説明

日亜化学工業株式会社により出願された特許

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【課題】光の取り出し効率又は受光効率が高く、かつ安価に製造することができる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を放射又は吸収する活性層を備えた光半導体チップが接合部材を用いて基材上に接合されてなり、接合部材が光半導体チップの外側に光反射面を有するように形成された光半導体素子の製造方法であって、接合部材を上記基材上に塗布することと、光半導体チップを、溶融した接合部材が光半導体チップの側面の外側にはみ出すように押圧して光半導体チップの外側に光反射面を形成する。 (もっと読む)


【課題】耐熱性に優れた信頼性の高い発光装置等を提供する。
【解決手段】発光素子2Cと、発光素子の発する光の少なくとも一部を吸収し異なる波長に変換するよう、発光素子の周囲に配置された蛍光体3Cとを備え、蛍光体が(Sr,Ca)xAlwSiy{(2/3)x+w+(4/3)y}:Eu(0.5≦x≦3、0.5≦y≦9、0.5≦w≦5)で表され、かつ結晶構造を有する窒化物系蛍光材料よりなり、かつ蛍光体の表面をリンを含む化合物で処理している。この構成により、蛍光体の酸化を防止し、蛍光体の劣化を抑制して長期にわたって安定した使用を可能とする。 (もっと読む)


【課題】電源効率を維持しつつ、LED利用効率及び力率を改善する。
【課題手段】交流電源に接続可能で、該交流電源の交流電圧を整流した脈流電圧を得るための整流回路2と、前記整流回路2の出力側と直列に順に接続される、複数の発光ダイオードからなる第一LEDブロック11と、複数の発光ダイオードからなる第二LEDブロック12と、複数の発光ダイオードからなる第三LEDブロック13と、前記第一LEDブロック11の通電量に基づいて、前記第二LEDブロック12をバイパスする第一バイパス経路BP1のON/OFFを切り替える第一切り替え手段と、前記第一LEDブロック11及び前記第二LEDブロック12の通電量に基づいて、前記第三LEDブロック13をバイパスする第二バイパス経路BP2のON/OFFを切り替える第二切り替え手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】 放熱が十分でないと、発光素子の発光効率が低下する(輝度が低下する)、発光素子の寿命が短くなる等の問題がある。
【解決手段】 本発明に係る発光装置は、表面及び裏面に発光素子が配置された発光素子基板と、発光素子基板の表面と熱的に接続された第1の放熱板と、発光素子基板の裏面と熱的に接続された第2の放熱板と、を有する。第1の放熱板及び第2の放熱板は発光素子基板を介して対向しており、第1の放熱板及び第2の放熱板の少なくとも一方は、外部に固定可能な固定手段を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】薄型で光取り出し効率の高い光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板上に、互いに離間する第1及び第2の導電部材を複数形成し、該第1及び第2の導電部材の上面の一部を保護膜で被覆する第1の工程と、前記第1及び第2の導電部材の間に遮光性の熱硬化性樹脂を含む基体を形成する第2の工程と、前記保護膜を除去し、該保護膜を除去した前記第1及び/又は第2の導電部材上に光半導体素子を載置し、前記光半導体素子を、透光性樹脂からなる封止部材で被覆する第4の工程と、前記支持基板を除去する第4の工程と、前記光半導体素子を個片化して光半導体装置を得る第5の工程を含む光半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 薄型で光取り出し効率の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置の製造方法は、ステンレスからなる支持基板上に、Auを有する第1領域と、ステンレス中の金属との拡散係数がAuより小さい金属部材を含む第2領域とを有する最下層を有する導電部材を、複数箇所形成する第1の工程と、導電部材の間の前記支持基板上に、遮光性樹脂からなる基体を形成する第2の工程と、導電部材の上面に、接着部材を介して発光素子を接合させる第3の工程と、発光素子を透光性の封止部材で被覆する第4の工程と、支持基板を除去後、発光装置を個片化する第5の工程と、
を有することを特徴とする。これにより薄型で光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。 (もっと読む)


【課題】 薄型で光取り出し効率の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置の製造方法は、ステンレスからなる支持基板上に、Auとの拡散係数が前記支持基板中の金属よりも小さい金属を含む金属層と、その上にAuを主成分とする第1層及び第1層上に積層されAuと異なる金属を主成分とする第2層とを有する導電部材を、複数箇所形成する第1の工程と、導電部材の間の支持基板上に、遮光性樹脂からなる基体を設ける第2の工程と、導電部材又は基体の上面に、金属を含有している接着部材を介して発光素子を載置し、金属層の融点よりも低い温度で加熱して接着部材を溶融させる第3の工程と、発光素子を透光性の封止部材で被覆する第4の工程と、金属層と第1の層との間で剥離することで支持基板を除去後、発光装置を個片化する第5の工程と、を有することを特徴とする。これにより薄型で光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。 (もっと読む)


【課題】強度及び磁力を向上させたボンド磁石を提供する。
【解決手段】磁性粉末と樹脂からなる筒状のボンド磁石であって、筒状ボンド磁石は、単一の成形体であり、かつ、軸方向にN極とS極が少なくとも4極以上、交互に多極磁化されており、筒状ボンド磁石の内径が外径の10%〜65%の範囲にある。これにより、パイプに挿入することなく磁石の強度を向上させた磁石が得られ、またそのような磁石により磁力を向上させたものを容易に製造できる。 (もっと読む)


【課題】活性領域への電流の供給を促進させ、しきい値電流の低く、高出力で長寿命の垂直共振器型面発光レーザを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の垂直共振器型面発光レーザは、n型半導体層、活性層及びp型半導体層を含む窒化物半導体層の少なくとも一方の表面に、開口部を有する絶縁層と、前記開口部を被覆するように前記絶縁層上に設けられた透光性電極と、該透光性電極を介して前記開口部上に設けられた誘電体材料からなる反射鏡とを有し、前記絶縁層と前記反射鏡の間に導電性材料を設けることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 側面における磁気特性を向上させた柱状のボンド磁石を提供する。
【解決手段】 本発明は、磁性粉末と樹脂からなる柱状のボンド磁石であって、上記柱状のボンド磁石は、射出成形によって成形された単一の成形体であり、ゲートの痕跡が柱状ボンド磁石の軸方向に設けられた端面の中央部に配置されているとともに、軸方向にN極とS極が交互に多極磁化されていていることを特徴とする。また、柱状ボンド磁石は、射出成形によって成形される柱状ボンド磁石である。さらに、上記磁性粉末は、異方性の希土類系磁性粉末である。 (もっと読む)


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