【課題】初期故障品を短時間で選別することができる半導体レーザのスクリーニング方法および製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体レーザの光出力と、該光出力で動作する半導体レーザが所定の劣化状態に至るまでの時間と、の関係を示す光出力−劣化時間特性を取得する（Ｓ７５４）。次に、取得された光出力−劣化時間特性に基づいて、半導体レーザを所定時間で所定の劣化状態に至らせるための光出力を決定する（Ｓ７５６）。そして、Ｓ７５６で決定された光出力で半導体レーザを所定時間動作させる。 （もっと読む）

【課題】メサストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の高出力化を推進する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、素子１個当たり３本のメサストライプ部を有している。真ん中に配置された主メサストライプ部（ＭＳ１）は、発振波長よりも広い幅を有してり、その両側に配置された２本の副メサストライプ部（ＭＳ２）は、発振波長よりも狭い幅を有している。また、主メサストライプ部（ＭＳ１）と副メサストライプ部（ＭＳ２）の間隔は、発振波長よりも狭くなっている。発振波長よりも狭い幅の副メサストライプ部（ＭＳ２）は、横モードカットオフへの影響がほとんど無いので、キンクレベルの低下もほとんど無い。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く、周波数特性に優れた電界吸収型変調器を提供すること。
【解決手段】ＥＡ変調器１０は、印加される電界に応じて光の吸収量が変化する光導波層３２と、光導波層３２に電界を印加するｐ側電極４０と、を含む。ｐ側電極４０は、光導波層３２の入力端３２ａに入力され出力端３２ｂから出力される光の経路に沿って延伸するメサ部４２と、電気信号線が接続されるＰＡＤ部４４と、ＰＡＤ部４４とメサ部４２の入力端３２側の部分領域とを接続する帯状のＰＡＤ接続部４６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速伝送が可能であり、電気的接続の信頼性が高い光伝送モジュールを提供すること。
【解決手段】光伝送モジュール１０は、半導体レーザ素子を格納する光送信モジュール２２と、外部装置に対して挿抜可能に接続される外部コネクタを有するメイン基板３２と、半導体レーザ素子から出力される光信号に応じた電気信号を生成するレーザドライバ２８を搭載したサブ基板２６と、メイン基板３２とサブ基板２６とを挿抜方向に沿って電気的に接続するフレキシブル基板３０と、光送信モジュール２２に形成された半導体レーザ素子の外部電極とサブ基板２６に形成されたレーザドライバ２８の信号電極とを接続する剛性のリード２４と、光伝送モジュール２２とメイン基板３２とサブ基板２６とを収納し、光送信モジュール２２を固定する筐体２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ｎ型窒化物半導体に対する良好なオーム性接触と、実装性に優れる良好なＡｕ表面を有するｎ電極を備えた窒化物半導体発光装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体に接する側から順に、窒化アルミニウムからなる厚さが１nm以上、５nm未満の範囲である第一層と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ及びＰｔから選ばれる1以上の金属からなる第二層と、Ａｕからなる第三層とを有する積層構造で構成され、上記積層膜を形成後、ｎ型窒化物半導体に対してオーミック接続を得るための熱処理を施したｎ電極を用いる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型窒化物半導体に対する良好なオーム性接触と、実装性に優れる良好なＡｕ表面を有するｎ型オーミック電極を備えた窒化物半導体発光装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体に接する側から順に、Ａｌを主成分とする厚さが３nm以上、１０nm以下の第一層と、Ｍｏ、及びＮｂから選ばれる1以上の金属からなるＡｌの上方拡散を抑止する第二層と、Ｔｉ、及びＰｔから選ばれる１以上の金属からなるＡｕの下方拡散を抑止する第三層と、Ａｕからなる第４層を有する積層構造で構成され、上記積層膜を形成後、熱処理を施したｎ型オーミック電極を用いる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の波長ずれを誤りなく検出すること。
【解決手段】光伝送モジュール１０は、レーザダイオード２０と、レーザ光の波長に対して単調増加するレーザダイオード２０の温度を検出するレーザ温度算出部５２と、入射光の波長に対して透過率が周期的に変動するエタロンフィルタ３６に入射するレーザ光の透過率およびその透過率に対応するレーザ波長を検出する波長算出部４４と、レーザ温度算出部５２により検出された温度と、波長算出部４４により検出されたレーザ波長と、に基づいて、レーザダイオード２０から出力されるレーザ光の設定波長からの波長誤差（波長ずれ）を検出する波長誤差取得部５４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光変調器から出力された信号による、半導体レーザ素子から出力される光の波形の乱れを抑えることができる、同軸型の光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュールは、同軸型の光送信パッケージと、光送信パッケージに接合される配線基板４０とを有する。光送信パッケージは、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出力される光を変調する光変調部と、半導体レーザ素子及び光変調部と電気的に接続される導体基板２１とを備え、配線基板４０に、半導体レーザ素子に駆動電流を供給する駆動電流供給線４２と、導体基板２１と共通グラウンドとを電気的に接続する共通グラウンド線とが形成され、一端が共通グラウンド線と電気的に接続され、他端が駆動電流供給線４２と電気的に接続される信号減衰回路６０が、配線基板４０上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光半導体を用いた光モジュールを製造するためのコストの増加を抑えた、基板を透過して光の入射や出射を行う光半導体を提供する。
【解決手段】光透過性を有する基板１１と、基板１１の表側に形成され、光電変換を行うフォトダイオード部１２と、基板１１の裏側における、フォトダイオード１２の裏側以外の領域に形成された、裏側ｎ電極１４ａ及び裏側ｐ電極１４ｂと、基板１１の表側に形成され、フォトダイオード部１２と電気的に接続される表側電極１３（表側ｎ電極１３ａ及び表側ｐ電極１３ｂ）と、を備え、表側電極１３が、裏側ｎ電極１４ａ及び裏側ｐ電極１４ｂと連絡されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑え、品質の低下を防ぎつつ、反射戻り光量を抑制した光モジュールを製造することができる光レセプタクル、この光レセプタクルを用いた光モジュール、及び、光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】レンズ３０、及び、レンズ３０を支持するレンズ支持部３２を収容するための凹部２０ａと、凹部２０ａの底から外部へ貫通した、外部から光ファイバ５０が挿入される貫通孔２０ｂと、が形成された光レセプタクル２であって、レンズ３０、及び、レンズ支持部３２を、レンズ３０の光軸（レンズ光軸４０）と、貫通孔２０ｂに挿入される光ファイバ５０の光軸（光ファイバ光軸４２）とがずれるよう凹部２０ａに収容した場合に、凹部２０ａの内周面がレンズ支持部３２の外周面に対して所期の位置に定まるよう、凹部２０ａが形成されている。 （もっと読む）