【課題】対向電極構造を有する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】対向する二つの主面を有し、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きな熱膨張係数を有する成長用基板１の一方の主面上に、少なくとも、ｎ型窒化物半導体層２〜５と、活性層６と、ｐ型窒化物半導体層７〜８と、を成長させて接合用積層体を形成する。次に、ｐ型窒化物半導体層８の上に１層以上の金属層から成る第１の接合層９を設ける一方、対向する二つの主面を有し、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きく、かつ上記成長用基板と同じか小さい熱膨張係数を有する支持基板１０の一方の主面上に１層以上の金属層から成る第２の接合層１１を設ける。次に、第１の接合層９と第２の接合層１１とを対向させて、接合用積層体と支持基板１０とを加熱圧接して接合する。その後、接合用積層体から成長用基板１を除去して、窒化物半導体素子を得る。 （もっと読む）

【課題】低い転位密度と広いウエハ面積を両立可能な窒化物半導体ウエハ及びその製造方
法を提供すること。
【解決手段】 （ａ）六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する２つの主面がい
ずれもＣ面から成る一次ウエハとし、（ｂ）一次ウエハをＭ面に沿って切断して複数の窒
化物半導体バー４を得て、（ｃ）複数の窒化物半導体バー４を、隣り合う窒化物半導体バ
ー４のＣ面同士が対向し、各窒化物半導体バー４のＭ面が上面となるように配列し、（ｄ
）配列された窒化物半導体バー４の上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続
したＭ面を主面に有する窒化物半導体層６を形成し、窒化物半導体ウエハ８を得る。 （もっと読む）

【課題】 発光素子が耐熱性、紫外線等の短波長の光に対する耐光性、機械的強度に優れたシリコーン樹脂層により被覆された発光装置を提供すること。
【解決手段】 発光素子と、該発光素子を被覆するようにスクリーン印刷された樹脂層とを有し、 前記樹脂層が、 (イ)下記平均組成式（１）： Ｒ^１_ａ(ＯＸ)_ｂＳｉＯ_{（４−ａ−ｂ）／２} （１）（式中、Ｒ^１は炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Ｘは水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、ａは1.05〜1.5の数、ｂは０＜ｂ＜２を満たす数、但し、ａ＋ｂは1.05＜ａ＋ｂ＜２を満たす数である。)で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×10^３以上であるオルガノポリシロキサン、（ロ）縮合触媒、（ハ）溶剤、および（ニ）微粉末無機充填剤を含有する硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物からなる発光装置。 （もっと読む）

【課題】 発光素子基板枠材の開口窓形状によらず効率良い発光が可能な発光ユニット、それを用いた照明装置、イメージセンサおよび画像読取装置を提供する。
【解決手段】 発光ユニットは、発光素子と、前記発光素子を搭載した発光素子基板と、前記発光素子を露出するための開口窓を有する発光素子基板枠材とを有し、前記開口窓内部は第１の樹脂および第２の樹脂で封止され、前記発光窓内部から発光窓外部に向かって、前記第1の樹脂に対する前記第２の樹脂の比率が小さくなっている。前記第１の樹脂は透明樹脂であり、前記第２の樹脂は明度の高い有色樹脂または、光反射および／または散乱材を含む樹脂である。前記第１の樹脂と前記第２の樹脂との断面境界線は、曲線となっているため、発光素子から出射された光のうち、開口窓底面で反射した光も効率良く外部に出射することができる。 （もっと読む）

【課題】 放熱性能が優れた照明装置用発光ユニットを提供する。
【解決手段】 発光素子と、 前記発光素子を搭載するための発光素子基板と、前記発光素子を露出するための開口窓を有する発光素子基板枠材と、前記発光素子に給電する電極とを有する発光ユニットにおいて、前記発光素子基板は金属であり、前記発光素子は前記発光素子基板に直接搭載されていることを特徴とする発光ユニット。または、前記発光素子基板は金属であり、前記発光素子基板上には金属酸化膜が設けられ、前記発光素子は、前記金属酸化膜上に形成された前記電極上に搭載されていることを特徴とする発光ユニット。 （もっと読む）

【課題】電流を過度に集中させずに発光をより均一にし、さらに光の取り出し効率を向上させ、寿命の長い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、電極配置面側から見て、ｎ側電極が、導電性部材が接続されるべきｎ側接続部９−１と、ｎ側接続部の所定の一部から長手方向に延伸したｎ側延伸部９−２とから構成されると共に、ｐ側パッド部が、導電性部材が接続されるべきｐ側接続部１０ｂ−１から少なくとも構成され、さらに、長手方向における一端近傍にｎ側接続部が配置されたｎ側接続部領域と、長手方向における他端近傍にｐ側接続部が配置されたｐ側接続部領域と、その間に位置する中間領域とを備えており、ｎ側延伸部が中間領域内に位置し、中間領域において、ｎ側延伸部がｐ側電流拡散部と対向して延伸している。 （もっと読む）

【課題】
従来のバッファーでは、Ｓｉ基板の上に形成される窒化物半導体層の結晶性が、十分に
良好なものにはならなかった。本発明は、Ｓｉ基板１の上に形成される窒化物半導体層５
の結晶性をより向上することができる半導体構造体、半導体素子、および窒化物半導体結
晶の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体構造体である。この半導体構造体においては、Ｓｉ基板１の上に、Ａｌが第１結
晶として層状に形成され、この層状に形成されたＡｌの上に、ＧａＮが第２結晶として形
成されている。また、Ｓｉ基板１の表面において、第１結晶が島状であり、この島状であ
る一方が第２結晶に囲まれている。 （もっと読む）

【課題】発光特性の良好な赤色蛍光体と、それを用いた発光装置を得る。
【解決手段】窒化物蛍光体は、ユーロピウムで賦活された近紫外線乃至青色光を吸収して赤色に発光する窒化物蛍光体であって、以下の一般式で示され、ｗ、ｘ、ｙ、ｚを以下の範囲とし、さらに添加元素として希土類元素、４価の元素、３価の元素の少なくともいずれかを含む。
Ｍ_wＡｌ_xＳｉ_yＮ_{((2/3)w+x+(4/3)y)}：Ｅｕ²⁺
ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの群から選ばれる少なくとも一
０．０４≦ｗ≦９、ｘ＝１、０．０５６≦ｙ≦１８
【効果】ピーク波長を長波長にシフトできるので、高価な希土類元素であるユーロピウムの賦活量を少なくしても、より深い赤色に発光できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、このような問題を解決し、順方向電圧（Ｖｆ）の低い窒化物半導体素子を実現したＳｉ基板の上に窒化物半導体素子構造を有する窒化物半導体素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ基板上に窒化物半導体素子構造を形成してなる窒化物半導体素子の製造方法であって、Ｓｉ基板の窒化物半導体層素子構造を形成する面に、周期律表の第１３族元素をイオン注入する第１の工程と、第１の工程後、Ｓｉ基板を加熱処理する第２の工程と、第２の工程から連続して、窒化物半導体素子構造として、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とを少なくともこの順に成長する第３の工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】残光性を調整可能な蛍光体と、それを用いた発光装置を得る。
【解決手段】窒化物蛍光体は、ユーロピウムで賦活された窒化物蛍光体であって、以下の一般式で示され、ｗ、ｘ、ｙ、ｚを以下の範囲とし、残光を調整するためにさらに希土類元素、３価の元素及び４価の元素から選ばれる少なくとも１種の元素が含有されている。
Ｍ_wＡｌ_xＳｉ_yＮ_{((2/3)w+x+(4/3)y)}：Ｅｕ
ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの群から選ばれる少なくとも１種、
０．０４≦ｗ≦９、ｘ＝１、０．０５６≦ｙ≦１８ （もっと読む）