説明

日亜化学工業株式会社により出願された特許

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【目的】 発光ピークが430nm付近、および370nm付近にある窒化ガリウム系化合物半導体材料よりなる発光素子を有する発光ダイオードの視感度を良くし、またその輝度を向上させる。
【構成】 ステム上に発光素子を有し、それを樹脂モールドで包囲してなる発光ダイオードにおいて、前記発光素子が、一般式GaXAl1-XN(但し0≦X≦1である)で表される窒化ガリウム系化合物半導体よりなり、さらに前記樹脂モールド中に、前記窒化ガリウム系化合物半導体の発光により励起されて蛍光を発する蛍光染料、または蛍光顔料が添加されてなる発光ダイオード。 (もっと読む)


【目的】 結晶性に優れたp−n接合窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を得る。
【構成】 基板上に一般式がGaXAl1-XN(0≦X≦1)で表されるバッファ層と、その上に積層された少なくとも一つの層に薄膜のAlN層とGaN層が交互に成長された多層膜層とを成長させることにより、GaNの格子欠陥を多層膜層で止める。 (もっと読む)


【目的】 結晶性に優れた窒化ガリウムアルミニウムの混晶膜が得られる結晶成長方法を提供することにより、シングルヘテロ、ダブルヘテロ構造の発光ダイオード、レーザーダイオードを実現する。
【構成】 薄膜のGaN層と薄膜のAlN層とを交互に成長させた多層膜層を成長させ、さらにその多層膜層のGaN層とAlN層のそれぞれの総膜厚の比が窒化ガリウムアルミニウム半導体のモル比に対応しているように、GaN層とAlN層とを成長させる。 (もっと読む)


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