。発光素子１０２１は画素電極１０２２、電界発光層１００１、対向電極１００２が積層している個所であり、発光方向１０２４で表された向きに発光する。画素電極１０２２は、透明導電膜で形成されており、画素電極１０２２の下方に形成されている膜、および基板１０００は光を透過する材料で形成されている。また反射膜１００５は保護膜１００４の上に成膜されており、発光素子１０２１から発光方向１０２４とは逆の方向に発せられた光を反射する役割を果たす。また１００３は有機樹脂膜である。
図１（Ａ）および図１（Ｂ）において電界発光層１００１は同一層としたが、異なる材料で電界発光層を形成してもよいし、画素ごとに異なる材料で電界発光層を形成してもよい。
図１（Ａ）および図１（Ｂ）において保護膜１００４は同一層としたが、異なる材料で保護膜を形成してもよい。
また、電界発光層１００１としては、低分子材料、高分子材料、中分子材料のいずれの材料であってもよい。
なお、実際には図１まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
（実施の形態２）
本発明の一実施形態を図２に示す。図２は画素部が２箇所設けられた１枚の発光装置の第１の画素部と第２の画素部の断面図である。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とし、第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成となっている。
図２（Ａ）は第１の画素部における１画素の断面図を、図２（Ｂ）は第２の画素部における１画素の断面図を表す。また第１の画素部および第２の画素部における１画素の回路図の１例を図５に表す。
図５において、９００は画素、９０１はスイッチングＴＦＴ、９０２は駆動ＴＦＴ、９０３は発光素子である。また、Ａはアノード線、Ｃはカソード線、Ｇはゲート線、Ｓはソース線である。
図２（Ａ）において、２０００は基板であり、点線枠２０１０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子２０１１に電流を供給する。発光素子２０１１は画素電極２０１２、電界発光層２００１、対向電極２０１３が積層している個所であり、発光方向２０１４で表された向きに発光する。このとき画素電極２０１２はアルミニウム等の反射膜で形成されており、発光素子２０１１発光方向２０１４とは逆の方向に光を発することはない。なお、画素電極２０１２は、反射膜および反射膜の上に透明導電膜を積層した構造にしてもよい。また、電界発光層２００１より上方に積層されている対向電極２０１３は透明導電膜、保護膜２００４は窒化炭素膜等の透過膜で形成されている。また２００３は有機樹脂膜である。
図２（Ｂ）において、点線枠２０２０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子２０２１に電流を供給する。発光素子２０２１は画素電極２０２２、電界発光層２００１、対向電極２０２３が積層している個所であり、発光方向２０２４で表された向きに発光する。このとき対向電極２０２３はアルミニウム等の反射膜で形成されており、発光方向２０２４とは逆の方向に光を発することはない。また、画素電極２０２２は透明導電膜で形成されており、画素電極２０２２の下方に形成されている膜、および基板２０００は光を透過する材料で形成されている。また２００３は有機樹脂膜である。
図２（Ａ）および図２（Ｂ）において電界発光層２００１は同一層としたが、異なる材料で電界発光層を形成してもよいし、画素ごとに異なる材料で電界発光層を形成してもよい。
図２（Ａ）および図２（Ｂ）において保護膜２００４は同一層としたが、異なる材料で保護膜を形成してもよい。
図２（Ａ）および図２（Ｂ）において対向電極２０１３と対向電極２０２３は異なる層であるが、電気的に接続されていてもよい。
また、電界発光層２００３としては、低分子材料、高分子材料、中分子材料のいずれの材料であってもよい。
なお、実際には図２まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
（実施の形態３）
本発明の一実施形態を図３に示す。図３は画素部が２箇所設けられた１枚の発光装置の第１の画素部と第２の画素部の断面図である。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とし、第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成となっている。
図３（Ａ）は第１の画素部における１画素の断面図を、図３（Ｂ）は第２の画素部における１画素の断面図を表す。また第１の画素部および第２の画素部における１画素の回路図の１例を図５に表す。
図５において、９００は画素、９０１はスイッチングＴＦＴ、９０２は駆動ＴＦＴ、９０３は発光素子である。また、Ａはアノード線、Ｃはカソード線、Ｇはゲート線、Ｓはソース線である。
図３（Ａ）において、３０００は基板であり、点線枠３０１０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子３０１１に電流を供給する。発光素子３０１１は画素電極３０１２、電界発光層３００１、対向電極３００２が積層している個所であり、発光方向３０１４で表された向きに発光する。このとき画素電極３０１２はアルミニウム等の反射膜で形成されており、発光素子３０１１は発光方向３０１４とは逆の方向に光を発することはない。なお、画素電極３０１２は、反射膜および反射膜の上に透明導電膜を積層した構造にしてもよい。電界発光層３００１より上方に積層されている対向電極３００２は透明導電膜、保護膜３００４は窒化炭素膜等の透過膜、カラーフィルタ３００６はカラーレジスト等で形成されている。カラーフィルタ３００６の材料を画素ごと異なる材料を用いれば、画素ごとに異なる色で発光することが可能である。また３００３は有機樹脂膜である。
図３（Ｂ）において、点線枠３０２０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子３０２１に電流を供給する。なお図３（Ｂ）中の駆動ＴＦＴ３０２０はＬＤＤ領域を有している。発光素子３０２１は画素電極３０２２、電界発光層３００１、対向電極３００２が積層している個所であり、発光方向３０２４で表された向きに発光する。画素電極３０２２は透明導電膜で形成されており、画素電極３０２２の下方に形成されている膜、および基板３０００は光を透過する材料で形成されている。また反射膜３００５は保護膜３００４の上に成膜されており、発光素子３０２１から発光方向３０２４とは逆の方向に発せられた光を反射する役割を果たす。また３００３は有機樹脂膜である。
図３（Ａ）および図３（Ｂ）において保護膜３００４は同一層としたが、異なる材料で保護膜を形成してもよい。
図３（Ａ）および図３（Ｂ）において電界発光層３００１は同一層としたが、異なる材料で電界発光層を形成してもよいし、画素ごとに異なる材料で電界発光層を形成してもよい。
カラーフィルタ３００６は画素ごとに異なる材料を用いてもよい。
また、電界発光層３００１としては、低分子材料、高分子材料、中分子材料のいずれの材料であってもよい。
なお、実際には図３まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
（実施の形態４）
本発明の一実施形態を図４に示す。図４は画素部が２箇所設けられた１枚の発光装置の第１の画素部と第２の画素部の断面図である。第１の画素部においては、発光素子の対向電極側からのみ光を出射する構成とし、第２の画素部においては、発光素子の画素電極側からのみ光を出射する構成とする。つまり、第１の画素部と第２の画素部とでは、出射方向が表裏逆となる構成となっている。
図４（Ａ）は第１の画素部における１画素の断面図を、図４（Ｂ）は第２の画素部における１画素の断面図を表す。また第１の画素部および第２の画素部における１画素の回路図の１例を図５に表す。
なお、ここではスイッチ素子や駆動素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いているが、特に限定はしない。例えば、ＭＯＳトランジスタ、有機トランジスタ、分子トランジスタ等が挙げられるが、いずれも同様に用いて良い。
図５において、９００は画素、９０１はスイッチングＴＦＴ、９０２は駆動ＴＦＴ、９０３は発光素子である。また、Ａはアノード線、Ｃはカソード線、Ｇはゲート線、Ｓはソース線である。
図４（Ａ）において、４０００は基板であり、点線枠４０１０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子４０１１に電流を供給する。発光素子４０１１は画素電極４０１２、電界発光層４００１、対向電極４００２が積層している個所であり、発光方向４０１４で表された向きに発光する。このとき画素電極４０１２は透明導電膜で形成されているが、発光方向４０１４とは逆の方向に光を発しても、反射膜４０１５で反射するため、基板４０００の下側から光が出ることはない。また、電界発光層４００１より上方に積層されている対向電極４００２は透明導電膜、保護膜４００４は窒化炭素膜等の透過膜で形成されている。なお４００３は有機樹脂膜である。
図４（Ｂ）において、点線枠４０２０で囲まれた領域が駆動ＴＦＴであり、直接、もしくは他の回路素子を通して発光素子４０２１に電流を供給する。発光素子４０２１は画素電極４０２２、電界発光層４００１、対向電極４００２が積層している個所であり、発光方向４０２４で表された向きに発光する。画素電極４０２２は透明導電膜で形成されており、画素電極４０２２の下方に形成されている膜、および基板４０００は光を透過する材料で形成されている。また反射膜４０２５は保護膜４００４の上に成膜されており、発光素子４０２１から発光方向４０２４とは逆の方向に発せられた光を反射する役割を果たす。なお４００３は有機樹脂膜である。
図４（Ａ）および図４（Ｂ）において電界発光層４００１は同一層としたが、異なる材料で電界発光層を形成してもよいし、画素ごとに異なる材料で電界発光層を形成してもよい。
図４（Ａ）および図４（Ｂ）において保護膜４００４は同一層としたが、異なる材料で保護膜を形成してもよい。
また、電界発光層４００１としては、低分子材料、高分子材料、中分子材料のいずれの材料であってもよい。
なお、実際には図４まで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（ラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）や透光性のカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。
【実施例】
以下に、本発明の実施例について記載する。
【実施例１】
本発明の発光装置の一部であるパネル基板について説明する。
図６（Ａ）は、基板６０００を下側、対向基板６００２を上側にしたときのパネル基板の上面図であり、図６（Ｂ）はパネル基板を横から見たときの図である。基板６０００上に第１の画素部６０１０と、第１の画素部６０１０とは異なる位置に第２の画素部６０２０とが設けられている。第１の画素部６０１０の発光方向は６０１３、第２の画素部６０２０の発光方向は６０２３であり、発光方向が表裏逆となる構成とする。
第１の画素部６０１０には複数の第１の画素がマトリクス状に配置され、第２の画素部６０２０には複数の第２の画素がマトリクス状に配置されている。第１の画素及び第２の画素それぞれの構造は、実施の形態１〜４に示すとおりである。
ＦＰＣ６００３が接着されている部分を除き、基板６０００表面とシール材６００１と対向基板６００２とによって囲まれた空間は、充填材で密封されている。
第１の画素部６０１０には、ソース信号線駆動回路６０１１、ゲート信号線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂが接続されており、第１の画素部６０１０を発光させるのに必要な信号を供給している。
第２の画素部６０２０には、ソース信号線駆動回路６０２１、ゲート信号線駆動回路６０２２ａ、６０２２ｂが接続されており、第２の画素部６０２０を発光させるのに必要な信号を供給している。
本実施例では、第１の画素部６０１０および第２の画素部６０２０を動作させるため、それぞれにソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路を設けたが、第１の画素部６０１０および第２の画素部６０２０共通のソース信号線駆動回路とゲート信号線駆動回路を設けてもよい。
パネル基板にはＦＰＣ６００３を通して、ソース信号線駆動回路６０１１、６０２１、およびゲート信号線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂ、６０２２ａ、６０２２ｂを駆動させるのに必要な信号および電圧・電流が供給される。ＦＰＣ６００３から、第１の画素部６０１０、第２の画素部６０２０、ソース信号線駆動回路６０１１、６０２１、ゲート線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂ、６０２２ａ、６０２２ｂに信号および電圧を供給する配線は、必要に応じて共有化することで、本数を削減できる。ここで、駆動回路に信号を供給する配線を信号線といい、駆動回路に電圧を供給する配線を電源線という。
第１の画素部６０１０を動作させるときのみ、ソース信号線駆動回路６０１１、およびゲート信号線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂを駆動させるのに必要な信号および電圧・電流が供給されればよいし、第２の画素部６０２０を動作させるときのみ、ソース信号線駆動回路６０２１、およびゲート信号線駆動回路６０２２ａ、６０２２ｂを駆動させるのに必要な信号および電圧・電流が供給されればよい。
第１の画素部６０１０と第２の画素部６０２０が同時に動作することがない構成とするならば、第１の画素部を動作させるソース信号線駆動回路６０１１および第２の画素部を動作させるソース信号線駆動回路６０２１に信号および電圧を供給する配線の一部もしくはすべてを共通のものとし、且つ前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を設けて、外部で切り替えるような構成にしてもよい。また第１の画素部を動作させるゲート信号線駆動回路６０１２ａ、６０１２ｂ、および第２の画素部を動作させるゲート信号線駆動回路６０２２ａおよび６０２２ｂに信号および電圧を供給する配線の一部もしくはすべてを共通のものとし、且つ前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を設けて、外部で切り替えるような構成にしてもよい。
また第１の画素部６０１０で表示される画像の一部を第２の画素部６０２０で表示する構成とするならば、映像信号を供給する配線をソース信号線駆動回路６０１１およびソース信号線駆動回路６０２１とで共通のものとしてもよい。
図７は本パネル基板を電子機器、例えば折り畳み式携帯電話機に使用した時の１例である。
図７の折り畳み式携帯電話機は、第１の筐体６１００と第２の筐体６２００から構成される。
第１の筐体６１００は、スピーカー６１０１、表示コントローラ６１０２、及び本実施例のパネル基板を有している。なお６０００は基板、６００２は対向基板を示している。
第２の筐体６２００は、アンテナ６２０１、マイクロホン６２０２、本体駆動用モジュール６２０３、操作ボタンモジュール６２０４およびバッテリー６２０５を有している。
図７（Ａ）は折り畳み式携帯電話機を開いた状態を表しており、使用者は第１の画素部６０１０に映し出された画像を見ることができる。
図７（Ｂ）は折り畳み式携帯電話機を閉じた状態を表しており、使用者は第２の画素部６０２０のに映し出された画像を見ることができる。このとき、第１の画素部６０１０を使用者は見ることができないので、第１の画素部６０１０に画像を表示する必要はない。
図７（Ｃ）は折り畳み式携帯電話機を開いた状態における断面図を表しており、第１の画素部６０１０の発光方向は６０１３、第２の画素部６０２０の発光方向は６０２３である。
【産業上の利用可能性】
以上のように、本発明によって、発光素子を備えた発光装置、特に、そのような発光装置を備えた携帯電話機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯情報端末について、両面表示が可能であり、かつ薄型で軽量の発光装置を提供することが可能となる。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の第１の画素がマトリクス状に配置された第１の画素部を有し、
前記基板上に前記第１の画素部とは異なる位置に、複数の第２の画素がマトリクス状に配置された第２の画素部を有し、
前記複数の第１の画素のそれぞれは第１の発光素子を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、第２の発光素子を有し、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子が発光する方向が表裏逆であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求の範囲第１項において、
前記第１の発光素子は第１の画素電極と、第１の電界発光層と、第１の対向電極を有し、
前記第１の画素部は前記第１の対向電極側から光を出射し、
前記第２の発光素子は第２の画素電極と、第２の電界発光層と、第２の対向電極を有し、
前記第２の画素部は前記第２の画素電極側から光を出射することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求の範囲第１項において、
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子から出射する光の方向は、
反射膜の有無によって決定されることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求の範囲第１項において、
前記第１の画素部を動作させる第１の駆動部と、
前記第２の画素部を動作させる第２の駆動部と、前記第１の駆動部および前記第２の駆動部にそれぞれ信号及び電圧を供給する配線の一部または全てを共通とし、
前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求の範囲第１項に記載の発光装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求の範囲第５項に記載の電子機器は携帯電話機であることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求の範囲第５項に記載の電子機器はＰｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ（ＰＤＡ）であることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
基板上に複数の第１の画素がマトリクス状に配置された第１の画素部を有し、
前記基板上に前記第１の画素部とは異なる位置に、複数の第２の画素がマトリクス状に配置された第２の画素部を有し、
前記複数の第１の画素のそれぞれは、前記基板の裏面から前記基板の表面に向かう方向に、前記基板の表面から光を発する第１の発光素子を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、前記基板の表面から前記基板の裏面に向かう方向に、前記基板の裏面から光を発する第２の発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求の範囲第８項において、
前記第１の発光素子は第１の画素電極と、第１の電界発光層と、第１の対向電極を有し、
前記第１の画素部は前記第１の対向電極側から光を出射し、
前記第２の発光素子は第２の画素電極と、第２の電界発光層と、第２の対向電極を有し、
前記第２の画素部は前記第２の画素電極側から光を出射することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求の範囲第８項において、
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子から出射する光の方向は、
反射膜の有無によって決定されることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求の範囲第８項において、
前記第１の画素部を動作させる第１の駆動部と、
前記第２の画素部を動作させる第２の駆動部と、前記第１の駆動部および前記第２の駆動部にそれぞれ信号及び電圧を供給する配線の一部または全てを共通とし、
前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求の範囲第８項に記載の発光装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求の範囲第１２項に記載の電子機器は携帯電話機であることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求の範囲第１２項に記載の電子機器はＰｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ（ＰＤＡ）であることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上に複数の第１の画素がマトリクス状に配置された第１の画素部を有し、
前記基板上に前記第１の画素部とは異なる位置に、複数の第２の画素がマトリクス状に配置された第２の画素部を有し、
前記複数の第１の画素のそれぞれは第１の発光素子を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、第２の発光素子を有し、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子が発光する方向が表裏逆であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求の範囲第１項において、
前記第１の発光素子は第１の画素電極と、第１の電界発光層と、第１の対向電極を有し、
前記第１の画素部は前記第１の対向電極側から光を出射し、
前記第２の発光素子は第２の画素電極と、第２の電界発光層と、第２の対向電極を有し、
前記第２の画素部は前記第２の画素電極側から光を出射することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求の範囲第１項において、
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子から出射する光の方向は、
反射膜の有無によって決定されることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求の範囲第１項において、
前記第１の画素部を動作させる第１の駆動部と、
前記第２の画素部を動作させる第２の駆動部と、前記第１の駆動部および前記第２の駆動部にそれぞれ信号及び電圧を供給する配線の一部または全てを共通とし、
前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求の範囲第１項に記載の発光装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求の範囲第５項に記載の電子機器は携帯電話機であることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求の範囲第５項に記載の電子機器はＰｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ（ＰＤＡ）であることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
基板上に複数の第１の画素がマトリクス状に配置された第１の画素部を有し、
前記基板上に前記第１の画素部とは異なる位置に、複数の第２の画素がマトリクス状に配置された第２の画素部を有し、
前記複数の第１の画素のそれぞれは、前記基板の裏面から前記基板の表面に向かう方向に、前記基板の表面から光を発する第１の発光素子を有し、
前記複数の第２の画素のそれぞれは、前記基板の表面から前記基板の裏面に向かう方向に、前記基板の裏面から光を発する第２の発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求の範囲第８項において、
前記第１の発光素子は第１の画素電極と、第１の電界発光層と、第１の対向電極を有し、
前記第１の画素部は前記第１の対向電極側から光を出射し、
前記第２の発光素子は第２の画素電極と、第２の電界発光層と、第２の対向電極を有し、
前記第２の画素部は前記第２の画素電極側から光を出射することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求の範囲第８項において、
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子から出射する光の方向は、
反射膜の有無によって決定されることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求の範囲第８項において、
前記第１の画素部を動作させる第１の駆動部と、
前記第２の画素部を動作させる第２の駆動部と、前記第１の駆動部および前記第２の駆動部にそれぞれ信号及び電圧を供給する配線の一部または全てを共通とし、
前記第１の画素部または前記第２の画素部のいずれか一方を動作させる手段を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求の範囲第８項に記載の発光装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求の範囲第１２項に記載の電子機器は携帯電話機であることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求の範囲第１２項に記載の電子機器はＰｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ（ＰＤＡ）であることを特徴とする電子機器。
【国際公開番号】ＷＯ２００４／０５５７６３
【国際公開日】平成１６年７月１日（２００４．７．１）
【発行日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−５６０６１２（Ｐ２００４−５６０６１２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００３／０１５７０５
【国際出願日】平成１５年１２月９日（２００３．１２．９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【国際公開日】平成１６年７月１日（２００４．７．１）
【発行日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【国際特許分類】
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００３／０１５７０５
【国際出願日】平成１５年１２月９日（２００３．１２．９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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