【課題】 ＣＯＤレベルを高くでき、かつ寿命の長い窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、Ｉｎを含有する活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子において、窒化物半導体基板の主面のうち、少なくともリッジの直下に位置する第１の領域は、基準結晶面に対して傾いたオフ面であり、かつ活性層は、Ｉｎを含む井戸層と複数の障壁層を含み、その複数の障壁層のうちの少なくとも１つは、ＧａＮにより構成する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性および耐熱性に優れ、高出力発光可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、絶縁性基板が導電性部材により接合されてなる支持体と、該支持体に搭載される半導体素子とを有する半導体装置であって、支持体は、半導体素子１０２が配される凹部１０９と、該凹部１０９の側壁に配され半導体素子１０２を覆う透光性部材１０１とを備え、導電性部材は、半導体素子と電気的に接続されており、凹部１０９の底面に延出される第一の導電性部材１１０と、絶縁性基板により該第一の導電性部材１１０から絶縁され凹部１０９の側壁に配される第二の導電性部材１１１とからなる。 （もっと読む）

【課題】高出力、長寿命なレーザを実現すると共に信頼性に優れた発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体からなる基板上部に、ｎ側クラッド層を有し、そのｎ側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記ｎ側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのｎ側クラッド層と離間して形成されていることにより、窒化物半導体基板の劈開性が良くなり、歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】 複数の発光素子からなる光源において、光出力のばらつきを容易に確認する。
【解決手段】 本発明は、複数の発光素子からなる光源と、上記発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し異なる波長を有する光を発する蛍光物質が含有された光変換部材と、上記複数の発光素子のうち、光出力が異なる発光素子を識別する光出力検出手段とを備え、上記光出力検出手段と上記光源との間に介在させた光変換部材からの光出力によって、上記光出力が異なる発光素子を識別することを特徴とする光出力検出システムである。 （もっと読む）

【課題】発光効率の極めて良好な半導体発光素子を用いて、発光装置を構成する部材の劣化を防止しながら、色再現性に富む高演色性と、極めて高輝度の光を発する高発光効率との双方の性質を十分に発揮させることができる高性能かつ高寿命の発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】励起光を射出する励起光源と、該励起光源から射出される励起光を吸収し波長変換して所定の波長域の照明光を放出する波長変換部材と、一端に該励起光源を備え、他端に該波長変換部材を備え、断面の中心部（コア）の屈折率を周辺部（クラッド）より高くして該励起光源から射出される励起光を該波長変換部材へ導出するライトガイドと、前記ライトガイドに導入された励起光に対してモードスクランブルをかけるモードスクランブラーとから構成されてなる発光装置。 （もっと読む）

【課題】発光効率の極めて良好な半導体発光素子を用いて、発光装置を構成する部材の劣化を防止しながら、極めて高輝度の光を発する高発光効率の性質を十分に発揮させることができる高性能かつ高寿命の発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】励起光を射出する励起光源と、該励起光源から射出される励起光を吸収し波長変換して所定の波長域の照明光を放出する波長変換部材と、一端に前記励起光源を備え、他端に前記波長変換部材を備え、断面の中心部（コア）の屈折率を周辺部（クラッド）より高くして該励起光源から射出される励起光を波長変換部材に導出するライトガイドと、前記波長変換部材に接触する導電性透光膜とから構成されてなる発光装置。 （もっと読む）

【課題】 青色波長に線スペクトルを有する高発光効率の青色半導体レーザを用いて、高演色性と、高発光効率との、互いにトレードオフの関係にある双方の性質を満足する高性能の発光装置を提供する。
【解決手段】青色波長域の励起光１を射出するレーザ素子１１を含む第１の励起光源１０と、該励起光源から射出される励起光を吸収、波長変換し、前記励起光よりも長波長域の光を放出する１種以上の蛍光物質を含む波長変換部材３０と、断面の中心部の屈折率が周辺部の屈折率より高く、前記励起光源から射出される励起光を前記波長変換部材へ導出するライトガイド２０とからなる少なくとも１つの第１ユニットと、前記レーザ素子よりも短波長域の励起光を射出するレーザ素子を含む第２の励起光源と、前記波長変換部材と、前記ライトガイドとからなる少なくとも１つの第２ユニットとを組み合わせてなる発光装置。 （もっと読む）

【課題】光源を一個使用する場合でも導光板の輝度ムラを低減して均一な発光を得ると共に、光源と導光板の界面近傍における漏れ光を低減し、光の取り出し効率を改善する。
【解決手段】面発光装置は、導光板の主面におけるいずれかの隅部であって、かつ導光板の主面と略直交する端面に対向するように配置された一の光源を備える。導光板の光源を配置する隅部を面取り状にカットした光源配置面２３とし、導光板の発光面２１の内、所定の領域を発光領域２４とし、該発光領域２４に向かう発光成分を多くするように、導光板の光源配置面２３を挟む２辺の少なくとも一方の側面は、傾斜角度が光源配置面２３から離れるに従って大きくなるように連続的に傾斜された曲面に形成しており、これによって、光源配置面２３から離れるに従って発光面２１の中心側に向かって反射される成分が多くでき、少ない光源でも効率よく発光できる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化を実現して高出力化を図った電界効果トランジスタ等を提供する。
【課題手段】電界効果トランジスタは、ｉ型層の第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成され該第１の半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第２の半導体層を備える。第１の半導体層及び第２の半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体層より構成され、第２の半導体層にゲート電極３６が形成され、第１の半導体層に第２の電極３９が形成され、ゲート電極３６及び第２の電極３９で第１の半導体層及び第２の半導体層を挟むよう構成している。この構成により、チャネルに蓄積されるホールを素子から排出することが可能となり、電界効果トランジスタの耐圧を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 駆動に伴うＧａＮ系半導体発光素子からの発熱により、同一のリード部材に配置され隣り合う発光素子の熱による破壊を防止することを目的とする。
【解決手段】 青色に発光するＧａＮ系の第１の発光素子１１０と、緑色に発光するＧａＮ系の第２の発光素子１２０と、赤色に発光する第３の発光素子１３０とがそれぞれ第１のリード電極２１０、第２のリード電極２２０、第３のリード電極２３０に配置され、これらのリード電極を固定部材３００で固体する。第１のリード電極２１０の第２部２１２と第２のリード電極２２０の第２部２２２は第３のリード電極２３０の第２部２３２よりも太く、第３のリード電極２３０の第２部２３２は第４のリード電極２４０乃至第６のリード電極２６０の第２部に相当する部分よりも太い。 （もっと読む）