【課題】樹脂部5とベース板1との密着機能および水分浸入抑制機能を維持しつつ、搭載部1cと被取り付け部材200との間のみにグリス201が配置される場合であって、１回のねじ止めによってねじ止め部1aが被取り付け部材200に固定され、次いで、１回のねじ止めによってねじ止め部1bが被取り付け部材200に固定される場合であっても、ベース板1の変形を抑制する。
【解決手段】ねじ止め部1a,1bとそれらの間の搭載部1cとを有するベース板1を設け、搭載部1cにパワー半導体素子2Lと外部端子4Lとを搭載し、樹脂部5の下面5fとベース板1の下面1Dとが一致するように樹脂材料の成形によりベース板1の一部とパワー半導体素子2Lと外部端子4Lの一部とを封止した樹脂封止型パワー半導体モジュール100において、張り出し部1d2,1e2,1f2,1g2と、ベース板1の中心面CPabと鋭角をなす直線状の溝部1h1,1h2,1h4,1h5とを設けた。 （もっと読む）

【課題】表面を傷つけることなく、外部導出端子を９０°折り曲げる。
【解決手段】半導体装置10に相対的に固定された側板100c1,100c2に対して押し下げ部材100dを下向きに移動させ、押し下げ部材100dの押し下げ面100d1aによって支持部材100b1の当接部100b1b3,100b1c3を押し下げ、姿勢を維持したまま、支持部材100b1および押し当て部材100a1を側板100c1,100c2のガイド溝100c1a,100c2aに平行に斜め下向きに移動させ、押し当て部材100a1の側面100a1bを、鉛直方向上向きに延びている外部導出端子10b1に当接させ、次いで、外部導出端子10b1が折れ曲がり始めると、押し当て部材100a1の橋絡面100a1cを外部導出端子10b1に当接させ、次いで、押し当て部材100a1の下面100a1aが外部導出端子10b1に当接する時に、外部導出端子10b1の折り曲げ角度が９０°になる。 （もっと読む）

【課題】水冷設備を準備できない使用環境でサイリスタチップを冷却する。
【解決手段】サイリスタチップ113,123を具備する圧接型大電力用サイリスタモジュール100において、複数の放熱フィン1bを有するヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板11とコモンバー12とアノードサブスペーサ181とサイリスタチップ113とカソードサブスペーサ183とカソードスペーサ14とカソード端子バー18とを圧接手段19によって上下方向に圧接し、ヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板21とコモンバー12とカソードスペーサ24とカソードサブスペーサ193とサイリスタチップ123とアノードサブスペーサ191とアノード端子バー22とを圧接手段29によって上下方向に圧接した。 （もっと読む）

【課題】ナットのインサート成形不良を低減し、パワー半導体モジュール全体の製造コストを削減し、ナットと放熱部材との間の絶縁性を向上させる。
【解決手段】外部導出端子3がインサート成形された外囲ケース4と、放熱部材2と、蓋体5とによって画定されるケース内部4'にパワー半導体素子1aが配置されたパワー半導体モジュール100において、ナットとしての機能を有するナット部10aと、外部導出端子3の上側水平部分3aに接合するためにナット部10aの上面10a1から上側に延びている概略円筒状の接合部10bとを、袋ナット10に形成し、上側水平部分3aのねじ穴3a3に対して接合部10bを圧入することによって外部導出端子3と袋ナット10とを一体化させた状態で、外部導出端子3と袋ナット10とをインサート成形し、ナット部10aの下面10a2と放熱部材2の上面2a1との間に外囲ケース4の樹脂を配置した。 （もっと読む）

【課題】１ペレット上に、互い耐圧が異なる複数の半導体素子を備えており、回路を省スペース化することができ、簡単な製造工程で製造できる複合半導体装置を実現する。
【解決手段】第１の半導体素子は、ドリフト領域６の表面に形成され、第１の半導体領域８を有し、第２の半導体素子は、第１の半導体領域８よりアイソレーション領域を介して離間されドリフト領域６の表面に形成された第２の半導体領域１０を有し、第２の半導体領域１０は、第１導電型の不純物と第２導電型の不純物がドーピングされることにより、ドリフト領域６の不純物のプロファイルは、第２の半導体領域１０側の表面において濃度が高くなる山状の濃度分布を持つ。 （もっと読む）

【課題】装置全体の大型化を招かず、放熱性を向上し、高剛性で反りを発生しにくくする。歩留まり良く高品質に製造する。
【解決手段】複数のリードフレーム３０１−３０４はそれぞれ、内部接続部３０１ｂ−３０４ｂが略同一面上に面するように配置されるとともに所定の配列方向Ｘに並べられ、内部リード１０９−１１１は、半導体素子１０６−１０８とこれに隣接する内部接続部との間に架設されてこの両者を機械的・電気的に接続し、複数の半導体素子の配列方向と、複数の内部リードの配列方向と、各内部リードの架設延在方向とが所定の配列方向Ｘとされ、リードフレームは、封止樹脂３０５により封止されたその一部が所定の配列方向Ｘに沿った軸回りで曲げられることで構成された蛇腹部３０１ｃ−３０４ｃ，３０１ｄ−３０４ｄを有し、該蛇腹部は、半導体素子が搭載された側に凸である。 （もっと読む）

【課題】小数キャリアの注入量により少数キャリアを引き抜くための時間を適宜設定可能な構成とし、重金属拡散等の技術を利用することなく、低ＶＦ特性と、短Ｔｒｒ、低Ｑｒｒを、デバイスの使用目的及び態様等に応じて最適化する。
【解決手段】半導体基板３１の上に形成された低不純物濃度の第１導電型である第１半導体層３２と、第２導電型であるガードリング３３と、第２導電型である複数の島状の第３半導体層３５と、第１半導体層３２の上面の一部の領域に形成された第１のバリアメタル４５と、第１半導体層３２及び複数の第３半導体層３５の上に形成された第１のバリアメタル４２の第１のバリアハイト４１より高い第２バリアメタル４３、４５を備えている。 （もっと読む）

【課題】低いバリアハイトのバリアメタルを用いても伝導度変調を起させるように、別に第２のバリアメタル７を設けた構成とすることにより、ドリフト抵抗を低減し、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧降下の低減を実現する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、Ｎ⁻エピタキシャル層３と接合する第１のバリアメタル６はバリアハイトの低いメタルを用いるとともに、Ｎ⁻エピタキシャル及びＰ^＋ガードリング４にわたって上面にバリアハイトの高い第２のバリアメタル７を設ける構成としたので、微小電流領域は低ＶＦ特性のカーブとし、高電流領域ではＰ^＋ガードリング４からの小数キャリアの注入を積極的にさせて低ＶＦ特性のカーブとし、順方向電圧降下の低減する。 （もっと読む）

【課題】所望のツェナー電圧の設計を前提とし、順方向電圧降下の低減をするとともに、定格サージ逆電力（ＰＲＳＭ）を大きくして瞬間的に発生するツェナー電圧以上のサージ電圧に対しても素子破壊を生じにくくする。
【解決手段】Ｎ⁻層２の表面からＮ^＋基板３側に向かう深さに対応する抵抗率の対数が、深さが増加するに従って直線的に低減する第１の領域ｔ１−１と、深さが増加しても一定である第２の領域ｔ１−２と、深さが増加するに急峻に低減する第３の領域ｔ２とが、順次形成されており、第１の領域ｔ１−１の抵抗率の対数の低減より、第３の領域ｔ２の抵抗率の対数の低減率は大きく、第１の領域の最深部の位置Ｘ１−１は、ガードリング１とＮ⁻層２の接合面Ｘｊより深い位置にある。 （もっと読む）

【課題】複数の電極導出端子及びその間に設置された樹脂板を共に成形型に収めて当該端子を一体に保持する端子付樹脂部品が樹脂成型され、当該端子付樹脂部品が回路基板に取り付けられてなるパワー半導体モジュールにおいて、樹脂板の設置作業を簡単、迅速、正確に行う。
【解決手段】本モジュールは、回路基板に取り付けられる端子付樹脂部品に複数の電極導出端子Ｐ，Ｕ，Ｎが互いに平行に配置される平板部Ｐ２，Ｕ２，Ｎ２をそれぞれ有し、平板部の間に配置され当該平板部の間の間隔を保持する樹脂板Ｂ，Ｔを備え、平板部の縁（外縁や孔の内縁）に係合して樹脂板を平板部の所定の位置に係止する凸部Ｂ１〜Ｂ６，Ｔ１〜Ｔ５が当該樹脂板に設けられる。 （もっと読む）