説明

日立東京エレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】
半導体装置等をはじめとする回路パターンを有する基板面に白色光、レーザ光、電子線を照射して検査し、検出された表面の凹凸や形状不良、異物、さらに電気的餡欠陥等を短時間に高精度に同一の装置で観察・検査し、区別する検査装置および検査方法を提供する。また、被観察位置への移動、画像取得、分類を自動的にできるようにする。
【解決手段】
他の検査装置で検査され、検出された欠陥の位置情報をもとに、試料上の被観察位置を特定し、電子線を照射し画像を形成する際に、観察すべき欠陥の種類に応じて電子ビーム照射条件および検出器、検出条件等を指定することにより、電位コントラストで観察可能な電気的欠陥が可能になる。取得した画像は、画像処理部で自動的に分類され、結果を欠陥ファイルに追加して出力される。 (もっと読む)


【課題】 フリップチップボンディング後のチップとテープの位置決め精度を高い精度で評価する。
【解決手段】 チップ3を保持するマウントヘッド5とステージ上のテープ4との間に、退避可能なプリズム型ミラー2と、このプリズム型ミラー2の二つの反射面2bと反射面2cに映じたチップ3のパッドおよびテープ4のバンプ4bの画像等を撮影するカメラ1を配置し、ボンディング直前のチップ3のパッドおよびテープ4のバンプ4bの位置ずれ量を正確に測定し、フリップチップボンディング完了後の、パッドとバンプ4bの位置ずれの良否を高精度判定する。 (もっと読む)


【課題】 加水分解性の液体材料が大気と接触するのを確実に防止できる液体自動供給システムを提供する。
【解決手段】 このCVD装置50は、処理室51にペンタエトキシタンタル(PET)を供給するための容器53に予備容器73を接続し、容器53内のペンタエトキシタンタル(PET)の残量が少なくなったときは、配管54と容器53とを切り離して新しい容器53と交換するのではなく、予備容器73からペンタエトキシタンタル(PET)を補充する。これにより、配管54と容器53とを切り離すためのジョイント61jを通じて配管54内に大気が侵入し、配管54内の残留ペンタエトキシタンタル(PET)が加水分解されて酸化タンタルが生成することはない。 (もっと読む)


【目的】 少ない処理液により高品質の処理を行い得るようにする技術を提供する。
【構成】 半導体ウエハWは第1の処理部材11に支持ピン2により支持されるようになっており、第1の処理部材11の平坦な対向面1aと半導体ウエハWの被処理面Waとの間には隙間3が形成される。第1の処理部材11に対向する第2の処理部材12と半導体ウエハWの被処理面Wbとの間には隙間4が形成される。それぞれの隙間3,4には、処理液が供給されるようになっており、処理液はそれぞれの隙間3,4の中に毛細管現象により広がり、それぞれの被処理面Wa,Wbが処理される。次いで、それぞれの隙間3,4の中に乾燥用のガスを供給することにより、処理液が除去されるとともに、被処理面Wa,Wbが乾燥処理される。 (もっと読む)


【目的】 樹脂封止型半導体装置におけるパッケージの薄型化。
【構成】 レジンパッケージ1内において、リード2の表裏面に配線兼固定テープ4が接着されている。半導体チップ3はフェイスダウンボンディング状態で前記配線兼固定テープ4に固定されている。配線兼固定テープ4は、表裏面に接着剤5を有するとともに、所定箇所には上下端にソルダー7を有する導体6が貫通状態で取り付けられている。前記配線兼固定テープ4とリード2および半導体チップ3は接着剤5で機械的に接着される。また、リード2と半導体チップ3の電極9は導体6によって電気的に接続される。なお、前記配線兼固定テープ4は全体で40μm程度の厚さとなっている。また、半導体チップ3を被うレジン11は50μmとなっている。この結果、パッケージ1の薄型化が達成できる。 (もっと読む)


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