【課題】 ＧＭＲ膜を用いた薄膜磁気センサにおいて、アニール処理に伴うＧＭＲ膜の電気抵抗Ｒの変化率のＧＭＲ単独膜との差、及び、センサ間の差をなくし、薄膜磁気センサのＳ／Ｎ比の低下を抑制すること。
【解決手段】 下地膜１２と、下地膜１２上に形成された薄膜ヨーク１４、１６と、ギャップｇ内又はその近傍に形成されたＧＭＲ膜１８と、薄膜ヨーク１４、１６及びＧＭＲ膜１８の表面を保護する保護膜２０と、下地膜１２とＧＭＲ膜１８の界面及び／又は保護膜２０とＧＭＲ膜１８の界面に形成されたバリア層２２、２４とを備え、ＧＭＲ膜１８は、金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料からなり、バリア層２２、２４は、フッ化物を含む材料からなる薄膜磁気センサ１０ （もっと読む）

【課題】 ＧＭＲ膜を用いた薄膜磁気センサにおいて、素子を大型化することなく、適度な電気抵抗値と高い磁界感度とを同時に達成すること。
【解決手段】 巨大磁気抵抗効果を有するＧＭＲ膜１２の両端に軟磁性材料からなる薄膜ヨーク１４、１４が電気的に接続された複数個の単位素子１６…を備え、複数個の単位素子１６…は、薄膜ヨーク１４、１４の後端部において電気的に並列に接続されている薄膜磁気センサ１０。また、巨大磁気抵抗効果を有するＧＭＲ膜２２と、ＧＭＲ膜２２の両端に電気的に接続された、軟磁性材料からなる薄膜ヨーク２４、２４と、薄膜ヨーク２４、２４の感磁方向の反磁界が小さくなるように、少なくとも薄膜ヨーク２４、２４を複数個の領域に磁気的に分割するスリット２４ａ…を備えている薄膜磁気センサ２０。 （もっと読む）

【課題】 準マイクロ波帯域で動作する電子デバイスや電子回路中に発生する、近傍界電磁波ノイズを高効率で抑制する、近傍界電磁波ノイズ抑制薄膜材料を提供すること．
【解決手段】
準マイクロ波帯域で動作する、電子デバイスや電子回路中に発生するノイズを、その反射係数（Ｓ_１１）を実用レベルである−１０ｄＢ以下に、同時に電磁波ノイズ抑制効果（ΔＰ_ｌｏｓｓ／Ｐ_ｉｎ）を０．５以上にするために、薄膜材料の表面抵抗Ｒｓ（ρ／ｔ）を、空間の特性インピーダンスＺ（３７７Ω）と整合する、１０Ω／□以上、１０００Ω／□以下に制御することを特徴とする近傍界電磁波ノイズ抑制薄膜材料。また、以上の条件を満足し、且つ所望の周波数帯域に磁気共鳴周波数を有し、大きな抵抗損失と共に磁気損失を示す軟磁性薄膜材料からなる近傍界電磁波ノイズ抑制薄膜材料． （もっと読む）

【課題】本発明は、紫外可視波長領域で発光し、波長可変で室温付近で動作する発光素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造、量子井戸構造および量子ドット構造の発光素子を製作可能な固溶半導体発光素子用材料および発光素子を提供する。
【解決手段】一般式 Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｃｄ_ｘＹ_ｙＸ（但し、モル比で、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０≦ｙ≦０．１，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少なくとも一種又は二種以上の元素、Ｙ：Ｉ族、ＩＩＩ族、Ｖ族およびＶＩＩ族元素）で表される固溶半導体発光素子用材料およびそれらを用いた発光素子を、薄膜製造装置、例えば、ホットウォールエピタキシー装置を用いて成長を行う。なお、この際、基板として適当な基板、例えば、ＩｎＰを用いる。成長終了後、固溶半導体発光材料の取り出しは、各部の温度が室温まで降下した後、真空槽内を適当なガス、例えば、窒素によりパージすることにより適当な形状の薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】高い磁界感度を有し、かつその直線性が良好な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、かかる薄膜磁気抵抗素子を安価且つ容易に製造する方法を提供すること、前記薄膜磁気抵抗素子を用いた実用的な磁気センサを提供すること。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子１Ａを、絶縁基板２と、絶縁基板２上に形成され、一端が所要のギャップｇを介して対向に配置された帯状の第１軟磁性膜３及び第２軟磁性膜４と、第１軟磁性膜３の上面のギャップｇ寄りの部分及び第２軟磁性膜４の上面のギャップｇ寄りの部分にそれぞれ形成された非磁性絶縁膜５と、ギャップｇ内の絶縁基板２上、ギャップｇを臨む第１及び第２の軟磁性膜３，４の端面、並びにこれに続く非磁性絶縁膜５の端面と上面の一部に形成された巨大磁気抵抗薄膜６とから構成する。 （もっと読む）

【課題】高周波帯域で優れた軟磁気特性を示す磁性膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｃｏ１００−Ｘ−Ｙ−Ｚ−ＷＭＸＲＹＬＺＱＷ（原子％）で表される組成において、ＭはＮｉ，Ｐｔから選択される１種または２種の元素であり、ＲはＦｅ，Ｒｕから選択される１種または２種の元素であり、ＬはＢｅ，Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｙ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｚｒから選択される１種または２種以上の元素であり、ＱはＮ，Ｏから選択される１種または２種の元素であり、その原子比率が１０＜Ｘ＜５０，０＜Ｙ＜２０，１０＜Ｚ＜２０，１０＜Ｗ＜３０，３０＜Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＋Ｗ＜７０であり、２種類以上の微細構造からなり、かつ異方性磁界が１００Ｏｅ以上で、電気比抵抗が４００μΩｃｍ以上である高周波軟磁性膜。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、Ｆｅに所要の元素を添加した合金を、５００℃以上融点以下の高温度で１分間以上１００時間以下加熱して均質溶体化処理をした後、焼入するかあるいは毎秒１℃以下の速度で徐冷することにより、振動に対する減衰能が２×１０^−３以上を有する吸振合金を提供するもので、さらにこの合金を用いた各種デバイスおよび素子を提供しようとするものである。
【構成】 重量比にてコバルト５０％以下、クロム４５％以下、モリブデン１２％以下、タングステン、チタン、珪素のそれぞれ１０％以下、銅５％以下の１種または２種以上の合計０．００１〜６０％および残部鉄と不可避的不純物からなり、振動に対する減衰能が２×１０^−３以上を有することを特徴とする吸振合金。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金を、脱ガス、溶解、除滓、鋳造、1000〜1200℃で鍛造後10〜150 ℃／分で冷却、さらに冷間加工等の製造工程を経て、ストレインゲージ素子材を製造することにある。
【構成】 重量比にて、主成分としてＦｅ65〜85％、Ｃｒ13〜23％、Ａｌ２〜15％、副成分としてＮｉ５％以下、Ｃｕ５％以下、Ｃｏ５％以下、Ｍｏ２％以下、Ｗ４％以下、Ｎｂ２％以下、Ｔａ４％以下、Ｖ２％以下、Ｚｒ２％以下、Ｍｎ5.0 ％以下、Ｔｉ2.0 ％以下、Ｓｉ0.5 ％以下、Ｍｇ0.5 ％以下、Ｃａ0.5 ％以下および希土類元素0.1 ％以下の１種あるいは２種以上の合計5.0 ％以下とからなり、ゲージ率が２〜４および抵抗温度係数が＋500 〜−250 ×10^-6／℃を有するストレインゲージ用Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金。 （もっと読む）