【課題】発光効率の良好な赤みを帯びた暖色系の白色の発光装置を提供すること、青色発光素子等と組み合わせて使用する黄から赤領域に発光スペクトルを有する蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｂが１ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下含まれている、一般式Ｌ_ＸＭ_ＹＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ）}：Ｒ若しくはＬ_ＸＭ_ＹＯ_ＺＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ−（２／３）Ｚ）}：Ｒ（Ｌは、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の群から選ばれる第ＩＩ族元素である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ等の群から選ばれる第ＩＶ族元素である。Ｒは、Ｅｕ等の群から選ばれる希土類元素である。Ｘ、Ｙ、Ｚは、０．５≦Ｘ≦３、１．５≦Ｙ≦８、０＜Ｚ≦３である。）で表される窒化物蛍光体。青色発光素子１０からの光の一部を波長変換し、黄から赤色領域にピーク波長を有する前記窒化物蛍光体と、から構成される発光装置。 （もっと読む）

【課題】多数の半導体発光素子をバンドルファイバで結合し、半導体発光素子の冷却を効果的に行う構成とした半導体発光素子の冷却装置を提供すること。
【解決手段】半導体レーザのレセプタクル３に光ファイバ１７を連結し、複数の光ファイバをバンドルファイバ５で一つに束ねて連結する。断面形状が略門型の固定台６にヒートシンク８を載置し、レセプタクル３をヒートシンク８に固定する。各光ファイバ１７とバンドルファイバ５を固定台６の上部に配置し、冷却ファン１０を運転して冷却風を固定台の門型形状で囲まれた空間部を通して通過させる。また、回路基板７を固定台６の一方側壁に沿って配置する。 （もっと読む）

【課題】 電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板上に、ｎ側コンタクト層、ｎ側クラッド層及びｎ側光ガイド層が積層されたｎ型窒化物半導体層領域と、ｎ側光ガイド層上に形成された窒化物半導体からなる活性層と、その活性層上に形成された、ｐ側光ガイド層、ｐ側クラッド層及びｐ側コンタクト層が積層されたｐ型窒化物半導体層領域とを有し、ｐ側クラッド層を、１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含まない窒化物半導体からなる第１の層と、該第１の層と組成が異なりかつ１０オングストローム以上で１００オングストローム以下の膜厚を有し、Ａｌを含む窒化物半導体からなる第２の層とが積層された超格子層とした。 （もっと読む）

【課題】 効率よく生産することができる電力効率のよい窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板上に発光層を含む１又は２以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたｐ型窒化ガリウム系半導体層と、透光性を有しかつｐ型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第１正電極と、第１正電極上の一部に形成された第２正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、第２正電極は、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも１つを主成分として第１正電極に接するように形成された第１層と、該第１層上に形成されたＡｕ又はＰｔを主成分として形成された第２層とを含む積層体が熱処理されてなり、第２正電極の直下の発光層における発光を抑制した。 （もっと読む）

【課題】インジウムを含む窒化物半導体を包含する活性層を有する窒化物半導体素子であって、発光効率が高い窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】活性層（１６）の少なくとも片面に、活性層（１６）のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第１の窒化物半導体層（１０１）を活性層（１６）に接して形成し、さらに、その上に第１の窒化物半導体層（１０１）のバンドギャップエネルギーよりも小さなバンドギャップエネルギーを有する第２の窒化物半導体層（１０２）と、第２の窒化物半導体層（１０２）のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第３の窒化物半導体層（１０３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】緑色ＬＥＤのみならず３６０ｎｍ以上の発光波長で高輝度、高出力の窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】少なくともインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層６に接して、ｎ型の窒化物半導体よりなる第１のｎ型クラッド層５および／またはｐ型の窒化物半導体よりなる第１のｐ型クラッド層７を形成する。第１のｎ型クラッド層５は、活性層６よりも小さい熱膨張係数を有し、第１のｐ型クラッド層７も、活性層６よりも小さい熱膨張係数を有する。活性層６は単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とされ、これにより活性層６を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光させるようする。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現し、特に紫外〜緑色領域で発振する短波長レーザを実現する。
【解決手段】 基板１上に、少なくともｎ型窒化物半導体よりなる第一のｎ型クラッド層５と、その第一のクラッド層に接してインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層６と、その活性層に接してｐ型窒化物半導体よりなる第一のｐ型クラッド層７とが順に積層された構造を有し、さらにｐ型窒化物半導体側からエッチングされて同一面側に正、負一対の電極が取り出された構造を備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記第一のｎ型クラッド層５の外側に、互いに組成の異なる２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ型の多層膜４４を光反射膜として備え、さらにそのｎ型の多層膜は、最も基板側に近いエッチング面（図６のＡ面）よりもｐ型窒化物半導体層に近い位置に形成される。 （もっと読む）

【目的】 青色発光ダイオードを用いた白色可能な面状光源を実現し、均一な白色発光を観測できる面状光源を提供する。
【構成】 透明な導光板２の端面に発光ダイオード１が光学的に接続されており、さらに前記導光板２の主面のいずれか一方に、蛍光を散乱させる白色粉末が塗布された散乱層３を有し、前記散乱層３と反対側の導光板２の主面側には透明なフィルム６が設けられており、そのフィルム６には前記発光ダイオード１の発光により励起されて蛍光を発する蛍光物質が具備されている。 （もっと読む）

【目的】 青色発光ダイオードを用いた白色可能な面状光源を実現し、均一な白色発光を観測できる面状光源を提供する。
【構成】 透明な導光板の端面に発光ダイオードが光学的に接続されており、さらに前記導光板の主面のいずれか一方に、前記青色発光ダイオードの発光により励起されて蛍光を発する蛍光物質と、蛍光を散乱させる白色粉末とが混合された状態で塗布された蛍光散乱層を有し、前記青色発光ダイオードの発光が前記蛍光散乱層で波長変換される。 （もっと読む）