【課題】本発明は、高いヤング率を有し、その温度係数が小さい恒弾性合金を提供することにある。また、これを使用した精密機器を提供することにある。
【解決手段】質量比にて、Ｃｏ20〜40％，Ｎｉ10〜20％、Ｃｒ5〜15％とＣａ，Ｓｒ，Ｂａのそれぞれ２％以下のI Iａ族元素及び当該I Iａ族元素のフッ素化合物のそれぞれ1％以下の1種又は２種以上の合計0.0001〜5％、及び残部Ｆｅからなる合金を、900℃以上融点未満の温度で焼鈍した後冷却し、ついで加工率50％以上の線引き加工を施して所望の太さの線材又は細線になした後、当該線材又は細線を550〜720℃の温度で加熱することにより、ヤング率190ＧＰａ以上及び0〜40℃におけるヤング率の温度係数(-5〜5)ｘ10^−５を有する高弾性・恒弾性合金が得られる。 （もっと読む）

【課題】弱磁性、高ヤング率でその温度係数が小さく、硬度が高い磁性不感高硬度恒弾性合金、ひげぜんまい、機械式駆動装置及び時計を提供する。
【解決手段】原子量比にて、Ｃｏ20〜40％及びＮｉ7〜22％の合計42.0〜49.5％、Ｃｒ5〜13％及びＭｏ1〜6％の合計13.5〜16.0％、及び残部Fe（但しFe37％以上）からなる合金を、1100℃以上融点未満に加熱後冷却し、ついで線引き加工と中間熱処理とを繰り返し、加工率90％以上の線引き加工を施して＜111＞繊維軸を有する繊維組織の線材となし、さらに圧下率20％以上の冷間圧延加工を施して薄板になした後、580〜700℃に加熱して、｛110｝＜111＞集合組織を有し、飽和磁束密度2500〜3500Ｇ、0〜40℃におけるヤング率の温度係数（-5〜+5）×10^−５℃^-1及びビッカ−ス硬度350〜550を有する磁性不感高硬度恒弾性合金。 （もっと読む）

【課題】線形性の高い磁界検出素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果材料からなる磁気抵抗効果部１０ａと、磁気抵抗効果部１０ａの両側に接続して配設され、磁気抵抗効果部１０ａに磁束を供給する、軟磁性材料からなる一対のヨーク部１１ａ，１２ａとを有する磁界検出素子７ａにおいて、ヨーク部１１ａ，１２ａに発生した磁束の一部を誘導して磁気抵抗効果部１０ａを迂回させ、ヨーク部１１ａ，１２ａよりも低い磁界強度で磁束が飽和する、軟磁性材料からなるバイパス部１３ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したｎｍサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で５％以上の磁気抵抗比を示し、且つ１×１０⁴μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜の耐熱性を高める。
【解決手段】 組成が一般式Ｆｅ_aＣｏ_bＮｉ_cＳｉ_xＭ_yＦ_zで表わされ、ＭはＭｇ，Ａｌ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ及びＧｄのうちから選択される１種又は２種以上の元素であり、かつ組成比ａ,ｂ,ｃ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，２０≦ａ+ｂ+ｃ≦６０,０＜ｘ＜１０,９≦ｙ≦４０，１５≦ｚ≦５０，３０≦ｙ+ｚ≦７０で表わされる磁気抵抗膜。 （もっと読む）

【課題】製造における薄膜構造制御が容易であり、かつ、磁化が２５００Ｇ以上、好ましくは３０００Ｇ以上の磁化を有する強磁性Ｆｅ酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｌ_{１００−ｘ−ｙ}Ｆｅ_ｘＯ_ｙ（但し、９０≦ｘ＋ｙ＜１００，２７≦ｘ≦６７，３７≦ｙ≦６７，Ｌ：Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｒおよびＭｇの一種または二種以上の元素、各数字は原子比率を示す）で表される強磁性薄膜材料を、薄膜製造装置、例えば、高周波スパッタリング装置を用いて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽光の可視光および紫外光を吸収し、高効率に水素を生成させる手段として、ナノスケールのＧｅ粒子と主にマトリクスであるアナタース型Ｔｉ酸化物結晶相を同時に含む複合構造薄膜材料の製造方法を新規に提供することにある。
【解決手段】１原子分率以上１５原子分率以下のＧｅと、その他が主にＴｉおよびＯから構成されるアモルファス薄膜を、高周波スパッタリング法により成膜し、これを熱処理することにより、ナノスケールのＧｅ粒子と主にマトリクスであるアナタース型Ｔｉ酸化物結晶相を同時に含む複合構造を形成する光電子素子用薄膜材料を製造する。好ましくは、該薄膜製造の際、酸素流量分率０．５以下の酸素含有雰囲気中で成膜し、当該熱処理の雰囲気、温度および時間を、それぞれ、真空中、４００〜８００℃および１５〜９０分とすることにより製造する。 （もっと読む）

【課題】高周波においても高いＳ／Ｎ比が得られる磁気カプラ素子および磁気結合型アイソレータを提供する。
【解決手段】入力電流に応じて磁界を発生させる励磁コイル７ａ，７ｂを含む磁界発生回路と、磁界発生回路で発生した磁界を印加することで抵抗値が変化する少なくとも１対の磁気抵抗効果素子９ａ，９ｂを含み、磁界発生回路が発生した磁界の強度に応じた電圧差を生じる２つの出力１２ａ，１２ｂを備える検出ブリッジ回路とを有する磁気カプラ素子２の、磁界発生回路および検出ブリッジ回路の幾何学形状を線対称または点対称にそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】高周波においても高いＳ／Ｎ比が得られる磁気カプラ素子および磁気結合型アイソレータを提供する。
【解決手段】入力電流に応じて磁界を発生させる励磁コイル７ａ，７ｂを含む磁界発生回路と、磁界発生回路で発生した磁界を印加することで抵抗値が変化する少なくとも１対の磁気抵抗効果素子９ａ，９ｂを含み、磁界発生回路が発生した磁界の強度に応じた電圧差を生じる２つの出力１２ａ，１２ｂを備える検出ブリッジ回路とを有する磁気カプラ素子２の、磁界発生回路および検出ブリッジ回路の幾何学形状を線対称または点対称にそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子及びマトリクス界面の良好な分離及びナノ粒子サイズ狭分布化を実現する手段として、熱処理における酸化及び還元からなる双方向性の反応系を有し、かつ、熱力学的に混ざりにくくナノスケール化された半導体粒子が分散する異種複合材料を新規に提供する。
【解決手段】一般式（Ｓｉ_１−ａＧｅ_ａ）_{１００−ｘ−ｙ}Ｍ_ｘＯ_ｙ（但し、６０≦ｘ＋ｙ≦９７，２０≦ｘ≦５０，２０≦ｙ≦７０，０＜ａ≦１、Ｍ：、Ｆｅ、Ｔｉ及びＴａの各一種の元素、又はＺｒ及びＹからなる２種の元素、各数字は原子比率を示す）あるいは、一般式Ｇｅ_{１００−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＯ_ｙ（但し、７０≦ｘ＋ｙ≦９７，２０≦ｘ≦５０，２０≦ｙ≦７０、各数字は原子比率を示す）で表される発光素子用材料並びにそれらを用いた発光素子を、薄膜製造装置を用いて成膜を行う。基板として石英を用い、成膜終了後、所望の特性を発現させるために、真空中において熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 適度の大きさの一軸磁気異方性を有し、且つ大きな電気被抵抗と高い飽和磁化を有した、透磁率の高周波特性の優れた磁性膜を提供する。
【解決手段】 一般式(Co₁-aFea)100-_X-_YM_XO_Yで示され、Mは Dy, Er, Gd, Hf, Li, Mg, Nd, Sc, Sr, Tm, Y, YbおよびZrのうちから選択される1種または2種以上ノ元素であり、その組成比aはa＜0.3、xおよびyは原子%で8＜x＜12, 27＜y＜37で、且つ36＜x+y＜48である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が30Oe以上100Oe以下、電気比抵抗値が300μΩcm以上1500μΩcm以下及び飽和磁束密度が8kG以上を有することを特徴とする一軸磁気異方性膜。 （もっと読む）