【課題】 基板あるいは電子部品の接続部に形成されたはんだ膜表面の酸化を防止し、フラックスレスで接続できる基板あるいは電子部品を提供する。
【解決手段】 基板１上に、メタライズ２を形成し、その上にＳｎはんだ膜３とＡｇ膜４が形成された構成である。Ａｇ膜４は大気中、室温で酸化されない金属である。ウェットプロセスでも、ＡｇとＳｎの電池反応により、露出したＳｎはんだ膜３の側面のみが酸化されるため、接続に影響を及ぼす、はんだ膜上のＡｇ膜４上面は酸化されない。Ｓｎはんだ膜３の溶融と同時に、Ａｇ膜４はＳｎはんだ中へ溶解するので、Ａｇ膜４が接続を阻害することもない。 （もっと読む）

【課題】微細なViaホールに欠陥無く金属を充填することができる電解めっき方法およびその装置を提供する。
【解決手段】微細配線およびViaホールを有する半導体あるいは化合物基板への電解めっきにおいて、めっき開始するまでの間に導電膜の化学的溶解を防止するため、導電膜の電位が自然電位より卑になるように基板とアノード電極間に微弱電流を流す。またViaホールを有する基板のパルス電解めっき方法において、めっき電流の休止時間に、導電膜およびめっき膜の電位が自然電位より卑になるように、微弱直流電流を通電しながらパルス電解電流を重畳する。パルス電解条件は、Viaホールの開口径と深さの比及び基板上に形成された導電膜の厚さあるいは電気抵抗により通電電流密度及び通電/休止時間比を設定する。 （もっと読む）

【課題】 ポリイミド膜直上に形成されたボンディングパッドに導体ワイヤが良好に接続された電子回路基板を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した第１層金属パタン３と、第１層金属パタン３の上に形成したポリイミド膜２と、ポリイミド膜２の表面に形成した第２層金属パタンとを有し、第１層金属パタンにダイボンディングした半導体チップ７と電気的接続を取るために、第２層金属パタン３１の表面にボールボンディングにより形成された導体バンプ４を形成する。この導体バンプ４と半導体チップ７の電極７２をワイヤボンディングにより電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝を有する被めっき物表面に新しいめっき液を供給し易くし、高速でめっきができるめっき装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、めっき槽と、該めっき槽に配設した陽極板と、該陽極板に対向して配設する被めっき物を保持する保持手段とを有するめっき装置において、前記めっき槽はめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成する流路壁を有し、該流路壁は前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
サイズがコンパクトなリフレクタを備えたＬＥＤ用サブマウント及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
ＬＥＤ用サブマウントは、表面に入出力端子３ａ，３ｂを有するＳｉ製ベース基板２と、斜面付き貫通穴を有するとともに、少なくともこの斜面に反射膜５が形成されたＳｉ製リフレクタ１とからなり、Ｓｉ製ベース基板２の上にＳｉ製リフレクタ１を搭載し、接合固定されている。Ｓｉ製リフレクタ１とＳｉ製ベース基板２とは、薄膜はんだにより接合される。 （もっと読む）