【課題】上記問題点を解消する為になされたものであり、小型化可能な光源装置を提供する。
【解決手段】光源装置１は、面発光レーザ素子10および光位相変調部20を備える。面発光レーザ素子10は、基板11上にＤＢＲ層12、活性層15およびＤＢＲ層18等が形成されたものであり、レーザ発振させるための共振器がＤＢＲ層12，18により構成されている。光位相変調部20は、面発光レーザ素子10の出射面上に設けられ、入力する光のビーム断面上の位置に応じて該光を位相変調して透過させ、その位相変調後の光を出力する。光位相変調部20に入力される光のビーム断面上において、所定位置を中心とするｐ個の円周によって区分される(p+1)個の領域を設定したときに、(p+1)個の領域それぞれの径方向の幅が外側の領域ほど広く、(p+1)個の領域それぞれにおいて位相変調量が一定であり、(p+1)個の領域のうち隣り合う２つの領域の間で位相変調量がπだけ異なる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子のサブマウント実装時において、メサ部に加わる応力を低減できる光源装置および光半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る光源装置３において、サブマウント９０と第１の電極部５０ａとの間に空隙７０が形成されてなることから、サブマウント９０は、補強部材４０の上面４０ａに形成された第２の電極部５０ｂとのみ接触し、メサ部２０の上面２０ａに形成された第１の電極部５０ａとは接触しない構造となる。これにより、半導体発光素子１をサブマウント９０に実装する際、サブマウント９０から基板１１方向に加わる応力は、サブマウント９０と接する第２の電極部５０ｂのみに加わり、第２の電極部５０ｂを介して補強部材４０へ伝わる。よって、サブマウント９０実装時において、第１の電極部５０ａを介してメサ部２０に応力が加わることを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 構造を単純化することができるテラヘルツアンテナモジュールを提供する。
【解決手段】 テラヘルツアンテナモジュール１では、光導電アンテナ素子１７が配線基板９に固定され、配線基板９の信号配線を介して電気信号入出力用ポート２３の電気信号入出力用ピン２４と電気的に接続されている。また、緩衝部材７、半球状レンズ８、光導電アンテナ素子１７及び配線基板９がベース２の開口６側からこの順序でベース２の凹部３に配置され、ベース２へのカバー２５の取付けによって、配線基板９、光導電アンテナ素子１７及び半球状レンズ８が緩衝部材７に対して押圧されている。更に、半球状レンズ８の光軸ＯＡが光導電アンテナ素子１７の光導電アンテナ部を通るように、凹部４によって配線基板９が位置決めされ、緩衝部材７によって半球状レンズ８が位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板での対応する導電路とが良好に接続される半導体装置を用いた放射線検出器を提供する。
【解決手段】 入力面２０ａ側で開口面積が大きくなるテーパ部２０ｄを有する貫通孔２０ｃが設けられたガラス基板、及び貫通孔２０ｃの内壁に形成された導電性部材２１からなる配線基板２０を用いる。この配線基板２０の入力面２０ａ上に形成された導電性部材２１の入力部２１ａに対し、ＰＤアレイ１５の出力面１５ｂ上に導電性部材２１に対応して設けられたバンプ電極１７を接続して、半導体装置５とする。そして、ＰＤアレイ１５の光入射面１５ａに光学接着剤１１を介してシンチレータ１０を接続し、配線基板２０の出力面２０ｂにバンプ電極３１を介して信号処理素子３０を接続して、半導体検出器を構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板での対応する導電路とが良好に接続される半導体装置を提供する。
【解決手段】 入力面２０ａ側で開口面積が大きくなるテーパ部２０ｄを有する貫通孔２０ｃが設けられたガラス基板、及び貫通孔２０ｃの内壁に形成された導電性部材２１からなる配線基板２０を用いる。この配線基板２０の入力面２０ａ上に形成された導電性部材２１の入力部２１ａに対し、ＰＤアレイ１５の出力面１５ｂ上に導電性部材２１に対応して設けられたバンプ電極１７を接続して、半導体装置５とする。そして、ＰＤアレイ１５の光入射面１５ａに光学接着剤１１を介してシンチレータ１０を接続し、配線基板２０の出力面２０ｂにバンプ電極３１を介して信号処理素子３０を接続して、半導体検出器を構成する。 （もっと読む）

【課題】クラック発生を防止し、転位密度も低減することのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１は、下地層４上に成長し、厚み方向に沿った断面が略三角形状であって、かつ周期的なストライプ状をなし、ストライプの斜面６１上に凹凸面６２を設けられたＧａＮ系半導体層６と、ＧａＮ系半導体層６上に形成されたＡｌＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮからなる埋め込み層７とを備える。凹凸面６２は、水平断面における斜面の垂線方向が多方向にわたる多数の細斜面からなる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な全反射テラヘルツ波測定装置を提供する。
【解決手段】全反射テラヘルツ波測定装置１は、テラヘルツ波を用いて全反射測定法により測定対象物Ｓの情報を取得するものであって、光源１１、分岐部１２、チョッパ１３、光路長差調整部１４、偏光子１５、ビームスプリッタ１７、テラヘルツ波発生素子２０、内部全反射プリズム３１、テラヘルツ波検出素子４０、１／４波長板５１、偏光分離素子５２、光検出器５３Ａ、光検出器５３Ｂ、差動増幅器５４およびロックイン増幅器５５を備える。内部全反射プリズム３１は、いわゆる無収差プリズムであって、入射面３１ａ，出射面３１ｂおよび反射面３１ｃを有する。内部全反射プリズム３１の入射面３１ａにテラヘルツ波発生素子２０が一体に設けられ、内部全反射プリズム３１の出射面３１ｂにテラヘルツ波検出素子４０が一体に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 散乱成分をより効率良く分離可能なエネルギー閾値を決定できる閾値決定方法を提供する。
【解決手段】線源２からの放射線Ｒをコリメータ６を通して放射線検出器３で光子計数法により検出し、その検出データに基づいて、検出器の検出領域のうち、放射線の直進成分の検出領域を第１領域Ａとし、散乱成分の検出領域を第２領域Ｂ１，Ｂ２とし、第１領域内及び第２領域内のカウント値の平均値の比（第１カウント比）を算出する。次に、検出器のエネルギー閾値を上げながら被照射物５を通過した放射線を検出器によって検出し、各エネルギー閾値の検出データに基づき、第１領域内及び第２領域内のカウント値の平均値の比（第２カウント比）を算出する。次いで、複数のエネルギー閾値のうち第１カウント比に基づいた所定の条件により第２カウント比を選択し、その第２カウント比に対するエネルギー閾値を直進成分弁別用閾値とする。 （もっと読む）

【課題】透過測定法と全反射測定法との間の切り替えが容易であって安定した測定条件で測定を行うことができるテラヘルツ波測定装置を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波測定装置１は、透過測定法と全反射測定法との間の切り替えが可能でテラヘルツ波を用いて測定対象物の情報を取得するものであって、光源１１、分岐部１２、チョッパ１３、光路長差調整部１４、偏光子１５、合波部１６、テラヘルツ波発生素子２０、第１プリズム３１０、第２プリズム３２０およびテラヘルツ波検出素子４０等を備える。第１プリズム３１０は、入射面３１０ａ，出射面３１０ｂ，反射面３１０ｃ，凹部を形成する第１副反射面３１０ｄおよび第２副反射面３１０ｅを有する。第２プリズム３２０は、第１プリズム３１０の凹部に嵌合し得る形状を有する凸部を形成する入射面３２０ａおよび出射面３２０ｂ、内部空間３２０ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の幅広い波長領域に渡って、発光素子の評価試験を精度よく行なうことができるとともに、装置の小型化と低コスト化に資することのできる光検出素子と、それを用いた発光素子試験装置を提供する。
【解決手段】 第1導電型の半導体基板１０１と、半導体基板の上面の一部に形成された第２導電型の不純物半導体領域１０４と、第２導電型の不純物半導体領域の上面側の受光面に、多数の開口を有する積層体を備え、積層体は、下層を形成する光反射性金属膜１０６、及び上層を形成して表面の多数の凹凸により光反射を低減する光無反射性のメッキ黒色膜１０７から成ることを特徴とする。 （もっと読む）