【課題】高耐圧化を実現して高出力化を図った電界効果トランジスタ等を提供する。
【課題手段】電界効果トランジスタは、第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成され該第１半導体層よりバンドギャップエネルギーの異なる第２半導体層を備える電界効果トランジスタであって、前記第１半導体層及び第２半導体層はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層よりなり、前記第１半導体層上にゲート電極３６及びソース電極３５が形成され、前記第２半導体層上にドレイン電極３７が形成され、前記ドレイン電極３７とゲート電極３６とが、前記第１半導体層及び第２半導体層を含む半導体構造の互いに異なる面に形成されている。これにより、ゲート電極３６とドレイン電極３７とが半導体構造の同一面でなく、異なる面にそれぞれ配置されることで物理的に離間されるので、電界効果トランジスタのドレイン耐圧を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】反応溶媒としてエーテルを使用せず又は殆ど使用せずに、合金にしないガリウム及びマグネシウムからトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の炭化水素化合物中で、真空加熱された上記混合物と、ヨウ化アルキル及び臭化アルキルからなる群より選ばれる少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】樹脂の耐熱性を向上させ、磁性粉末の酸化劣化等を効果的に抑制し高い磁気特性を発揮し得るボンド磁石を提供する。
【課題手段】ボンド磁石は、亜鉛を主体とする金属で加熱処理がなされた希土類磁性粉末と、磁性粉末を固定する樹脂バインダとを備え、樹脂バインダは融点が２２０℃〜２８０℃である熱可塑性ポリエステル樹脂及び／又は融点が１５０℃〜２５０℃である熱可塑性ポリオレフィン樹脂である。この構成により、磁性粉末を亜鉛処理することで、保磁力の弱い部分を非磁性として、本来の磁性を発揮し得る。また樹脂バインダとして高融点の熱可塑性ポリエステル樹脂及び／又は高融点の熱可塑性ポリオレフィン樹脂を使用することで、ボンド磁石の耐熱性を高め、高温でも高品質で使用可能なボンド磁石が実現できる。 （もっと読む）

【課題】ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、ガリウムとマグネシウムとハロゲン化アルキルとの反応により高収率でトリアルキルガリウムを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】トリメチルガリウムを製造する方法であって、少なくとも１種のエーテル化合物中で、ガリウムとマグネシウムと少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させ、反応途中で反応系を少なくとも１種のエーテル化合物で希釈する方法。 （もっと読む）

【課題】シリコーン樹脂製のレンズを破損や汚れから保護する構造を光学装置に備える。
【解決手段】光学装置は、光学素子と、光学素子を被覆するシリコーンレンズを使用したレンズ体と、レンズ体の側面に配置され、レンズ体の表面よりも高い位置まで延長された保護壁とを備える。この構成によって、レンズ体を保護壁で保護し光学装置の信頼性を高めることができる。保護壁は、レンズ体の周囲を覆う連続した壁状に形成されることで、レンズ体の周囲を保護壁で完全に覆って外部から保護できる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化ガリウムのアルキル化によりトリアルキルガリウムを合成できる簡便な方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムを真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の溶媒中で、真空加熱処理されたマグネシウムと、少なくとも１種のハロゲン化ガリウムと、少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
リチウム二次電池の放電容量及び充電容量を低下することなく、充電時における熱安定性、及びサイクル特性を向上できる正極活活物質のコバルト酸リチウム複合酸化物を提供する。
【解決手段】
リチウム二次電池用正極活物質の製造方法であって、コバルト酸リチウム複合酸化物を製造する工程と、前記コバルト酸リチウム複合酸化物とＡｌ_２Ｏ_３とを混合する工程とを有するリチウム二次電池用正極活物質の製造方法とする。さらに、コバルト酸リチウム複合酸化物を有するリチウム二次電池用正極活物質であって、前記コバルト酸リチウム複合酸化物は、その粒子表面がＡｌ_２Ｏ_３によって被覆されており、前記コバルト酸リチウム複合酸化物は、組成式がＬｉｘＣｏＯ_２で表され、Ｘの値が、１．０５≦ｘ≦１．１０を満たす。 （もっと読む）

【課題】電極界面との接触抵抗を低減した高効率な電界効果トランジスタ等を提供する。
【課題手段】電界効果トランジスタは、窒化物半導体からなる第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成され、第１の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、且つ残留ドナー濃度が５×１０¹²／ｃｍ^-2以上となる窒化物半導体からなる第２の半導体層と、第２の半導体層上に各々形成されるソース電極、ゲート電極及びドレイン電極とをそれぞれ備える電界効果トランジスタであって、ソース電極及び／又はドレイン電極は、少なくとも第２の半導体層の一部に形成された段差部分上に形成されている。この構造により、段差部分でチャネル形成部分と電極との接触面積を増やし、オーミック接触の接触抵抗を下げて効率を改善できる。 （もっと読む）

【課題】ｐ側オーミック電極とｐ型コンタクト層との接触幅を精度よく制御することができ、かつ素子特性の劣化の少ない信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層の上に形成されたｐ側オーミック電極と、ｐ側オーミック電極の上に形成されたｐ側パッド電極とを備えた窒化物半導体素子であって、ｐ側オーミック電極がＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕよりなる群から選択された少なくとも１種とＡｕとその少なくとも１種とＡｕとの合金層を含んでなり、ｐ側パッド電極がＲｈ又はＲｈＯからなりｐ側オーミック電極に接して形成された密着層と、その密着層上に接して又はＴｉ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、またはこれらの窒化物からなる群から選ばれた少なくとも１つを含んで成り密着層の上に形成されたバリア層を介して形成されたＡｕ層とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 色調バラツキの少ない色再現性に富む発光装置を提供すること、かつ発光装置
を構成する部材の劣化を防止して高い発光効率をえることができる高性能かつ高寿命の発
光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 励起光を射出する励起光源と、屈曲可能に長手方向に延長し、前記励起
光源から射出される励起光を伝送するライトガイドと、前記ライトガイドを介して、前記
励起光源から射出される励起光を吸収し、波長変換して所定の波長域の光を放出する波長
変換部材とから構成される発光装置であって、前記ライトガイドは、励起光を射出する側
において、長手方向に対して垂直に交わる横断面積よりも広い面積の端面を有し、かつ、
ライトガイド先端部材により支持されており、前記ライトガイドとライトガイド先端部材
の少なくとも一部とが、前記波長変換部材に被覆されてなる発光装置。 （もっと読む）