【課題】高温、高湿度環境で使用される半導体用ボンディングワイヤにおいて、アルミパッドとの接合信頼性を向上する。
【解決手段】純度９９．９９９質量％以上の金：４〜１０質量％、純度９９．９９質量％以上のパラジウム：２〜５質量％、残部が純度９９．９９９質量％以上の銀からなる三元合金系ボンディングワイヤであって、酸化性非貴金属ｊ元素が１５〜７０質量ｐｐｍ含有し、連続ダイス伸線前に焼きなまし熱処理がされ、連続ダイス伸線後に調質熱処理がされ、窒素雰囲気中でボールボンディングされる半導体用ボンディングワイヤ。Ag-Au-Pd三元合金ワイヤとアルミニウムパッドの接合界面でＡｇ_２Ａｌ金属間化合物層とワイヤとの間の腐食がＡｕ_２ＡｌとＰｄ濃化層によって抑制される。 （もっと読む）

【課題】高温半導体素子用銀クラッド銅リボンにおけるパッド電極界面との接合信頼性の向上、クラッド界面のクラッド層剥がれの抑制。
【解決手段】高純度の銀クラッド層と高純度の銅芯材テープからなる銀クラッド銅リボンにおいて、クラッド加工後に４５０〜７５０℃で熱処理してクラッド層の加工組織を解消しておくことにより、ボンディング時にパッド界面に形成されるクラッド層の高歪の微細な結晶組織からなる加工組織の発達を抑制して、クラッド層の他の領域との硬さの差を小さくしてクラック発生を防止すると共に高温使用環境下で微細な粒状結晶組織を形成して、パッド層からのＡｌなどの拡散を抑制し、パッド界面及びクラッド界面の金属間化合物の生成を抑制し、接合強度と信頼性向上する。 （もっと読む）

【課題】パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいて、連続伸線時のPd粉の堆積を低減してとダイヤモンドダイスの磨耗を抑制すると共に、軸上偏芯を低減し、安定した溶融ボール形成を可能とする。
【解決手段】高純度銅又は銅合金からなる芯材に純度９９質量％以上のパラジウムからなる中間層及びその上層に純度９９．９質量％以上であって、該中間層のパラジウムよりも硬度及び融点の低い、金、銀、銅又はこれらの合金からなる、膜厚１〜９ｎｍの超極薄表面層を形成した、線径１０〜２５μｍのボールボンディング用被覆銅ワイヤ。表面層によりパラジウムを被覆して潤滑性を向上して図３のパラジウム粉の堆積による伸線加工時の断線を防止し、かつ、軸上偏芯を抑制する。 （もっと読む）

【課題】パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいて、連続伸線時のPd粉の堆積を低減してとダイヤモンドダイスの磨耗を抑制すると共に、軸上偏芯を低減し、安定した溶融ボール形成を可能とする。
【解決手段】高純度銅又は銅合金からなる芯材に純度９９質量％以上のパラジウムからなる中間層及びその上層に純度９９．９質量％以上であって、該中間層のパラジウムよりも硬度及び融点の低い、金、銀、銅又はこれらの合金からなる、膜厚１〜９ｎｍの超極薄表面層を形成した、線径１０〜２５μｍのボールボンディング用被覆銅ワイヤ。表面層によりパラジウムを被覆して潤滑性を向上して図３のパラジウム粉の堆積による伸線加工時の断線を防止し、かつ、軸上偏芯を抑制する。 （もっと読む）

【課題】超音波接合性、高温信頼性を向上したＡｌパッドと基板側のリード間を多数箇所同時に接続するボンディングリボンを提供する。
【解決手段】パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）被覆銅芯材からなるボンディングリボンとして、
銅芯材を７０Ｈｖ以下のビッカース硬さをもつ純度９９．９％以上の銅（Ｃｕ）として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度９９．９％以上のパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）をアルゴンガス（Ａr）等の希ガス雰囲気下で室温の銅芯材テープ上にマグネトロンスパッタすることによって、微細な粒状の結晶組織として、芯材と被覆層とのビッカース硬さを同等にして、アルミパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の素子パッドとニッケル（Ｎｉ）被覆基板側のリード間を多数箇所同時に接続するボンディングリボンにおいて、超音波接合性、高温信頼性を向上する。
【解決手段】 金被覆銅リボンを銅芯材と金被覆層で構成し、
銅芯材を７０Hv以下のビッカース硬さをもつ純度９９．９％以上の銅（Ｃｕ）として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度９９．９％以上の金（Ａｕ）をアルゴンガス（Ａr）等の希ガス雰囲気下でマグネトロンスパッタすることによって、微細な粒状の結晶組織として、芯材と被覆層とのビッカース硬さを同等にして、アルミパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。
希ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタした金微細結晶組織は、硬さが金（Ａｕ）バルクよりも高く、粒状組織としたことで接合時の熱広がりを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の素子パッドと基板側のリード間を接続するボンディングリボンにおいて、超音波接合性、高導電容量、ループ特性を向上する。
【解決手段】 リボンをCu芯材をアルミ被覆層で構成し、
Cu芯材を７０Hv以下のビッカース硬さをもつ純度９９．９％以上の銅（Cu）として導電性とループ形成性を付与し、被覆層を純度９９．９％以上のAlをアルゴンガス（Ar）またはヘリウムガス等の不活性雰囲気下で析出することによって、３０Hv以上のビッカース硬さをもつ緻密な微細結晶組織として、芯材と被覆層との硬さの差を小さくして、Alパッドの損傷を防止するとともに、接合性を向上する。
不活性雰囲気中で析出したAl微細結晶組織は、硬さがAlバルクよりも高く、ループ時の切断や剥がれを生じない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるボンディングパッド部と金合金細線のボール部との接合部の高温信頼性を向上させる。
【解決手段】銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）等がめっきされた配線基板上に接続する外部リードと純アルミニウム（Ａｌ）または純度９９％以上のアルミニウム合金からなる半導体チップの電極パッドとを電気的に接続する金合金細線がパラジウム（Ｐｄ）を０．５〜０．７質量％、白金（Ｐｔ）を０．１〜０．３質量％および残部金（Ａｕ）で構成することにより、高温動作環境下においてもパッド電極と金合金ボール部との接合界面において、マイクロボイド(微小空孔)の発生やアルミニウム酸化物（Ａｌ₂Ｏ₃）層の成長粗大化を防止し、長期間安定した金ボンディングワイヤの接合強度が得られる。また、高温大気中(樹脂封止なし)や高温のハロゲンフリー樹脂の封止にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】直径２０μm以下の極細線ボールボンディング用ワイヤにおいて、数十万回の連続ボンディングを可能とする。
【解決手段】５N以上の高純度金に３N以上の高純度Pd、Pt、Cuの一以上を合計５〜２質量％含有させた合金マトリックスに微量添加元素として、Ca、Mg、Laをそれぞれ５〜５質量ｐｐｍ含有、または、さらにBe：１〜２０ｐｐｍ、及び／またはCe、Y、及びEuの一種以上を合計で１〜３０質量ｐｐｍ、さらにこれらの微量添加元素の合計が１００ｐｐｍ以下含有させることにより、溶融ボール表面の添加元素の表面偏析を抑制し、それらの析出物や酸化物がボンディング時にキャピラリー先端部に堆積することによるループ形成時のワイヤの摺動抵抗増加を抑制する。
これらキャピラリー先端部の表面性状が滑らかな状態に維持されることによって、ワイヤボンディングにおけるネック損傷や不着などの接合不良が抑制され、長期間の連続ボンディングが可能となる。 （もっと読む）