【課題】 単結晶シリコンウエーハと絶縁基板とを結合する際に、熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等が発生せず、また、各種テ゛ハ゛イス作製に有用な、薄くて良好な膜厚均一性を有し、結晶性に優れ、キャリア移動度の高いSOI 層（活性シリコン層）を持つSOIウエーハ とその製造方法を提供する。
【解決手段】 下記工程順に水素イオン 注入、多段熱処理、薄膜化及び剥離処理してなるSOIウエーハ の製造方法。(1) 単結晶シリコンウエーハの SOI層側から水素イオン を注入。(2) 単結晶シリコンウエーハのSOI 層側の面と絶縁基板を室温で密着。(3)100〜300 ℃で熱処理して仮接合。(4) 単結晶シリコン層をアルカリエッチンク゛ で厚さ 100〜250 μｍにする。(5)350〜 450℃で熱処理して本接合。(6) 単結晶シリコン層を研削、研磨して50μｍ以下の厚さにする。(7)500℃以上に加熱して水素イオン 注入層を劈開面として剥離し、単結晶シリコン層の厚さを 0.5μｍ以下のSOI 層にする。(8) SOI 層表面を鏡面研磨。(9)800℃以上の熱処理を加えて結合強度を高める。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、いわゆる種絞り（ネッキング）を行うことなく、シリコン単結晶を製造する方法において、その単結晶化の成功率を向上させることができる、シリコン種結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法でシリコン単結晶棒を製造する際に用いるシリコン種結晶において、シリコン融液に接触させる先端部の形状が、尖った形状または尖った先端を切り取った形状であり、その最大頂角が３度以上２８度以下であるシリコン種結晶。この場合、先端部をエッチングしたものとするか、チョクラルスキー法によって形成した丸め部を利用しても良い。そしてこのような種結晶を用いて、ネッキングを行うことなく、所望径のシリコン単結晶棒を育成させる。 （もっと読む）

【目的】ウェーハの形状が変わっても保持力や作業性に影響を与えることがなく、輸送中に受けるあらゆる方向からの振動・衝撃を吸収してウェーハの清浄性を保持しながら安全に輸送することのできる半導体ウェーハ収納容器を提供する。
【構成】この半導体ウェーハ収納容器は、これを構成する、上蓋１、容体２、内箱３、上部および下部緩衝板９、10の内のいずれか、または２以上の部材間に伸縮性膜13を張設し、この伸縮性膜13に半導体ウェーハＷの周縁部の少なくとも一点を接触させることで、半導体ウェーハＷを容器内に支持するものである。 （もっと読む）

【目的】 シリコンインゴット、ガラス等のワークを切断するワイヤソー切断装置において、切断後の残留加工歪が少なく、高品質の製品が安定的に得られる。
【構成】 本発明は、ワイヤの芯線を従来のピアノ線等の鋼線よりも軟質で適度の靭性と伸びを有する材料にて構成すれば効果的であることに着目してなされたものであり、その特徴とする点はワイヤソー用ワイヤの芯線をポリエチレン、ナイロン、ポリエステル等からなる素材、もしくはこれらの素材をガラス繊維、炭素繊維で補強された材料とし、該芯線の外周に砥粒を固着して構成されることにある。 （もっと読む）

【目的】本発明は、半導体インゴット等の被加工物を切断してウエーハを形成するワイヤソー及びその切断方法に関し、ウエーハのうねりを低減することを目的とする。
【構成】ワイヤに対し被加工物を押し当てる方向へ被加工物を直線移動させる速度（切断速度）を、周期的に変化させる。 （もっと読む）

【目的】 高品位な単結晶を生産性良く得ることができるとともに、高い製品歩留を確保することができる単結晶引上装置を提供すること。
【構成】 石英ルツボ３内のメルト１４Ａにポリシリコン１４Ａを連続的に供給しながら単結晶１７を育成させる単結晶引上装置１において、前記チャンバー２内の前記石英ルツボ３の上方にアッパーリング７を設置し、チャンバー２内上部から下方に延在するカーボン筒１０を前記アッパーリング７に上下動自在に貫通せしめる。本発明によれば、メルト１４Ａの表面からの輻射熱はアッパーリング７によって石英ルツボ３側に再反射され、アッパーリング７の断熱効果によってアッパーリング上方への伝達が遮断されるため、チャンバー２内のアッパーリング７より下方の空間が保温され、石英隔壁１２近傍や原料供給部におけるメルト１４Ａの固化が防がれて単結晶１７の育成速度ＳＥが高められる。 （もっと読む）

【目的】 種絞り部分の直径を太くして無転位の単結晶を得ることができ、引上げ中に単結晶棒が落下する事故を防止することができるシリコン単結晶の種結晶を得る。
【構成】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げにおいて使用する種結晶の先端部の形状を楔状にする。この場合の先端部の角度は２０°から６０°の間が望ましい。 （もっと読む）