【課題】 目的とする不純物分布や組成比の気相成長膜を再現性よく成長させる気相成長方法を提供する
【解決手段】 (a) 複数の原料ガス源１１，１２，１３と、(b) それぞれのガス源に一端が接続された複数の原料配管２１，２２，２３と、(c) それぞれの原料配管の他端が接続され、原料ガスを成長室６０と排気系７０に切り替える切り替えバルブ３１，３２，３３，４１，４２，４３とを有する装置を用い、(d) 原料配管と切り替えバルブを介して原料ガスを成長室６０に導入することで気相成長を開始し、気相成長を行う気相成長方法において、(e) 気相成長時よりも多い流量の原料ガスを少なくとも１つの原料配管２１，２２，２３に流した後に気相成長を開始するものである。 （もっと読む）

【課題】 サイクル特性に優れたリチウム二次電池用正極材料を提供すること。
【解決手段】 リチウム二次電池用正極材料として、Ｌｉ_１＋ｘＭｎ_２−ｘＯ_４（０≦ｘ≦０.３３）の化学式で表され、長径の大きさが３〜１０ミクロンの一次粒子を１.０〜４０重量%含む材料を用いる。好ましくは、二次粒子の長径と短径の比が１.５以内の擬似球形状を持ち、また安息角が３０°以内となるようにする。 （もっと読む）

【目的】 通常環境下での変色防止効果に優れるとともに耐熱性にも優れ、さらに低温での樹脂との接着力の大きい、銅または銅合金用の変色防止液および変色防止方法を確立する。
【構成】 シランカップリング剤および銅よりも貴な金属またはその塩を主成分とし、さらに溶媒として水または有機溶剤を含有し、さらに必要に応じて、ｐＨ緩衝剤及び／または界面活性剤を含む変色防止液とする。変色防止処理は、銅または銅合金を上記変色防止液に浸漬するか、あるいは該変色防止液を銅または銅合金に散布又はスプレーすることによって行う。 （もっと読む）

【課題】 金属や無機物質と樹脂との接着性を向上させる金属表面処理剤、樹脂添加剤の提供。
【解決手段】
【化１】


［Ｒ¹〜Ｒ⁴は炭素数１〜５のアルキル基、ｍは１〜１０、ｎは１〜３］を有効成分とする金属、無機物質などの表面処理剤、又は樹脂添加剤。 （もっと読む）

【課題】 金属や無機物質と樹脂との接着性を向上させるに有用な有機ケイ素化合物の提供。
【解決手段】
【化１】


［ただし、Ｒ¹〜Ｒ⁴は炭素数１〜５のアルキル基、ｌは１〜５、ｍは１〜１０、ｎは１〜３］ （もっと読む）

【目的】 カーボン製の育成容器を用いて再現性良く育成容器と育成結晶との固着を防止できる硼酸リチウム単結晶の育成方法を提供する。
【構成】 グラファイトなどの六角平面格子を基本結晶構造とするカーボン、またはセルローズカーボン、グラッシーカーボンもしくはビトロカーボン等のガラス状硬質炭素などからなるカーボン製の育成容器４を用いて、種結晶２または育成結晶１と原料融液３との固液界面の温度よりも原料融液３の温度の方が高く、かつ原料融液３の最高温度が１００５℃以下、好ましくは９８５℃以下となるような温度勾配を設けながら垂直ブリッジマン法などにより結晶成長を行うようにした。
【効果】 歩留り良くクラックのない良質の硼酸リチウム単結晶が再現性良く得られる。 （もっと読む）

【目的】 ＬＥＣ法によりリネージのない良好な化合物半導体単結晶を育成することのできる単結晶成長装置を提供する。
【構成】 るつぼ２の上方から封止剤４の上面近傍まで垂下して育成結晶７の側方を覆うスカート部６Ａを有する熱遮蔽体６を備えており、結晶側面及び封止剤上面からの放熱を抑制し、結晶外周部の温度低下を防止して結晶７と原料融液８との固液界面を下凸状に保つ。スカート部６Ａの内径Ｘ1 は、直胴部の直径の１．１〜１．６倍、より好ましくは１．２〜１．４倍の大きさである。スカート部６Ａの下端と封止剤４の上面との距離Ｌは、０mmよりも大きく２mm以下、より好ましくは０．５〜１．５mm以下である。スカート部６Ａの熱容量は、室温において３０〜１００Ｊ／Ｋ以下、より好ましくは４０〜８０Ｊ／Ｋ以下である。
【効果】 結晶育成中、固液界面形状が下凸状に保たれ、リネージの発生が防止されるので、育成した単結晶から取得できるウェハの歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【目的】 高周波特性に優れ、しかもチップ面積が縮小された半導体装置を提供することである。
【構成】 外部信号により、１つの入／出力信号と２つの出／入力信号とをスイッチングする半導体装置において、前記入／出力信号が入／出力される第１の共通電極と、前記第１の共通電極に隣接し、前記２つの出／入力信号がそれぞれ出／入力される第１及び第２の出／入力電極と、前記第１及び第２の出／入力電極にそれぞれ隣接した第２の共通電極と、前記第１の共通電極と前記第１及び第２の出／入力電極との間に設けられた第１の制御電極と、前記第２の共通電極と前記第１及び第２の出／入力電極との間に設けられた第２の制御電極とを半導体上に含む。 （もっと読む）