【課題】 隣接する素子間に広がる空乏層を抑制し、相互に影響を与えないようにすることによって半導体素子間の間隔を狭くし、集積度を上げ、回路レイアウトの自由度の大きい半導体装置を提供する。
【解決手段】 半絶縁性基板上に、単一の導電型で形成された抵抗素子または電界効果トランジスタ素子が隣接している場合、隣接する両素子間に同じまたは逆の導電型のガード層を形成し、電位差が生じた場合に発生する電界の影響による電気的特性の変動を抑制する。また、ガード層の一端を接地することもできる。 （もっと読む）

【課題】ゲート長の短いゲート電極を有し、しかも低抵抗で高周波特性が優れている半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともノンドープＩｎＧａＰ層又はノンドープＩｎＡｌＧａＰ層からなる上層半導体層１２と、この上層半導体層直下にＧａＡｓ層またはＡｌＧａＡｓ層からなる下層半導体層１１を含む半導体基板に、上層半導体層表面から上層半導体層への浸入が、下層半導体層で略停止するショットキーゲート電極１５と、このショットキーゲート電極部に接続して第１の電極の抵抗を低減する第２の電極部１６からなるＴ字型ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 容易に構成でき、実装性や実装信頼性の高いＣＳＰを提供する。
【解決手段】 モールド樹脂とインターポーザともに半導体パッケージを構成し、半導体チップをインターポーザ上に搭載し、ワイヤボンドや別の方法によって半導体チップとインターポーザを接続できるようにパターニングされたインターポーザにおいて、前記インターポーザの上面と下面の導通をとるスルーホールに樹脂を充填し、さらにその上にメッキ加工を施し、穴がないビアホールを作製し、前記インターポーザ下面の電極となるパターンがはんだレジストより高くなるようにそれぞれを配置した。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体、シリコン半導体で形成したＭＩＳ型構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層と金属酸化物からなるゲート電極との界面に、金属酸化物から解離した酸素を含む層からなる絶縁層を備える。この絶縁層は、電極を形成した後、熱処理を行うことによって形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＲ型ディジタルフィルタで多数のフィルタ特性を切り替えて実現するとき、必要メモリ容量を削減する。
【解決手段】 ＩＩＲ型のディジタルフィルタにてピーク型共振フィルタを実現するとき、サンプリング周波数、フィルタの中心周波数、利得、Ｑ値等のフィルタパラメータからＩＩＲ型のディジタルフィルタの帰還部の係数を演算して得、該得られた前記帰還部の係数に基づきＩＩＲ型のディジタルフィルタの非帰還部の係数を演算して得て、これらの係数をフィルタ演算時に使用する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波又はミリ波の伝送特性が安定し、伝送線路の配置が自由にでき、電源ライン等の変更時でも伝送特性の確認が不要となるようにする。
【解決手段】 マイクロ波帯以上の高い周波数帯の信号を伝送する高周波側伝送線路１と、制御信号等を伝送する低周波側伝送線路１５とを電気的絶縁を維持して交差させる交差部において、低周波側伝送線路１５の交差部中心を挟んでλｇ／２（λｇ：使用周波数の波長）の距離未満、好ましくはλｇ／４の距離以内の交差部近傍に、高周波的接地手段として、例えば２個のスタブ１６Ａ，１６Ｂ（λｇ／４の長さ）を設ける。なお、このスタブ１６の外側にも、接地手段であるコンデンサ５，６が配置される。これによれば、低周波側伝送線路４での共振がなくなり、伝送特性が良好に維持される。また、上記接地手段として上記のスタブ１６又は薄膜コンデンサを配置することにより、広帯域化を図ることができる。 （もっと読む）

【目的】 絶縁物基板の加熱を防ぎ、加熱効率が向上した平面積層陰極を提供することを目的とする。
【構成】 絶縁物基板の中空部上を高抵抗ヒータ線路で形成し、絶縁物基板と接する部分を低抵抗ヒータ線路で形成した。また、絶縁物基板上に空孔を有する絶縁層を介してヒータ線路を形成する構成とした。 （もっと読む）