【課題】 プラスチック中の微量カドミウムの量を正確に測定できるＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】 Ｒｈターゲットを有するＸ線管５と、プラスチック試料４間に、Ｘ線フィルタ６が配置されている。第１Ｘ線フィルタ６ａはジルコニウムからなり、第２Ｘ線フィルタ６ｂは銅からなり、第３Ｘ線フィルタ６ｃはモリブデンからなる。第１フィルタ６ａの厚さは１００μｍ程度、第２フィルタ６ｂの厚さは２００μｍ程度、第３フィルタ６ｃの厚さは４０μｍ程度である。 （もっと読む）

【課題】 透過電子顕微鏡の観察に適した試料を作製することができる試料加工装置を提供する。
【解決手段】 遮蔽材支持手段をなす遮蔽材支持ステージ２３ａの基台１００は、試料Ｓの加工面ＳＡが上下に通過可能とされた切り欠き部１００ａを備える。基台１００上には、供給ホイール１０１、一対の支持ホイール１０２、張力印加ホイール１０３、及び弾性部材１０５が設けられている。供給ホイール１０１から供給された長尺状（ワイヤ状）の遮蔽材Ｍは、一対の支持ホイール１０２の間で架橋されて支持され、この部分の遮蔽材Ｍが試料Ｓの加工面ＳＡの上方に配置される。試料Ｓのエッチング加工時には、遮蔽材Ｍが加工面ＳＡの近傍に介在された状態でイオンビームが照射されて行われる。このとき、張力印加ホイール１０３を介して弾性部材１０５により遮蔽材Ｍに所定の張力が印加される。遮蔽材Ｍの交換時には、供給ホイール１０１から自動的にイオンビームが未照射の遮蔽材Ｍが供給される。 （もっと読む）

【課題】円形状のウエーハの分析に対応していない装置であっても、ウエーハを座標に基づいて分析することを可能にするウエーハ位置決め用治具を提供する。
【解決手段】ウエーハＷが載置される台座２と、該台座上において、ウエーハのノッチ部の一点又はオリエンテーションフラット部９の二点を支持する切り欠き部支持手段３ａ，３ｂと、前記ウエーハの円弧部の一点を支持する円弧部支持手段４と、前記台座に対して可動し、前記ウエーハの円弧部の他の一点を支持する可動支持手段５とを有し、前記台座に載置されたウエーハを前記切り欠き部支持手段及び円弧部支持手段で支持し、さらに前記可動支持手段で該ウエーハを支持することにより該ウエーハが前記台座上の所定の位置で固定され、該ウエーハが固定された治具を前記分析装置の試料ステージにセットすることにより該ウエーハが位置決めされるものであることを特徴とするウエーハ位置決め用治具１。 （もっと読む）

【課題】 照明光の輝度を上げても光学顕微鏡の視野のサーマルドリフトが生じにくく、ウェーハ上の微小な異物も確実に検出・同定できる顕微ラマン微小パーティクル発見装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハＷ上の異物の形状を観察するための光学顕微鏡１３と、レーザー光源２と、レーザービームＬＢを光学顕微鏡１３によるウェーハＷ表面上の観察視野に導き該観察視野上の異物に絞り照射するとともに、当該レーザービームＬＢによって励起された異物からのラマン散乱光を分光するラマン分光部１２と、光学顕微鏡１３内にて観察視野を照らし出すための照明機構３０とを備える。照明機構３０は、第一端部側に観察視野に向けて照明光を照出する照明光照出部を有するとともに、第二端側が観察視野から光学顕微鏡１３外に延出するライトガイド部３２と、該ライトガイド部３２の第二端側に照明光を供給する光源２３とを有してなる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線検出特性を劣化させることなく、安定して確実に製造することができる、半球体の半導体検出器および半導体検出器製造方法を実現する。
【解決手段】 半球体をなす半導体検出器１０の半球断面に掘削部１８を設け、半球面をなすＰ型半導体領域１１の辺縁部に突起部１４を設けることとしているので、製造工程で必要とされる半導体検出器１０の支持を突起部１４で行い、簡易な構造の半導体検出器１０のＸ線検出特性に影響を与えることなく、安定して確実に製造を行うことを実現させる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線検出素子を大気に晒すことなく冷凍機を交換することができるエネルギー分散型Ｘ線検出器を提供する。
【解決手段】 冷凍機３１を交換するとき、作業者はボルト２８を外して、開閉蓋２６を真空容器７から取り外す。次に作業者は、低温端３５を低温端固定部１７ａに固定しているボルト３６を外す。そして作業者は、ボルト３４を外して、冷凍機３１をフランジ１３から取り外す。このとき、真空室４２は真空ベローズ（１６，１８）により冷凍機室（１９，２０）から真空的に分離されているため、Ｘ線検出素子４０のまわりの雰囲気は大気に開放されることなく高真空に維持される。次に作業者は、新しい冷凍機をフランジ１３に固定する。そして作業者は、その新しい冷凍機の低温端を低温端固定部１７ａにボルト３６で固定してから、開閉蓋２６を真空容器７にボルト２８で固定する。 （もっと読む）

【課題】 観察に適した良好な試料を簡単に作製できる試料ホルダおよびイオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】 試料セット部９は試料貼付け面１０を有している。遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９の上に配置されており、遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９に固定されている。遮蔽材ガイド部１２は遮蔽材ガイド面１３を有している。試料貼付け面１０は遮蔽材ガイド面１３より所定量Ｄ＝４０μｍだけ下がった所に位置している。このように試料貼付け面１０が遮蔽材ガイド面１３より４０μｍだけ下がった位置に形成されているため、厚さ１００μｍの試料７を試料貼付け面１０に取り付けると、図２（ｄ）に示すように、試料７が遮蔽材ガイド面１３より６０μｍだけ前に出た状態となる。そして、厚さ２０μｍ程度の遮蔽材１６が遮蔽材ガイド面１３にセットされる。 （もっと読む）

【課題】反射電子線検出装置において、結晶粒界とその方位情報を得る他に、磁性材料解析機能や、特定結晶方位の分布検査機能を付加し、より広範な解析を行うことがでるようにする。
【解決手段】操作部１４を使ったオペレータの操作により、解析情報の取得領域が電子線照射軸に対して垂直とされたとき、システム制御部１５の制御に基づいて、前記電子線像における前記取得領域の縦方向に画素の輝度を積算し、解析情報として試料の磁区パターン情報を得、システム制御部１５に送る。システム制御部１５は、前記磁区パターン情報に応じた画像を表示部１３に表示する。 （もっと読む）

【課題】 走査電子顕微鏡本体側と外部分析装置側に同等の回路を備えることなく、簡単な構成により、試料の特定領域の元素分析や元素マッピングを正しい分析位置（電子ビーム一致）で正確に行うことができる分析機能を有した分析走査電子顕微鏡を実現する。
【解決手段】 図８は電子ビームが試料の分析位置に移動中の非直線応答期間には走査ウェイト信号に基づき電子ビームの試料への照射を停止する際の各信号波形を示している。（ｊ）は走査ウェイト信号を示している。この図８から明らかなように、電子ビームが移動する際に生じる非直線応答の時間を適切に設定することで、電子ビームの正しい位置における分析データを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 観察に適した良好な薄膜試料を簡単に作製できる試料作製方法および試料作製装置を提供する。
【解決手段】 イオン銃が左右に繰り返し傾斜され、ｚ軸に対して左右にそれぞれ１．５度傾斜したイオンビームＩ_Ｂによって試料素材１１はエッチングされる。図８（ａ）のあと図８（ｂ）に示すように試料素材１１はエッチングされる。その後、何回かイオン銃が左右に傾斜されて試料素材１１のイオンエッチングが行われ、図８（ｃ）のように試料素材１１はエッチングされる。図８（ｃ）に示した試料素材１１のＡ部分が更にイオンエッチングされたため、図８（ｄ）に示すように、試料素材１１には貫通孔Ｈが開いている。貫通孔Ｈの周辺部分Ｋは１００Å程の薄膜となっており、薄膜部分Ｋの厚さはＴＥＭ観察に適した厚さである。 （もっと読む）